專利名稱：去離子設(shè)備、用于該設(shè)備的電極模塊及制造該設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種去離子設(shè)備，更具體地講，涉及一種使用電化學(xué)方法去除液體中
含有的離子的去離子設(shè)備、一種用于該設(shè)備的電極模塊以及一種用于制造該設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
存在幾種用于凈化含有物質(zhì)(例如NaCl或者重金屬)的水的方法。這些方法中，通常使用利用離子交換樹脂凈化水的方法。然而，這種方法在再循環(huán)樹脂時(shí)需要使用酸性溶液或者堿性溶液，并需要使用大量聚合物樹脂和化工品以處理大量水，從而不利地存在經(jīng)濟(jì)效率低的缺點(diǎn)。 為了解決該缺點(diǎn)，近來(lái)對(duì)電容去離子(以下稱為"CDI")設(shè)備進(jìn)行了大量研究。
CDI技術(shù)基于以下簡(jiǎn)單的原理，當(dāng)電壓施加在層疊形式的兩個(gè)多孔碳電極(即，正電極和負(fù)電極)之間時(shí)，陽(yáng)離子和陰離子分別被電吸附到負(fù)電極和正電極上，以去除流體(例如水)中含有的離子。此外，對(duì)于這種技術(shù)，當(dāng)電極上的離子飽和時(shí)，可容易地將電極拆下，從而通過(guò)切換電極的極性或者斷開電源(也稱為"電流源")而能夠簡(jiǎn)單地使電極再循環(huán)。與離子交換樹脂方法或者用于電極再循環(huán)的反滲透不同，CDI技術(shù)避免使用任何酸性清潔溶液或者堿性清潔溶液，從而不產(chǎn)生二代化學(xué)廢品。此外，CDI技術(shù)幾乎不腐蝕或者污染電極，所以存在的優(yōu)點(diǎn)在于具有半永久性壽命(semi permanentlifespan)和相對(duì)高的能量效率，從而與其它方法相比，節(jié)省10-20倍的能量。 這種CDI設(shè)備包括端板，設(shè)置在上端和下端；多個(gè)電極模塊，構(gòu)成中間層；例如螺釘、螺母和密封件的材料，用于將所述電極模塊結(jié)合。 通過(guò)使用導(dǎo)電材料將碳材料粘合到集電極上而形成電極模塊的電極，所述碳材料具有高特殊表面(high specific surface)的孔以及吸附離子的能力。能夠形成路徑的通道形成在集電極的預(yù)定區(qū)域內(nèi)，并且碳材料粘合到集電極的一側(cè)或者兩側(cè)上，以形成電極。
CDI設(shè)備由包括多個(gè)交替的(alternating)電極模塊的堆(stack)組成。在這種CDI堆中，當(dāng)正(+)電極和負(fù)(_)電極連接到電極的電源上接著將水注入到布置在上部或者下部上的入口中時(shí)，水通過(guò)設(shè)置在每個(gè)集電極中的通道按照Z(yǔ)字形運(yùn)動(dòng)。當(dāng)水通過(guò)正電極和負(fù)電極時(shí)，包含在水中的陰離子被吸附到正電極的碳材料上，包含在水中的陽(yáng)離子被吸附到負(fù)電極的碳材料上。在離子被吸附到電極上之后，電極被彼此切換或者電流被中斷，從而去除被吸附在碳材料上的離子成分，因此使電極的再循環(huán)變得簡(jiǎn)單。
在傳統(tǒng)的CDI設(shè)備中，應(yīng)用于正(+)電極的電極模塊和應(yīng)用于負(fù)(_)電極的電極模塊二者均包括具有吸附離子能力的電極。因此，由于兩個(gè)電極均具有去離子能力，所以水中包含的陽(yáng)離子和陰離子都被去除。 然而，目前，當(dāng)CDI設(shè)備在各種領(lǐng)域中被使用時(shí)，通常，去除陽(yáng)離子和陰離子中的一種可能已經(jīng)足夠了，因此，需要開發(fā)其功能適合于各種領(lǐng)域的CDI設(shè)備。例如，可通過(guò)僅去除陽(yáng)離子提供用于清洗衣物所需要的量的用于清洗衣物的水，從而避免設(shè)計(jì)用于去除陰離子的CDI設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
因此，實(shí)施例一方面提供一種去離子設(shè)備，其中，為了僅去除陽(yáng)離子和陰離子中的
一種，在施加電源的一對(duì)電極模塊中，僅一個(gè)電極模塊具有去除液體中含有的陽(yáng)離子或者陰離子的能力，從而提高生產(chǎn)效率并降低制造成本。 實(shí)施例的另一方面提供一種電極模塊，其中，對(duì)于具有去離子能力的電極模塊，碳
納米材料直接生長(zhǎng)在集電極表面上，以形成電極，保護(hù)膜用于提高集電極的強(qiáng)度，從而最小化碳納米材料和集電極之間的接觸電阻，并提高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，實(shí)施例的另一方面還提供一種制造電極模塊的方法。 將在接下來(lái)的描述中部分闡述本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)，還有一部分通過(guò)描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而得知。 根據(jù)實(shí)施例的一方面，提供一種去離子設(shè)備，該去離子設(shè)備包括第一電極模塊，正電或者負(fù)電施加在該第一電極模塊上；第二電極模塊，與施加給第一電極模塊的電的極性相反的電或者地電位施加在該第二電極模塊上，其中，僅第一電極模塊包括用于吸附僅陽(yáng)離子和陰離子中的一種的離子吸附材料。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種去離子設(shè)備，該去離子設(shè)備包括一對(duì)端板單
元；多個(gè)單元電極模塊，層疊在所述一對(duì)端板單元之間，其中，所述單元電極模塊包括第
一電極模塊，正(+)電或者負(fù)(_)電施加在該第一電極模塊上；第二電極模塊，不包含離子
吸附材料，與施加給第一電極模塊的電的極性相反的電或者地電位施加在該第二電極模塊
上，僅第一電極模塊具有用于吸附僅陽(yáng)離子和陰離子中的一種的離子吸附材料。
第一電極模塊可具有一體的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括集電極，包含離子吸附材料；保
護(hù)膜，被熱擠壓到集電極的邊緣；絕緣板，使離子吸附材料絕緣。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚和更易于理解，其中 圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備的截面圖； 圖2是示出圖1中示出的去離子設(shè)備的"A"部分的局部放大圖； 圖3是示出去離子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的視圖，其中，第一電極模塊接負(fù)電，第二電極模塊
接地； 圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第一電極模塊的局部透視 圖5是示出用于制造第一電極模塊的方法的流程圖； 圖6是示出根據(jù)第一實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第一電極模塊中的碳納米材料的布置的視圖； 圖7是示出根據(jù)另一實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第一電極模塊的視 圖8是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第二電極模塊的分解透視 圖9是示出根據(jù)另一實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第二電極模塊的分解透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，其示例表示在附圖中，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。下面通過(guò)參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述。 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，去離子設(shè)備被設(shè)計(jì)成使得一對(duì)電極模塊中只有一個(gè)電極模塊能夠去除流體中含有的離子，從而去除流體中含有的陽(yáng)離子或者陰離子。以下，為了更容易理解起見，將舉例說(shuō)明能夠去除水中含有的陽(yáng)離子的去離子設(shè)備。
圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備的截面圖。
圖2是示出圖1中示出的去離子設(shè)備的"A"部分的放大圖。 如圖1和圖2所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電容去離子設(shè)備(以下，稱為"CDI設(shè)備")旨在電化學(xué)地去除液體中的離子，該CDI設(shè)備包括一對(duì)端板單元10a和10b，分別構(gòu)成CDI設(shè)備的底部和頂部，各自設(shè)置有入口 1 la ;多個(gè)單元電極模塊20和30，層疊在所述端板單元10a和10b之間，使得所述單元電極模塊20和30相互分開預(yù)定距離；結(jié)合構(gòu)件40，用于將所述一對(duì)端板單元10a和10b結(jié)合到所述單元電極模塊20和30。 因此，在單元電極模塊20和30中，當(dāng)?shù)谝浑姌O模塊20接負(fù)電，第二電極模塊30接正電時(shí)，水被引入到頂部和底部的入口 ，在水通過(guò)在所述電極模塊20和30中形成的通道沿著箭頭方向按照Z(yǔ)字形運(yùn)動(dòng)，并通過(guò)接負(fù)電的電極模塊時(shí)，水中含有的陽(yáng)離子被吸附到電極模塊的離子吸附材料上。 因此，CDI設(shè)備具有多個(gè)電極模塊20和30交替地布置在一個(gè)端板單元10a上的層疊結(jié)構(gòu)，另一個(gè)端板單元10b層疊在所述層疊結(jié)構(gòu)上，相鄰的電極模塊20和30之間設(shè)置的間隔對(duì)應(yīng)于吸附離子的單元室50。 端板單元10a和10b包括形成CDI設(shè)備的底部外表的第一端板單元10a和形成CDI設(shè)備的頂部外表的第二端板單元10b。 第一端板單元10a和第二端板單元10b設(shè)置有相同的結(jié)構(gòu)。因此，以下，將僅給出對(duì)第一端板單元10a的詳細(xì)解釋。第一端板單元10a包括端板單元11和布置在端板單元11上的端部分隔件12。入口 lla形成在端板單元11的一側(cè)上，并連接到布置在外部的供水管，水通過(guò)該入口 lla被供應(yīng)和排放，通道llb形成在端板單元11的另一側(cè)，水通過(guò)該通道lib被供應(yīng)到CDI設(shè)備和被從CDI設(shè)備排放出去。此外，端板單元11可以從金屬、塑料和橡膠中可變地選擇。最好是塑料材料。 單元電極模塊20和30包括施加有負(fù)(_)電的第一電極模塊20和施加有正(+)電的第二電極模塊30。 對(duì)于根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備，將負(fù)電施加給第一電極模塊20，將正電施加給第二電極模塊30，充有相反電的電源可被施加給第一電極模塊20和第二電極模塊30，但是所述實(shí)施例不限于此。如圖3所示，去離子設(shè)備可具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，將負(fù)電施加給第一電極模塊20，通過(guò)將第二電極模塊30接地而將地電位施加給第二電極模塊30。
雖然在下面提及，第一電極模塊20具有離子吸附材料，從而表現(xiàn)出去除離子的能力，但是第二電極模塊30不具有離子吸附材料，從而不表現(xiàn)出去除離子的能力。
在圖4至圖7中示出了第一電極模塊20的實(shí)施例，在圖8和圖9中示出了第二電極模塊30的實(shí)施例。 第一電極模塊20可以僅在集電極的任意一側(cè)(頂部或者底部)或者兩側(cè)上具有離子吸附材料。 以下，將在下面描述在集電極的兩側(cè)上具有離子吸附材料的第一電極模塊。
圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第一電極模塊的局部透視圖。
如圖4所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第一電極模塊20包括集電 極21，從外部將負(fù)(_)電施加在該集電極21上，并且碳納米材料22a作為多孔離子吸附材 料直接生長(zhǎng)在集電極21的表面上；一對(duì)保護(hù)膜23，附著到集電極21的邊緣處；絕緣板24， 結(jié)合到保護(hù)膜23上。在本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，粘附到集電極和絕緣板的一對(duì)保護(hù)膜也可適用 于使用不同的離子吸附材料或者在集電極上單獨(dú)設(shè)置和吸附離子吸附材料的情況(見下 面在圖5中所示)。 集電極21包括電源連接件21a，從主體延伸，用于連接到外部電源；端子金屬片 21b，連接到電源連接件21a。集電極21通過(guò)連接到電源連接件21a的端子金屬片21b接收 外部電源。集電極21在其一側(cè)設(shè)置有通道21c，以允許水通過(guò)下一個(gè)單元室50。通道21c 的尺寸和形狀可以變化。集電極21可由具有低電阻并能夠承受高溫的材料構(gòu)成。集電極 材料的代表性示例包括金屬(例如，鈦(Ti)、鎳(Ni)和不銹鋼)和石墨片。在本實(shí)施例中， 防腐蝕的并且實(shí)現(xiàn)節(jié)約制造成本的石墨片被用作示例性集電極材料。 碳納米材料22a具有大量的孔并表現(xiàn)出良好的吸附能力。碳納米材料22a可以是 活性碳、碳納米管或者碳納米纖維。具體地講，碳納米材料可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)直 接生長(zhǎng)在集電極21的表面上。下面將描述在集電極21上直接生長(zhǎng)碳納米材料的方法。除 了碳納米材料22a之外，離子吸附材料也可以是納米級(jí)金屬氧化物。金屬氧化物可以是氧 化釕(RuO》、氧化銥(IrO》、氧化鎳(NiO)等。 金屬氧化物可按照與通過(guò)CVD在集電極的表面上直接形成碳納米材料的方式類 似的方式通過(guò)濺射方法直接形成在集電極上。 保護(hù)膜23設(shè)置有孔23a，所述孔23a的形狀和尺寸足以覆蓋碳納米材料22a的區(qū) 域。保護(hù)膜23連接到集電極21，同時(shí)通過(guò)使碳納米材料22a穿過(guò)孔23a而暴露碳納米材料 22a。保護(hù)膜23被熱壓到集電極21的邊緣處。因此，通過(guò)將保護(hù)膜23熱壓到集電極21上， 而使集電極21的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度加強(qiáng)，從而可防止對(duì)集電極21的損壞。也就是說(shuō)，由于用于集電 極21的材料(即，石墨片)除了具有一些優(yōu)點(diǎn)之外其缺點(diǎn)在于由于強(qiáng)度低而易于撕裂，所 以可在石墨片的邊緣涂覆有保護(hù)膜23，以防止對(duì)石墨片造成損壞。保護(hù)膜23可以是聚酰亞 胺膜。 目前的絕緣板24也被稱為分隔件，該絕緣板24呈網(wǎng)格形式，以使碳納米材料22a 絕緣，并允許水在碳納米材料22a中流動(dòng)。絕緣板24連接到保護(hù)膜23，使得絕緣板24覆蓋 碳納米材料22a，以使電極模塊30與和所述電極模塊30相鄰的碳納米材料22a絕緣。
圖5示出了用于制造第一電極模塊的方法。 參照?qǐng)D5，提供預(yù)定尺寸的集電極21(100)。用于集電極的材料是石墨片。
提供集電極21之后，為了直接在集電極表面上生長(zhǎng)碳納米材料22a，將催化劑金 屬顆粒置于集電極21的兩個(gè)表面上(110)。用于在石墨片表面上放置催化劑金屬顆粒的方 法包括濺射或者噴霧干燥。 在于集電極21上放置催化劑金屬之后，通過(guò)CVD在集電極表面上直接生長(zhǎng)碳納米 材料22。例如，含有催化劑金屬(例如金屬鹽或者鋁鹽(alumi皿msalt))的集電極表面在 60(TC至120(TC條件下被熱處理并還原，接著與40(TC至1200°C的氫氣和含碳?xì)怏w的混合 物接觸超過(guò)預(yù)定時(shí)間，以將碳納米材料22a沉積在集電極21上。
在直接生長(zhǎng)碳納米材料22a之后，去除催化劑金屬(130)。在該工藝中，通過(guò)使用 化學(xué)清潔材料清潔集電極表面來(lái)去除催化劑金屬。 在去除催化劑金屬之后，金屬顆粒被引入到碳納米材料22a中(140)。金屬顆粒具 有消毒活性，從而防止細(xì)菌在與碳納米材料22a接觸的水中繁殖。 在將金屬顆粒引入到碳納米材料22a中之后，將保護(hù)膜23熱壓到集電極21的邊 緣上(150)。如上所述，由于用于集電極21的材料(g卩，石墨片)易于撕裂，所以集電極21 的邊緣上涂覆有保護(hù)膜23，以防止對(duì)石墨片造成損壞。集電極21的電源連接件21a連接到 端子金屬片21b，并且保護(hù)膜23涂覆在所述電源連接件21a上。 在將保護(hù)膜23熱壓到集電極21的邊緣上之后，絕緣板24被輥壓在保護(hù)膜23和 碳納米材料22a上(160)。如圖6所示，使用一對(duì)輥?zhàn)?0壓迫絕緣板24。為了提高碳納米 材料22a的吸附能力，絕緣板24被輥壓，使得碳納米材料22a沿著一個(gè)方向定向。
在將絕緣板24輥壓之后，絕緣板24的邊緣被壓迫(170)。在該工藝中，使用夾具 進(jìn)一步壓迫絕緣板24的邊緣，以與保護(hù)膜23緊密地接觸。 圖7示出了圖4中示出的第一電極模塊20的另一實(shí)施例，這是第一電極模塊20 的局部透視圖，其中，通過(guò)導(dǎo)電材料將離子吸附材料粘附到集電極上。 如圖7所示，第一電極模塊20中的集電極21所呈的形式是離子吸附材料22b物 理或者化學(xué)粘附到集電極21上。在這種情況下，與離子吸附材料直接生長(zhǎng)在集電極上的電 極相比，離子吸附材料與集電極之間的接觸電阻相對(duì)較大，使得導(dǎo)電性能輕微降低。
同時(shí)，第二電極模塊30不必要具有離子吸附能力，從而第二電極模塊30可采取 (例如)其上不粘附有碳納米材料的金屬板的形式。然而，當(dāng)來(lái)自傳統(tǒng)電極結(jié)構(gòu)的集電極 或者金屬板僅省去離子吸附材料時(shí)，會(huì)出現(xiàn)以下問題，例如，電極材料不必要的浪費(fèi)的問題 以及由于通道狹窄導(dǎo)致的流動(dòng)路徑狹窄而使層疊結(jié)構(gòu)(stack)的內(nèi)部液壓升高的問題。因 此，為了解決這些問題，在本發(fā)明的實(shí)施例中，第二電極模塊30形成為電線或者薄膜形式 的正(+)電極，從而由于能夠代替板形而可變地改變電極形狀而降低電極材料的成本，并 且由于源自電線/薄膜電極的通道區(qū)域變寬，所以顯著降低了層疊結(jié)構(gòu)的內(nèi)部液壓。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第二電極模塊的局 部透視圖。第二電極模塊包括電線形式的電極。 如圖8所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中包含的第二電極模塊30包括電極 部分32，不具有離子吸附材料；分隔板31，支撐電極部分32，使得第二電極模塊30與第一 電極模塊20隔開預(yù)定距離。此外，第二電極模塊30可包括設(shè)置在分隔板31的兩側(cè)的密封 材料33，以防止水泄漏到分隔板31的周圍。分隔板31包括用于接納密封材料33的密封凹 槽31d。 電極部分32包括連接到端子32b的多個(gè)電線電極32a并通過(guò)連接到端子32b的 連接端子32c接收電。 分隔板31包括矩形形狀的通孔31a，電極部分32安裝在該通孔31a上。此外，分 隔板31還包括突起31b，用于將電極部分32的電線電極32a的一側(cè)固定在分隔板31的 內(nèi)周表面上；連接凹槽31c，位于分隔板31的相對(duì)的內(nèi)周表面上，連接端子32c的一部分穿 過(guò)該連接凹槽31c，并且該連接凹槽31c暴露于外部。分隔板31包括在其頂部和底部的密 封凹槽31d，用于將密封材料33固定在該密封凹槽31d中。
因此，電極部分32的電線電極32a連接到形成在分隔板31中的突起31b，連接端 子32c插入到分隔板31的連接凹槽31c中，以將電極部分32安裝在分隔板31中。密封材 料33固定在分隔板31的密封凹槽31d中。 圖9示出了圖8中示出的第二電極模塊的另一實(shí)施例，示出了包括薄膜電極的第 二電極模塊。 如圖9所示，除了電極部分32'之外，第二電極模塊30'具有與圖6中示出的第 二電極模塊30的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。 電極部分32'包括具有薄膜形狀的多個(gè)電極。用于防止電極32a'彎曲或者下陷 從而使強(qiáng)度提高的保護(hù)膜32a' -l粘附到電極32a'的一側(cè)。 從上面的描述清楚的是，在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的去離子設(shè)備中，不具有去離子能力 的電極模塊的電極按照電線或者薄膜形式形成，從而由于能夠代替板形而可變地改變電極 形狀，所以使電極材料成本降低，提高了生產(chǎn)效率，并且由于源自電極形狀的改變而使水通 道變寬，所以使第二電極模塊的內(nèi)部液壓降低。 雖然已表示和描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫 離由權(quán)利要求及其等同物限定其范圍的本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例 進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
一種去離子設(shè)備，包括第一電極模塊，正電或者負(fù)電施加在該第一電極模塊上；第二電極模塊，與施加給第一電極模塊的電的極性相反的電或者地電位施加在該第二電極模塊上，其中，僅第一電極模塊包括用于僅吸附陽(yáng)離子和陰離子中的一種的離子吸附材料。
2. 如權(quán)利要求1所述的去離子設(shè)備，其中，第一電極模塊包括 集電極，從外部接收負(fù)電，并包含在其表面上的碳納米材料； 保護(hù)膜，被熱擠壓到集電極的邊緣；絕緣板，使離子吸附材料絕緣。
3. 如權(quán)利要求1所述的去離子設(shè)備，其中，包含在第一電極模塊中的離子吸附材料通 過(guò)化學(xué)氣相沉積或者濺射形成在接收電的集電極的表面上。
4 如權(quán)利要求1所述的去離子設(shè)備，其中，包含在第一電極模塊中的離子吸附材料粘 附到接收電的集電極的表面上。
5. 如權(quán)利要求1所述的去離子設(shè)備，其中，離子吸附材料是碳納米材料或者金屬氧化物。
6. 如權(quán)利要求5所述的去離子設(shè)備，其中，碳納米材料是活性碳、碳納米管或者碳納米 纖維。
7. 如權(quán)利要求5所述的去離子設(shè)備，其中，金屬氧化物是Ru02、 Ir02或者Ni0。
8. 如權(quán)利要求1所述的去離子設(shè)備，其中，第二電極模塊包括電線電極或者薄膜電極。
9. 如權(quán)利要求8所述的去離子設(shè)備，其中，薄膜電極的一個(gè)表面涂覆有膜以防止電極 彎曲。
10. 如權(quán)利要求8所述的去離子設(shè)備，其中，第二電極模塊包括分隔板，該分隔板用于 將電線電極或者薄膜電極容納在設(shè)置在該分隔板中的空間中，并允許第二電極模塊與第一 電極模塊隔開預(yù)定距離。
11. 如權(quán)利要求10所述的去離子設(shè)備，其中，分隔板包括突起，用于固定所述電極的 一側(cè)；連接孔，布置在所述電極的另一側(cè)的連接端子穿過(guò)該連接孔。
12. 如權(quán)利要求IO所述的去離子設(shè)備，其中，分隔板包括密封凹槽，該密封凹槽用于接 納密封材料，以防止液體泄漏到分隔板的周圍表面。
13. —種去離子設(shè)備，包括 一對(duì)端板單元；多個(gè)單元電極模塊，層疊在所述一對(duì)端板單元之間，其中，所述單元電極模塊包括第一電極模塊，正電或者負(fù)電施加在該第一電極模塊 上；第二電極模塊，不包含離子吸附材料，與施加給第一電極模塊的電的極性相反的電或者 地電位施加在該第二電極模塊上，僅第一電極模塊具有用于僅吸附陽(yáng)離子和陰離子中的一 種的離子吸附材料。
14. 如權(quán)利要求13所述的去離子設(shè)備，其中，第一電極模塊具有一體的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu) 包括集電極，包含離子吸附材料； 保護(hù)膜，被熱擠壓到集電極的邊緣；絕緣板，使離子吸附材料絕緣。
15.如權(quán)利要求13所述的去離子設(shè)備，其中，第二電極模塊包括電線電極或者薄膜電 極；分隔板，支撐所述電極，使得第二電極模塊與第一電極模塊隔開預(yù)定距離；密封凹槽， 接納密封材料，以防止水泄漏到分隔板的周圍。
全文摘要
本發(fā)明涉及去離子設(shè)備、用于該設(shè)備的電極模塊及制造該設(shè)備的方法。本發(fā)明提供一種去離子設(shè)備，在該去離子設(shè)備中，為了僅去除陽(yáng)離子和陰離子中的一種，在施加電源的一對(duì)電極模塊中，僅一個(gè)電極模塊包括能夠吸附離子而被給予離子吸附能力的電極，另一個(gè)電極模塊包括沒有離子吸附能力從而不被給予離子吸附能力的電極，從而提高生產(chǎn)效率并降低制造成本。
文檔編號(hào)B01D53/32GK101711941SQ20091015169
公開日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者盧瀅銖, 李垣炅, 池埈虎 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社