專利名稱：Co基磁性合金及用它制造的磁性部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于用于大電流用的零相電抗器、電磁屏蔽材料等的噪音處理部件、變頻變壓器、有源濾波器用扼流線圈、天線、平滑扼流線圈、可飽和電抗器、激光電源、加速器用脈沖電源磁性部件等的高頻磁特性優(yōu)良的Co基磁性合金及用它制造的高性能磁性部件。
因Fe基納米結(jié)晶合金顯示了優(yōu)良的軟磁特性，被用于共態(tài)扼流線圈、高頻變壓器、脈沖變壓器等的磁心。代表的組成體系已知有在特公平4-4393號公報(bào)(USP4881989號)和特開平1-242755號公報(bào)上記載的Fe-Cu-(Nb，Ti，Zr，Hf，Mo，W，Ta)-Si-B系合金和Fe-Cu-(Nb，Ti，Zr，Hf，Mo，W，Ta)-B系合金等。這些Fe基納米結(jié)晶合金采用由通常液相和氣相急冷制成非晶態(tài)合金后、通過熱處理使其微晶化的方法而制成。作為由液相急冷的方法，已知的有單輥法、雙輥法、離心急冷法、旋轉(zhuǎn)液中抽絲法、霧化法和空穴法等。另外，作為由氣相急冷的方法，已知的有濺射法、真空鍍膜法、離子噴鍍法等。由于使采用這些方法制作的非晶態(tài)合金微晶化，所以Fe基納米結(jié)晶合金幾乎沒有非晶態(tài)合金常見的熱不穩(wěn)定性，并在與Fe系非晶合金同程度的高飽和磁通密度和低磁致伸縮方面顯示優(yōu)良的軟磁特性，這些已被公知。還已知納米結(jié)晶合金隨時(shí)間變化小、溫度特性也優(yōu)良。
本發(fā)明擬解決的課題Fe基納米結(jié)晶軟磁合金與現(xiàn)有的軟磁性材料相比，在以大體相同的飽和磁通密度的材料的條件下作比較時(shí)，比現(xiàn)有的軟磁性材料導(dǎo)磁率高、磁心損失也低，軟磁特性優(yōu)良。但是，在變壓器等中使用時(shí)，最合適的使用頻帶域，在用薄帶材料時(shí)，是在數(shù)10kHz附近，在更高頻率的用途中則未必有充分的特性可言。另外，在噪音處理部件中使用時(shí)，也希望有這樣的材料效果特別大的是在1MHz以下，在更高頻帶域也顯示優(yōu)良的特性。另外，在高電流用的噪音處理部件的場合，從防止磁心飽和與工作不穩(wěn)定的觀點(diǎn)出發(fā)，希望有顯示低矩形比的磁化曲線，而且在更高頻率的領(lǐng)域顯示優(yōu)良的特性的材料。在這樣的用途中，在低頻區(qū)域比導(dǎo)磁率達(dá)數(shù)萬的高導(dǎo)磁率材料存在著磁心材料磁飽和的問題，和在高頻下不能得到充分特性的問題。
另外，在可飽和電抗器和加速器等中使用的磁性開關(guān)的用途中，為了提高控制性、提高壓縮率、提高效率，作為磁心材料希望是具有高矩形比的低磁心損失的材料。
作為克服上述問題的處理，研究了通過薄膜化降低渦流損失和高電阻粒狀薄膜等。但是，高電阻粒狀薄膜的場合在增加磁性材料的體積上有限度，作為在操縱高能量的脈沖電源和大容量變頻器中使用的磁性開關(guān)、變壓器、扼流線圈等的磁心材料使用是困難的。
因而，作為磁心材料即使對于容易增加體積的薄帶材料和塊狀材料，也迫切希望出現(xiàn)在更高頻率下磁特性優(yōu)良的材料。
可是，雖然通過熱處理使非晶態(tài)合金薄帶進(jìn)行結(jié)晶制造的Fe基納米結(jié)晶軟磁合金在數(shù)百kHz以下的頻帶一般導(dǎo)磁率高，作為線圈部件用材料重要的特性之一的質(zhì)量系數(shù)Q也大致顯示高的值，但在MHz帶以上時(shí)，即使進(jìn)行磁場熱處理等賦予感應(yīng)磁各向異性，也存在不能得到十分高的Q的問題，在用于因直流重疊造成的材料飽和與3相電源線路用扼流線圈等的場合，存在因信號不平衡造成的磁性飽和問題。
作為Co基納米結(jié)晶合金，雖然已知在JP-A-3-249151(US-A-5151137)中記載的合金，但這里所示的合金含有大量的B化物，即使進(jìn)行磁場熱處理，在高頻下也存在難以得到高的Q和十分低的矩形比或者十分高的矩形比的特性的問題。解決課題的方法為解決上述問題，本發(fā)明者進(jìn)行了銳意研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，用通式(Co1-aFea)100-y-cM′yX′c(原子％)表示，式中M′表示從V、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、Sc、Ta及W中選擇的至少一種元素，X′表示從Si及B中選擇的至少一種元素，a、y及c是分別滿足a＜0.35、1.5≤y≤15、4≤c≤30的組成，組織的一部分或全部由平均粒徑50nm以下的晶粒組成，初比導(dǎo)磁率在2000以下的Co基磁性合金在MHz帶域顯示出優(yōu)良的高頻磁性特征，據(jù)此想到了本發(fā)明。
本發(fā)明合金是采用將上述組成的金屬熔液通過單輥法等超急冷卻法進(jìn)行急冷，一旦制成非晶合金后，將其加工，升溫至結(jié)晶化溫度以上進(jìn)行熱處理，形成平均粒徑50nm以下的微晶的方法制作的。熱處理前的非晶合金希望不含結(jié)晶相，但也可以含一部分結(jié)晶相。熱處理通常在氬氣、氮?dú)狻⒑獾榷栊詺怏w中進(jìn)行。熱處理期間的至少一部分期間，施加使合金飽和的十分強(qiáng)的磁場進(jìn)行磁場熱處理，賦予感應(yīng)磁各向異性。還依存于合金磁心的形狀，一般在薄帶的寬度方向(卷磁心的場合是磁心高度方向)上施加的場合，施加8kA/m以上的磁場。在磁路方向施加磁場進(jìn)行熱處理的場合，施加8A/m以上的磁場。施加的磁場用直流、交流、反復(fù)的脈沖磁場哪一種都可以。通常在300℃以上的溫度范圍內(nèi)施加磁場20分鐘以上，在升溫中，保持在一定溫度中及冷卻中也施加的方法，使高頻的Q或矩形比提高，可得到更佳的結(jié)果。相反，在無磁場中進(jìn)行熱處理、不合適的磁場熱處理的場合，高頻磁特性變差。熱處理通常希望在露點(diǎn)-30℃以下的惰性氣體氣氛中進(jìn)行，若在露點(diǎn)-60℃以下的惰性氣體氣氛中進(jìn)行熱處理時(shí)，可以得到波動小、更佳的結(jié)果。熱處理時(shí)的最高到達(dá)溫度是結(jié)晶化溫度以上，通常是450℃至700℃的范圍。保持在一定溫度的熱處理類型的場合，從大量生產(chǎn)的觀點(diǎn)出發(fā)，在一定溫度下的保持時(shí)間通常是24小時(shí)以下，優(yōu)選是4小時(shí)以下。熱處理時(shí)的平均升溫速度，優(yōu)選的是從0.1℃/min至200℃/min，更優(yōu)選的是從0.1℃/min至100℃/min，平均冷卻速度，優(yōu)選的是從0.1℃/min至3000℃/min，更優(yōu)選的是從0.1℃/min至100℃/min，在該范圍可以得到高頻磁特性特別優(yōu)良的合金。熱處理不是一段，可以進(jìn)行多段的熱處理和多次熱處理。另外，還可以使直流、交流或脈沖電流流過合金，進(jìn)行使合金發(fā)熱的熱處理。
經(jīng)過以上方法制造的本發(fā)明合金可以容易地得到初比導(dǎo)磁率為2000以下的特性，而且可以容易地實(shí)現(xiàn)在1MHz下Q是4以上、矩形比Br·B8000-1是20％以下的特性，或者矩形比Br·B8000-1是85％的特性。這里，B8000是施加8000Am-1的磁場場合的磁通密度，B800是施加800Am-1的磁場時(shí)的磁通密度。特別是在初比導(dǎo)磁率為1000以下的場合，可以得到Q特別高的好結(jié)果。
在本發(fā)明中，F(xiàn)e量比a＜0.35是必要的，a在0.35以上時(shí)不能賦予充分的感應(yīng)磁各向異性，使用時(shí)，在與磁化方向大體垂直的方向上一邊施加使合金飽和的充分的磁場、一邊進(jìn)行熱處理時(shí)，導(dǎo)致1MHz下的Q的顯著降低，因而不佳。另外，使用時(shí)，在與磁化方向大體相同的方向上一邊施加使合金飽和的充分的磁場、一邊進(jìn)行熱處理的場合，a在0.35以上時(shí)，矩形比容易變低，因而不佳。特別優(yōu)選的范圍為a＜0.2。在該范圍內(nèi)，磁致伸縮小，得到高Q或高的矩形比，而且因應(yīng)力造成的特性劣化也小，得到更好的結(jié)果。M′及X′是促進(jìn)非晶形成的元素。M′是從V、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、Sc、Ta及W中選擇的至少一種元素，M′的量y是1.5≤y≤15、X′量c是4≤c≤30的范圍。Y不滿1.5原子％時(shí)，熱處理后不能得到微細(xì)的晶粒組織、不能得到高Q，因而不佳。Y超過15原子％時(shí)，溫度特性差，因而不佳。X′是從Si及B中選擇的至少一種元素。X′量c小于4原子％時(shí)，熱處理后的晶粒難以微細(xì)化，因而不佳，c超過30原子％時(shí)，因?qū)е嘛柡痛磐芏冉档?，因而不佳。特別是B含有量在4原子％以上15原子％以下的場合，感應(yīng)磁各向異性變大，得到高的Q或高矩形比的優(yōu)良特性。
平均粒徑50nm以下的晶粒的其余部分主要是非晶相。雖然晶粒比率多時(shí)，感應(yīng)磁各向異性變大、更高頻的Q提高，但存在一部分非晶相時(shí)可以實(shí)現(xiàn)高的電阻率，因晶粒變微細(xì)也改善了軟磁特性而得到了好的結(jié)果。
本發(fā)明合金，根據(jù)需要，可用SiO2、MgO、Al2O3等粉末或膜覆蓋合金薄帶表面，通過化成處理進(jìn)行表面處理，通過陽極氧化處理在表面形成氧化物層、進(jìn)行層間絕緣等處理，可以得到更好的結(jié)果。這樣特別是在通過層間的高頻中可以降低渦流的影響、有改善高頻Q和磁心損失等特性的效果。在表面狀態(tài)良好而且由寬幅薄帶構(gòu)成的磁心中使用的場合，該效果明顯。還有，在由本發(fā)明合金制作磁心時(shí)，還可以根據(jù)需要進(jìn)行浸漬和涂布等。本發(fā)明合金在高頻的用途中可以發(fā)揮最好的性能，但也可以用作傳感器和低頻的磁性部件。特別是，在容易使磁性飽和的用途的場合可以發(fā)揮優(yōu)良的特性。
雖然對于薄帶在高頻中用現(xiàn)有薄帶材料也能得到高的Q，但在使用時(shí)一邊與磁化方向大體垂直的方向上施加磁場一邊進(jìn)行過熱處理的本發(fā)明合金，用薄膜和粉末就可以得到同樣優(yōu)良的特性。Q稱為質(zhì)量系數(shù)，用導(dǎo)磁率的實(shí)數(shù)部μ′和導(dǎo)磁率的虛數(shù)部μ″的比表示。它是表示作為高頻磁心材料的性能的特性之一，在制作Q高的線圈部件的場合，損失少，特性優(yōu)良。
本發(fā)明Co基磁性合金的磁化困難的軸向的直流B-H回線呈水平傾斜的形狀，其各向異性磁場Hk通常為950Am-1以上。本合金即使施加大的磁場，材料的磁性也難以飽和，因此適合用于大功率。初比導(dǎo)磁率約為2000以下，即使與同一片厚的現(xiàn)有的納米結(jié)晶合金薄帶相比，直至高頻帶，比導(dǎo)磁率都降低，顯示了水平特性。
本發(fā)明中，也可以用從Cu、Au中選擇的至少一種元素置換Co、Fe的總量的10原子％以下。通過用Cu、Au置換，使晶粒更微細(xì)化，高頻磁特性更提高。最佳的置換量是0.1≤x≤3(原子％)，因在該范圍制造容易，可以得到Q高、特別優(yōu)良的高頻磁特性。
本發(fā)明中也可以用Ni置換Co的一部分。通過置換Ni，可以改善耐蝕性和調(diào)整感應(yīng)磁各向異性。
另外，本發(fā)明合金中也可以用從Cr、Mn、Sn、Zn、In、Ag、鉑族金屬元素、Mg、Ca、Sr、Y、稀土類元素、N、O及S中選擇的至少一種元素置換M′的一部分。通過用從Cr、Mn、Sn、Zn、In、Ag、鉑族金屬元素、Mg、Ca、Sr、Y、稀土類元素、N、O及S中選擇的至少一種元素置換M′的一部分，得到了改善耐蝕性、提高電阻率、調(diào)整磁特性等的效果。特別是Pd和Pt等鉑族金屬元素可以增大感應(yīng)磁性的各向異性，可以提高更高頻帶的Q等的特性。
另外，也可以用從C、Ge、Ga、Al及P中選擇的至少一種元素置換X′的一部分。通過用從C、Ge、Ga、Al及P中選擇的至少一種元素置換X′的一部分，有調(diào)整磁致伸縮、使晶粒變得細(xì)微等的效果。
在本發(fā)明合金的一部分中形成平均粒徑50nm以下的晶粒。優(yōu)選的是上述晶粒占組織的30％以上的比率，更優(yōu)選的為50％以上，特別優(yōu)選的為60％以上。特別希望的平均粒徑是2nm至30nm，在該范圍內(nèi)，對于1MHz以上的高頻可以得到特別高的Q。
在上述的本發(fā)明合金中形成的晶粒主要是以Co作為主體的結(jié)晶相，也可以固溶Si、B、Al、Ge和Zr等。另外，也可以含有序晶格。上述結(jié)晶相以外的其余部分主要是非晶相，但實(shí)際上在本發(fā)明中也僅僅含有由結(jié)晶相組成的合金。在含有Cu和Au合金的場合，也有存在含有一部分Cu和Au的面心立方結(jié)構(gòu)的相(fcc)的情況。
另外，在非晶相存在于晶粒周圍的場合，電阻率變高，因晶粒成長受抑制、晶粒變微細(xì)，因而改善了軟磁特性，得到更好的結(jié)果。
由于本發(fā)明合金中不存在化合物相，顯示了更優(yōu)良的高頻磁特性。
另外，在本發(fā)明合金中，平均粒徑50nm以下的晶粒的至少一部分或全部是體心立方結(jié)構(gòu)(bcc)的晶粒的場合，感應(yīng)磁各向異性變大，顯示了特別優(yōu)良的高頻磁特性。本發(fā)明合金中，平均粒徑50nm以下的晶粒的至少一部分或全部也可以是面心立方結(jié)構(gòu)(fcc)的晶粒，可以得到優(yōu)良的軟磁特性和低磁致伸縮特性。在本發(fā)明合金中，平均粒徑50nm以下的晶粒的至少一部分或全部也可以是含有六方晶(hcp)的晶粒。
本發(fā)明的另一項(xiàng)是以上述Co基磁性合金構(gòu)成作為特征的磁性部件。用上述本發(fā)明合金構(gòu)成卷磁心或?qū)盈B磁心、將導(dǎo)線構(gòu)成扼流線圈卷，可以實(shí)現(xiàn)在高頻顯示高Q的低損失的高性能變壓器、扼流線圈和電感線圈。另外，因由上述本發(fā)明合金構(gòu)成的片，高頻磁特性優(yōu)良，所以適于噪音處理用部件。另外，在作為調(diào)諧式高頻加速空腔諧振用鐵心使用的場合，因顯示高的Q，所以能夠發(fā)揮優(yōu)良的特性。另外，由高矩形比的上述Co基磁性合金構(gòu)成的磁性部件，在磁性開關(guān)磁心等方面能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的特性。
圖2是表示本發(fā)明的合金的X線衍射圖的一例的圖。
圖3是表示本發(fā)明的合金的直流B-H回線的一例的圖。
圖4是表示本發(fā)明的合金的飽和磁通密度Bs、矩形比Br/B8000、初比導(dǎo)磁率μr與Fe量a的依賴關(guān)系圖。
圖5是表示本發(fā)明的合金的感應(yīng)磁各向異性常數(shù)Ku與Fe量a的依賴關(guān)系圖。
圖6是表示本發(fā)明的合金的Q與Fe量a的依賴關(guān)系圖。
圖7是表示本發(fā)明的感應(yīng)磁各向異性常數(shù)Ku與熱處理溫度的依賴關(guān)系圖。
圖8是表示本發(fā)明的感應(yīng)磁各向異性常數(shù)Ku與結(jié)晶體積比率X的依賴關(guān)系圖。
圖9是表示熱處理后的本發(fā)明合金磁心及現(xiàn)有扼流線圈用低導(dǎo)磁率磁心的磁心損失Pcv與頻率的依賴關(guān)系圖。


圖10是表示由本發(fā)明合金制成的磁心及現(xiàn)有的扼流線圈用磁心的直流重疊特性。
圖11是表示本發(fā)明合金的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率及質(zhì)量系數(shù)Q與頻率依賴關(guān)系圖。
圖12是表示本發(fā)明合金與現(xiàn)有納米結(jié)晶軟磁合金的質(zhì)量系數(shù)Q與頻率的依賴關(guān)系圖。
發(fā)明的實(shí)施方式以下用實(shí)施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些內(nèi)容。
將制作的磁心插入氮?dú)鈿夥盏臒崽幚頎t中，按圖1所示的熱處理曲線進(jìn)行熱處理。熱處理時(shí)，在與合金磁心的磁路垂直的方向(合金薄帶的寬度方向)，即磁心的高度方向上施加280kAm-1的磁場。熱處理后的合金結(jié)晶化，由電子顯微鏡觀察的結(jié)果估計(jì)，組織的大部分由粒徑20nm左右的微細(xì)的體心立方結(jié)構(gòu)的晶粒組成，晶粒的比率估計(jì)為65％左右。結(jié)晶相的大部分是體心立方結(jié)構(gòu)。其余的基體主要是非晶相。圖2示出了X線衍射圖。由X衍射圖可以看出顯示體心立方結(jié)構(gòu)相的結(jié)晶峰，沒有看出化合物相的峰。
然后，測定該合金磁心的直流B-H回線、在1MHz下的質(zhì)量系數(shù)Q(＝μ′/μ″)。圖3示出了直流B-H回線，表1示出了所得結(jié)果。為進(jìn)行比較，對本發(fā)明以外的Febal.Cu1Nb3Si15.5B6.5合金進(jìn)行同樣熱處理后的特性也示于表1。本發(fā)明合金磁心的B8000是0.97T、1MHz下的交流初比導(dǎo)磁率μriac是270、Br/B8000是1％、1MHz下的Q是18，比本發(fā)明以外的合金在高頻中顯示了更高的Q，而且，因顯示出矩形比低、難以飽和的B-H回線，所以適于高頻加速空腔諧振用鐵心和噪音處理用線圈部件。另外，本發(fā)明合金在100kHz、0.2T下的磁心損失是260kWm-3，因在數(shù)百kHz以下的磁心損失也十分低，所以也可以用于數(shù)百kHz以下使用的變壓器和扼流線圈。另一方面，現(xiàn)有合金與本發(fā)明合金相比，Q也低，因而較差。
由以上可知在a＜0.35時(shí)可以得到大的Q。在a＜0.2時(shí)可以得到特別大的Q。
圖11示出了復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率及質(zhì)量系數(shù)Q與頻率的依賴關(guān)系。μ′(實(shí)數(shù)部)直至數(shù)MHz大致是恒定的，μ″(虛數(shù)部)成為最大的頻率數(shù)超過10MHz，頻率特性優(yōu)良。雖然在該頻帶Q單調(diào)地減少，但在1MHz也顯示10以上的高值。圖12示出了本發(fā)明合金與現(xiàn)有納米結(jié)晶軟磁合金的Q與頻率依賴關(guān)系的比較。本發(fā)明合金比現(xiàn)有的納米結(jié)晶合金從100KHz直到MHz帶有Q高的優(yōu)點(diǎn)，可知適于天線和高頻用電感器等部件。
另外，熱處理中的磁場施加方向是在與磁心的磁路垂直方向(合金薄帶寬度方向)上施加，熱處理過的本發(fā)明合金，由于有難以飽和的特征，所以也可以不僅在高頻帶而且在低頻帶(商用頻帶數(shù))用于電流傳感器和電抗器等部件中。還有，也可以用于各種傳感器和電磁屏蔽部件。發(fā)明的效果按照本發(fā)明，由于能夠?qū)崿F(xiàn)了適用于大電流用零相電抗器、電磁屏蔽材料等的噪音處理部件、變頻變壓器、有源濾波器用扼流線圈、天線、平滑扼流線圈、激光電源、加速器用脈沖電源磁性部件等的Co基磁性合金及用它制造的高性能磁性部件，所以其效果顯著。
表1

表2

AM非晶相表3

AM非晶相
權(quán)利要求
1.一種Co基磁性合金，其特征在于，用通式(Co1-aFea)100-y-cM′yX′c(原子％)表示，式中M′表示從V、Ti、Zr、Nb、Mo、Hf、Sc、Ta及W中選擇的至少一種元素，X′表示從Si及B中選擇的至少一種元素，a、y及c是分別滿足a＜0.35、1.5≤y≤15、4≤c≤30的組成，組織的一部分或全部由平均粒徑50nm以下的晶粒組成，初比導(dǎo)磁率在2000以下。
2.權(quán)利要求1所記載的Co基磁性合金，其特征在于，B的含有量是4原子％以上15原子％以下。
3.權(quán)利要求1或2所記載的Co基磁性合金，其特征在于，存在一部分非晶相。
4.權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，不存在化合物相。
5.權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，平均粒徑50nm以下的晶粒的至少一部分或全部是體心立方結(jié)構(gòu)的晶粒。
6.權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，平均粒徑50nm以下的晶粒的至少一部分或全部是面心立方結(jié)構(gòu)的晶粒。
7.權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，平均粒徑50nm以下的晶粒的至少一部分或全部是六方晶的晶粒。
8.權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，a＜0.2。
9.權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，用Ni置換Co的一部分。
10.權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，用從Cu、Au中選擇的至少一種元素置換Co和Fe的總量的10原子％以下。
11.權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，用從Cr、Mn、Sn、Zn、In、Ag、鉑族金屬元素、Mg、Ca、Sr、Y、稀土類元素、N、O及S中選擇的至少一種元素置換M′的一部分。
12.權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，用從C、Ge、Ga、Al及P中選擇的至少一種元素置換X′的一部分。
13.權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，在1MHz下Q是4以上、矩形比Br·B8000-1是20％以下。
14.權(quán)利要求1至13任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金，其特征在于，矩形比Br·B8000-1是85％以上。
15.一種磁性部件，其特征在于，該部件是由權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所記載的Co基磁性合金構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明的課題是，實(shí)現(xiàn)適用于大電流用零相電抗器、電磁屏蔽材料等的噪音處理部件、變頻變壓器、有源濾波器用扼流線圈、天線、平滑扼流線圈、激光電源、加速器用脈沖電源磁性部件等的高頻磁特性優(yōu)良的Co基磁性合金及用它制造的高頻用高性能磁性部件。本發(fā)明的構(gòu)成是，Co基磁性合金，其特征在于，用通式(Co
文檔編號C22C45/04GK1400327SQ0210542
公開日2003年3月5日 申請日期2002年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月1日
發(fā)明者吉澤克仁 申請人:日立金屬株式會社