具有呈錯(cuò)開排列的雙輻射壁的容器粗坯熱處理單元的制作方法
【專利摘要】一種用于處理具有塑料材料制空心主體的粗坯(2)的處理單元(1)，所述處理單元包括圍腔(5)，圍腔配有相對(duì)的兩個(gè)壁(3、4)，即一第一壁(3)和與所述第一壁相對(duì)的一第二壁(4)，第一壁和第二壁一起限定了圍腔(5)，粗坯(2)在該圍腔內(nèi)沿預(yù)定的縱向路徑行進(jìn)，其中：每個(gè)壁(3、4)包括一系列的間隔開的放射體(7)，每個(gè)放射體包括多個(gè)單頻或偽單頻的電磁放射源；反射區(qū)段(15)在相鄰的兩個(gè)放射體(7)之間的每個(gè)空間里延伸；第二壁(4)的放射體(7)相對(duì)于第一壁(3)的放射體(7)縱向地錯(cuò)開，使得每個(gè)壁(3、4)的放射體面向相對(duì)的壁的反射區(qū)段。
【專利說(shuō)明】具有呈錯(cuò)開排列的雙輻射壁的容器粗坯熱處理單元

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對(duì)空心主體例如容器制造的處理，通過(guò)對(duì)塑料材料制的粗坯進(jìn)行吹制或拉伸-吹制來(lái)進(jìn)行，術(shù)語(yǔ)“粗坯”指的是通過(guò)在模具中注入塑料材料得到的預(yù)成型件，或者基于已經(jīng)經(jīng)受了至少一初次成型操作并且將用于進(jìn)行至少一二次成型操作的預(yù)成型件獲得的中間空心主體。
[0002]更確切地，本發(fā)明涉及對(duì)粗坯的熱處理，其通常通過(guò)在稱為“爐”的處理單元內(nèi)行進(jìn)來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述“爐”裝備有多個(gè)電磁放射源，被帶動(dòng)圍繞著自身轉(zhuǎn)動(dòng)的粗坯在這些電磁放射源前行進(jìn)。

【背景技術(shù)】
[0003]一種傳統(tǒng)的加熱技術(shù)在于使用管狀鹵素型白熾燈，該白熾燈根據(jù)普朗特(Planck)定律在連續(xù)光譜上進(jìn)行放射。
[0004]這種應(yīng)用極其廣泛的技術(shù)并非沒(méi)有缺陷，其主要缺陷在于，本質(zhì)上，白熾燈所消耗的電能在散熱中輕易地浪費(fèi)了，而光譜中只有紅外線范圍可以有效地利用于加熱。這就是鹵素爐生產(chǎn)率很低的原因。另一個(gè)缺陷是這種加熱缺乏精確性，所述鹵素?zé)魹榉嵌ㄏ虻模词箍梢允褂靡恍┲圃煳?鏡子、密封件)來(lái)盡可能地將粗坯所吸收的放射局部地集中。
[0005]近期出現(xiàn)了一種可替代的技術(shù)，其基于在紅外線范圍內(nèi)發(fā)射的激光器的使用(參見以本 申請(qǐng)人:名義提出的法國(guó)專利申請(qǐng)F(tuán)R2878185和FR2917418)。
[0006]激光源的效率和性能(尤其是光學(xué)精度性能)遠(yuǎn)高于鹵素?zé)嵩吹男屎托阅埽⑶以诶碚撋峡梢詫?duì)粗坯進(jìn)行更快、更有選擇性的加熱。
[0007]目前已知的激光源所獨(dú)有的內(nèi)在特性卻不足以保證對(duì)粗坯的加熱具有良好的均勻性和高產(chǎn)率，為此，對(duì)于加熱單元的結(jié)構(gòu)的研究仍然是不可或缺的。
[0008]已經(jīng)有一些加熱單元的新構(gòu)型被提出，例如歐洲專利申請(qǐng)EP2002962，其提出了將相對(duì)于所述粗坯的行進(jìn)軌跡相切地定向的放射源傾斜。
[0009]第一個(gè)目的是確保在處理單元的圍腔中良好的能量分布。
[0010]第二個(gè)目的是提高粗坯處理單元的產(chǎn)率。
[0011]第三個(gè)目的是提出具有良好的緊湊性的粗坯處理單元。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]為了達(dá)到至少其中一個(gè)目的，其提出了一種用于處理具有塑料材料制空心主體的粗坯的處理單元，所述處理單元包括圍腔，所述圍腔配有相對(duì)的兩個(gè)壁，即一第一壁和與所述第一壁相對(duì)的一第二壁，第一壁和第二壁一起限定了圍腔，粗坯在該圍腔內(nèi)沿預(yù)定的縱向路徑行進(jìn)，其中:
[0013]-每個(gè)壁包括一系列間隔開的放射體，每個(gè)放射體包括多個(gè)單頻或偽單頻的電磁放射源；
[0014]-反射區(qū)段在相鄰的兩個(gè)放射體之間的每個(gè)空間中延伸；
[0015]-第二壁的放射體相對(duì)于第一壁的放射體縱向地錯(cuò)開，使得每個(gè)壁的放射體面向相對(duì)的壁上的反射區(qū)段。
[0016]對(duì)于這樣一種構(gòu)型的一些嘗試顯示了其可以在粗坯的暴露區(qū)域得到所預(yù)期的能量分布。尤其是，如果希望得到均勻的處理時(shí)，這種構(gòu)型可以在所述粗坯的暴露區(qū)域獲得均勻的放射功率。另外，這種構(gòu)型具有良好的緊湊性并且高效節(jié)能。
[0017]以下附加的特征可以單獨(dú)或相結(jié)合地設(shè)置:
[0018]-所述處理單元包括粗破的驅(qū)動(dòng)部件，驅(qū)動(dòng)部件驅(qū)動(dòng)粗坯在圍腔內(nèi)沿著至少兩個(gè)平行的行列行進(jìn)；
[0019]-沿兩行列的預(yù)成型件交錯(cuò)地布置；
[0020]-每個(gè)放射體的寬度大致等于或大于與該放射體相面對(duì)的反射區(qū)段的寬度；
[0021 ]-每個(gè)壁包括并置的個(gè)體模塊，每個(gè)個(gè)體模塊包括:
[0022]-成矩陣的放射體；
[0023]-圍繞放射體的開有洞孔的反射體；
[0024]-對(duì)于相鄰的兩個(gè)放射體之間的一給定間隔，第二壁的放射體相對(duì)于第一壁的放射體錯(cuò)開一半的給定間隔，該一半的給定間隔增加了反射體的一半寬度或是減少了反射體的一半寬度；或者
[0025]-對(duì)于相鄰的兩個(gè)放射體之間的一給定間隔，第二壁的放射體相對(duì)于第一壁的放射體錯(cuò)開一半的給定間隔；
[0026]-所述放射源為激光器，例如VCSEL激光二極管。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]通過(guò)閱讀以下參照附圖對(duì)示例性實(shí)施方式所進(jìn)行的描述，本發(fā)明的其他的目的和優(yōu)點(diǎn)將顯示出來(lái)，在附圖中:
[0028]-圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的預(yù)成型件的熱處理單元的側(cè)視圖；
[0029]-圖2是圖1中的熱處理單元沿剖面I1-1I的水平剖視圖；
[0030]-圖3是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的預(yù)成型件的熱處理單元的側(cè)視圖；
[0031]-圖4是圖3中的熱處理單元沿剖面IV-1V的水平剖視圖；
[0032]-圖5是上述圖中所顯示的這樣一種熱處理單元的一個(gè)壁的透視圖；
[0033]-圖6是根據(jù)圖5中的所述壁沿插入面VI的細(xì)部圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]在這些附圖中示意性地示出了成行列行進(jìn)的容器粗坯2的處理單元I。粗坯2在此情形下為預(yù)成型件，但其可涉及中間容器，該中間容器已經(jīng)受臨時(shí)成型操作并用于經(jīng)受一次或多次最終操作以獲得成品容器。同樣，所述處理在此情況下是通過(guò)紅外線放射進(jìn)行的熱處理但其可涉及通過(guò)紫外線放射進(jìn)行的去放射性污染處理。
[0035]預(yù)成型件2頸部向上示出，但其也可以頸部向下示出。
[0036]如在附圖中可見的，處理單元I包括相對(duì)的兩個(gè)壁，即一第一壁3和與所述第一壁相面對(duì)的一第二壁4，第一壁和第二壁一起限定了一圍腔5，預(yù)成型件2在該圍腔內(nèi)沿限定了一縱向方向的預(yù)定的路徑T行進(jìn)。在示出的實(shí)施例中該路徑T是線性的，但根據(jù)處理單元I所處安裝地點(diǎn)的構(gòu)型，其可以(至少局部地)是曲線的。
[0037]預(yù)成型件2被固定在稱為“轉(zhuǎn)架”(通過(guò)圓柱體示意)的樞轉(zhuǎn)的支撐件6上，所述支撐件驅(qū)動(dòng)預(yù)成型件2圍繞其主軸線轉(zhuǎn)動(dòng)以便將主體(即頸部以下的部分)暴露出來(lái)進(jìn)行處理。
[0038]根據(jù)已知的一實(shí)施方式，轉(zhuǎn)架6被安裝在沿著路徑T移動(dòng)的傳動(dòng)鏈條上，并且每個(gè)與和固定齒條嚙合的一個(gè)齒輪連在一起，以便每個(gè)預(yù)成型件2也被驅(qū)動(dòng)隨著其沿路徑T的移動(dòng)圍繞其回轉(zhuǎn)軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0039]任何其它驅(qū)動(dòng)所述轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)方法都可以使用。例如，這種轉(zhuǎn)動(dòng)可以是電動(dòng)的，例如通過(guò)用于每個(gè)轉(zhuǎn)架的個(gè)體電機(jī)或是通過(guò)一個(gè)共同的電機(jī)，電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)由一個(gè)合適的傳動(dòng)裝置傳遞到轉(zhuǎn)架，例如通過(guò)鏈條或通過(guò)傳動(dòng)皮帶。這樣一種電動(dòng)化的優(yōu)點(diǎn)是允許預(yù)成型件2在處理單元I中更快地轉(zhuǎn)動(dòng)，這適當(dāng)?shù)乜紤]了所述處理單元的緊湊性。
[0040]每個(gè)壁3、4同時(shí)被放射和反射，并且都包括一系列并置的成矩陣的放射體7，每個(gè)放射體包括多個(gè)以單頻(或偽單頻)方式在紅外線范圍內(nèi)輻射的電磁放射源。要注意到放射體7的縱向尺寸(或?qū)挾?為L(zhǎng)I。
[0041]理論上，單頻放射源是發(fā)射單一頻率的正弦波的理想放射源。換句話說(shuō)，它的頻譜由譜線寬度為零的單一譜線(Dirac)構(gòu)成。
[0042]在實(shí)際中，這樣的放射源是不存在的，理想放射源最好地是準(zhǔn)單頻的，即它的頻譜在譜線寬度較小但不為零的頻帶上延伸，該頻帶集中在放射強(qiáng)度最大的主要頻率上。然而，由于語(yǔ)言習(xí)慣，慣常把這種理想放射源定性為單頻放射源。另外，把以準(zhǔn)單頻的方式在間斷光譜上發(fā)射的放射源定性為“偽單頻”放射源，所述間斷光譜包括多個(gè)集中在相區(qū)別的主要頻率上的狹窄頻帶。也稱為多模放射源。
[0043]實(shí)際上，所述放射源通過(guò)并置(一些放射源在另一些放射源旁側(cè)縱向地布置)和疊置(即一些放射源在另一些放射源上布置)安排以形成一個(gè)矩陣。其涉及例如激光源，并且優(yōu)選地為激光二極管。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式，每個(gè)放射源為垂直腔面發(fā)射激光二極管(VCSEL)，每個(gè)二極管例如發(fā)射標(biāo)準(zhǔn)單位功率為毫瓦數(shù)量級(jí)的激光束，其波長(zhǎng)位于中短波紅外線范圍內(nèi)，例如波長(zhǎng)為lym。
[0044]實(shí)際上，所述矩陣被細(xì)分為二極管子組件8，附圖中以方塊形狀簡(jiǎn)單地示出，每個(gè)子組件的二極管數(shù)目大致相同。
[0045]并置(即沿縱向并排設(shè)置)的放射體7彼此間隔開，即這些放射體的側(cè)邊并不相接，而是彼此之間設(shè)置有空間。
[0046]每個(gè)放射體7限定了一個(gè)對(duì)稱的豎直中間平面M并且在相鄰的兩個(gè)放射體7之間的間距標(biāo)記為P(在所示的實(shí)施方式中該間距為恒定的)，限定為這些放射體7的中間平面M之間的距離。
[0047]如果對(duì)于預(yù)成型件2，每個(gè)二極管可以視為一個(gè)發(fā)出錐形光束的點(diǎn)放射源，則當(dāng)所有二極管被點(diǎn)亮?xí)r，每個(gè)放射體7產(chǎn)生紅外放射光暈，由于光現(xiàn)象如此復(fù)雜、尤其是有干擾現(xiàn)象，放射源如此多(每個(gè)放射體數(shù)千個(gè)放射源)，因此難以給出一個(gè)圖示。
[0048]不管怎樣，每個(gè)放射體產(chǎn)生的放射光暈的強(qiáng)度最大化地集中在中間軸線周圍，并且，在水平和豎直上都隨著遠(yuǎn)離該軸線而逐漸下降。
[0049]放射體7縱向并置，不言而喻的是每個(gè)壁3、4的能量分配在壁3、4的給定距離上是非均質(zhì)的，放射強(qiáng)度沿縱向方向可以被視為大致恒定的(實(shí)際上在中等強(qiáng)度附近可以有一些變化)，然而該強(qiáng)度在所述壁3和4的縱向端部?jī)蓚?cè)逐漸下降。
[0050]實(shí)際上，如附圖3中所示的，每個(gè)放射體7被集成在個(gè)體加熱模塊9中，加熱模塊還包括開有洞孔的、圍繞放射體7的反射體10 (適于反射放射體7的大部分放射)以及放射體7的冷卻塊11，所述冷卻塊包括用于供給和排出載熱流體的導(dǎo)管12。
[0051]呈矩形輪廓的反射體10，可以為鏡子的形式，即通常具有正面拋光、背面覆蓋有金屬錫汞齊的鏡面。然而，優(yōu)選地，為了避免或者將光能損失現(xiàn)象最小化，反射體10可以是:
[0052]-鏡面類型的，呈金屬材料制成的板的形式，板的朝向圍腔內(nèi)部的正面是拋光的；或者呈非必須為金屬的材料(例如玻璃或耐熱塑料)制成的板的形式，板的正面是拋光的或覆蓋有高反射率的薄層，例如金屬薄層(尤其是鍍銀或鍍金的薄層)；
[0053]-漫射類型的，呈例如由高反射率的陶瓷如燒結(jié)氧化鋁制成的板的形式。
[0054]每個(gè)反射體10具有大致矩形的下區(qū)段13，該下區(qū)段占據(jù)了放射體7下方的空間，頂部置有在側(cè)向?qū)Ψ派潴w7裝邊的兩個(gè)上區(qū)段14。
[0055]加熱模塊9被并置，使得相鄰的兩個(gè)模塊9的反射體10接合在一起，所述反射體10之間沒(méi)有間隙，或是其間隙被最小化正好滿足根據(jù)受熱周期在加熱單元I運(yùn)行時(shí)反射體10在必要情況下可以膨脹。
[0056]相鄰的兩反射體10的上區(qū)段14共同地構(gòu)成了反射區(qū)段15，在相鄰的兩個(gè)放射體7之間的空間中延伸，與所述相鄰的兩個(gè)放射體處于相同的水平位于相同的高度上。優(yōu)選地，每個(gè)反射區(qū)段15占據(jù)了相鄰的兩個(gè)放射體7之間的全部空間，標(biāo)記為L(zhǎng)2的該反射區(qū)段的寬度，大致等于放射體7的側(cè)邊之間的距離?？紤]到可能存在于相鄰的兩個(gè)反射體10之間的間隙的最小值，反射區(qū)段15的最優(yōu)近似性可以被視為連續(xù)的，邊緣效應(yīng)(即反射體10的側(cè)邊上產(chǎn)生的光學(xué)現(xiàn)象)可以被最小化。然而在次級(jí)近似性的情況下，可以考慮到邊緣效應(yīng)對(duì)處理單元I進(jìn)行構(gòu)型，正如以下將進(jìn)行描述的。
[0057]在圖1、3和4中可以看到，每個(gè)壁3、4頂部置有限位箍16，所述限位箍罩住放射體7以便限制放射傳播到圍腔5外。如在附圖1中可以清楚看到的，限位箍16具有凸起的前緣17，該前緣對(duì)放射體7裝邊并且其朝向圍腔的下表面可以反射以將放射集中到所述圍腔。實(shí)際上，如圖3和4中所示，限位箍16通過(guò)集成在每個(gè)加熱模塊9中的個(gè)體元件18的并置形成。
[0058]如在附圖2中可見的，壁3、4設(shè)置成使得放射體7和反射區(qū)段15交錯(cuò)排列地布置。
[0059]事實(shí)上，第二壁4的放射體7相對(duì)于第一壁3的放射體7縱向地(即沿著預(yù)成型件2的路徑T)錯(cuò)開，使得每個(gè)壁3、4的放射體7面向相對(duì)的壁的反射區(qū)段15。
[0060]根據(jù)圖2中所示的實(shí)施方式，在該實(shí)施方式中邊緣效應(yīng)被忽略不計(jì)，該錯(cuò)開的距離等于一半間距，即P/2，使得每個(gè)放射體7的中間平面M與相對(duì)的壁的連續(xù)的兩個(gè)反射體10之間的接合平面(標(biāo)記為M’ )重合。
[0061]這種構(gòu)型可以適用于加熱模塊9之間的連接不存在不連續(xù)性的情況，或者至少是這種不連續(xù)性被最小化的情況。事實(shí)上，較大的不連續(xù)性會(huì)導(dǎo)致在其空間分布中能量最大的部分中(因此在平面M中)的放射的反射缺陷。
[0062]為了使這樣一種間隙最小化(由此邊緣效應(yīng)最小化)，可以考慮對(duì)鄰近的反射體10的邊緣進(jìn)行精確的加工和接合。然而，如在上文已經(jīng)提及的，圍腔5中的加熱可能導(dǎo)致材料膨脹，這需要有這樣一種間隙的存在。
[0063]第一種解決方案可以在于通過(guò)設(shè)置單個(gè)反射體10用于相鄰的兩個(gè)加熱模塊9來(lái)消除邊緣效應(yīng)，該反射體跨接在其中每個(gè)模塊上，介于它們各自的放射體7之間。在這樣一種構(gòu)型中，在反射體處，相鄰的模塊9之間不再存在間隙。
[0064]另一種解決方案保留了單獨(dú)制造每個(gè)模塊9，每個(gè)模塊在放射體7的兩側(cè)裝備有一對(duì)反射體10,這種解決方案在于使第二壁4的放射體7相對(duì)于第一壁的放射體7縱向地錯(cuò)開一數(shù)值，該數(shù)值使平面M(在該平面處放射強(qiáng)度最大化)在不存在不連續(xù)性的反射部分的軸線上延伸，例如與反射體10的中間平面M重合。在圖4中示出了這樣一種解決方案，其示出一實(shí)施方式，在該實(shí)施方式中每個(gè)放射體7的中間平面M并不與連續(xù)的兩個(gè)反射體10之間的接合平面M’重合，而是與所述連接平面錯(cuò)開放射體的一半寬度，即L2/4。換言之，錯(cuò)位距離等于P/2土L2/4。該解決方案并不忽略邊緣效應(yīng)，然而將這種邊緣效應(yīng)最小化。
[0065]此外，為了避免圍腔5中可能出現(xiàn)任何陰影區(qū)，所述放射體的寬度LI等于或大于與其相面對(duì)的反射區(qū)段15的寬度L2。
[0066]加熱單元I可以包括具有朝向圍腔5的反射上表面20的下部反射體19。反射體19與例如法國(guó)專利申請(qǐng)F(tuán)R2954920(或國(guó)際專利申請(qǐng)W02011/083263)中所描述的類型相符，即其具有平坦的反射表面，該表面上可配有一些洞孔，使得圍腔5與放射俘獲室相連通。
[0067]根據(jù)附圖中所示的實(shí)施方式，下部反射體19是凹形的(呈溝槽狀)并且在壁3、4上連續(xù)地延伸，將所述壁連接在一起以形成圍腔5并且通過(guò)限制放射向外部分散而將所述放射集中在圍腔中。
[0068]如在附圖中可見的，反射體19可以由分別與每個(gè)壁3、4相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)部分構(gòu)成，使得所述兩個(gè)壁存在間隔(或接近)。這種情況下，為了避免任何放射泄漏，優(yōu)選地在反射體19下方設(shè)置下層二次反射體21，這確保反射體19的兩個(gè)間隔開的部分之間的間隙被填滿。這種布置可以調(diào)節(jié)圍腔5的寬度以便適應(yīng)不同尺寸的預(yù)成型件2，或是適應(yīng)預(yù)成型件2沿多個(gè)平行的行列行進(jìn)，如圖3和4中所示。
[0069]在圖3和4中所示的實(shí)施例中，預(yù)成型件2事實(shí)上沿多個(gè)(所此情形下為兩個(gè))平行的行列R1、R2、沿著相同的縱向方向，優(yōu)選地沿著一交錯(cuò)的構(gòu)型行進(jìn)。兩行列R1、R2之間的橫向間隔和預(yù)成型件2之間的縱向間隔可以尤其根據(jù)預(yù)成型件2的尺寸進(jìn)行調(diào)整。驅(qū)動(dòng)預(yù)成型件2沿兩行列行進(jìn)的驅(qū)動(dòng)裝置可以與驅(qū)動(dòng)預(yù)成型件2沿單個(gè)行列行進(jìn)的驅(qū)動(dòng)裝置相似，轉(zhuǎn)架可以簡(jiǎn)單地交錯(cuò)布置在兩個(gè)平行的行列上。
[0070]兩個(gè)發(fā)射壁3、4面對(duì)面的構(gòu)型尤其適合于預(yù)成型件2沿至少兩個(gè)交錯(cuò)布置的行列行進(jìn)。事實(shí)上，這種構(gòu)型可以對(duì)稱地加熱兩行列的預(yù)成型件2，得到放射的相同的空間分布，并且在加熱結(jié)束所有預(yù)成型件2從處理單元I排出時(shí)得到相同的熱型面。
[0071]已描述的處理單元I的構(gòu)型具有以下優(yōu)點(diǎn)。
[0072]第一，由于相對(duì)的兩個(gè)放射壁3、4，處理單元I具有良好的緊湊性。對(duì)于數(shù)目等同的放射體，處理單元I大約只有同等功率但裝配有單個(gè)放射壁的處理單元的一半。
[0073]第二，基于對(duì)處理單元I的緊湊性的推論，以相同的行進(jìn)速率，預(yù)成型件2的處理時(shí)間被縮短。
[0074]第三，由于相對(duì)的壁3、4的放射體的錯(cuò)開，預(yù)成型件2所受到的放射的輻照度的差異較小(即在一般放射方向上的每個(gè)橫向表面單位上的放射強(qiáng)度)。結(jié)果是帶來(lái)了良好的受熱均衡性。
[0075]第四，在預(yù)成型件2被布置在兩個(gè)平行的行列R1、R2上的情況下，由于圍腔5的填充率較高，處理單元I的生產(chǎn)能力得以增強(qiáng)，并且所述處理單元的光效也得以提高。
【權(quán)利要求】
1.一種用于處理具有塑料材料制空心主體的粗坯(2)的處理單元(I)，所述處理單元包括圍腔(5)，圍腔配有兩個(gè)相對(duì)的壁(3、4)，即一第一壁(3)和與第一壁相對(duì)的一第二壁(4)，第一壁和第二壁一起限定了圍腔(5)，粗坯(2)在該圍腔內(nèi)沿預(yù)定的縱向路徑行進(jìn)，其特征在于: -每個(gè)壁(3、4)包括一系列間隔開的放射體(7)，每個(gè)放射體包括多個(gè)單頻或偽單頻的電磁放射源； -反射區(qū)段(15)在相鄰的兩個(gè)放射體(7)之間的每個(gè)空間中延伸； -第二壁⑷的放射體(7)相對(duì)于第一壁(3)的放射體縱向地錯(cuò)開，使得每個(gè)壁(3、4)的放射體(7)面向相對(duì)的壁的反射區(qū)段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理單元，其特征在于，所述處理單元包括粗坯(2)的驅(qū)動(dòng)部件，驅(qū)動(dòng)部件驅(qū)動(dòng)粗坯在圍腔(5)內(nèi)沿至少兩個(gè)平行的行列(R1、R2)行進(jìn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理單元，其特征在于，所述處理單元包括預(yù)成型件(2)的驅(qū)動(dòng)部件，驅(qū)動(dòng)部件驅(qū)動(dòng)預(yù)成型件沿兩個(gè)交錯(cuò)的行列(R1、R2)行進(jìn)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的處理單元(I)，其特征在于，每個(gè)放射體(7)的寬度大致等于或大于與該放射體相面對(duì)的反射區(qū)段(15)的寬度。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的處理單元(I)，其特征在于，每個(gè)壁(3、4)包括并置的個(gè)體模塊(9)，每個(gè)個(gè)體模塊包括: -成矩陣的放射體⑵； -圍繞放射體的開有洞孔的反射體(10)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理單元(I)，其特征在于，對(duì)于相鄰的兩個(gè)放射體(7)之間的一給定間隔，第二壁(4)的放射體(7)相對(duì)于第一壁(3)的放射體錯(cuò)開一半的給定間隔，該一半的給定間隔增加了或者減少了反射體(10)的一半寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的處理單元(I)，其特征在于，對(duì)于相鄰的兩個(gè)放射體(7)之間的一給定間隔，第二壁(4)的放射體(7)相對(duì)于第一壁(3)的放射體錯(cuò)開一半的給定間隔。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的處理單元(I)，其特征在于，電磁放射源為激光器，優(yōu)選地為VCSEL型激光二極管。
【文檔編號(hào)】B29B13/02GK104080590SQ201280057355
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月21日
【發(fā)明者】C·貝勒克, G·弗約萊, I·馬約 申請(qǐng)人:西德爾合作公司