本發(fā)明涉及蓋板加工領域,特別是涉及一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝。
背景技術:
1、現(xiàn)有技術中,貼合好光學膜的蓋板,其之間會有很多超出規(guī)格的氣泡,通常采用高溫焗氣泡爐對貼附光學膜的蓋板進行一次性除泡,但除氣泡的效果不佳,仍會有超出規(guī)格的氣泡殘留,特別是光學膜貼附蓋板的邊緣位置,并且沒有連線檢測設備來對氣泡大小進行判斷是否在規(guī)格范圍內(nèi),靠人工肉眼判斷氣泡是否超標,準確性較低,降低了產(chǎn)品整體良率。并且工作人員采用膠輥進行人工二次排泡,由于受力不均,很容易造成光學膜底部膠體的局部堆積變形,造成報廢的損耗。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中的不足之處,提供一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝。
2、本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的:
3、一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,包括:包括以下步驟:
4、s1:將貼好光學膜的蓋板放入焗氣爐中進行初步除氣泡;
5、s2:檢測s1步驟處理后的蓋板檢測是否有超標氣泡,若有超標氣泡,則將其進行s3步驟處理,若無超標氣泡,則將其進行s4步驟處理;
6、s3:將s2步驟中檢測有超標氣泡的蓋板再次放入焗氣爐中進行第二次除氣泡;
7、s4:降溫取出。
8、優(yōu)選的,所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:35-45℃,時間:18-22分鐘,氣壓:0.3-0.5mpa。
9、優(yōu)選的,所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:40℃,時間:20分鐘,氣壓:0.4mpa。
10、優(yōu)選的,所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:45-55℃,時間:25-30分鐘,氣壓:0-0.3mpa。
11、優(yōu)選的,所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:50℃,時間:25分鐘,氣壓:0.3mpa。
12、優(yōu)選的,所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:50℃,時間:25分鐘,氣壓:真空。
13、優(yōu)選的,所述s3步驟在所述焗氣爐中內(nèi)置抽真空機進行對所述焗氣爐進行真空處理。
14、優(yōu)選的,所述s1步驟為密封狀態(tài)下。
15、優(yōu)選的,所述s2步驟采用攝像頭進行識別超標氣泡。
16、優(yōu)選的,所述攝像頭識別所述氣泡的規(guī)格,若所述氣泡為圓形,所述氣泡的直徑大于0.4mm為超標氣泡;若所述氣泡為非圓形氣泡,所述氣泡的長度和寬度大于0.4mm*0.4mm為超標氣泡。
17、與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點:
18、本發(fā)明的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝通過設置二次除氣泡,對蓋板與光學膜之間的小氣泡去除的更徹底,使得蓋板與光學膜之間的貼合性更好,同時避免了物理方式的膠輥除氣泡對蓋板上的光學膜造成的壓傷變形,降低了產(chǎn)品的整體不良率,而且采用攝像頭及設備程序自動檢測氣泡大小,減少誤判,降低人工成本,準確性高,提高生產(chǎn)效率。
1.一種低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,包括:包括以下步驟:
2.根據(jù)權利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:35-45℃,時間:18-22分鐘,氣壓:0.3-0.5mpa。
3.根據(jù)權利要求2所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s1步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:40℃,時間:20分鐘,氣壓:0.4mpa。
4.根據(jù)權利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:45-55℃,時間:25-30分鐘,氣壓:0-0.3mpa。
5.根據(jù)權利要求4所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:50℃,時間:25分鐘,氣壓:0.3mpa。
6.根據(jù)權利要求4所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s3步驟中焗氣爐的工作條件為溫度:50℃,時間:25分鐘,氣壓:真空。
7.根據(jù)權利要求6所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s3步驟在所述焗氣爐中內(nèi)置抽真空機進行對所述焗氣爐進行真空處理。
8.根據(jù)權利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s1步驟為密封狀態(tài)下。
9.根據(jù)權利要求1所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述s2步驟采用攝像頭進行識別超標氣泡。
10.根據(jù)權利要求9所述的低溫低氣壓除貼膜蓋板氣泡的工藝,其特征在于,所述攝像頭識別所述氣泡的規(guī)格,若所述氣泡為圓形,所述氣泡的直徑大于0.4mm為超標氣泡;若所述氣泡為非圓形氣泡,所述氣泡的長度和寬度大于0.4mm*0.4mm為超標氣泡。