專利名稱：用于保護(hù)布線和集成電路器件的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的以下具體實(shí)施例一般涉及集成電路。更具體地，這些具體實(shí)施例涉及微加工(MEMS)器件。
背景技術(shù)：
在集成電路中，通常設(shè)置不同的材料層以制造集成電路。該方法是通過沉積鈍化層以保護(hù)早先沉積的材料層來實(shí)現(xiàn)。而且，通常在集成電路上覆蓋塑性材料以防止其損壞。然而，鑒于有些集成電路由有源機(jī)械元件構(gòu)成的事實(shí)，不允許在這些集成電路上覆蓋這樣的鈍化層。例如，在微加工(MEMS)器件領(lǐng)域，通常提供有源機(jī)械元件(例如反射器)，其需要暴露在空氣中。在MEMS器件是由反射器構(gòu)成的情況下，這些反射器必須能夠接收光傳送信號(hào)，以使這些傳送信號(hào)能夠通過來自這些反射器的反射適當(dāng)?shù)匕l(fā)送。類似地，例如，其它元件允許各種光信號(hào)的折射或衍射。這些僅僅是例子，因?yàn)镸EMS器件可由其它有源機(jī)械元件構(gòu)成。由于當(dāng)這樣的有源機(jī)械元件必須自由地移動(dòng)和接收信號(hào)時(shí)不能將鈍化材料涂覆到整個(gè)電路上這一事實(shí)，這樣的MEMS器件使集成電路元件的封裝變得困難。集成電路制造的一個(gè)方面是材料沉積，以形成在整個(gè)集成電路中傳送電信號(hào)的導(dǎo)體。這通常通過沉積適合在整個(gè)集成電路中傳送特定電信號(hào)的導(dǎo)電材料來實(shí)現(xiàn)。一種這樣的導(dǎo)電材料是多晶硅，其是導(dǎo)電的，用于集成電路中傳送數(shù)字信號(hào)。在正常情況下，當(dāng)制造傳統(tǒng)的集成電路時(shí)，這樣的導(dǎo)電材料可用其它材料并盡可能用鈍化層封裝，以保護(hù)導(dǎo)電材料免于暴露在制造工藝中經(jīng)常出現(xiàn)的外部微粒。然而，在MEMS器件的制造過程中，使用這樣的封裝材料通常是不可能的，原因在于這些有源機(jī)械元件不能在不破壞其功能的條件下被封裝。因此，在封裝MEMS器件的過程中，有時(shí)有必要沉積暴露在空氣中的導(dǎo)體，其結(jié)果是存在的無規(guī)律微粒容易使其短路。例如，這樣的無規(guī)律微粒可以僅僅是存在于制造集成電路的空氣中的灰塵微粒。通常，通過使用嚴(yán)格的過濾控制將這類微粒從加工環(huán)境中過濾掉，但是，這樣的過濾不可能總是擋住每個(gè)微粒。因此，一些微粒仍然能夠漏過過濾處理，且能夠使暴露的導(dǎo)體短路。然而，更通常的是，在MEMS器件的多個(gè)制造步驟中，制造工藝本身導(dǎo)致硅碎片沒有被完全去除。例如，通常利用接連的材料層沉積以及部分這些材料層的中間去除來完成制造工藝。當(dāng)這些層相遇時(shí)，通常從已經(jīng)除去其它材料的邊緣得到材料碎片。硅是非常易碎的，因此，在材料層相遇的邊緣的硅片容易脫落，產(chǎn)生漂移至電路的其它部分的自由微粒。這些自由微粒不是計(jì)劃中的，但是，它們并不是不常見的。有時(shí)，這些微粒被稱之為“縱梁(stringer)”。而且，縱梁可由犧牲微粒產(chǎn)生，該犧牲微粒是在制造工藝過程中釋放的且仍未被該工藝的步驟完全去除的犧牲微粒。例如，有時(shí)，本來打算將材料蝕刻掉，但僅被脫離出來，而未從集成電路上去除。因此，這可導(dǎo)致縱梁自由地移動(dòng)到電路的其它部分。由于存在固有的灰塵和縱梁，這些微?？稍诩呻娐饭ぷ髌陂g造成導(dǎo)體短路。MEMS器件常常和典型的集成電路不同。即，在電路區(qū)域給定單位內(nèi)具有暴露導(dǎo)體的高密度的情況下，MEMS器件經(jīng)常以非常高的電壓工作。相反，在導(dǎo)體彼此絕緣的情況下，典型的集成電路(例如，存儲(chǔ)器件)通常以非常低的電壓工作。而且，這樣的典型絕緣集成電路器件通常不具有在MEMS器件中通常具有的暴露布線密度。結(jié)果，由于存在的高壓和以如此高的電勢(shì)差工作的暴露導(dǎo)體的鄰近，MEMS器件容易短路。例如，與在例如一些標(biāo)準(zhǔn)集成電路存儲(chǔ)器件中使用的5伏信號(hào)相比，這樣的電壓可以是數(shù)百伏。
因此，需要一種能夠降低例如由于電短路而造成的MEMS器件損壞的發(fā)生機(jī)會(huì)的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例提供了一種減少由集成電路中的外部微粒造成損壞的發(fā)生的方法和裝置。根據(jù)本發(fā)明的該具體實(shí)施例，提供了用于微加工器件的基板；提供了作為微加工器件的部分的導(dǎo)體，用于在微加工器件工作期間傳導(dǎo)電信號(hào)；以及，提供了用于導(dǎo)體的保護(hù)覆蓋物(protectivecovering),以便該導(dǎo)體被放置在基板和保護(hù)覆蓋物之間。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例，微加工器件可被制造，其包括基板；焊盤(bonding pad);放置在基板上的導(dǎo)體；其中該導(dǎo)體與該焊盤電連接；在該基板上設(shè)置有有源機(jī)械元件(active mechanical component),其中該有源機(jī)械元件被配置以相對(duì)于基板移動(dòng)；以及放置在該導(dǎo)體上的保護(hù)覆蓋物，以使導(dǎo)體被放置在保護(hù)覆蓋物和基板之間。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例，通過在導(dǎo)體上沉積一層材料為導(dǎo)體配置保護(hù)覆蓋物，以形成至少部分在導(dǎo)體周圍的隧道(tunnel)。因此，通過使用覆蓋了導(dǎo)體的大部分長度的隧道，可防止導(dǎo)體的主要部分電短路。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例,在導(dǎo)體周圍可建立基環(huán)(groundring)。可通過將導(dǎo)電材料與電路的基板電連接來實(shí)現(xiàn)這樣的基環(huán)，以提供作為用于導(dǎo)體的保護(hù)覆蓋物的等電位材料。因此，例如，等勢(shì)面可用來使導(dǎo)體與在整個(gè)電路中移動(dòng)的縱梁絕緣。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，通過考慮結(jié)合附圖的以下描述，其中闡明了用于實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例的某些方法、裝置、以及制造物品，本發(fā)明的更多具體實(shí)施例是顯而易見的。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限于所披露的細(xì)節(jié)，而是包括在本發(fā)明的精神和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有這樣的改變和修改。


圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的微加工器件的橫截面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的微加工器件的平面圖，示出了焊盤和有源機(jī)械元件以及被保護(hù)層覆蓋的導(dǎo)體和具有暴露材料的導(dǎo)體。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的橫截面圖，顯示覆蓋多于一個(gè)導(dǎo)體的材料保護(hù)層。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例提供微加工器件的方法的流程圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例提供微加工器件的方法的流程圖。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例提供集成電路的方法的流程圖。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例提供集成電路的方法的流程圖。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例在導(dǎo)體上配置等電位阻擋層(equipotential barrier)的方法的流程圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖17是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。圖18是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的橫截面圖，說明在保護(hù)導(dǎo)體中起隧道作用的防護(hù)阻擋層。
具體實(shí)施例方式圖I示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的橫截面圖。圖I示出微加工器件100，其具有例如由硅制成的基板140。在圖I中，示出直接沉積在硅層140上的材料氮化層(nitride layer of material)。該氮化層充當(dāng)電絕緣體，同時(shí)娃充當(dāng)導(dǎo)體。而且，圖I示出沉積在氮化層上的導(dǎo)體120的橫截面圖。該導(dǎo)體適于在集成電路中傳導(dǎo)電信號(hào)。例如，這樣的導(dǎo)體被用于將電信號(hào)從芯片的焊盤傳導(dǎo)至MEMS器件上的有源機(jī)械元件(activemechanical component)的輸入端。圖I所示橫截面圖還示出豎立在導(dǎo)體120周圍的保護(hù)覆蓋物110。在圖I中，該保護(hù)覆蓋物由多晶硅制成，其充當(dāng)導(dǎo)電體。微加工器件100的有源機(jī)械元件是作為圖I中的方塊160示出。例如，該有源機(jī)械元件可以是反射從光導(dǎo)纖維電纜接收的光信號(hào)的反射器。其它有源機(jī)械元件可包括但不限于，使光信號(hào)衍射或折射的器件。圖I中示出的有源機(jī)械元件被示出能夠移過角度(Θ )。因此，當(dāng)集成電路工作時(shí)，此有源機(jī)械元件能夠相對(duì)于固定基板140移動(dòng)。在圖I器件160中相交的虛線示出有源機(jī)械元件相對(duì)于基板的位置和在圖I中示出的有源機(jī)械元件的示范性移動(dòng)。當(dāng)然，其它移動(dòng)同樣也可完成。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，例如，反射器的定位可通過在氮化層150和有源機(jī)械元件160之間放置另外的材料層而產(chǎn)生。為了簡明起見，這些層未在圖I中示出。盡管圖I示出集成電路的橫截面圖，可以理解，保護(hù)覆蓋物110不需要沿導(dǎo)體120的整個(gè)長度延伸。相反，保護(hù)覆蓋物可被配置以便沿導(dǎo)體長度的大部分例如50%或更多、或甚至70%、90%、或95%的長度延伸。圖I還示出由保護(hù)覆蓋物110和基板140形成的基環(huán)。由于保護(hù)覆蓋物位于導(dǎo)電材料112和116的方塊上的事實(shí)，在圖I中其與硅層進(jìn)行電連接，等電位電路則在導(dǎo)體120的周圍建立起來。這樣，落在保護(hù)覆蓋物110上的松散材料(loose material)的任何碎片在集成電路工作期間將處于地面電壓基準(zhǔn)。而且，當(dāng)被基環(huán)包圍時(shí)導(dǎo)體承受到的唯一電壓將是地面電壓。此外，用基環(huán)包圍導(dǎo)體可有助于減少在導(dǎo)體傳送的信號(hào)上的電噪聲(例如電磁干擾)的影響。圖I還示出導(dǎo)體是鄰近材料170。此材料可以是絕緣材料(例如二氧化硅)或可替換地，如果氧化物材料通過使用，例如，氫氟酸(HF)作為部分制造工藝釋放，那么材料170可以僅僅是集成電路正在其中工作的空氣。圖2是集成電路的平面圖，其舉例說明本發(fā)明的各種具體實(shí)施例。在圖2中，焊盤280、282、284、和286被示出。焊盤280與導(dǎo)體220電連接，導(dǎo)體本身又電連接于有源機(jī)械元件260。類似地，焊盤282與導(dǎo)體222進(jìn)行電連接，導(dǎo)體本身又與有源機(jī)械器件262進(jìn)行電連接。導(dǎo)體222由保護(hù)覆蓋物210保護(hù)。此外，焊盤284通過暴露的導(dǎo)體224連接于有源機(jī)械器件264。類似地，焊盤286通過保護(hù)導(dǎo)體226連接于有源機(jī)械器件266。在圖2中示出的保護(hù)覆蓋物210和214示出配置導(dǎo)體的保護(hù)覆蓋物的可選方式。即，導(dǎo)體226的保護(hù)覆蓋物示出保護(hù)覆蓋物的方形末端。與此相反，保護(hù)覆蓋物210示出保護(hù)覆蓋物210的喇叭口或漏斗狀末端。在圖2中喇叭口作為保護(hù)覆蓋物210的角狀部分212示出。通過使保護(hù)覆蓋物的末端張開，保護(hù)覆蓋物的壁可遠(yuǎn)離暴露的導(dǎo)體延伸。這樣，由于縱梁必須足夠 長以觸及喇叭口形壁和暴露的導(dǎo)體這樣一事實(shí)，落在集成電路上的縱梁不太可能使材料的暴露部分短路。通過加寬縱梁必須在暴露的導(dǎo)體和保護(hù)覆蓋物的壁之間移動(dòng)的距離，降低了使電路短路的可能性。類似地，保護(hù)覆蓋物相對(duì)于導(dǎo)體的高度可在保護(hù)材料層的末端處增加，以便在垂直方向上實(shí)現(xiàn)相同目的。這樣，每個(gè)保護(hù)覆蓋物的末端的大體的漏斗狀將降低在保護(hù)覆蓋物末端和暴露的導(dǎo)體出現(xiàn)的地方出現(xiàn)短路的可能性?？蛇x地，保護(hù)覆蓋物可僅僅被弄成方形，如保護(hù)覆蓋物214和圖I的截面圖所示。這可能是沉積作為保護(hù)覆蓋物的材料的更直接和更容易的方式。作為平面圖的圖2還示出保護(hù)覆蓋物可覆蓋暴露的導(dǎo)體的大部分。類似地，圖2示出保護(hù)覆蓋物可為可選導(dǎo)體而非所有導(dǎo)體而制造。圖2中示出的導(dǎo)體僅為示范性的?？深A(yù)見很多導(dǎo)體將不會(huì)直接從焊盤沿直線移動(dòng)到有源器件。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的集成電路的橫截面圖。在圖3中，保護(hù)覆蓋物310被用于覆蓋多于一個(gè)的導(dǎo)體，即導(dǎo)體322、324、和326。這樣，在圖3中，保護(hù)覆蓋物310可用來保護(hù)多于一個(gè)的導(dǎo)體。在圖3的示例中，基板340用絕緣材料350覆蓋。保護(hù)覆蓋物通過沉積材料312和314連接于基板340。因此，保護(hù)覆蓋物材料可以是連接于硅基板的多晶硅。絕緣體材料可以是氮化物或氮氧化物的結(jié)合物。將保護(hù)覆蓋物連接于基板的中間材料可以是多晶硅或金屬，其可同樣用于被保護(hù)的導(dǎo)體。圖4示出用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的方法的流程圖400。在方塊410中，提供基板以用于微加工器件。在方塊420中，提供導(dǎo)體作為微加工器件的部分。在方塊430中，提供用于導(dǎo)體的保護(hù)覆蓋物，以便導(dǎo)體被置于基板和保護(hù)覆蓋物之間。在圖5中，流程圖500示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的方法。在方塊510中，提供基板以用于微加工器件。在方塊520中,提供導(dǎo)體作為微加工器件的一部分。在方塊530中，提供用于導(dǎo)體的保護(hù)覆蓋物，以便導(dǎo)體被置于基板和保護(hù)覆蓋物之間。在方塊540中，基板與保護(hù)覆蓋物電連接。在方塊550中，配置保護(hù)覆蓋物以便在導(dǎo)體上形成隧道。在方塊560中，完成微加工器件的制造而沒有在預(yù)先沉積的材料層上使用鈍化層。圖6是流程圖600，其描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例在集成電路中保護(hù)導(dǎo)體的方法。在圖6的方塊610中，提供基板。方塊620示出焊盤是置于基板之上，而方塊630示出導(dǎo)體被置于基板之上，同時(shí)導(dǎo)體與焊盤進(jìn)行電連接。方塊640示出有源機(jī)械元件被置于基板之上，其中該有源機(jī)械元件被配置以相對(duì)于基板移動(dòng)。在方塊650中，保護(hù)覆蓋物被置于導(dǎo)體之上，以便導(dǎo)體被置于保護(hù)覆蓋物和基板之間。圖7是流程圖700，其描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的方法。在圖7中，方塊710示出焊盤被提供為微加工裝置的一部分。根據(jù)方塊720，有源機(jī)械元件被提供和配置以在微加工裝置工作期間移動(dòng)。在方塊730中，導(dǎo)體被沉積在有源機(jī)械元件和焊盤之間。在方塊740中，放置在機(jī)械元件和焊盤之間的導(dǎo)體被保護(hù)。圖8示出為集成電路中的導(dǎo)體提供等電位阻擋層的本發(fā)明的具體實(shí)施例。即，在方塊810中，基板被提供。如方塊820中所示，導(dǎo)體是放置在基板之上。并且，在方塊830中，等電位阻擋層被配置以至少部分在導(dǎo)體周圍延伸。通過沉積保護(hù)材料以覆蓋導(dǎo)體的大部分，可保護(hù)導(dǎo)體免于電短路，而不需沉積鈍化層。這樣，可完成微加工器件的制造，而不需在其它被用于制造集成電路的預(yù)先沉積的材料層之上沉積材料的鈍化層?！D9至圖18示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例制造用于導(dǎo)體的保護(hù)層的工藝。在圖9中，硅基板900被示出。在此硅層之上，氧化物例如二氧化硅910被示出已被沉積。而且，氮化物層920被示出已被沉積。氮氧化物層形成氮氧化物疊層(stack)。這樣，硅基板具有導(dǎo)電體的性質(zhì)，而氮氧化物層充當(dāng)電絕緣體。圖10說明掩?？捎糜谠诘趸飳又挟a(chǎn)生通道1010和1020。用于實(shí)現(xiàn)此目的的掩模在圖10頂部示出。圖11示出導(dǎo)電材料1100的沉積層。例如，在圖11中，多晶硅可用作導(dǎo)電材料。此多晶硅層被沉積在氮化物層之上以便給先前在圖10中形成的通道加襯里(line)。在圖12中，蝕刻步驟可通過使用掩模來進(jìn)行。掩模在圖12頂部示出。此工藝移去多晶硅層，留下多晶硅層1230、1210、和1220的殘余物。片段(segment) 1230和1220用來給先前形成的通道加襯里，而剩余物1210則被掩模配置以起導(dǎo)體的作用。被沉積和被蝕刻掉的多晶硅通常被稱為polyO。圖13示出絕緣層1300例如二氧化硅的沉積。在圖13中示出的二氧化硅層充當(dāng)犧牲氧化物層。圖14示出通過使用另一掩模，犧牲氧化物層可被蝕刻掉。這在圖14中示出，其中犧牲氧化物層立刻在多晶硅片段上被蝕刻掉，而不是在多晶硅導(dǎo)體上。圖15示出第二多晶硅層1500的沉積。在圖15中此多晶硅層被沉積在先前施加的犧牲層上。在圖15中此多晶硅層被連接到先前沉積的多晶硅層，其將第二多晶硅層連接于娃基板。在圖16中，又一掩模被用于蝕刻掉部分先前施加的多晶娃層。這樣，如圖16中所示，沉積的多晶硅層被示出存在于導(dǎo)體上，但在犧牲氧化物層上被移去。在圖17中，施加了兩個(gè)額外的犧牲氧化物層。首先沉積犧牲氧化物層1700，隨后是犧牲氧化物層1710。如可在圖17中示出的具體實(shí)施例中所看到的，第二犧牲氧化物層1710比第一犧牲氧化物層1700要厚。這些犧牲氧化物層可用于定位有源機(jī)械元件。在沉積犧牲氧化物層和制造電路的其它元件之后，例如通過使用氫氟酸，可釋放這些犧牲氧化物層。氫氟酸的使用除去了材料的氧化物層，但是未去除多晶硅或氮化物層。這樣，如圖18中所示，犧牲氧化物層的去除留下被保護(hù)覆蓋物1810a保護(hù)的導(dǎo)體1820。在圖18中基板1840被氧化物層1845和氮化物層1850覆蓋。保護(hù)覆蓋物1810通過polyO材料1830和1832與硅基板1840電連接。這樣，制造工藝允許形成至少部分用保護(hù)覆蓋物覆蓋的導(dǎo)體。保護(hù)覆蓋物可以多種方式沉積。例如，其可被施加為單層，由于下面的層的布局，其可在導(dǎo)體周圍形成隧道。這樣的隧道在圖I的橫截面圖中示出。此隧道可沿導(dǎo)體的長度延伸。如先前指出的，此隧道可部分地在導(dǎo)體周圍延伸，又與其它導(dǎo)電材料進(jìn)行電連接，以便在導(dǎo)體周圍形成接地電路(ground circuit)。這樣,此接地電路可延伸隧道的長度。而且，可以預(yù)見，保護(hù)覆蓋物可由多于一種的材料組成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，等電位阻擋層可通過使用多晶硅作為等電位阻擋層的材料來制造。而且，此多晶硅材料可與基板進(jìn)行電連接以便形成等位環(huán)。此外，基板可用信號(hào)地(circuit ground)電連接于例如與信號(hào)地連接的焊盤，以便在正被保護(hù)的導(dǎo)體周圍建立基環(huán)。 制造工藝已被描述為在另一材料層“之上”設(shè)置材料層，例如保護(hù)層。詞“之上”是指在參考層之上，例如，當(dāng)基板定位在支持表面上時(shí)的基板層。然而，不要求這兩層是接連的材料層。在這兩個(gè)參考層之間可存在中間的材料層。而且，“等位環(huán)”被理解為是指相對(duì)于參考電壓的環(huán)的電壓在整個(gè)環(huán)內(nèi)大體上相等。人們認(rèn)識(shí)到，由于在集成電路器件的制造中使用的一些材料的電阻性能(resistive properties),在整個(gè)基環(huán)內(nèi)電壓將不是精確地相等。然而，如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的，由該材料所引入的這種可忽略的差別并不認(rèn)為從等位環(huán)的定義中除去這樣的結(jié)構(gòu)。盡管本發(fā)明的各種具體實(shí)施例已被描述為用于實(shí)施本發(fā)明的方法或裝置，應(yīng)當(dāng)理解的是，一些具體實(shí)施例可通過結(jié)合至計(jì)算機(jī)的代碼例如駐留在計(jì)算機(jī)上的或可通過計(jì)算機(jī)存取的代碼類似地實(shí)現(xiàn)。例如，軟件和數(shù)據(jù)庫可用來實(shí)施上述的許多方法。這樣，除了其中本發(fā)明是通過硬件實(shí)現(xiàn)的具體實(shí)施例以外，還需要指出，也可通過使用一種包括計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)(其具有包含在其中的可機(jī)讀程序代碼)的制造物品來實(shí)現(xiàn)這些具體實(shí)施例，其能夠?qū)崿F(xiàn)本描述中披露的功能。因此，希望本發(fā)明的具體實(shí)施例在其程序代碼方式也被認(rèn)為受此專利的保護(hù)。還需要指出，本文中所列舉的許多結(jié)構(gòu)、材料、和作用可被講述為用于實(shí)現(xiàn)功能或用于實(shí)現(xiàn)功能的步驟的裝置。因此，應(yīng)當(dāng)理解，這樣的語言有權(quán)覆蓋在本說明書內(nèi)所披露的所有這樣的結(jié)構(gòu)、材料、或作用及其等價(jià)物。除了其中本發(fā)明是通過硬件實(shí)現(xiàn)的具體實(shí)施例以外，還需要指出，也可通過使用一種包括計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)(其具有包含在其中的可機(jī)讀程序代碼)的制造物品來實(shí)現(xiàn)這些具體實(shí)施例，其能夠?qū)崿F(xiàn)本說明書中披露的硬件的功能和/或制造。例如，如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的，這可以通過使用硬件描述語言(HDL)、寄存器傳遞語言(RTL)、VERIL0G、VHDL、或類似編程工具來完成。因此可以預(yù)見，如上所述由本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的功能可在核心中表現(xiàn)，該核心可用在編程代碼中并可轉(zhuǎn)變?yōu)橛布?，作為集成電路生產(chǎn)的一部分。因此，希望上述的具體實(shí)施例在其程序代碼方式也被認(rèn)為受本專利的保護(hù)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為，從本說明書將理解本發(fā)明的具體實(shí)施例及其許多附帶優(yōu)點(diǎn)，并且顯而易見的是，可對(duì)其部分的形式、結(jié)構(gòu)、和安排作出各種變化，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍或犧牲其所有實(shí)質(zhì)性優(yōu)點(diǎn)，以上描述的本文的形式僅是其示范性的具體實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種微加工器件，包括 基板； 導(dǎo)體，其被配置為所述微加工器件的部分； 保護(hù)覆蓋物，其被放置在所述導(dǎo)體之上，以便所述導(dǎo)體被放置 在所述基板和所述保護(hù)覆蓋物之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中，所述保護(hù)覆蓋物包括多晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中，所述保護(hù)覆蓋物被沉積為材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述材料層保護(hù)多個(gè)導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中，所述器件被配置以在沒有鈍化層放置在所述導(dǎo)體之上的情況下工作。
6.一種保護(hù)微加工器件中的導(dǎo)體的方法，所述方法包括 提供包括基板的微加工器件； 提供作為所述微加工器件的部分的導(dǎo)體； 提供作為所述微加工器件的部分的保護(hù)覆蓋物，其中所述導(dǎo)體 被放置在所述微加工器件的所述保護(hù)覆蓋物和所述基板之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述提供保護(hù)覆蓋物包括將多晶硅用作所述保護(hù)覆蓋物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述提供所述保護(hù)覆蓋物包括將所述保護(hù)覆蓋物沉積為材料層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述材料層保護(hù)多個(gè)導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括 不在所述微加工器件的有源機(jī)械元件上沉積鈍化層。
11.一種微加工裝置，包括 基板； 焊盤； 導(dǎo)體，其被放置在所述基板上，其中所述導(dǎo)體與所述焊盤電連接； 有源機(jī)械元件，其被放置在所述基板上，其中所述有源機(jī)械元件被配置以相對(duì)于所述基板移動(dòng)； 保護(hù)覆蓋物，其被放置在所述導(dǎo)體上，以使所述導(dǎo)體被放置在所述保護(hù)覆蓋物和所述基板之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述有源機(jī)械元件包括反射器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述反射器包括硅。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述有源機(jī)械元件在所述裝置工作期間被暴露在空氣中。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述導(dǎo)體的一部分在所述裝置工作期間被暴露在空氣中。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述保護(hù)覆蓋物包括多晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，當(dāng)至少100伏特的電壓被施加于所述保護(hù)覆蓋物時(shí)，所述保護(hù)覆蓋物可用于保護(hù)所述導(dǎo)體免于電短路。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述裝置被配置以進(jìn)行工作，而不沉積鈍化層。
19.一種提供微加工裝置的方法，所述方法包括 提供基板； 在所述基板之上放置焊盤； 在所述基板之上放置導(dǎo)體，其中所述導(dǎo)體與所述焊盤電連接； 在所述基板之上放置有源機(jī)械元件，其中所述有源機(jī)械元件被配置以在所述微加工裝置工作期間相對(duì)于所述基板移動(dòng)； 在所述導(dǎo)體之上放置保護(hù)覆蓋物，以使所述導(dǎo)體被放置在所述保護(hù)覆蓋物和所述基板之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述有源機(jī)械元件包括反射器。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述反射器包括硅。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述有源機(jī)械元件在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述導(dǎo)體的一部分在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述保護(hù)覆蓋物包括多晶硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述保護(hù)覆蓋物是可操作的，以便當(dāng)至少100伏特的電壓被施加于所述保護(hù)覆蓋物時(shí)保護(hù)所述導(dǎo)體免于電短路。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括 不在所述微加工裝置的有源機(jī)械元件上沉積鈍化層。
27.一種配置微加工裝置的方法，所述方法包括 提供作為所述微加工裝置的部分的焊盤； 提供有源機(jī)械元件，其中所述有源機(jī)械元件被配置以在所述微加工裝置工作期間移動(dòng)； 在所述有源機(jī)械元件和所述焊盤之間放置導(dǎo)體； 用材料保護(hù)層保護(hù)所述導(dǎo)體的至少一部分，所述導(dǎo)體被放置在所述有源機(jī)械元件和所述焊盤之間，而所述材料保護(hù)層可用于保護(hù)所述導(dǎo)體免于電短路。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述提供有源機(jī)械元件包括提供反射器。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括配置所述有源機(jī)械元件以便其在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，當(dāng)至少100伏特的電壓被施加于所述材料保護(hù)層時(shí)，所述材料保護(hù)層可保護(hù)所述導(dǎo)體。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括 不在所述有源機(jī)械元件之上沉積鈍化層。
32.一種微加工裝置，包括 焊盤； 有源機(jī)械元件，被配置以在所述微加工裝置工作期間移動(dòng)； 導(dǎo)體，被放置在所述有源機(jī)械元件和所述焊盤之間；覆蓋物，被配置以保護(hù)放置在所述焊盤和所述有源機(jī)械元件之間的至少部分所述導(dǎo)體免于電短路。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的微加工裝置，其中所述有源機(jī)械元件包括反射器。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的微加工裝置，其中所述導(dǎo)體的一部分在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的微加工裝置，其中所述覆蓋物被配置以便當(dāng)至少100伏特的電壓被施加于所述覆蓋物時(shí)保護(hù)所述導(dǎo)體。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的微加工裝置，其中所述微加工裝置被配置，而不沉積鈍化層。
37.一種方法,包括 提供基板； 在所述基板之上放置導(dǎo)體，其可用于傳導(dǎo)電信號(hào)； 至少部分地在所述導(dǎo)體周圍配置等電位阻擋層，其可用于保護(hù) 所述導(dǎo)體免于電短路。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，其中所述配置等電位阻擋層包括 在所述導(dǎo)體上沉積多晶硅；以及 將所述多晶硅與所述基板電連接以便形成等位環(huán)。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，還包括 將所述等位環(huán)電連接于信號(hào)地。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，還包括 將所述等電位阻擋層電連接于信號(hào)地。
41.一種裝置，包括 基板； 導(dǎo)體，放置在所述基板之上，所述導(dǎo)體可用于傳導(dǎo)電信號(hào)； 等電位阻擋層，至少部分地在所述導(dǎo)體周圍配置，且可用于保護(hù)所述導(dǎo)體免于電短路。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的裝置，其中所述等電位阻擋層包括多晶硅；以及 其中所述多晶硅與所述基板電連接以便形成等位環(huán)。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的裝置，其中所述等位環(huán)被配置，以在所述裝置工作期間連接于信號(hào)地。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的裝置，其中所述等電位阻擋層被配置，以在所述裝置工作期間連接于信號(hào)地。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于保護(hù)布線和集成電路器件的方法和裝置。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的微加工器件包括基板；導(dǎo)體，其被配置為所述微加工器件的部分；保護(hù)覆蓋物，其被放置在所述導(dǎo)體之上，以便所述導(dǎo)體被放置在所述基板和所述保護(hù)覆蓋物之間。
文檔編號(hào)B81B3/00GK102897706SQ20121039790
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2003年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月9日
發(fā)明者羅伯特·L·安德森, 大衛(wèi)·雷耶斯 申請(qǐng)人:阿爾特拉公司