專利名稱：一種刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)的方法，特別涉及一種刻蝕方法。
背景技術(shù)：
隨著社會的飛速發(fā)展，石油，煤炭等不可再生能源的儲量越來越少，價格越來越高。作為重要的清潔能源之一，目前利用太陽能的技術(shù)越來越受到重視并得到廣泛的應(yīng)用。目前晶體太陽能電池的技術(shù)生產(chǎn)工藝已經(jīng)開始成熟，在生產(chǎn)太陽能電池的方法中，周邊刻蝕是其中很重要的部分，主要是為了去掉擴散時在硅片側(cè)面形成的PN結(jié)導(dǎo)電層。目前周邊刻蝕分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩種方法。在現(xiàn)有技術(shù)中，干法刻蝕是通過射頻輝光將反應(yīng)氣體激活成等離子體，這些等離子體擴散到需要刻蝕的部位，與被刻蝕材料進行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。通常的工藝是通入反應(yīng)氣體四氟化碳和氧氣，執(zhí)行一次射頻輝光的步驟，產(chǎn)生的氟游離基可以與二氧化硅和硅發(fā)生反應(yīng)，在刻蝕完二氧化硅之后繼續(xù)對硅進行刻蝕，完成工藝步驟。在現(xiàn)有技術(shù)方法的刻蝕反應(yīng)中，等離子體將被刻蝕材料中的二氧化硅刻蝕完后，會繼續(xù)對硅進行刻蝕，若直接采用一次射頻輝光，不改變氧氣濃度，會使得在刻蝕完二氧化娃之后對娃的刻蝕不充分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供能夠在刻蝕后期對硅充分刻蝕的刻蝕方法。本發(fā)明實施例提供一種刻蝕方法，包括:步驟1，向反 應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，所述反應(yīng)氣體包括氧氣，步驟2，減小通入反應(yīng)室的氧氣濃度，繼續(xù)利用射頻輝光將所述反應(yīng)室的反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案中，將常規(guī)刻蝕工藝中一步射頻輝光分兩步來完成。在第一次射頻輝光主要刻蝕二氧化硅層后，第二次射頻輝光通過降低氧氣的濃度使得對硅的刻蝕速率上升，從而在完成對二氧化硅的刻蝕后，充分對硅的進行刻蝕，提高刻蝕效果O


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例中刻蝕方法第一實施例示意圖；圖2為本發(fā)明實施例中刻蝕方法第二實施例示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供能夠在刻蝕后期對硅充分刻蝕的刻蝕方法。請參閱圖1，本發(fā)明實施例中刻蝕方法第一實施例包括:1、第一次射頻輝光；

向反應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，反應(yīng)氣體包括氧氣和四氟化碳，氧氣的流量為60毫升每分(sccm)至IOOsccm,四氟化碳的流量為400sccm至500sccm,反應(yīng)室內(nèi)壓強設(shè)定為450帕(pa),射頻輝光時間為500秒(s)。2、減少氧氣濃度，第二次射頻輝光；減少通入反應(yīng)室的氧氣濃度，繼續(xù)利用射頻輝光將所述反應(yīng)室的反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，氧氣的流量為40sccm至60sccm,四氟化碳的流量為300sccm至350sccm,通過改變各反應(yīng)氣體的流量來控制氧氣濃度，且通過減小反應(yīng)氣體的總流量來減小反應(yīng)室內(nèi)壓強，反應(yīng)室內(nèi)壓強設(shè)定為400pa，射頻輝光時間為1000s。本實施例中，通過將現(xiàn)有技術(shù)中一步完成的射頻輝光分為兩步來完成，在較短時間內(nèi)進行第一次射頻輝光，在第一次射頻輝光主要刻蝕二氧化硅層后，第二次射頻輝光通過降低氧氣的濃度使得對硅的刻蝕速率上升，從而在完成對二氧化硅的刻蝕后，充分對硅的進行刻蝕，提高刻蝕效果。請參閱圖2，本發(fā)明實施例中刻蝕方法第二實施例包括:11、第一次穩(wěn)壓；穩(wěn)定通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量以及穩(wěn)定反應(yīng)室內(nèi)壓強，反應(yīng)氣體包括氧氣和四氟化碳，氧氣的流量為60sccm至IOOsccm,四氟化碳的流量為400sccm至500sccm,反應(yīng)室內(nèi)壓強設(shè)定為450pa,穩(wěn)壓時間為60s。12、第一次射頻輝光；保持反應(yīng)氣體流量以及反應(yīng)室內(nèi)壓強，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，射頻輝光時間為500s。21、減少氧氣濃度，第二次穩(wěn)壓；穩(wěn)定通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量以及穩(wěn)定反應(yīng)室內(nèi)壓強,通入反應(yīng)室內(nèi)氧氣濃度減少，氧氣的流量為40sccm至60sccm,四氟化碳的流量為300sccm至350sccm,通過改變各反應(yīng)氣體的流量來控制氧氣濃度，且通過減小反應(yīng)氣體的總流量來減小反應(yīng)室內(nèi)壓強，反應(yīng)室內(nèi)壓強設(shè)定為400pa，穩(wěn)壓時間為60s。22、第二次射頻輝光；保持反應(yīng)氣體流量以及反應(yīng)室內(nèi)壓強，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，射頻輝光時間為1000s。本實施例中，通過對第一實施例中每一步射頻輝光之前都向進行一個步驟，穩(wěn)定通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量以及穩(wěn)定反應(yīng)室內(nèi)壓強，可以保證射頻輝光時反應(yīng)氣體流量以及壓強達到預(yù)設(shè)的要求，并且避免了在射頻輝光時壓力及氣體流量的波動所造成的不良影響，更好的控制刻蝕效果。以下表格為現(xiàn)有技術(shù)方法進行一次射頻輝光進行刻蝕后的電池片電壓測試效果以及本發(fā)明第二實施例提供的方法刻蝕后的電池片電壓測試效果的對比表，對分別利用現(xiàn)有技術(shù)方法和本發(fā)明第二實施例方法生產(chǎn)的電池片的四個邊進行四次電壓測試，再計算四次測試結(jié)果的平均值，左邊為現(xiàn)有技術(shù)方法測試效果，右邊為本發(fā)明第二實施例方法測試效果:
權(quán)利要求
1.一種刻蝕方法，其特征在于，包括: 步驟1，向反應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，所述反應(yīng)氣體包括氧氣， 步驟2，減小通入反應(yīng)室的氧氣濃度，繼續(xù)利用射頻輝光將所述反應(yīng)室的反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟I包括: 步驟11，穩(wěn)定通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量以及穩(wěn)定反應(yīng)室內(nèi)壓強； 步驟12，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體； 所述步驟2包括: 步驟21，穩(wěn)定通入反·應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量以及穩(wěn)定反應(yīng)室內(nèi)壓強； 步驟22，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于:所述步驟2中通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量小于步驟I中通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體流量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于:所述步驟21反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定的壓強比步驟11反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定的壓強要小。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于:所述步驟21反應(yīng)室內(nèi)設(shè)定的壓強為400帕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于:所述步驟I所用時間比步驟2所用時間少。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述步驟12射頻輝光所用時間為500秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于:所述步驟22射頻輝光所用時間為1000 秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或8所述的方法，其特征在于:所述步驟2通入反應(yīng)室的氧氣流量值的流量范圍為40暈升每分至60暈升每分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或9所述的方法，其特征在于:所述步驟2通入反應(yīng)室的反應(yīng)氣體包括四氟化碳，所述四氟化碳流量值的范圍為300毫升每分至350毫升每分。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種刻蝕方法，應(yīng)用于太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，本發(fā)明實施例包括步驟1，向反應(yīng)室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，利用射頻輝光將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體，所述反應(yīng)氣體包括氧氣，步驟2，減小通入反應(yīng)室的氧氣濃度，繼續(xù)利用射頻輝光將所述反應(yīng)室的反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體。本發(fā)明實施例能在刻蝕后期對硅進行充分刻蝕，刻蝕后的電池片更加穩(wěn)定。
文檔編號C23F4/00GK103074633SQ20111032892
公開日2013年5月1日 申請日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者楊征 申請人:浚鑫科技股份有限公司