專利名稱：陶瓷噴鍍部件及其制造方法、執(zhí)行該方法的程序、存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷噴鍍部件的制造方法、用于執(zhí)行該方法的程序、存儲介質(zhì)、以及陶瓷噴鍍部件，尤其涉及在形成處理氣的等離子體環(huán)境氣氛的腔室內(nèi)使用的電極、聚焦環(huán)、靜電吸盤等、和將基板等輸送給工藝裝置的輸送裝置內(nèi)所使用的輸送臂等的陶瓷噴鍍部件，陶瓷噴鍍部件的制造方法，用于執(zhí)行該方法的程序，以及存儲該程序的存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
目前，在容納基板的容納室、例如具有腔室的工藝裝置內(nèi)部，使用噴鍍例如氧化釔(Y2O3)(三氧化二釔)和氧化鋁(Al2O3)等的陶瓷的部件。一般，由于陶瓷與空氣中的水分反應(yīng)性很高，所以在定期檢查時，使腔室內(nèi)大氣開放時，和凈化時，對腔室內(nèi)進(jìn)行濕法凈化時，像上述的鍍噴陶瓷的噴鍍部件，例如腔室內(nèi)壁和上部電極等，有可能附著大量水分。
其結(jié)果是因?yàn)樵谇皇覂?nèi)壁上水分的脫離和附著會引起許多麻煩，例如，因腔室內(nèi)達(dá)到真空的時間很長而導(dǎo)致工藝裝置的工作效率降低，金屬成膜時的成膜異常，氧化膜等蝕刻時的蝕刻速率不穩(wěn)定，等離子體生成時產(chǎn)生顆粒脫落，和產(chǎn)生異常放電等問題。
為消除此類問題，在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種技術(shù)，即，將向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的部件(以下稱作“陶瓷噴鍍部件”)在沸騰水中長時間浸漬，通過在高溫、高壓、高溫度的環(huán)境下，對該部件進(jìn)行熱處理，使陶瓷與水進(jìn)行水合反應(yīng)，對陶瓷表面進(jìn)行水合處理的技術(shù)。由此，提高陶瓷噴鍍部件的噴鍍陶瓷表面的疏水性，以降低水分對陶瓷噴鍍部件的吸附性。
專利文獻(xiàn)1特開2004-190136號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，被噴鍍的陶瓷表面吸附大氣中所含有的有機(jī)物等時，陶瓷表面的活性狀態(tài)變差。其結(jié)果，對陶瓷噴鍍部件實(shí)施水合處理時，阻礙陶瓷表面的水合反應(yīng)，陶瓷表面得不到充分的疏水性，進(jìn)而存在所謂不能確實(shí)地抑制在陶瓷噴鍍部件上水分的附著和脫離的問題。
本發(fā)明的目的是提供能夠確實(shí)地抑制水分的附著和脫離的陶瓷噴鍍部件的制造方法、用于執(zhí)行該方法的程序、存儲介質(zhì)、以及陶瓷噴鍍部件。
為了達(dá)到上述目的，第一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法是向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，具有去除上述陶瓷噴鍍部件表面上吸附的有機(jī)物的去除步驟；和使上述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化步驟。
第二方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述去除步驟將上述陶瓷噴射部件浸漬在有機(jī)溶劑中。
第三方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第二方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述有機(jī)溶劑包括丙酮、乙醇、甲醇、丁醇、以及異丙醇中的至少1種。
第四方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述去除步驟將上述陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中。
第五方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第四方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述酸包括氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、以及醋酸中的至少1種。
第六方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第一～五方面的任一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述有機(jī)物至少具有含CH基的烴基。
第七方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第一～六方面的任一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述陶瓷由稀土類金屬氧化物形成。
第八方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第七方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成。
第九方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第一～八方面的任一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室。
為達(dá)到上述目的，第十方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法是向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，具有防止有機(jī)物向上述陶瓷噴鍍部件表面吸附的防吸附步驟；和使上述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化步驟。
第十一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第十方面所述的陶瓷噴銃部件的制造方法中，上述防吸附步驟將上述陶瓷噴射部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中。
第十二方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第九或十方面所述的陶瓷噴銃部件的制造方法中，上述有機(jī)物至少具有含CH基的烴基。
第十三方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第九～十一方面的任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述陶瓷由稀土類金屬氧化物形成。
第十四方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第十三方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成。
第十五方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，在第十～十四方面的任一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室。
為達(dá)到上述目的，第十六方面所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于，在作為表層噴鍍有規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件中，上述陶瓷噴鍍部件的表層上存在具有羥基的化合物，并從上述表層的表面去除了有機(jī)物。
第十七方面所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于，在第十六方面所述的陶瓷噴鍍部件中，上述具有羥基的化合物是上述規(guī)定陶瓷的氫氧化物。
第十八方面所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于，在第十六或十七方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法中，上述有機(jī)物至少具有含CH基的烴基。
第十九方面所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于，在第十六～十八方面的任一方面所述的陶瓷噴鍍部件中，上述陶瓷由稀土類金屬氧化物形成。
第二十方面所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于，在第十九方面所述的陶瓷噴鍍部件中，上述稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成。
第二十一方面所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于，第十六～二十方面的任一方面所述的陶瓷噴鍍部件，使用于處理基板的處理腔室。
為達(dá)到上述目的，第二十二方面所述的程序是由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法的可讀取程序，其特征在于，具有去除吸附在上述陶瓷噴鍍部件表面的有機(jī)物的去除模塊；和使上述陶瓷噴射部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
第二十三方面所述的程序，其特征在于，在第二十二方面所述的程序中，上述去除模塊將上述陶瓷噴鍍部件浸漬在有機(jī)溶劑中。
第二十四方面所述的程序，其特征在于，在第二十二方面所述的程序中，上述去除模塊將上述陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中。
為達(dá)到上述目的，第二十五方面所述的程序是由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法的可讀取程序，其特征在于，具有防止有機(jī)物向上述陶瓷噴鍍部件表面吸附的防吸附模塊；和使上述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
第二十六方面所述的程序，其特征在于，在第二十五方面所述的程序中，上述防吸附模塊將上述陶瓷噴鍍部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中。
為達(dá)到上述目的，第二十七方面所述的存儲介質(zhì)是存儲由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法的可讀取程序的存儲介質(zhì)，其特征在于，上述程序具有去除吸附在上述陶瓷噴鍍部件表面有機(jī)物的去除模塊；和使上述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
第二十八方面所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，在第二十七方面所述的存儲介質(zhì)中，上述去除模塊是將上述陶瓷噴鍍部件浸漬在有機(jī)溶劑中。
第二十九方面所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，在第二十七方面所述的存儲介質(zhì)中，上述去除模塊是將上述陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中。
為達(dá)到上述目的，第三十方面所述的存儲介質(zhì)是存儲由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的噴鍍部件的制造方法的可讀取程序的存儲介質(zhì)，其特征在于，上述程序具有防止有機(jī)物向上述陶瓷噴鍍部件表面吸附的防吸附模塊；和使上述陶瓷噴射部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
第三十一方面所述的存儲介質(zhì)，其特征在于，在第三十方面所述的存儲介質(zhì)中，上述防吸附模塊將上述陶瓷噴鍍部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中。
根據(jù)第一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法和第二十二方面所述的程序，以及第二十七方面所述的存儲介質(zhì)，由于去除了吸附在陶瓷噴鍍部件表面的有機(jī)物，使陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化，所以對陶瓷噴鍍部件實(shí)施水合處理時，促進(jìn)了陶瓷表面的水合反應(yīng)，能夠充分得到陶瓷表面的疏水性，能夠確實(shí)地抑制在陶瓷噴射部件上水分的附著和脫離。
根據(jù)第二方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法和第二十三方面所述的程序，以及第二十八方面所述的存儲介質(zhì)，由于將陶瓷噴鍍部件浸漬在有機(jī)溶劑中，所以成為阻礙陶瓷表面的水合反應(yīng)的原因的有機(jī)物溶解到有機(jī)溶劑中，進(jìn)而能夠確實(shí)地去除吸附在陶瓷噴鍍部件表面上的有機(jī)物。
根據(jù)第三方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于有機(jī)溶劑包括丙酮、乙醇、甲醇、丁醇、和異丙醇中的至少一種，所以能夠更確實(shí)去除吸附在陶瓷噴鍍部件表面上的有機(jī)物。
根據(jù)第四方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，和第二十四方面所述的程序，以及第二十九方面所述的存儲介質(zhì)，由于將陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中，所以對吸附有機(jī)物的陶瓷噴鍍部件的表面進(jìn)行蝕刻，能夠更確實(shí)地去除吸附在陶瓷噴鍍部件表面上的有機(jī)物。
根據(jù)第五方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于酸包括氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、和醋酸中的至少一種，所以能夠確實(shí)地去除陶瓷噴鍍部件表面上吸附的有機(jī)物。
根據(jù)第六方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于去除的有機(jī)物至少具有含CH基的烴基，所以能夠確實(shí)地去除成為阻礙陶瓷表面上水合反應(yīng)的主要原因的烴基。
根據(jù)第七方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于陶瓷由稀土類金屬氧化物形成，所以能夠抑制強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件的浸蝕。
根據(jù)第八方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成，所以能夠進(jìn)一步抑制強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件的浸蝕。
根據(jù)第九方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于使化學(xué)吸附在表面上的水分穩(wěn)定結(jié)合的陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室，所以能夠防止因吸附在腔室內(nèi)壁的水分脫離而引起的麻煩。
根據(jù)第十方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，和第二十五方面所述的程序，以及第三十方面所述的存儲介質(zhì)，由于防止有機(jī)物向陶瓷噴鍍部件表面吸附，使陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化，所以在對陶瓷噴鍍部件實(shí)施水合處理時，能夠促進(jìn)陶瓷表面的水合反應(yīng)，能夠充分獲得陶瓷表面的疏水性，從而能夠確實(shí)地抑制在陶瓷噴鍍部件上水分的附著和脫離。
根據(jù)第十一方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，和第二十六方面所述的程序，以及第三十一方面所述的存儲介質(zhì)，由于將陶瓷噴鍍部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中，所以能防止陶瓷噴鍍部件暴露在含有機(jī)物的大氣中，從而能夠防止有機(jī)物吸附在陶瓷噴鍍部件的表面上。
根據(jù)第十二方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于去除的有機(jī)物至少具有含CH基的烴基，所以能夠確實(shí)地去除成為阻礙陶瓷表面水合反應(yīng)的主要原因的烴基。
根據(jù)第十三方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于陶瓷由稀土類金屬氧化物形成，所以能夠抑制強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件的浸蝕。
根據(jù)第十四方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成，所以能夠進(jìn)一步抑制強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件的浸蝕。
根據(jù)第十五方面所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，由于使表面化學(xué)吸附的水分穩(wěn)定結(jié)合的陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室，所以能夠防止因附著在腔室內(nèi)壁上的水分脫離產(chǎn)生的麻煩。
根據(jù)第十六方面所述的陶瓷噴鍍部件，陶瓷噴鍍部件的表層中存在具有羥基的化合物，并從上述表層的表面去除有機(jī)物?；瘜W(xué)吸附在陶瓷噴鍍部件表層的水分，通過水合處理而穩(wěn)定化，由于促進(jìn)在去除有機(jī)物的表層上的水合反應(yīng)，所以從表層的表面去除有機(jī)物時，充分得到在陶瓷表面上的疏水性，能夠更進(jìn)一步確實(shí)地抑制在陶瓷噴鍍部件水分的附著和脫離。
根據(jù)第十七方面所述的陶瓷噴鍍部件，由于具有羥基的化合物是上述規(guī)定陶瓷的氫氧化物，所以能夠確實(shí)地抑制陶瓷噴鍍部件上水分的附著和脫離。
根據(jù)第十八方面所述的陶瓷噴鍍部件，由于去除的有機(jī)物至少具有含CH基的烴基，所以能夠確實(shí)地去除成為阻礙陶瓷表面水合反應(yīng)的主要原因的烴基。
根據(jù)第十九方面所述的陶瓷噴鍍部件，由于陶瓷是由稀土類金屬氧化物形成，所以能夠抑制強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件的浸蝕。
根據(jù)第二十方面所述的陶瓷噴鍍部件，由于稀土類金屬氧化物是由三氧化二釔形成，所以能夠進(jìn)一步抑制強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件的浸蝕。
根據(jù)第二十一方面所述的陶瓷噴鍍部件，由于將表面上化學(xué)吸附的水分穩(wěn)定結(jié)合的陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室，所以能夠防止因吸附在腔室內(nèi)壁上的水分的脫離引起的麻煩。


圖1是概略地表示本發(fā)明實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件的等離子體處理裝置的構(gòu)成的截面圖。
圖2是概略地表示本實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件的構(gòu)成的截面圖。
圖3是說明噴鍍膜外表面上水的接觸角θ的圖。
圖4是表示圖3的水的接觸角θ隨時間變化的圖。
圖5是表示利用高分解能電子能量損失分光法，測定自然疏水化的噴鍍膜表面的結(jié)果圖。
圖6是說明本實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件的制造方法的流程圖。
圖7是概略表示用于保管陶瓷噴鍍部件的微環(huán)境的構(gòu)成圖。
圖8是表示將陶瓷噴鍍部件在微環(huán)境空間內(nèi)保管規(guī)定期間后，測定外表面附著的有機(jī)物的量的結(jié)果圖。
符號說明200陶瓷噴鍍部件 210基質(zhì)材料220噴鍍膜 221水合處理層具體實(shí)施方式
以下參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是簡略表示本發(fā)明實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件所適用的等離子體處理裝置的構(gòu)成的截面圖。
圖1中，作為對晶片W實(shí)施蝕刻處理的蝕刻處理裝置構(gòu)成的等離子體處理裝置1，具有金屬制，例如鋁或不銹鋼制的圓筒型腔室(處理腔室)10，該腔室10內(nèi)，例如配置有作為載置直徑為300mm的晶片W的載置臺的圓柱狀基座11。
在腔室10的側(cè)壁和基座11之間，形成有作為將基座11上方的氣體排出到腔室10的外部的流路而起作用的排氣路徑12。在該排氣路徑12的中間部位配置有環(huán)狀的隔板13，排氣路徑12的自隔板13起的下游空間，與可調(diào)式蝶閥即自動壓力控制閥(Automatic Pressure ControlValve)(以下稱“APC”)14連通。APC14與作為抽真空用的排氣泵的渦輪分子泵(以下稱“TMP”)15連接，進(jìn)一步，通過TMP15與作為排氣泵的干式泵(以下稱“DP”)16連接。以下將由APC14、TMP15及DP16構(gòu)成的排氣流路稱為“主排氣管路”，該主排氣管路，不僅由APC14進(jìn)行腔室10內(nèi)的壓力控制，而且由TMP15和DP16將腔室10內(nèi)減壓到大致為真空狀態(tài)。
另外，上述的排氣路徑12的自隔板13起的下游空間，還連接于和主排氣管路不同的排氣流路(以下稱“副排氣管路”)。該副排氣管路，具有將上述空間與DP16連通的直徑例如為25mm的排氣管17和配置在排氣管17的中間部位的閥V2。該閥V2，可以將上述空間與DP16切斷。副排氣管路利用DP16將腔室10內(nèi)的氣體排出。
基座11連接向基座11施加規(guī)定高頻電力的高頻電源18。另外，基座11的內(nèi)部上方，配置有由用于以靜電吸附力吸附晶片W的導(dǎo)電膜構(gòu)成的圓板狀電極板20。電極板20與直流電源22電連接。晶片W，由從直流電源22施加于電極板20的直流電壓所產(chǎn)生的庫侖力或約翰遜·勒比克(Johnsen-Rahbek)力吸附并保持在基座11的表面上。沒有吸附晶片W時，電極板20與直流電源22的導(dǎo)通被切斷成為可移動狀態(tài)。另外，由硅(Si)等構(gòu)成的圓環(huán)狀的聚焦環(huán)24，將在基座11的上方產(chǎn)生的等離子體會聚并射向晶片W。
在基座11的內(nèi)部，設(shè)置有例如沿圓周方向延伸的環(huán)形的制冷劑室25。從冷卻裝置(圖中未示出)通過配管26向該制冷劑室25循環(huán)地供給規(guī)定溫度的制冷劑、例如冷卻水，并由該制冷劑的溫度控制基座11上的晶片W的處理溫度。
在基座11表面的吸附晶片W的部分(以下稱“吸附面”)上，配置有多個傳熱氣體供給孔27和傳熱氣體供給溝道(圖中未示出)。這些傳熱氣體供給孔27等，通過配置在基座11內(nèi)部的傳熱氣體供給管線28與具有閥V3的傳熱氣體供給管29連接，從連接傳熱氣體供給管29的傳熱氣體供給部(圖中未示出)，向吸附面與晶片W的背面的間隙供給傳熱氣體、例如He(氦)氣。由此，提高晶片W與基座11的熱傳導(dǎo)性。另外，閥V3能夠切斷傳熱氣體供給孔27等和傳熱氣體供給部。
另外，在吸附面上，配置有從基座11的表面自由伸出的作為升降銷的多個推起銷30。這些推起銷30，通過滾珠絲桿等將電機(jī)(圖中未示出)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動變換為直線運(yùn)動，從而沿圖中上下方向移動。當(dāng)晶片W被吸附和保持在吸附面上時，推起銷30容納到基座11內(nèi)，在將進(jìn)行了蝕刻處理等而結(jié)束了等離子體處理的晶片W從腔室10送出時，推起銷30從基座11的表面伸出而使晶片W從基座11離開并向上方推起。
在腔室10的頂部，配置有噴頭33。噴頭33與高頻電源52連接，高頻電源52向噴頭33施加規(guī)定的高頻電力。由此，噴頭33具有上部電極的功能。
噴頭33，包括具有多個氣體通氣孔34的底面的電極板35和以可拆卸的方式支撐該電極板35的電極支撐體36。而且，在該電極支撐體36的內(nèi)部設(shè)有緩沖室37，該緩沖室37與接自處理氣體供給部(圖中未示出)的處理氣體導(dǎo)入管38連接。在該處理氣體導(dǎo)入管38的中間部位配置有閥V1。該閥V1可切斷緩沖室37和處理氣體供給部。這時，基座11和噴頭33之間的電極間距D，例如設(shè)定為27±1mm以上。
在腔室10的側(cè)壁上，安裝有用于開閉晶片W的送入送出口31的閘閥32。在該等離子體處理裝置1的腔室10內(nèi)，如上述，向基座11和噴頭33施加高頻電力，由該施加的高頻電力在空間S內(nèi)，從處理氣體產(chǎn)生高密度的等離子體，并生成離子或原子團(tuán)。
另外，等離子體處理裝置1具有配置在其內(nèi)部或外部的CPU53。該CPU53與閥V1、V2、V3、APC14、TMP15、DP16、高頻電源18、52，以及直流電源22連接，根據(jù)用戶指令和規(guī)定的工藝方法控制各構(gòu)成要件的動作。
在該等離子體處理裝置1中，當(dāng)進(jìn)行蝕刻處理時，首先將閘閥32打開，將作為加工對象的晶片W送入腔室10內(nèi)并載置在基座11上。然后，由噴頭33將處理氣體(例如，由規(guī)定的流量比率的C4F8氣、O2氣及Ar氣組成的混合氣)以規(guī)定的流量和流量比導(dǎo)入腔室10內(nèi)，并由APC14等將腔室10內(nèi)的壓力調(diào)整到規(guī)定值。接著，由高頻電源52對噴頭33施加高頻電力，并由高頻電源18對基座11施加高頻電力，進(jìn)一步，由直流電源22對電極板20施加直流電壓，從而將晶片W吸附在基座11上。接著，由噴頭33噴出的處理氣體進(jìn)行如上所述的等離子體化。由該等離子體生成的原子團(tuán)或離子，由聚焦環(huán)24會聚到晶片W的表面上，對晶片W的表面進(jìn)行物理蝕刻或化學(xué)蝕刻。
作為蝕刻處理的處理氣體，除了上述混合氣體外，由于可以使用含有以氟化物、氯化物和溴化物為主的鹵元素的氣體，所以腔室10內(nèi)形成強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境。為了防止該腐蝕環(huán)境對腔室內(nèi)構(gòu)成部件的腐蝕，在聚焦環(huán)24、噴頭33、基座11等和腔室10的內(nèi)壁上，噴鍍例如氧化釔(Y2O3)(以下稱“三氧化二釔”)和氧化鋁(Al2O3)等的陶瓷。即，腔室10內(nèi)使用的全部部件和腔室10內(nèi)壁相當(dāng)于陶瓷噴鍍部件。
圖2是簡略表示本實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件的構(gòu)成的截面圖。
圖2中，陶瓷噴鍍部件200具有基質(zhì)材料210和通過噴鍍在基質(zhì)材料210表面上形成的噴鍍膜(表層)220。噴鍍膜220，在其外表面上主要具有由陶瓷的氫氧化物形成的水合處理層221。噴鍍膜220的厚度為10～500μm，水合處理層221的厚度例如約為100μm以上。
作為基板210優(yōu)選使用包括不銹鋼(SUS)的各種鋼、Al和Al合金、W和W合金、Ti和Ti合金、Mo和Mo合金、碳和氧化物類、非氧化物類陶瓷燒結(jié)體，以及碳質(zhì)材料等。
噴鍍膜220，由含有屬于周期表第3a族元素的陶瓷形成，具體優(yōu)選由含有屬于周期表第3a族元素的氧化物的稀土類金屬氧化物形成。另外，這些中優(yōu)選使用Y2O3、Sc2O3、CeO2、Ce2O3、Nd2O3，特別優(yōu)選使用現(xiàn)有大多使用的三氧化二釔。由此可抑制腔室10內(nèi)的強(qiáng)烈的腐蝕環(huán)境對陶瓷噴鍍部件200的浸蝕。該噴鍍膜220除噴鍍法外，可以由PVD法、CVD法等薄膜形成技術(shù)而形成。
水合處理層221，例如，通過使噴鍍膜220與周圍的水蒸氣或高溫水反應(yīng)，發(fā)生水合反應(yīng)，在噴鍍膜220的外表面上形成。上述陶瓷中，使用三氧化二釔時，在噴鍍膜220的外表面上引起以下(1)式的反應(yīng)。
(1)但是，(1)式未考慮價(jià)數(shù)。
如該(1)式所示，通過水合處理，最終形成釔的氫氧化物。屬于周期表第3a族的其他元素時，大致以同樣的反應(yīng)形成其氫氧化物。作為氫氧化物優(yōu)選Y(OH)3、Sc(OH)3、Ce(OH)3、Nd(OH)3。
屬于周期表第3a族元素的氫氧化物非常穩(wěn)定，顯示出能夠抑制化學(xué)吸附的水分的脫離，而且能夠抑制從外部吸附水分的特性(疏水性)，所以通過水合處理，能夠在噴鍍膜220的外表面上形成主要由上述氫氧化物形成的水合處理層221，并能夠抑制陶瓷噴鍍部件200的水分脫離和來自外部水分的附著。
為了在陶瓷噴鍍部件200的噴鍍膜220上形成均勻的水合處理層221，對噴鍍膜220實(shí)施水合處理時，噴鍍膜220的外表面要求是親水性的。因此，使用圖3所示的方法，測定噴鍍膜200外表面的水L的接觸角θ時，在陶瓷噴鍍部件200上噴鍍后的噴鍍膜220外表面上的水的接觸角θ為0度，在大氣中放置數(shù)日后噴鍍膜220外表面上水的接觸角θ約為30度。即，噴鍍后的噴鍍膜220是親水性的，當(dāng)噴鍍膜220曝露于大氣中時，噴鍍膜220的外表面呈疏水化，可知接觸角θ很大。這種現(xiàn)象叫作自然疏水化現(xiàn)象。
具體的，將具有由三氧化二釔形成的噴鍍膜220的陶瓷噴鍍部件，放置溫度為20～25℃、濕度為50～60％的大氣中，另外將具有由SiO2形成的噴鍍膜的陶瓷噴鍍部件，放置在溫度為20～25℃、溫度為50～60％的大氣中時，如圖4所示，經(jīng)過規(guī)定天數(shù)后，接觸角θ隨之增加。
使用高分解能電子能量損失分光法(High Resolution ElectronEnergy Loss Spectroscopy)，測定由自然疏水化三氧化二釔形成的噴鍍膜220表面時，如圖5所示，除了彈性散射峰(能量損失＝0)外，在1050/cm、1500/cm、2960/cm、以及3600/cm的位置存在各種峰，這些是由表面吸附分子的振動模式形成的吸收峰，由于各個峰分別由CH彎曲振動(1050/cm、1500/cm)、CH伸縮振動(2960/cm)、和OH伸縮振動(3600/cm)所識別，所以在自然疏水化的三氧化二釔表面上附著CH基，即具有烴基的有機(jī)物。
根據(jù)以上，可以認(rèn)為自然疏水現(xiàn)象與有機(jī)物對噴鍍膜的附著有關(guān)系，即，由于噴鍍膜表面上附著有機(jī)物，所以該表面形成自然疏水化。當(dāng)表面形成自然疏水化時，由于水分子不會附著在噴鍍膜220上，所以三氧化二釔表面不會進(jìn)行水合反應(yīng)。因此，為了使噴鍍膜220確實(shí)地實(shí)施水合處理，必須除去附著在三氧化二釔表面上的有機(jī)物，或防止因在大氣中放置等而在三氧化二釔表面上附著有機(jī)物。
以下對上述構(gòu)成的陶瓷噴鍍部件200制造方法進(jìn)行說明。
圖6是說明本實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件的制造方法的流程圖。以下對使用由三氧化二釔形成噴鍍膜時的陶瓷噴鍍部件的制造方法進(jìn)行說明。
圖6中，首先向基質(zhì)材料210表面吹附Al2O3、SiC、或SiO2等粒子，實(shí)施等離子體處理，在基質(zhì)材料210表面上形成細(xì)小的凹凸(步驟S31)。接著，在形成細(xì)小凹凸的基質(zhì)材料210表面上噴鍍?nèi)趸?，形成噴鍍?20(步驟S32)。
接著，將陶瓷噴鍍部件200在含有丙酮、乙醇、甲醇、丁醇、和異丙醇中至少1種的有機(jī)溶劑中浸漬規(guī)定時間，去除附著在噴鍍膜220上的有機(jī)物(去除步驟)(步驟S33)。由于有機(jī)物易于溶解在有機(jī)溶劑中，所以成為阻礙陶瓷表面的水合反應(yīng)的主要原因的具有烴基的有機(jī)物溶解在有機(jī)溶劑中。由此，從噴鍍膜220表面去除有機(jī)物，形成未檢測狀態(tài)。
接著，例如，在壓力為202.65kPa(2.0atm)以上、相對濕度為90％以上的環(huán)境下，在100～300℃左右的溫度下，將陶瓷噴鍍部件200加熱1～24小時。即，通過將陶瓷噴鍍部件200曝露在高壓、高濕度、和高溫的環(huán)境下，使噴鍍膜220的外表面進(jìn)行水合處理(穩(wěn)定化步驟)(步驟S34)。由此，在噴鍍膜220的外表面上形成水合處理層221。在水合處理層221中，進(jìn)行水合反應(yīng)的三氧化二釔與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化，所以在實(shí)行工藝加工中，能夠抑制水分在腔室內(nèi)溫度左右下的附著和脫離。
在相對濕度和熱處理溫度很低時，只要延長基質(zhì)材料210的加熱時間就可以。為了有效實(shí)施水合處理，要求在高溫、高壓環(huán)境下實(shí)施水合處理。但是，基本上，在三氧化二釔表面上的水合反應(yīng)，例如，即使在室溫左右下長時間進(jìn)行，就能充分進(jìn)行，所以即使是上述以外的條件，也能對噴鍍膜220的外表面實(shí)施水合處理。
接著，例如在壓力為101.3kPa(1.0atm)的干燥爐內(nèi)，溫度至少在70℃以上，優(yōu)選在約100℃左右，對形成水合處理層221的陶瓷噴鍍部件200加熱2小時以上(步驟S35)，對附著在水合處理層221和噴鍍膜220上的水分進(jìn)行干燥。由此，使水合處理層221表面上的細(xì)小孔隙存儲的水分，即，水合處理層221上物理吸附的水分脫離。進(jìn)而用與水反應(yīng)性很高的氣體吹洗干燥爐內(nèi)，并結(jié)束本處理。
根據(jù)本實(shí)施方式，由于去除了吸附在陶瓷噴鍍部件200表面的有機(jī)物(步驟S33)、使陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化(步驟S34)，所以對陶瓷噴鍍部件200實(shí)施水合處理時，促進(jìn)了陶瓷表面上的水合反應(yīng)，噴鍍膜220表面獲得了充分的疏水性，使用陶瓷噴鍍部件200時，能夠確實(shí)地抑制水分的附著和脫離。
本實(shí)施方式中，雖然將陶瓷噴鍍部件200在丙酮、乙醇、以及異丙醇等有機(jī)溶劑中浸漬規(guī)定時間，但不限于此，也可以將陶瓷噴鍍部件200在酸中浸漬規(guī)定時間。由此對附著有機(jī)物的噴鍍膜220外表面進(jìn)行蝕刻，從噴鍍膜220外表面去除有機(jī)物。另外，酸優(yōu)選包括氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、和醋酸中至少1種。
在本實(shí)施方式中，在基質(zhì)材料210表面上，由三氧化二釔形成噴鍍膜220后，通過將陶瓷噴鍍部件200在丙酮、乙醇、甲醇、丁醇、和異丙醇等的有機(jī)溶劑中浸漬規(guī)定時間，去除附著在噴鍍膜220上的有機(jī)物，但不限于此，也可在基質(zhì)材料210表面上由三氧化二釔形成噴鍍膜220后，直接對噴鍍膜220外表面進(jìn)行水合處理。由此，在有機(jī)物附著在三氧化二釔外表面之前，可對噴鍍膜220外表面進(jìn)行水合處理。如圖4所示，由于放置后第1天開始，接觸角θ就增加，所以在基質(zhì)材料210表面上形成由三氧化二釔構(gòu)成的噴鍍膜220后，在1天內(nèi)也可對噴鍍膜220外表面進(jìn)行水合處理。
進(jìn)而，考慮到在基質(zhì)材料210表面上形成由三氧化二釔構(gòu)成的噴鍍膜220后，在24小時內(nèi)未能對噴鍍膜220外表面進(jìn)行水合處理的情況等，也可在基質(zhì)材料210表面上形成噴鍍膜220后，為防止有機(jī)物向陶瓷噴鍍部件200表面吸附，在下述的微環(huán)境(Mini Environment)等局部凈化環(huán)境中保管陶瓷噴鍍部件200，隨后，使化學(xué)吸附在陶瓷噴鍍部件200表面的水分進(jìn)行穩(wěn)定結(jié)合。由此，抑制噴鍍膜220表面的自然疏水化，在對陶瓷噴鍍部件200實(shí)施水合處理時，促進(jìn)噴鍍膜220表面的水合反應(yīng)，噴鍍膜220表面可獲得充分的疏水性，能夠確實(shí)抑制水分在陶瓷噴鍍部件200上的附著和脫離。
圖7是概略表示為保管陶瓷噴鍍部件200的微環(huán)境構(gòu)成圖。
圖7中，微環(huán)境700是內(nèi)部產(chǎn)生單方向流的箱體狀構(gòu)造，包括內(nèi)部具有規(guī)定空間A、并在該空間A內(nèi)可載置陶瓷噴鍍部件200的載置臺701的容器702，載置在容器702上部、向空間內(nèi)A導(dǎo)入大氣的風(fēng)扇703，用活性碳等從導(dǎo)入空間A內(nèi)的大氣中除去有機(jī)物的化學(xué)過濾器704，和去除大氣內(nèi)所含浮游微小粒子等的去除粒子過濾器705。
由于由風(fēng)扇703向空間內(nèi)A導(dǎo)入的大氣被化學(xué)過濾器704去除了有機(jī)物，所以微環(huán)境700的內(nèi)部空間A經(jīng)常保持在凈化狀態(tài)。因此，形成由三氧化二釔構(gòu)成的噴鍍膜220的陶瓷噴鍍部件200，通過保管在微環(huán)境700的空間A內(nèi)，可防止噴鍍膜220曝露于大氣中，從而能防止有機(jī)物附著在噴鍍膜220外表面上。
接著，將陶瓷噴鍍部件200在微環(huán)境700的空間A內(nèi)保管規(guī)定期間后，測定附著在外表面的有機(jī)物的量的結(jié)果示于圖8。另外，作為對照例，將陶瓷噴鍍部件200在一般的凈化室環(huán)境氣氛內(nèi)保管相同期間，測定外表面附著的有機(jī)物量的值示于同圖中。如圖8所示，用微環(huán)境700保管的陶瓷噴鍍部件200外表面附著的有機(jī)物量，與一般凈化室環(huán)境內(nèi)同期間保管的陶瓷噴鍍部件200外表面附著的有機(jī)物量比較，可知約減少了5％。
在本實(shí)施方式中，步驟S34的水合處理是將陶瓷噴鍍部件200曝露在高壓、高濕度、以及高溫的環(huán)境中進(jìn)行，但不限于此，也可將陶瓷噴鍍部件200浸漬在沸騰水中進(jìn)行。
本實(shí)施方式中，作為陶瓷噴鍍部件的制造方法，在等離子體處理裝置1內(nèi)，使用前，去除陶瓷噴鍍部件200表面吸附的有機(jī)物，使陶瓷噴鍍部件表面與水分化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化，但也不限于此，使用中的陶瓷噴鍍部件，例如，開始用等離子體處理裝置1進(jìn)行蝕刻處理，經(jīng)過規(guī)定的處理時間后，對維修時取出的陶瓷噴鍍部件，進(jìn)行清洗，也能適用于本實(shí)施方式的制造方法。
另外，本實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件200，經(jīng)過步驟S33的有機(jī)物去除處理和步驟S34的水合處理，水合處理層221含有陶瓷的氫氧化物，而且，從其表面去除含有烴基的有機(jī)物。因此，作為判斷腔室內(nèi)的構(gòu)成部件是否是經(jīng)過本實(shí)施方式的制造方法制造的方法，優(yōu)選是利用高分解能電子能量損失分光法檢測構(gòu)成部件表面羥基的方法。利用該分光法，從構(gòu)成部件的表面，檢測羥基，而且不檢測烴基時，就能判斷該構(gòu)成部件是利用本實(shí)施方式的制造方法而制造的。
本實(shí)施方式中，陶瓷噴鍍部件200是在等離子體處理裝置1的腔室10內(nèi)使用的部件，但不限于此，也可以是在等離子體處理裝置以外的工藝裝置、和向工藝裝置輸送基板等的負(fù)載鎖定室、和大氣輸送模塊等的輸送裝置內(nèi)使用的部件。
在上述實(shí)施方式中，在等離子體處理裝置1中進(jìn)行處理的被處理體，雖是晶片W，但被處理體不限于此，例如也可以是包括LCD(LiquidCrystal Display)的FPD(Flat Panel Display)等玻璃基板。
關(guān)于上述本實(shí)施方式的陶瓷噴鍍部件的制造方法，例如由噴砂處理裝置、三氧化二釔噴鍍裝置、加壓熱處理爐、干燥爐、以及部件浸漬裝置或微環(huán)境構(gòu)成的陶瓷噴鍍部件的制造系統(tǒng)中，控制該制造系統(tǒng)的各構(gòu)成要件的動作的控制部，例如具有該制造系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)，可執(zhí)行上述制造方法。
本發(fā)明的目的是將存儲實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的軟件的程序代碼的存儲介質(zhì)，供給上述制造系統(tǒng)，該系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)(或CPU、MPU等)讀取存儲在存儲介質(zhì)中的程序代碼后執(zhí)行，由此完成。
這時，從存儲介質(zhì)讀取的程序代碼本身就能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的新型功能，因此，該程序代碼和存儲該程序代碼的存儲介質(zhì)，以及程序就構(gòu)成了本發(fā)明。
另外，作為用于供給程序代碼的存儲介質(zhì)，例如可使用軟(注冊商標(biāo))盤、硬盤、光盤、光磁盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁帶、非易失性存儲卡、ROM等?；蛘?，上述程序代碼，也可以通過從與因特網(wǎng)、商用網(wǎng)或局域網(wǎng)等連接的圖中未示出的其他計(jì)算機(jī)或數(shù)據(jù)庫等下載而供給。
通過執(zhí)行計(jì)算機(jī)讀取的程序代碼，不僅實(shí)現(xiàn)了上述實(shí)施方式的功能，而且也包括根據(jù)該程序代碼的指示，在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的OS(操作系統(tǒng))等，實(shí)際上進(jìn)行部分或全部處理，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的情況。
進(jìn)一步，也包括將從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼寫入插入到計(jì)算機(jī)的功能擴(kuò)展卡或與計(jì)算機(jī)連接的功能擴(kuò)展單元所具有的存儲器后，由該功能擴(kuò)展卡或功能擴(kuò)展單元所具有的CPU等根據(jù)該程序代碼的指示，執(zhí)行實(shí)際處理的一部分或全部并通過該處理實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的情況。
權(quán)利要求
1.一種向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，具有去除所述陶瓷噴鍍部件表面上吸附的有機(jī)物的去除步驟；和使所述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述去除步驟將所述陶瓷噴射部件浸漬在有機(jī)溶劑中。
3.如權(quán)利要求2所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述有機(jī)溶劑包括丙酮、乙醇、甲醇、丁醇、以及異丙醇中的至少1種。
4.如權(quán)利要求1所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述去除步驟將所述陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中。
5.如權(quán)利要求4所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述酸包括氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、以及醋酸中的至少1種。
6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述有機(jī)物至少具有含CH基的烴基。
7.如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述陶瓷由稀土類金屬氧化物形成。
8.如權(quán)利要求7所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成。
9.如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室。
10.一種向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于，具有防止有機(jī)物向所述陶瓷噴鍍部件表面吸附的防吸附步驟；和使所述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述防吸附步驟將所述陶瓷噴射部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中。
12.如權(quán)利要求10或11所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述有機(jī)物至少具有含CH基的烴基。
13.如權(quán)利要求10～12任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述陶瓷由稀土類金屬氧化物形成。
14.如權(quán)利要求13所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成。
15.如權(quán)利要求10～14任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件的制造方法，其特征在于所述陶瓷噴鍍部件使用于處理基板的處理腔室。
16.一種陶瓷噴鍍部件，其特征在于在作為表層噴鍍有規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件中，所述陶瓷噴鍍部件的表層上存在具有羥基的化合物，并從所述表層的表面去除了有機(jī)物。
17.如權(quán)利要求16所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于所述具有羥基的化合物是所述規(guī)定陶瓷的氫氧化物。
18.如權(quán)利要求16或17所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于所述有機(jī)物至少具有含CH基的烴基。
19.如權(quán)利要求16～18中任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于所述陶瓷由稀土類金屬氧化物形成。
20.如權(quán)利要求19所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于所述稀土類金屬氧化物由三氧化二釔形成。
21.如權(quán)利要求16～20中任一項(xiàng)所述的陶瓷噴鍍部件，其特征在于使用于處理基板的處理腔室。
22.一種程序，是由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法的可讀取程序，其特征在于具有去除吸附在所述陶瓷噴鍍部件表面的有機(jī)物的去除模塊；和使所述陶瓷噴射部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
23.如權(quán)利要求22所述的程序，其特征在于所述去除模塊將所述陶瓷噴鍍部件浸漬在有機(jī)溶劑中。
24.如權(quán)利要求22所述的程序，其特征在于所述去除模塊將所述陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中。
25.一種程序，是由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法的可讀取程序，其特征在于具有防止有機(jī)物向所述陶瓷噴鍍部件表面吸附的防吸附模塊；和使所述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
26.如權(quán)利要求25所述的程序，其特征在于所述防吸附模塊將所述陶瓷噴鍍部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中。
27.一種存儲介質(zhì)，是存儲由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的陶瓷噴鍍部件的制造方法的可讀取程序的存儲介質(zhì)，其特征在于所述程序具有去除吸附在所述陶瓷噴鍍部件表面有機(jī)物的去除模塊，和使所述陶瓷噴鍍部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
28.如權(quán)利要求27所述的存儲介質(zhì)，其特征在于所述去除模塊將所述陶瓷噴鍍部件浸漬在有機(jī)溶劑中。
29.如權(quán)利要求27所述的存儲介質(zhì)，其特征在于所述去除模塊將所述陶瓷噴鍍部件浸漬在酸中。
30.一種存儲介質(zhì)，是存儲由計(jì)算機(jī)執(zhí)行向表面噴鍍規(guī)定陶瓷的噴鍍部件的制造方法的可讀取程序的存儲介質(zhì)，其特征在于所述程序具有防止有機(jī)物向所述陶瓷噴鍍部件表面吸附的防吸附模塊；和使所述陶瓷噴射部件表面與水分進(jìn)行化學(xué)結(jié)合而穩(wěn)定化的穩(wěn)定化模塊。
31.如權(quán)利要求30所述的存儲介質(zhì)，其特征在于所述防吸附模塊將所述陶瓷噴鍍部件保管在通過化學(xué)過濾器的氣體氣流中。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠確實(shí)地抑制水分的附著和脫離的陶瓷噴鍍部件的制造方法、用于執(zhí)行該方法的程序、存儲介質(zhì)以及陶瓷噴鍍部件。將具有基質(zhì)材料(210)和由噴鍍形成在基質(zhì)材料(210)表面的噴鍍膜(220)的陶瓷噴鍍部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及異丙醇中的至少1種的有機(jī)溶劑中浸漬規(guī)定時間，去除吸附在噴鍍膜(220)上的有機(jī)物，并在壓力為202.65kPa以上、相對濕度為90％以上的環(huán)境下，通過在溫度為100～300℃左右的爐中加熱1～24小時，對噴鍍膜(220)的外表面進(jìn)行水合處理。
文檔編號C23C4/18GK1772946SQ200510117628
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者守屋剛, 中山博之, 長池宏史, 小林啟悟, 安田要 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社, 東華隆株式會社