專利名稱：：使用多激光束光斑的半導體結(jié)構(gòu)處理的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：0002本公開一般涉及制造半導體集成電路，更具體地，涉及使用激光束來處理在半導體集成電路之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)。0003在集成電路(IC)的構(gòu)造過程中，它們經(jīng)常由于各種原因引起缺陷。因此，IC器件一般被設(shè)計成包含有冗余的電路元件，諸如半導體存儲器件中的存儲單元的空余行和列，所述半導體存儲器件例如為動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，或嵌入式存儲器。這些器件也被設(shè)計成在冗余電路元件的電觸點之間包含特定的激光可分離或切割鏈路。這樣的鏈路可能被移除，例如，從而斷開有缺陷的存儲單元，并將其替換成替代的冗余單元。類似的技術(shù)也用來分離切斷鏈路，以此來進行編程或配置邏輯產(chǎn)品，諸如門陣列或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)。在IC被制造出來后，它的電路元件被測試以檢查缺陷，且缺陷的位置可能被記錄在數(shù)據(jù)庫中。聯(lián)合關(guān)于IC的版圖或布圖和電路元件的位置的定位信息，可能應(yīng)用基于激光的鏈路加工系統(tǒng)來移除選定的鏈路，從而使得IC有用。0004激光可分離鏈路一般約0.5-1微米(μm)厚，約0.5-1μm寬，和約8μm長。IC中的電路元件和這些元件之間的鏈路一般以規(guī)則幾何排列來布置，例如以規(guī)則的行來布置。在典型的鏈路行中，相鄰鏈路的中心到中心的間距約為2-3μm。這些尺寸是具有代表性的，隨著技術(shù)進步尺寸變小，從而允許制造更小結(jié)構(gòu)的工件以及形成具有更高準確度和更小聚焦激光束斑(beamspot)的激光處理系統(tǒng)。雖然最普遍的鏈路材料曾經(jīng)是多晶硅和類似的組合物(composition)，但是最近存儲器制造商越來越多地采用多種傳導性更高的金屬鏈路材料，這些材料包括但不限于鋁、銅、金鎳、鈦、鎢、鉑，以及其他金屬、合金、金屬氮化物(例如氮化鈦或氮化鉭)、金屬硅化物(例如硅化鎢)，或其他類金屬材料。0005傳統(tǒng)的基于激光的半導體鏈路處理系統(tǒng)將激光器輸出的、脈沖寬度大約為4到30納秒的單個脈沖聚焦到每個鏈路上。激光束入射到IC上，其占用面積或光斑直徑足夠大，使得每次有且只有一條鏈路被移除。當激光脈沖照射到位于硅基片之上和鈍化層疊層之間的元件層之間的多晶硅或金屬鏈路時，硅基片吸收相對較小比例的紅外(IR)輻射量，而鈍化層(二氧化硅或氮化硅)對IR輻射是相對透明的，其中的鈍化層疊層包括典型為2000-10000埃厚的上鈍化層，和下鈍化層。應(yīng)用IR激光波長(例如，0.522μm，1.047μm，1.064μm，1.321μm和1.34μm)來移除電路鏈路已超過20年。0006現(xiàn)有的半導體鏈路處理系統(tǒng)采用聚焦成小光斑的單個激光脈沖用于鏈路移除。將被移除的鏈路簇一般在晶片上排列成一直行，圖1給出了示意圖。所述行不需要是嚴格的筆直，雖然典型地是相當直的。鏈路在鏈路處理行程(run)120中被系統(tǒng)處理，其也被稱作運作中(on-the-fly，OTF)的處理行程。在一個鏈路處理行程中，當平臺定位器(stagepositioner)掃過橫穿聚焦的激光光斑位置的鏈路行時，激光束被脈送或脈沖化。平臺一般每次沿著單個軸線的方向移動，且不在每個鏈路位置處停留。因此鏈路處理行程是在大體縱向的方向上沿著一行鏈路(如圖所示，水平地穿過紙頁面)的一遍處理。此外，鏈路處理行程120的縱向不需要精確垂直于構(gòu)成該行的單個鏈路的縱向，雖然典型地都是精確垂直的。照射在鏈路處理行程120的選定鏈路上的是傳播路徑沿著軸線的激光束。軸線與工件的相交位置沿著鏈路處理行程120繼續(xù)向前，同時脈送激光以選擇性移除鏈路。當晶片和光學元件處于某個相對位置以使脈沖能量照射到鏈路上時，激光器被激發(fā)以發(fā)射脈沖并切斷鏈路。某些鏈路沒有被輻照到，以未處理鏈路140留下來，其它的鏈路被輻照而成為被切斷的鏈路150。0007圖2示出了典型的鏈路處理系統(tǒng)，其通過在位于靜止光學桌面(opticstable)210下的XY平面內(nèi)移動晶片240來調(diào)整光斑位置。光學桌面210支撐激光器220，反射鏡225，聚焦透鏡230和可能的其它光學硬件。通過將晶片240放在由運動平臺260承載的卡盤250上，在下方的XY平面內(nèi)移動晶片240。0008圖3描述了晶片240的處理過程。傳統(tǒng)的串聯(lián)鏈路熔斷(blowing)處理要求為每一個鏈路處理行程沿著晶片240掃描一次XY運動平臺260。重復性地在晶片240上來回掃描實現(xiàn)完整的晶片處理。在處理Y軸線鏈路處理行程280(如虛線所示)之前，一般機器來回掃描處理所有的X軸線鏈路處理行程270(如實線所示)。這個例子僅僅是示例性的。有可能有其它鏈路處理行程的配置和處理形式。例如，可能通過移動晶片、光學元件導軌(opticsrail)或通過束偏轉(zhuǎn)來處理鏈路。另外，鏈路簇(linkbank)和鏈路處理行程或?qū)︽溌诽幚硪槐?linkrun)可以不是筆直行的且可以不用連續(xù)移動來處理。0009在該例子中，影響在執(zhí)行鏈路處理行程所花費的時間繼而影響吞吐量的主要系統(tǒng)參數(shù)是激光脈沖重復頻率(PRF)和運動平臺參數(shù)，如平臺加速度，帶寬，穩(wěn)定時間和命令或控制的平臺軌道(commandedstagetrajectory)?？刂频钠脚_軌道包含加速段和減速段，鏈路簇恒速處理，以及在鏈路處理行程中將被處理的鏈路之間的大間隙上的“間隙銑或間隙成形(gapprofiling)或加速。過去幾年中對系統(tǒng)吞吐量的提高主要集中在提高平臺和激光器參數(shù)方面。對這些領(lǐng)域的提高將會繼續(xù)。然而，與這些參數(shù)相關(guān)的實際限制使得很難達到大的吞吐量增加。0010例如，提高峰值平臺加速度僅能提供有限的吞吐量的提高?，F(xiàn)有的運動平臺能夠以1到2G的加速度移動晶片大于300毫米(mm)的全場行程(fullfieldtravel)，同時保持100納米(nm)量級的位置準確度。提高平臺加速度引入額外的振動并產(chǎn)生熱量，兩種情況都會降低系統(tǒng)的準確度。顯著增加平臺加速度和帶寬而不降低位置準確度或增加系統(tǒng)占用面積，是一個困難且工程代價大的工作，而這方面努力帶來的益處可能是有限的。0011出于某些理由，提高激光PRF從而提高鏈路處理行程速度或鏈路處理行進速度也是不可取的。首先，增加PRF會導致激光脈沖的不利變化。對于給定激光腔，隨著脈沖間周期降低，激光脈沖帶寬會增大。這可能會降低某些鏈路結(jié)構(gòu)上的處理效率。更高的激光PRF還可能伴隨較低的能量穩(wěn)定性，其也將降低處理效率。更高的激光PRF還可能導致較低的脈沖功率，雖然在處理使用小光斑尺寸來處理鏈路時一般不成問題。0012高的激光PRF也不適合應(yīng)用到大鏈路間距的半導體產(chǎn)品。高PRF和大鏈路間距的結(jié)合要求使用非常高的平臺速度進行鏈路處理。高的平臺速度要求更高的平臺加速度和減速度，并且降低利用處理行程中未被處理鏈路間隙的機會。這些效應(yīng)降低由高鏈路處理行程速度帶來的吞吐量提高。高平臺速度還要求在激發(fā)激光脈沖的產(chǎn)生時有更嚴格的計時容差以保持準確度。如果速度超過某些系統(tǒng)規(guī)范，例如最大的平臺或位置反饋傳感器速度，以高平臺速度進行處理也可能是不可能的。0013半導體晶片結(jié)構(gòu)尺寸的持續(xù)縮小將導致處理這些晶片時有更多鏈路和鏈路處理行程，進一步增加晶片處理時間，然而不大可能通過平臺加速度性能或激光PRF的提高而使未來系統(tǒng)的吞吐量大幅度提高。
發(fā)明內(nèi)容0014根據(jù)一個實施例，一種方法使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)。所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中，所述方法沿著具有第一軸線的第一傳播路徑傳播第一激光束，所述第一傳播路徑具有在給定時間入射到所述半導體基片之上或之內(nèi)的第一位置處的第一軸線。所述第一位置在第一行結(jié)構(gòu)中的一結(jié)構(gòu)之上，或者在所述第一行中的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間。所述方法還沿著具有第二軸線的第二傳播路徑傳播第二激光束，所述第二傳播路徑具有在給定時間入射到所述半導體基片之上或之內(nèi)的第二位置處的第二軸線。所述第二位置在第二行結(jié)構(gòu)中的一結(jié)構(gòu)之上，或者在所述第二行中的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間。所述第二行不同于所述第一行，并且所述第二位置在所述行的縱向上與所述第一位置偏離一定距離。所述方法相對于所述半導體基片，沿著所述行的縱向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，從而分別使用所述第一和第二激光束來選擇性地輻照所述第一行或第二行中的結(jié)構(gòu)。0015根據(jù)另一個實施例，一種系統(tǒng)使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的導電結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中。所述系統(tǒng)包括激光源、第一激光束傳播路徑、第二激光束傳播路徑以及運動平臺或工作臺。所述激光源產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束。所述第一激光束傳播路徑具有在給定時間入射到所述半導體基片之上或之內(nèi)第一位置處的第一光斑的第一軸線。所述第一位置在第一行結(jié)構(gòu)的一結(jié)構(gòu)之上，或者在所述第一行的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間。所述第二激光束傳播路徑具有在給定時間入射到所述半導體基片之上或之內(nèi)的第二位置處的第二光斑的第二軸線。所述第二位置在第二行結(jié)構(gòu)中的一結(jié)構(gòu)之上，或者在所述第二行中的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間。所述第二行不同于所述第一行，并且所述第二位置在所述行的縱向上與所述第一位置偏離一定距離。所述運動平臺相對所述半導體基片沿著所述行的縱向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，從而分別使用所述第一和第二激光束來選擇性地輻照所述第一行或第二行中的結(jié)構(gòu)。0016根據(jù)另一個實施例，一種方法用于處理具有被多個激光束選擇性輻照的多個結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)的半導體基片。所述鏈路被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中。所述方法產(chǎn)生沿著與半導體基片之上或之內(nèi)的第一目標位置相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束。所述方法還產(chǎn)生沿著與半導體基片之上或之內(nèi)的第二目標位置相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束。所述第二目標位置在垂直于所述行的縱向上與所述第一目標位置偏移一定距離，由此，當所述第一目標位置是位于第一行結(jié)構(gòu)上的結(jié)構(gòu)時，所述第二目標位置是位于與所述第一行不同的第二行之上的結(jié)構(gòu)或位于與所述第一行不同的第二行之上的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間。所述方法在與所述結(jié)構(gòu)行幾乎平行的方向上，相對于所述第一和第二激光束軸線移動所述半導體基片，由此，沿著所述第一行掃掠所述第一目標位置以第一次輻照所述第一行中的選擇的結(jié)構(gòu)，且同時沿著所述第二行掃掠所述第二目標位置以第二次輻照某些結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)在沿著所述第二行的第一目標位置的前一遍掃掠中已被所述第一激光束輻照。0017根據(jù)另一個實施例，一種系統(tǒng)用于處理具有被多個激光束選擇性地輻照的多個導電性結(jié)構(gòu)的半導體基片。所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中。所述系統(tǒng)包括激光源、第一激光束傳播路徑、第二激光束傳播路徑，以及運動平臺。所述激光源產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束。所述第一激光束傳播路徑從所述激光源出發(fā)到所述半導體基片，其具有與半導體基片之上或之內(nèi)的第一目標位置相交的第一激光束軸線。所述第二激光束傳播路徑從所述激光源出發(fā)到所述半導體基片，其具有與半導體基片之上或之內(nèi)的第二目標位置相交的第二激光束軸線。所述第二目標位置在垂直于行的縱向的方向上與第一目標位置偏移一定距離，由此，當所述第一目標位置是在第一行結(jié)構(gòu)上的結(jié)構(gòu)時，所述第二目標位置是在與第一行不同的第二行上的結(jié)構(gòu)或位于與第一行不同的第二行上的兩個相鄰的結(jié)構(gòu)之間。所述運動平臺相對所述第一和第二激光束軸線沿著所述結(jié)構(gòu)行的大致平行的方向移動所述半導體基片，由此，沿著第一行掃掠所述第一目標位置以第一次輻照所述第一行中的選擇的結(jié)構(gòu)，且同時沿著第二行掃略所述第二目標位置以第二次輻照在沿著所述第二行的第一目標位置的前一遍掃略中已被所述第一激光束軸線輻照的結(jié)構(gòu)。0018根據(jù)一個實施例，一種方法使用N個連續(xù)激光脈沖對半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)進行處理以獲得吞吐量或處理量益處，其中N≥2。所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中。所述N個系列激光脈沖沿著N個各自束軸線傳播直至入射到N個各自不同的行上的選擇的結(jié)構(gòu)上。所述方法確定聯(lián)合速度分布(jointvelocityprofile)，聯(lián)合速度分布用于同時相對所述半導體基片在縱向上大致協(xié)同地移動N個激光束軸線，從而分別用各自N個連續(xù)激光脈沖處理N行中的各結(jié)構(gòu)，由此所述聯(lián)合速度分布可能實現(xiàn)吞吐量益處，同時確保所述聯(lián)合速度分布表示對于N個連續(xù)激光脈沖中每一個脈沖和被N個連續(xù)激光脈沖處理的各自的N行結(jié)構(gòu)中的每一個結(jié)構(gòu)都是可行的速度。0019根據(jù)另一個實施例，半導體基片包括多個結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)被布置在多個沿大體縱向延伸的行中。所述結(jié)構(gòu)的一個或多個性能可能通過輻照被改變。每一行有一個或更多被間隙間隔的結(jié)構(gòu)簇。同一簇中的相鄰結(jié)構(gòu)被近似常數(shù)的間距間隔開。至少包含和布置N個這樣的行(其中N≥2)，以使所述N行有一組或多組對準簇(oneormoresetsofalignedbanks)或幾乎等間距間隔開的具有相同間距的結(jié)構(gòu)，它們被放置使得所述對準簇的結(jié)構(gòu)沿所述N行基本上縱向?qū)?。因此，所述半導體基片可能通過使用N個激光束，來進行增強吞吐量的輻射處理，所述N個激光束沿著N個各自激光束傳播路徑傳播，N個各自激光束傳播路徑的N個各自傳播軸線與所述半導體基片在N個各自光斑處相交。每個光斑同時入射到所述N行的對準簇的各自的結(jié)構(gòu)上，使得隨著所述簇的結(jié)構(gòu)被選擇性地輻照，N個激光光斑沿著所述N行的縱向近似協(xié)同地移動。0020根據(jù)另一個實施例，一種方法使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述方法產(chǎn)生沿著與所述半導體基片相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束和沿著與所述半導體基片相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束。所述方法同時將所述第一和第二激光束導向在所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)上。所述方法相對于所述半導體基片，沿著與行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，由此同時使用一個或更多所述第一和第二激光束軸線來選擇性地輻照所述行中的結(jié)構(gòu)。0021根據(jù)另一個實施例，一種系統(tǒng)使用多個激光束來選擇性輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述系統(tǒng)包括激光源、第一激光束傳播路徑、第二激光束傳播路徑，以及運動平臺。所述激光源產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束。所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑向半導體基片傳播。所述第一激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第一光斑的第一激光束軸線。所述第二激光束沿第二激光束傳播路徑向半導體基片傳播。所述第二激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第二光斑處的第二激光束軸線。所述第一光斑和所述第二光斑同時照射或照射所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)。所述運動平臺相對所述半導體基片沿著與所述行的縱向幾乎平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，以同時使用一個或更多所述第一和第二激光束來選擇性輻照所述行中的結(jié)構(gòu)。0022根據(jù)另一個實施例，一種方法使用多個脈沖激光束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述方法產(chǎn)生沿著與所述半導體基片相交的第一激光束軸線傳播的第一脈沖激光束和沿著與所述半導體基片相交的第二激光束軸線傳播的第二脈沖激光束。所述方法將來自所述第一和第二脈沖激光束的各自第一和第二脈沖導向到所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)，以用每個結(jié)構(gòu)單激光束的方式完成對所述各結(jié)構(gòu)的輻照。所述方法在與所述行的縱向大致平行的方向上，相對所述半導體基片大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，以使用所述第一或第二激光束來選擇性地輻照各結(jié)構(gòu)。所述移動步驟導致比只有單個激光束被用于輻照所述行中的各結(jié)構(gòu)時更高的速度。0023根據(jù)另一個實施例，一種系統(tǒng)使用多個激光束來選擇性輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述系統(tǒng)包括激光源、第一激光束傳播路徑、第二激光束傳播路徑，以及運動平臺。所述激光源產(chǎn)生至少第一脈沖激光束和第二脈沖激光束。所述第一激光束沿著所述第一激光束傳播路徑傳向半導體基片。所述第一激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第一光斑處的第一激光束軸線。所述第二激光束沿第二激光束傳播路徑傳向半導體基片。所述第二激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第二光斑處的第二激光束軸線。所述第一光斑和所述第二光斑沖擊或入射在所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)上。運動平臺相對所述半導體基片，沿著與所述行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，以此使用所述第一和第二脈沖激光束中的一個來選擇性輻照所述行中的結(jié)構(gòu)，使得所述行中的任何結(jié)構(gòu)被不多于一個激光束脈沖輻照。所述運動平臺遍歷所述行的長度的時間將少于如果只有單個激光束被用于輻照所述行中的結(jié)構(gòu)所要求的時間。0024根據(jù)另一個實施例，一種方法使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述方法產(chǎn)生沿著與半導體基片相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束和沿著與半導體基片相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束。所述方法將所述第一和第二激光束導向所述行中的非相鄰的第一和第二結(jié)構(gòu)上。所述方法沿著與所述行的縱向大致平行的方向，相對所述半導體基片大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。0025根據(jù)另一個實施例，一種系統(tǒng)使用多個激光束來選擇性輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述系統(tǒng)包括激光源、第一激光束傳播路徑、第二激光束傳播路徑，以及運動平臺。所述激光源產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束。所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑傳向半導體基片。所述第一激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第一光斑處的第一激光束軸線。所述第二激光束沿所述第二激光束傳播路徑傳向半導體基片。所述第二激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第二光斑處的第二激光束軸線。所述第一光斑和第二光斑入射在所述行中的不相鄰的第一和第二結(jié)構(gòu)上。所述運動平臺相對所述半導體基片，沿著與所述行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。0026根據(jù)另一個實施例，一種方法使用多個脈沖激光束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述方法產(chǎn)生沿著與半導體基片相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束和沿著與半導體基片相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束。所述方法將所述第一和第二激光束導向所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)上。第二光斑在垂直于所述行的縱向的方向上與第一光斑偏移一定距離。所述方法沿著大致與所述行的縱向平行的方向，相對所述半導體基片大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。0027根據(jù)另一個實施例，一種系統(tǒng)使用多個激光脈沖束來選擇性地輻照半導體基片之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中。所述系統(tǒng)包括激光源、第一激光束傳播路徑、第二激光束傳播路徑，以及運動平臺。所述激光源產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束。所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑傳向半導體基片。所述第一激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第一光斑處的第一激光束軸線。所述第二激光束沿所述第二激光束傳播路徑傳向半導體基片。所述第二激光束傳播路徑具有與半導體基片相交于第二光斑處的第二激光束軸線。所述第一光斑和第二光斑入射在所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)上。所述第一和第二光斑在垂直于所述行的縱向方向上被間隔開一定的距離。所述運動平臺相對所述半導體基片，沿著與所述行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線0028根據(jù)另一個實施例，一種方法使用激光脈沖來處理半導體基片之上或之內(nèi)的選擇的結(jié)構(gòu)(例如，導電性鏈路)。所述結(jié)構(gòu)具有表面、寬度和長度。所述激光脈沖沿著軸線傳播，所述軸線沿掃描束路徑相對于所述基片移動，同時所述激光脈沖輻照所述選擇的結(jié)構(gòu)。所述方法同時在所述選擇的結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生第一和第二激光束脈沖，它們沿著各自的與所述選擇的結(jié)構(gòu)在不同的第一和第二位置相交的第一和第二激光束軸線傳播。所述第一和第二激光束脈沖照射或照射所述選擇的結(jié)構(gòu)的各自的第一和第二束斑的表面。每個束斑圍繞至少所述選擇的結(jié)構(gòu)的寬度。所述第一和第二束斑在沿著所述選擇的結(jié)構(gòu)的長度方向在空間上彼此偏移，以定義被所述第一和第二束斑均覆蓋的重疊區(qū)域，和被所述第一和第二光斑之一或兩者覆蓋的大體區(qū)域。所述大體區(qū)域比所述第一束斑大，也比所述第二束斑大。所述方法設(shè)定所述第一和第二激光束脈沖的各自的第一和第二能量值，以引起對所述大體區(qū)域的至少一部分內(nèi)的跨越所述選擇的結(jié)構(gòu)的寬度范圍的完整深度處理。0029根據(jù)又另一個實施例，一種系統(tǒng)包括脈沖激光器和從所述脈沖激光器延伸向半導體基片上的不同的第一和第二位置的第一和第二激光束傳播路徑，所述半導體基片包含將被來自所述脈沖激光器的輻照所處理的結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)具有表面、寬度和長度。在一個脈沖期間，所述第一和第二束斑照射到所述結(jié)構(gòu)的不同的第一和第二位置上，由此每個束斑圍繞所述結(jié)構(gòu)的至少所述寬度。所述第一和第二束斑沿著所述結(jié)構(gòu)的所述長度方向在空間上彼此偏移，由此定義被所述第一和第二束斑均覆蓋的重疊區(qū)域，和被所述第一和第二束斑之一或兩者覆蓋的大體區(qū)域。所述大體區(qū)域比所述第一束斑大，并且比所述第二束斑也大。所述脈沖用各自的能量輻照所述第一和第二束斑，以引起對所述大體區(qū)域的至少一部分跨越結(jié)構(gòu)的寬度范圍內(nèi)的所選擇的束斑的完整深度處理。0030正如本文所用術(shù)語“在...上”表示的不僅是位于某物正上方，還可能任何方式地、部分或全部地在...的頂上，在...上方，在...之上或覆蓋于...上；術(shù)語“基本上”是加寬的術(shù)語，表示大致或近似地，但不意味著非常接近；以及術(shù)語“相鄰”表示緊接著的或在序列中挨著(例如，字母表中，字母“F”與“G”相鄰但不與“H”相鄰)，但不意味著物理上的接觸。0031參見下列附圖，在后續(xù)節(jié)中將闡明關(guān)于具體實施例的構(gòu)造和操作的額外的細節(jié)。0032圖1是通過沿著簇縱向方向掃描的激光光斑選擇性輻照的一行或一簇鏈路的示意圖；0033圖2是鏈路處理系統(tǒng)的示意圖；0034圖3是半導體晶片上的鏈路處理行程(linkrun)的圖解說明；0035圖4是單個鏈路處理行程的速度分布曲線；0036圖5是根據(jù)各種實施例的各兩光斑排列的圖解說明；0037圖6是相互有關(guān)的兩個鏈路行的兩種不同情況的圖解說明；0038圖7是根據(jù)一個實施例來處理圖6中兩種情況的兩個橫向間隔開的激光光斑的圖解說明；0039圖8是根據(jù)兩個實施例的兩光斑和三光斑的激光光斑同軸線排列的例子的圖解說明；0040圖9是根據(jù)一個實施例的用于一遍處理一行的激光光斑的兩光斑同軸線排列的圖解說明；0041圖10是根據(jù)一個實施例的用于處理一行兩遍的激光光斑的兩光斑同軸線排列的圖解說明；0042圖11和圖12是根據(jù)一個實施例的具有橫向相對偏轉(zhuǎn)的兩個橫向間隔開的激光光斑的圖解說明；0043圖13是根據(jù)一個實施例的具有同軸線和跨越軸線或軸線間(cross-axis)間距的四光斑排列的兩種情況的圖解說明；0044圖14是根據(jù)一個實施例的激光脈沖功率與時間關(guān)系的一組曲線圖；0045圖15是根據(jù)一個實施例的多光斑激光處理系統(tǒng)的方框圖；0046圖16是根據(jù)一個實施例的兩光斑激光處理系統(tǒng)的方框圖；0047圖17-24是根據(jù)各實施例的兩光斑激光處理系統(tǒng)的各種實施方式的示意圖；0048圖25是根據(jù)一個實施例的、結(jié)合多個激光束系統(tǒng)的示意圖；0049圖26是根據(jù)一個實施例的用于產(chǎn)生多個激光束的系統(tǒng)的示意圖；0050圖27是根據(jù)一個實施例的多透鏡激光處理系統(tǒng)的示意圖；0051圖28是根據(jù)一個實施例的具有糾錯能力的兩光斑激光處理系統(tǒng)的示意圖；0052圖29是根據(jù)一個實施例的具有獨立束偏轉(zhuǎn)的兩光斑激光處理系統(tǒng)的示意圖；0053圖30是根據(jù)一個實施例的具有能量校準能力的兩光斑激光處理系統(tǒng)的示意圖；0054圖31是根據(jù)一個實施例的具有位置校準能力的兩光斑激光處理系統(tǒng)的示意圖；0055圖32是根據(jù)一個實施例的校準目標和兩激光光斑的圖解說明。具體實施例方式0056參見以上附圖，本節(jié)描述特定實施例和它們的詳細構(gòu)造和操作。下文所公開的原理、方法和系統(tǒng)對使用激光輻射對半導體基片之上或之內(nèi)的任何結(jié)構(gòu)做任何目的的處理具有通用性。雖然上下文的示例和實施例是在這些結(jié)構(gòu)是位于IC(例如，存儲器器件、邏輯器件、包括LED在內(nèi)的光學或光電子器件，以及微波或射頻器件)之上或之內(nèi)的激光可分離鏈路環(huán)境下描述的，但是除了激光可分離鏈路外的其它結(jié)構(gòu)也可能以相同或類似的方式進行處理，本文所闡述的教導同樣可能應(yīng)用到其它類型結(jié)構(gòu)的激光處理，諸如由于激光輻射而變得可導電的電結(jié)構(gòu)、其它電結(jié)構(gòu)、光學或電光結(jié)構(gòu)，和機械或機電結(jié)構(gòu)(例如，微機電結(jié)構(gòu)(MEMS)或微光機電結(jié)構(gòu)(MOEMS))。輻照的目的可能是切斷、分裂開、制造、加熱、改變、擴散、退火或測量結(jié)構(gòu)或其材料。例如，激光輻射可能導致結(jié)構(gòu)材料的狀態(tài)變化，導致攙雜物的遷移或改變磁性，上述任何一種方式都可能用于連接、斷開、調(diào)節(jié)、修改或修復電路或其它結(jié)構(gòu)。0057如本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本公開將認識到的，某些實施例相比已知的現(xiàn)有技術(shù)具有某些優(yōu)勢，這些優(yōu)勢包括下列當中的某些或全部(1)可能通過乘法因子，例如2，3，4等因子，增加吞吐量；(2)減少制造設(shè)施中的鏈路處理設(shè)備所占用的面積；(3)減少掃描對準目標和完成鏈路處理之間所花費的時間，因此(a)減少半導體處理系統(tǒng)的元件和結(jié)構(gòu)的熱漂移時間，從而增強系統(tǒng)準確度，(b)允許更大的晶片處理區(qū)域，導致更長的鏈路處理行程和額外的吞吐量提高，和(c)當監(jiān)控到熱漂移或距離前一次掃描的時間過長時，允許降低重掃描對準目標的頻率，從而通過減少準確鏈路處理所需的操作次數(shù)來進一步增強吞吐量；(4)允許對某些現(xiàn)有系統(tǒng)參數(shù)的有益放寬，例如XY平臺或工作臺加速度和激光脈沖重復頻率，同時仍以與當前鏈路處理系統(tǒng)等效或更高的速度來處理晶片。作為后一個優(yōu)勢的例子，降低對平臺加速度的需求可減少釋放到系統(tǒng)環(huán)境中的熱量，減少晶片處理過程中產(chǎn)生的熱漂移；較低的加速度將通過降低系統(tǒng)共振和振動的激烈度來提高準確度，從而帶來了更平穩(wěn)、更柔和以及更穩(wěn)定的系統(tǒng)操作；還可能選擇造價更低、優(yōu)化機械配置、更簡單，且如果降低的加速度是可接受的，則不需要輔助冷卻系統(tǒng)的運動平臺。作為另一個示例，處理可能使用較低PRF的激光源；較低PRF的激光器具有改進的脈沖特性，如更快的上升時間，增強的脈沖穩(wěn)定性，增加的峰值脈沖功率，和更短的脈沖寬度；較低PRF的激光器還可能更便宜，且還可能用發(fā)熱較小的較低功率電源來操作。閱讀本節(jié)剩余部分后，各種實施例性的這些和其它優(yōu)勢過程將會更加明顯。I.對鏈路處理行程處理時間的分析0058對典型DRAM晶片的修復的測量表明執(zhí)行鏈路處理行程的時間占晶片處理時間的大部分。整個處理時間的大約85％用于完成鏈路處理行程，剩余的15％用于執(zhí)行常規(guī)的(overhead)任務(wù)，例如移動晶片使得切割激光從一個鏈路處理行程的末端移到下一個鏈路處理行程的起始端、對準、聚焦和計算開銷。因為鏈路處理時間的主要部分典型地用于完成鏈路處理行程，因此，減少執(zhí)行鏈路處理行程的時間可能使晶片處理時間顯著減少。0059圖4示出了相應(yīng)于鏈路處理行程420的處理的鏈路處理行程速度或鏈路處理行進速度(linkrunvelocity)分布410。此處所用的術(shù)語“速度分布”表示在某段時間或某段距離上作為時間或距離函數(shù)的速度。鏈路處理行程執(zhí)行包括若干不同的操作。當處理具有緊密間距(如同一簇中的相鄰鏈路之間中心到中心的距離)的一簇鏈路430時，激光束軸線相對于晶片以接近恒定的速度440推進。注意，雖然圖4示出的例子對于在鏈路處理行程420中的每個鏈路簇430的恒定速度440是相同的，但也可能不同鏈路簇430可能具有不同的恒定速度，例如當同一個鏈路處理行程中的簇與簇之間的間距不同時。當鏈路處理行程中相繼的鏈路之間有大間隙450時，系統(tǒng)加速以用更少的時間跨過間隙450，并在接近間隙末端處減速以再次達到標稱速度。加速和減速產(chǎn)生鏈路速度分布410中的間隙分布460。在鏈路處理行程的起始端，系統(tǒng)經(jīng)歷從靜止位置開始的初始加速470，接著是穩(wěn)定期480。在鏈路處理行程的末端，系統(tǒng)經(jīng)歷減速490回到零速度。因此，在完成鏈路處理行程期間，系統(tǒng)執(zhí)行的典型操作包括將平臺提升到恒定速度，穩(wěn)定，以恒定速度處理鏈路，加速(間隙分布)經(jīng)過任何大間隙，并在處理行程末端回降至零速度。圖4示出了這些操作對鏈路處理行程同軸線速度的影響。注意，雖然鏈路處理行程420被描述成穿過共線鏈路簇的直線，但是有可能鏈路簇不是成一條直線。則鏈路處理行程420也會包含橫向位置要求。0060從下面的簡化的吞吐量預測模型中可能明顯看到減少鏈路處理行程完成時間帶來的系統(tǒng)改進。該模型估計完成鏈路處理行程所需的時間。該模型對絕對時間預測不是準確的，因為它沒有對全部系統(tǒng)行為進行完全建模，例如移動仿形分析(moveprofiling)；然而改變不同處理參數(shù)的相對影響是正確的。根據(jù)該模型，處理鏈路所需的時間如下TLR=NLR(D‾LR/V‾LR+Taccel+Tsettle+Tdecel-T‾gapsavings)---(1)]]>方程(1)中，TLR是完成鏈路處理行程的全部時間，而NLR是所有鏈路處理行程的數(shù)目。圓括號中的項可能劃分為三個部分(1)以恒定速度跨過所有鏈路處理行程所用的時間，(2)鏈路處理行程中加速、穩(wěn)定和減速的時間，和(3)間隙仿形分析(gapprofiling)所節(jié)省的時間。0061以恒定速度在鏈路處理行程上所用的平均時間用平均鏈路處理行程距離和平均鏈路處理行程速度(linkrunvelocity)來描述。一般該速度為V‾LR=PlinkFlaser,]]>其中Plink是基本鏈路間距而Flaser是激光PRF。0062對方程(1)中與恒定鏈路處理行程速度有關(guān)的項的重新整理顯示以恒定速度所用的全部時間是Tvconst=NLRD‾LR/V‾LR=Dtotal/V‾LR.]]>其可重新表述如下以恒定速度處理鏈路處理行程所需的時間是全部鏈路處理行程距離Dtotal除以鏈路處理行程速度。0063對于簡化的吞吐量模型，加速到鏈路處理行程速度或從鏈路處理行程速度減速所需的時間是Taccel=Tdecel=V‾LR/Astage,]]>其中，Astage是平臺加速度，而在處理鏈路之前的加速階段末期所需耗用的額外時間是穩(wěn)定時間，記為Tsettle。在實際實現(xiàn)中，還使用更為復雜的加速和減速分布，例如半正弦或梯形分布(profiling)。0064方程(1)中的最后一個項是對通過間隙仿形分析在鏈路處理行程上所節(jié)省時間的一種度量。間隙仿形分析操作涉及加速、減速和穩(wěn)定，以比恒定速度所需的時間更少的時間在兩個鏈路之間通過。該項的大小依賴于鏈路之間大間隙的數(shù)量和間距，平臺的加速能力，穩(wěn)定時間和鏈路處理行程速度。對于鏈路處理行程中有許多大間隙和小的鏈路間距(因此鏈路處理行程速度較低)的產(chǎn)品，可能節(jié)省更多的時間。0065這三項的相對大小使人進一步認識到不同系統(tǒng)變化的重要性。鏈路處理行程起始端和末端的加速和減速所用的時間大約占花費在鏈路處理行程上的時間的1.5％。間隙仿形分析所節(jié)省的時間大約是以恒定速度遍歷鏈路處理行程所需時間的50％。對于不同類型的晶片，這些數(shù)據(jù)大不相同。鏈路之間很少或無大間隙的工件將不會從間隙仿形分析中獲益。另一方面，帶有稀疏或隨機的鏈路版圖的產(chǎn)品從間隙仿形分析中獲益較大。II.一般并行0066通過產(chǎn)生和可能獨立控制在晶片表面的多個激光光斑的并行鏈路處理可能顯著地提高系統(tǒng)吞吐量。0067在一個實施方式中，使用兩個聚焦的激光光斑允許在透鏡下一遍物理性通過晶片而實現(xiàn)對兩行鏈路的處理。方程(1)顯示出當同時處理多個橫向間隔開的鏈路處理行程時，鏈路處理行程完成時間除以光斑數(shù)。對于兩光斑系統(tǒng)，XY平臺只需要遍歷晶片NLR/2次。該平臺必須遍歷的整個鏈路處理行程的距離被2除，且每個鏈路處理行程起始端和末端的加速、減速和穩(wěn)定事件也被2除。雖然間隙仿形分析所節(jié)省的時間可能被大約接近2的數(shù)除，這依賴于鏈路版圖，但凈結(jié)果是帶有兩個橫向間隔開的光斑的激光系統(tǒng)需要大約一半的鏈路處理行程完成時間。0068由多光斑系統(tǒng)帶來的吞吐量提高遠大于單光斑系統(tǒng)中通過提高運動平臺性能和激光PRF所能達到的提高。另外，這些吞吐量的提高是在沒有任何強制激光和運動平臺達到更高性能所帶來的不良后果情況下達到的。0069多光斑處理可能采用很多不同形式激光脈沖可能以不同橫向(跨越軸線)間距，不同的同軸線間距，不同同軸線和跨越軸線間距，或鏈路間距無差別的方式來傳輸?shù)芥溌贰＿@些不同配置中每一個都提供不同吞吐量和處理上的優(yōu)勢，并將在下文中參考圖5對此進行更詳細的解釋。0070圖5描述了由具有某些可能間距的兩激光光斑所處理的鏈路。圖中兩激光光斑記為“A”和“B”。在橫向(跨越軸線)間隔排列中，光斑A在一個簇510的鏈路上，而光斑B偏移在不同的、典型地是并行的簇520的相應(yīng)鏈路上。因為光斑A和B優(yōu)選如圖5中所描述的跨越通過鏈路處理行程510和520水平地協(xié)同推進，因此可能說這兩個光斑在關(guān)于光斑運動方向的跨越軸線方向上相對彼此移位(displaced)。雖然我們說光斑A和B沿著他們各自的鏈路簇推進，但這是說法的簡化。更精確地說，當激光束打開時，激光束產(chǎn)生光斑。在間歇性激光束的情況下，如脈沖激光束，隨著激光束打開和關(guān)閉，在IC工件上產(chǎn)生的光斑變來變?nèi)?。然而，激光束沿著傳播軸線傳播，無論光束打開或關(guān)閉，軸線都一直存在。因此，精確說來，激光束軸線沿著鏈路處理行程移動。在鏈路處理行程中的任意給定時間，軸線與IC工件相交，或者在鏈路上或在兩個相鄰鏈路之間。當激光束軸線與被選定要移除的鏈路相交時，激光束被賦能以切斷該鏈路。當激光束軸線沿著一簇規(guī)則隔開的(間距近似一致)的鏈路移動時，可能以與軸線跨過鏈路相等和相位同步的速率周期性地發(fā)送激光束。激光束可能選擇性地通過或被阻擋，從而切斷給定鏈路或者保持其完整。0071雖然光斑A和B在圖5和其它圖中以圓形示出，它們可能具有激光束可能產(chǎn)生出來的任何形狀。0072正如已經(jīng)提及到的，橫向間隔開的光斑的優(yōu)勢是可用較少的鏈路處理行程來完成晶片處理，導致在無需任何對激光或運動平臺的增強的情況下得到高得多的吞吐量。因此，從提高吞吐量的角度出發(fā)，這是有價值的并行形態(tài)。然而，并行可能采用不同的形式，其可能提供不同的優(yōu)勢。0073在同軸線排列中，光斑A和B在同一個鏈路簇530的不同鏈路上，且可能基本上沿著光斑運動的軸線方向?qū)?。雖然在圖5的圖解說明中光斑A和B是被導向相鄰的鏈路上，但不一定需要是這樣的，例如，光斑A可能領(lǐng)先于光斑B兩個或更多鏈路，反之亦然。同軸線間隔開的激光光斑的優(yōu)勢包括如下(1)可能提高鏈路處理行程速度以提高吞吐量，因為光斑能以兩倍于脈沖間距推進；(2)可能在處理進行過程中向鏈路傳輸多個激光脈沖，而不用重復鏈路處理行程；和(3)可能選擇性地將不同特性的激光脈沖應(yīng)用到鏈路上。0074跨越軸線(cross-axis)和同軸線(on-axis)間隔混合分布也是可能的，如圖5中兩個示意例子所示。在一個排列中，光斑A和B可能沿著橫向軸線偏移，但仍保持在同一鏈路行或簇540中。這種單行同軸線和跨越軸線混合排列的優(yōu)勢包括兩光斑之間的區(qū)域中的能量被更好分散，因為相比沒有任何跨越軸線偏移的情況，它們被稍微更大的距離分開。在另一種排列中，光斑A和B在不同簇550和560上，且在同軸線方向也有偏移。隨著IC特征尺寸持續(xù)縮小，相鄰行上的橫向間隔開的光斑之間的同軸線偏移還可能引起在兩個光斑附近更好的能量分散，尤其是當同時發(fā)送脈沖時。注意，在同軸線和跨越軸線配置中的處理是可能的，如圖5中的同軸線和跨越軸線配置所示，臨近鏈路簇是交錯的，或如跨越軸線(橫向)配置情況中的版圖那樣，臨近鏈路簇被規(guī)則地布置。0075此外，在重疊配置中，如圖5中兩次所示，光斑A和B可能在同一個鏈路簇570(完全重疊)或580(部分重疊)的同一鏈路上部分或基本上完全重疊。多個重疊激光光斑的優(yōu)勢是(1)具有不同光學性能的激光光斑可能被選擇性地傳輸?shù)芥溌?，?2)組合在略微不同時間到達的激光脈沖是對有效的組合脈沖輪廓(profile)進行瞬時整形的方法。0076兩個激光光斑A和B可能被同時或順序地處理。例如，同時處理可能通過將單個激光束分成多個光斑或觸發(fā)兩個激光器同時發(fā)射而發(fā)生。同時傳輸表示是在基本上同一時間，因此處于鏈路處理行程速度VLR，脈沖A和脈沖B之間的時間延遲不會導致熔斷位置漂移到這樣的程度即漂移占聚焦的束斑直徑的主要部分。例如，在鏈路處理行程速度為200mm/sec并且預期光斑漂移小于2微米聚焦光斑尺寸10％的情況下，在1μs內(nèi)到達的脈沖可被認為相互是同時的。光束路徑長度的微小差別將導致脈沖之間的時間延遲遠低于這個值，一般小于約10ns。0077順序光斑，無論是從被分離的單個激光脈沖產(chǎn)生的(且具有長光學延遲路徑)，或者是從在觸發(fā)器之間有時延的多個激光脈沖產(chǎn)生的，都以更大的時間間隔照射在鏈路上。通過調(diào)整在目標半導體晶片上聚焦的激光光斑的相對位置，可能使用順序光斑于多個射束路徑，這樣在脈沖產(chǎn)生被觸發(fā)時，聚焦的光斑可能被正確地定位。0078對于多光斑處理，觸發(fā)激光器產(chǎn)生脈沖可能純粹基于定時信號，或基于光斑、工件或工件相對于光斑的實際的，測量的，估計的或預定位置。還可能基于多光斑相對于多目標的平均位置或估計位置來觸發(fā)產(chǎn)生脈沖。0079下一節(jié)描述圖5所示的各種形式并行的各種方面。III.橫向間隔開的光斑0080生成照射到相鄰的橫向(跨越軸線)間隔的鏈路簇的兩個或更多聚焦的激光光斑是提高系統(tǒng)吞吐量的一種配置。通過同時處理兩簇或更多簇鏈路，鏈路處理行程的有效數(shù)量和XY運動平臺在晶片處理中必需移動的距離被橫向聚焦的激光光斑的數(shù)量所降低。例如，之前使用單個光斑時需要1000個鏈路處理行程(linkrun)的晶片可能僅由500個雙重鏈路處理行程處理，其中每個雙重鏈路處理行程導致兩個橫向隔開的鏈路簇的處理。將鏈路處理行程(linkrun)的數(shù)量減半導致處理晶片所需時間的相應(yīng)減少。更一般地，使用N個橫向隔開的光斑導致吞吐量提高N倍。0081橫向隔開的光斑一般比其他光斑配置更能提高吞吐量。此外，吞吐量的提高對XY運動平臺260或激光脈沖速率需求沒有新要求，因為處于分離的行上的橫向間隔開的光斑可能像單光斑系統(tǒng)那樣以同樣的速度440同時處理這些分離的行。然而，當在一遍鏈路處理行程中處理多行時，以與所有被處理的行兼容的速度來執(zhí)行該遍處理行程變得更重要。被聯(lián)合處理的N個不同行的兼容速度分布是對所有N個并行處理都可行、可實用、適當?shù)幕蚝线m的速度分布。速度兼容性問題一般表現(xiàn)為三種主要形式。第一，處理多個并行行的恒定速度440應(yīng)與所有被處理的行兼容。這可通過將單個鏈路處理行程中的恒定速度440中的最小值作為聯(lián)合恒定速度來獲得保證。一般情況下，鏈路的每一行都有相同的間距，每遍處理行程的恒定速度都是一樣；因此，不須付出性能代價就可保證聯(lián)合恒定速度440是兼容的。第二，間隙分析應(yīng)與所有被處理的行兼容。這可能通過只在所有被處理的行間隙對準的情況下應(yīng)用間隙分析460來獲得保證。第三，對于同一遍鏈路處理行程420中的不同鏈路簇430，恒定速度440可能各不相同的情況，將鏈路處理限制為恒定速度鏈路處理行程可能簡化問題，而不是允許一個鏈路簇430的鏈路處理行程速度與其它鏈路簇不同。總之，同時處理多行的聯(lián)合速度分布應(yīng)從并行鏈路處理行程中的所有鏈路坐標中計算得到，還要考慮所有最小間距，間隙分析的適當面積，提升和回降的位置，具體單個鏈路處理行程速度分布。此外，當不同激光源有能影響可達速度的不同特性時，如PRF，這些因素也應(yīng)當考慮在內(nèi)。0082根據(jù)一個實施例，計算聯(lián)合速度分布首先計算處理行程內(nèi)的構(gòu)成行的單個速度分布，然后構(gòu)造聯(lián)合速度分布，其沿分布的每個點處都不超過任何單個分布中最小的最大速度值。例如，如果第一行在某個區(qū)間內(nèi)必須以125mm/s或更低的速度作處理，而第二行在同一區(qū)間內(nèi)必須以100mm/s或更低的速度作處理，則聯(lián)合速度分布在該區(qū)間內(nèi)應(yīng)該是100mm/s或更低。0083根據(jù)另一個實施例，通過計算單獨一組主鏈路坐標的速度分布來決定聯(lián)合速度分布。該組主鏈路坐標從被并行處理的N行中某些或全部鏈路坐標中產(chǎn)生。確定每個主鏈路坐標到被聯(lián)合處理的N行中某些或全部鏈路中的坐標的偏移，以及確定關(guān)于N個脈沖中每個被阻擋或被傳輸?shù)侥繕俗鴺说男畔ⅰＶ麈溌纷鴺说奖惶幚淼腘行中的一行的偏移可能是零。一種處理并行鏈路處理行程的方法是使用從偏移坐標中獲取的信息來支配束偏轉(zhuǎn)機構(gòu)的運動，使用從該組主鏈路坐標中獲取的信息來促進激光脈沖的產(chǎn)生，使用關(guān)于N個脈沖中每一個的傳輸或阻擋的信息來指示傳輸或阻擋脈沖的開關(guān)。0084可執(zhí)行指令代碼形式的軟件是計算聯(lián)合速度分布的優(yōu)選方法。0085為了最大化聯(lián)合速度，構(gòu)成的鏈路處理行程應(yīng)該在空間上盡可能類似。也就是說，不同構(gòu)成處理行程的相應(yīng)簇內(nèi)應(yīng)該使用同樣或類似的間距，并且，簇和間隙應(yīng)盡可能對準。這樣，IC上鏈路智能版圖可能促進橫向間隔開的多光斑鏈路處理，這種多光斑鏈路處理最大化這種鏈路處理所能提供的吞吐量優(yōu)勢。0086涉及橫向間隔開光斑的吞吐量或處理量提高不需要平臺速度的提高，這與同軸線間隔開的光斑不同，后者例如，可能要求在單射束系統(tǒng)中的平臺速度加倍。為此，可能也包含同軸線偏移的橫向間隔開的光斑是提高使用高PRF激光器(例如那些超過30kHz的)的系統(tǒng)吞吐量的優(yōu)選方法。作為例子，使用40kHzPRF激光器和3μm熔絲間距的基本鏈路處理行程速度是120mm/s。使用橫向間隔開的光斑處理多個鏈路處理行程會使用同樣的鏈路處理行程速度。然而，帶有同軸線間隔開的光斑的兩光斑系統(tǒng)優(yōu)選地使用240mm/s的鏈路處理行程速度，其超過了現(xiàn)有的半導體處理系統(tǒng)的平臺速度極限。0087橫向間隔開的光斑也是在很多現(xiàn)有半導體鏈路版圖上使用的自然選擇。許多半導體器件制造商制造包含由小于200μm距離間隔的并行鏈路簇的產(chǎn)品。10μm或更小的中心到中心間隔距離是常見的。現(xiàn)有這些類型的鏈路版圖是因為半導體內(nèi)軌跡寬度和間隔距離一般比激光可切斷或分離半導體鏈路的寬度和間距小。偏移或交錯熔絲設(shè)計(staggeredfusedesign)是由于試圖將較大的半導體鏈路壓縮進短的同軸線距離中，如圖6所示。在這些設(shè)計的一些設(shè)計中，鏈路有完全的橫向平移(如左邊所示)。在其它設(shè)計中，還可能有同軸線偏移(如右邊所示)。具有完全或純同軸線間距的多光斑鏈路處理的好處也體現(xiàn)在具有同軸線和跨越軸線間距的處理中。0088雖然目前很多半導體設(shè)計的版圖與同時處理橫向間隔開的鏈路簇兼容，但是設(shè)計師在嘗試通過將熔絲放置在單行中來縮小激光可分離熔絲的尺寸，從而消除圖6中的偏移和交錯鏈路配置。這將增強現(xiàn)有單光斑系統(tǒng)的吞吐量。0089為更多地利用多射束鏈路處理的優(yōu)勢，IC設(shè)計師可能特意設(shè)計與多射束鏈路處理兼容的半導體鏈路版圖。制造以多射束處理為目標的鏈路版圖的產(chǎn)品，具體的說是使用橫向間隔開的光斑的多射束處理，可導致在多射束系統(tǒng)上處理時吞吐量的顯著提高。使用橫向間隔開的光斑的所需的鏈路版圖包括具有鄰近的中心到中心距離的鏈路簇，一般為10μm或更小，但可能為1mm或更大。放置大部分鏈路和鏈路簇，使其可能被橫向間隔開的光斑處理，以此最大化系統(tǒng)性能的作法也是所希望的。0090在一個實施例中，單個激光脈沖被分裂，一半的能量被傳輸給光斑A，一半給光斑B。使用光學開關(guān)可能獨立地選擇是否將脈沖傳遞給A或B，允許期望的鏈路被恰當切斷。0091圖7示出了雙重鏈路處理行程如何進行。一對激光光斑A1和B1相應(yīng)于被分裂并施加到兩條鏈路上的第一激光脈沖。從激光器中發(fā)射的下一個脈沖可能照射到下兩個鏈路，如聚焦光斑A2和B2。光學開關(guān)可能選擇哪個脈沖到達它們的目標鏈路。在所描述的兩個例子中，脈沖A3、A4、A6、A7、B2、B4和B8到達并移除它們的目標鏈路。其它脈沖被阻擋，所以它們不能到達或改變?nèi)魏捂溌贰?092在某些情況下需要處理鏈路兩次。可能使用多光斑鏈路處理系統(tǒng)容易地實現(xiàn)沿著鏈路處理行程方向進行兩遍或更多遍處理，從而兩次或多次熔斷鏈路。因為多光斑鏈路處理系統(tǒng)固有的并行特性，這可能比單光斑鏈路處理系統(tǒng)顯著快得多地被完成。沿著給定鏈路簇的順序輪次通過可能包括聚焦的激光光斑的橫向偏移，使得跨越晶片的每一遍處理中，鏈路被不同激光光斑處理。例如，沿著鏈路處理行程的第一遍處理可能選擇性地用光斑A擊中鏈路，而當光斑A沿著新的鏈路處理行程推進時，沿著鏈路處理行程的第二遍處理可能用光斑B再次擊中同樣的光斑。0093使用多個具有不同光學特性的橫向間隔開的光斑來處理晶片也可能很有用?？赡芡ㄟ^插入額外的光學元件來改變偏振，光斑空間分布，光斑直徑，波長，脈沖能量或其它光學特性來實現(xiàn)不同的光學特性。不同的光學特性還可能通過使用不同激光源來實現(xiàn)。0094因為半導體晶片一般只包含一種鏈路設(shè)計，使用不同光學特性光斑最有可能用于雙重熔斷的情況。第一次熔斷將部分移除鏈路而第二次熔斷將清除被熔化的鏈路。或者，第一次熔斷可能被通過或阻擋以及第二次熔斷將被通過或阻擋，導致將一個或另一光斑應(yīng)用到鏈路上。這在不同鏈路特性或方位使得優(yōu)選使用不同激光光斑做處理的情形下是所希望的。例如，如果當偏振方向與鏈路的一個軸線相對應(yīng)時，需要使用偏振光斑來處理鏈路，光斑A和B可能被配置成帶有不同偏振特性，并被施加到工件上具有不同朝向的鏈路上。不同光學特性光斑的施加將在本文件的第VI小節(jié)中詳述。0095雖然有可能使用固定的光學器件來產(chǎn)生多個帶有固定偏移的橫向間隔開的光斑，但是優(yōu)選能夠重配置光斑的位置。因為大部分典型的半導體產(chǎn)品包含要求鏈路處理行程在X軸線和Y軸線兩個方向上進行的鏈路版圖，所以需要能夠重配置光斑轉(zhuǎn)換器，這樣為每個鏈路處理行程方向生成橫向光斑間距。也需要能夠配置和調(diào)整光斑間距，以和不同鏈路版圖匹配。IV同軸線間隔開的光斑0096沿著鏈路處理行程的軸線前后調(diào)整的具有同軸線間距分布開的多個光斑，提供了吞吐量和多次熔斷的優(yōu)勢。在吞吐量方面，這種定向能有效提高激光器PRF和以光斑數(shù)量Nspot為倍數(shù)提高鏈路處理行程速度V‾LR=PlinkFlaserNspot]]>。例如，在兩個同軸線間隔開的光斑的情況中，鏈路處理行程速度加倍。然而，可能由于增加的基礎(chǔ)鏈路處理行程速度導致通過間隙分析所節(jié)省的時間較少。0097每個鏈路處理行程的速度分布在大多數(shù)情況下應(yīng)該通過所有多次熔斷坐標來計算，并將諸如最小間距、間隙分析的適當面積、提升和回降位置和具體鏈路簇的速度分布等考慮在內(nèi)。鏈路處理行程速度分布的計算對本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的。0098圖8描述了由多個同軸線激光光斑的兩光斑和三光斑實施方式處理的一簇鏈路。在一種實施方式中，光斑A和B-或光斑A，B和C-可能從單獨一個激光脈沖中產(chǎn)生，并基本上同時到達工作面。被鏈路處理系統(tǒng)所控制的光學開關(guān)允許某些脈沖到達表面并切斷鏈路，而其它脈沖被阻擋。在圖8所示的兩光斑情況(上方)中，光斑A1和B1是幾乎同時被處理的，接著A2和B2，接著A3和B3等等。在三光斑情況(下方)中，三個激光光斑沿著鏈路處理行程方向以三個三個地遞增的方式一起推進(A1，B1和C1，接著A2，B2和C2，接著A3，B3和C3，等等)。0099實現(xiàn)固定的位移或偏轉(zhuǎn)機制來將激光光斑平移大于單個鏈路間距的距離，可能阻止相鄰鏈路的同時處理。因為增加的脈沖能量必須被相鄰鏈路之間區(qū)域中的工件所吸收，因此同時處理兩個相鄰鏈路是不可取的。增加的脈沖能量可能引起破壞，如果這兩個相鄰的鏈路沒有被同時處理則不會發(fā)生這種破壞。換句話說，當光斑之間的距離是多個兩倍或更高倍的間距，可能同時處理非相鄰光斑，而使對工件產(chǎn)生破壞的可能性較小。00100當光斑之間的間距是鏈路間距的奇數(shù)倍時(這樣激光光斑落在，例如，鏈路1和4，鏈路1和6，或鏈路1和8上，等等)，可能有優(yōu)勢地利用同軸線并行，因為一個光斑可能處理鏈路處理行程中的“偶數(shù)”鏈路，而另一個光斑處理“奇數(shù)”鏈路。這樣的間距還可能描述為間隔光斑使得光斑之間的鏈路數(shù)量(不算端點)是偶數(shù)。在這種情況下，鏈路處理行程速度可能加倍，同時阻止可能來自相鄰激光光斑的增加的能量。圖9示出了帶有三倍鏈路間距增量(光斑之間有兩個鏈路)同軸線間距。這項技術(shù)可能推廣到多于兩光斑的情況，其中光斑的所有組合都有大于鏈路間距的同軸線間距。00101第二種使用由多于一倍鏈路間距間隔開的同軸線光斑來處理晶片的方式是通過一簇鏈路兩遍。圖10示出了一個例子。例如，第一遍使用間隔為兩倍最小間距的兩個激光光斑來選擇性地熔斷隔條鏈路(everyotherlink)。第二遍可能選擇性地熔斷被第一遍跳過的散布開的鏈路。因為鏈路處理行程速度是應(yīng)用到單個光斑的同一種激光的速度的四倍，所以可能完成兩遍并且還可能提高系統(tǒng)吞吐量。圖10中，第一遍中脈沖A1，A2和B2到達并移除鏈路結(jié)構(gòu)。其它脈沖被阻擋，但還可能被施加到鏈路上。盡管圖10中描述了不同的鏈路處理行程方向，但各遍可能在同一方向上完成鏈路處理行程。00102具有同軸線間距的多光斑還可能用來有效地向鏈路傳輸多次熔斷。例如，某些半導體制造商更喜歡提供一個脈沖來切斷鏈路，接著第二個脈沖來清除那個區(qū)域和任何殘余鏈路材料。具有同軸線間距的多光斑排列是一種有效的傳輸多個脈沖的方式，而不需像單光斑系統(tǒng)中那樣進行第二個鏈路處理行程。00103向鏈路傳輸多次熔斷的另一種方式是沿著每個鏈路處理行程做多遍處理。因為多光斑系統(tǒng)中鏈路處理行程速度比單光斑系統(tǒng)的大，所以多光斑系統(tǒng)優(yōu)選使用這類型操作。00104這些技術(shù)和它們的混合組合可能用于向每個鏈路提供兩次或多次熔斷，且每次熔斷可能有同樣的脈沖特性或不同的脈沖特性。00105通過插入額外的光學元件來改變偏振，光斑空間分布，光斑尺寸，波長，脈沖能量，或其它光學特性，可能實現(xiàn)不同光學特性。不同光學特性，例如脈沖寬度，還可能通過使用不同的激光源來實現(xiàn)。這在向鏈路應(yīng)用多次熔斷時特別有用。一種情形是向鏈路應(yīng)用第一脈沖，例如以較高能量水平來熔斷鏈路，接著用較低能量的第二脈沖來清除任何剩余的材料。具有不同光學特性的光斑的應(yīng)用在下文第VI小節(jié)中進一步詳述。V.橫向和同軸線間距的組合00106以同軸線和跨越軸線偏移間隔多個激光光斑的不同方法提供了不同的處理優(yōu)勢。圖5中的鏈路簇550和560所示的雙行配置提供與上述具有跨越軸線間距的光斑的相同的優(yōu)勢(例如，提高吞吐量)。這種同軸線和跨越軸線間隔技術(shù)不需要交錯鏈路。這還可應(yīng)用到圖6中的第一個例子中的常規(guī)間隔的鏈路。使用帶有同軸線和跨越軸線偏移的聚焦激光光斑(如圖5的鏈路處理行程540所示)一次處理一單行降低兩次鏈路熔斷之間到達硅的激光影響。當用這種配置來做處理時，兩光斑之間增加的距離將疊加的激光影響降到低于具有單純同軸線間距將達到的水平。00107多射束鏈路處理機器還可能在鏈路處理行程中調(diào)整激光光斑的相對間隔或間距以獲得額外優(yōu)勢。這可能是出于校準或補償?shù)哪康模?，同時被處理的兩個或多個鏈路的相對位置在整個鏈路處理行程中可能不是均勻的。鏈路的比例因子，旋轉(zhuǎn)和位置排列在整個鏈路處理行程中可能有所變化。光斑調(diào)整還可能是為檢測到的誤差做出補償。雖然處理鏈路簇的同時調(diào)整射束間距是可能的，但在鏈路處理行程中的鏈路簇之間的間隙中做射束間距的調(diào)整是最容易的。圖11描述了當橫穿過鏈路簇之間的間隙時在同軸線和跨越軸線方向上均移動光斑的若干例子。根據(jù)此處的教導，可能容易地想像無限數(shù)量的對射束間距有用的重配置。00108從使用橫向間隔開的光斑處理轉(zhuǎn)到使用同軸線間隔開的光斑做處理，可能會聯(lián)合鏈路處理行程速度的增加或變化，將導致在有交替并行的鏈路簇的晶片部分的吞吐量的提高，如圖11的下面部分所示。圖11還描述了從處理同軸線間隔開的光斑到處理跨越軸線間隔開的光斑的轉(zhuǎn)換。容易地從任何多光斑處理模式轉(zhuǎn)換到任何其它的多光斑處理模式是可行且可能是有優(yōu)勢的?？赡苡嬎闩c在這些不同處理模式中處理鏈路處理行程相適應(yīng)的合適的聯(lián)合速度分布。00109圖12描述了兩光斑之間的相對間距可被調(diào)整以處理鏈路的另一種方式。圖12中，光斑A和B是兩個同時或幾乎同時被處理的光斑，圖中的線和箭頭指示它們在整個鏈路處理行程中的相對定位和調(diào)整。快速激勵器，例如聲光調(diào)制器(AOM)，可能偏轉(zhuǎn)射束從而在鏈路處理行程之前或鏈路處理行程中相繼的兩個鏈路之間調(diào)整相對射束間距。00110雖然所述討論集中于兩光斑激光鏈路處理系統(tǒng)的產(chǎn)生，但其原理和思想可能擴展到使用三、四或更多聚焦的激光光斑的系統(tǒng)。這些多光斑可能被配置成具有橫向間距，同軸線間距，還可能是既具有同軸線間距又具有橫向間距。00111使用跨越軸線間隔開的和同軸線間隔開的脈沖來處理鏈路提供很多既同軸線間隔開的又跨越軸線間隔開的脈沖的優(yōu)勢。例如，鏈路處理行程的數(shù)量可能會下降，其顯著地提高吞吐量，以及鏈路處理行程可能以非常高的速度被處理。在圖13中，脈沖A，B，C和D都基本上同時到達鏈路。如下文圖13(左邊所示)的第一個例子中所示，光斑不一定要被布置成網(wǎng)格狀。也可能施加與不同器件鏈路版圖完美匹配的配置。00112使用各種同軸線和/或跨越軸線聚焦光斑配置來并行處理眾多鏈路可能需要考慮鏈路處理行程軌跡和速度分布的產(chǎn)生的更多信息。必須考慮到所有鏈路熔斷坐標，光斑位置，和鏈路簇之間的大縫隙。這將增加鏈路處理行程速度、間隙分析分段和提升及回降的距離的計算復雜性。VI.同一光斑或結(jié)構(gòu)上的多個射束00113當光斑都被導向在單個目標結(jié)構(gòu)上重疊時，出現(xiàn)另一類的多激光光斑。使用疊加的光斑處理半導體鏈路結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢是(1)可能選擇性地挑選不同光學特性的光斑用于鏈路處理，以及(2)瞬時脈沖整形或空間上光斑整形可使用短時間延遲。此外，在同一鏈路上使用僅僅部分重疊的光斑可能增強鏈路分離的可靠性而不以犧牲吞吐量為代價。00114當以單個激光脈沖開始時，可能通過使用額外的光學元件來改變多個射束路徑的特性，從而可能將具有不同光學特性的光斑施加于鏈路?；蛘撸煌す馄黝^可能提供不同光學特性的激光光斑，其接著被組合以重疊。應(yīng)該注意到，不需要可調(diào)整的偏轉(zhuǎn)反射鏡或射束偏轉(zhuǎn)體來實現(xiàn)在工作面處光斑重疊。也可使用固定的光學元件。00115當可能獨立切換多個激光光斑使其到達或不能到達目標鏈路時，鏈路可能被任何或全部射束所處理。舉例來說，有兩條光學路徑的系統(tǒng)，其一條路徑的偏振方向與X軸線對準而另一條路徑的偏振方向與Y軸線對準。如果需要使用X軸線偏振來處理鏈路，則控制X軸線偏振射束的光學開關(guān)允許激光脈沖通過，而控制Y軸線射束傳輸?shù)墓鈱W開關(guān)被設(shè)置為阻擋狀態(tài)?；蛘?，可能通過僅使Y軸線偏振光斑通過，使鏈路被Y軸線偏振光處理。而且，如果需要，兩個光學開關(guān)可能都被打開使得兩種偏振的光被施加到鏈路上。這可能被實現(xiàn)，從而將不具有優(yōu)選偏振或具有更高脈沖能量的激光脈沖施加到某些鏈路。00116如果希望僅用由于獨立切換、關(guān)閉或阻擋的激光光束產(chǎn)生的多個光斑中的一個光斑來處理鏈路，則可能在無須重疊光斑的情況下做處理。在這種特殊情況下，不需要多個光斑照射到同一個光斑或鏈路上。不要求重疊是有優(yōu)勢的，因為可能放寬對激光束路徑對準的精確性的要求。在多個光斑沒有照射到同一光斑或鏈路上的情況下，通過使用定位裝置來調(diào)整工件相對于聚焦激光光斑的位置，使得期望的光斑照射到目標鏈路上來處理鏈路。例如，可能需要使用多個光斑中的一光斑處理X軸線鏈路處理行程而使用多個光斑中的另一光斑處理Y軸線鏈路處理行程。經(jīng)過執(zhí)行確定如何將每個期望的光斑對準期望鏈路和鏈路處理行程的校準程序后，使用各自的光斑，可能成功地完成鏈路處理行程。00117可能通過將額外的光學器件插入到多射束系統(tǒng)的射束路徑中來改變很多不同的光學特性。插入的光學器件可能是(1)偏振改變元件，以產(chǎn)生或改變光學脈沖的偏振狀態(tài)；(2)改變脈沖能量的衰減器；(3)射束整形光學器件(beam-shapingoptics)，其改變脈沖的空間分布(例如，橢圓狀，高斯狀，禮帽狀，或環(huán)形(中心能量較小的光斑)異形光斑)；(4)改變脈沖的波長的倍頻光學器件(或提供不同波長的多個脈沖的不同激光源)；(5)射束擴大器，其在鏈路上產(chǎn)生不同的聚焦光斑尺寸；和(6)透鏡和延遲光學器件或中繼光學器件。多個射束路徑之間不同的其它光學特性對于所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員而言是顯而易見的，如同那些產(chǎn)生這些光學特性的合適的光學器件一樣。00118多個光斑向一個鏈路傳輸能量的第二種用途是瞬時脈沖整形。瞬時脈沖整形可能通過取一個脈沖，將其分裂成包含時間延遲元件的多個射束，然后在一鏈路結(jié)構(gòu)處將這些射束重新組合起來來實現(xiàn)。通過這項技術(shù)，具有快速上升時間但持續(xù)時間短的脈沖可能被有效地拉伸成為具有快速上升時間且持續(xù)時間長的脈沖。使用具有變化比例的分束器在修整脈沖振幅時提供額外的靈活性，可能衰減或生成延遲脈沖。00119圖14描述了通過組合延遲脈沖來進行脈沖整形的過程。最上方的圖描述了單個激光脈沖610。第二幅圖描述了同樣的脈沖610疊加上具有較低振幅且被延遲約8ns的第二個脈沖620。上升時間快速，有效的脈沖持續(xù)時間變長。第三幅圖描述了主脈沖610和第二脈沖620和第三脈沖630，每一個都具有更小的振幅以及增加的延遲。結(jié)果的加性波形產(chǎn)生了大約20ns的長脈沖寬度，且具有原始脈沖的快速上升時間。處理某些半導體鏈路結(jié)構(gòu)需要這種脈沖形狀。00120可能通過在光學路徑中引進額外的距離來添加延遲。每增加一英尺額外路徑導致大約1ns延遲。例如，延遲可能由簡單射束路徑，在反射鏡之間來回反射射束，或?qū)⑸涫湃胍欢喂饫w線纜中產(chǎn)生。00121可能通過組合來自兩個不同激光源的具有不同特性的激光脈沖來實現(xiàn)脈沖整形。例如，組合具有快速上升時間的短脈沖和具有緩慢上升時間的較長脈沖，可能產(chǎn)生快速上升，長持續(xù)時間的脈沖。00122參見圖5中的部分重疊的配置580，兩個束斑A和B在同一鏈路上部分重疊。在一個優(yōu)選實施例中，這兩個光斑在鏈路的縱向方向偏移。這種配置可能產(chǎn)生更可靠的鏈路分離，尤其當光斑尺寸小時，因為單個小光斑可能不能可靠地分離鏈路。沒有采用單個激光光斑照射兩遍來二次熔斷鏈路以保證分離，部分重疊的配置580可能達到相同的分離可靠性而無須承擔50％吞吐量的代價。00123如圖5中所示，兩個激光束沿著各自不同的射束軸線傳播，這兩個軸線沿著鏈路縱向在相互偏移的不同位置上與同一鏈路相交。此外，激光器在鏈路表面上對著各自的光斑A和B。光斑A和B是非同心的，并定義一個由兩個光斑相交形成的重疊區(qū)域，以及由兩個光斑的聯(lián)合形成的大體區(qū)域。例如，重疊區(qū)域的面積可能是整體區(qū)域的面積的50％。優(yōu)選兩個激光束的能量級別被設(shè)置成確保在整體區(qū)域的至少某些部分(極有可能是重疊區(qū)域)跨越鏈路的整個寬度完成深度分離。兩個射束的能量比例可能是1∶1，但不是必須這樣。雖然兩束激光束可能在不同時間照射鏈路，但優(yōu)選任何時間延遲都足夠小(例如小于約300ns)，從而在激光束軸線沿著鏈路簇掃描時允許運作中的鏈路分離。注意兩個部分重疊的光斑的情況可能推廣到沿著鏈路縱向的處于部分重疊模式的三個或更多光斑。00124聯(lián)合使用多光斑和傳輸給每個光斑的多射束也是一種有用的技術(shù)。例如，可能存在三個橫向間隔開的聚焦光斑，且有兩個不同射束路徑傳輸?shù)矫總€光斑。可能實現(xiàn)這種技術(shù)，從而將不重疊的多個光斑的吞吐量優(yōu)勢與聚焦在單個位置上的多個光斑的脈沖生成和選擇優(yōu)勢結(jié)合。因此，這三個光斑中的每個可能使用多個射束來做瞬時脈沖整形，空間脈沖整形，或具有選擇不同偏振狀態(tài)的射束的能力。VII.實現(xiàn)00125可能使用經(jīng)過單個聚焦透鏡或多個聚焦透鏡被傳遞到目標鏈路的分離的光學路徑來實現(xiàn)并行化(parallelism)。分離的光學路徑可能從單個激光器或多個激光器處出發(fā)。如圖15的框圖所示，并行化的一個實施方式來自一個激光器頭和一個聚焦透鏡。圖15描述了具有一個激光器720和一個聚焦透鏡730的N光斑鏈路處理系統(tǒng)700的基本功能。激光器720輸出的激光束被導向到分束器745，分束器745將激光束分裂為N個射束，標記為射束1到射束N。從分束器745出發(fā)的每個射束經(jīng)過開關(guān)750，開關(guān)750選擇性地放行通過或阻擋射束。開關(guān)745的輸出去往射束偏轉(zhuǎn)裝置760，射束偏轉(zhuǎn)裝置760可能是固定的或是可調(diào)整的。射束偏轉(zhuǎn)裝置760將各個射束導向聚焦透鏡730，聚焦透鏡730將射束聚焦到被處理的半導體器件(沒有示出)上的N個光斑。雖然射束偏轉(zhuǎn)裝置760優(yōu)選是動態(tài)可調(diào)整的，但它們也可能是固定的。00126當N＝2時是N光斑系統(tǒng)的特例。圖16描述了兩光斑激光處理系統(tǒng)800的框圖。兩光斑系統(tǒng)800類似N光斑系統(tǒng)700，但可能包含額外的光學元件755，光學元件755是任選的。N光斑系統(tǒng)700和兩光斑系統(tǒng)800的組件可能用例如厚膜光學器件(bulkoptics)、集成光學器件或光纖來實現(xiàn)?？驁D中某些元件的順序可能重排(例如，射束路徑中，開關(guān)750可能放在額外的光學元件755后面)。00127圖17詳細描述了兩光斑激光處理系統(tǒng)800的一種形式的主要組件。參見圖17，兩光斑系統(tǒng)800操作如下激光器720被觸發(fā)發(fā)射光脈沖，其被傳遞到分束器745。分束器745將脈沖分成將被獨立傳輸?shù)焦ぷ髅?40的兩個分離的脈沖。一個激光脈沖，如實線所示，通過第一固定光學路徑傳輸?shù)焦ぷ髅?40。第二個激光脈沖，如虛線所示，通過第二固定光學路徑傳輸?shù)焦ぷ髅?40。加入兩個開關(guān)750，諸如AOM，以使任意脈沖可能被傳到工作面740，或被阻擋。每個脈沖在反射鏡762處反射離開并被導向射束組合器765。脈沖在射束組合器765中被重新組合，并在最終反射鏡725處反射離開，并通過單個聚焦透鏡730向下聚焦到工作面740，在此照射在半導體鏈路上。額外的光學元件755可能包含在射束路徑內(nèi)以改變脈沖的光學特性。00128根據(jù)一個示意控制結(jié)構(gòu)，圖17還描述了系統(tǒng)800中控制工件740和激光光斑的相對運動，激光器720的觸發(fā)和開關(guān)750的控制的組件。具體地，工件740被布置在運動平臺660上，其在XY平面上(激光束在Z方向上入射到工件上)移動工件740。一個或多個位置傳感器680感測工件740相對于一個或兩個激光束光斑處于哪里，并向控制器690報告位置數(shù)據(jù)?？刂破?90還訪問目標地圖695，其包含指示工件740上應(yīng)該被輻照的目標位置(例如，在該位置處分離鏈路)的數(shù)據(jù)。例如，目標地圖695一般由測試流程，版圖數(shù)據(jù)和可能還有排列數(shù)據(jù)生成，該測試流程確定工件740上哪些電路元件是有缺陷的或相反需要輻照。控制器690編排激光器720的脈沖產(chǎn)生，開關(guān)750的關(guān)閉，以及運動平臺660的運動，使得激光束光斑橫過(traverseover)每個目標并發(fā)射到達工件740的目標處的激光脈沖。這種基本實施方式的兩個光斑可能應(yīng)用到工作面740，工作面740具有在XY運動平臺660的運動限度范圍內(nèi)的任意的期望的相對XY間距?？刂破?90優(yōu)選根據(jù)位置數(shù)據(jù)來控制系統(tǒng)800，因為該方法提供非常準確的鏈路熔斷定位。轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的美國專利第6,172,325號(以引用方式全文并入本文)描述了激光脈沖接通位置(pulseonposition)技術(shù)?？蛇x擇地，控制器690根據(jù)定時數(shù)據(jù)來控制系統(tǒng)800。雖然圖17中為了完整性示出控制結(jié)構(gòu)(例如，運動平臺660，位置傳感器680，控制器690和缺陷圖695)，但下面的多幅附圖中控制結(jié)構(gòu)被省略，從而不至于使所示的激光處理系統(tǒng)的其它組件變得不明顯。00129可能有很多不同的配置，其中某些可能提供優(yōu)于其它配置的優(yōu)勢。第一，一種配置可能提供XY平面上一束射束的可調(diào)的偏轉(zhuǎn)，而另一射束是固定的，如圖18所示，其中一個射束路徑上的固定反射鏡762被能在X和Y方向上偏轉(zhuǎn)射束的動態(tài)可調(diào)的XY射束偏轉(zhuǎn)裝置764和中繼透鏡770所替代。這種情況下，如實線所示，一個激光脈沖經(jīng)過固定光學路徑運動到工作面740，而如虛線所示，第二激光脈沖在光學路徑中包含一個可調(diào)的射束偏轉(zhuǎn)裝置764(例如快速偏轉(zhuǎn)反射鏡)，使得聚焦的激光光斑在工件740的XY平面上平移到希望的位置。第二，一種配置可能提供XY平面內(nèi)兩個射束的獨立偏轉(zhuǎn)，如圖19所示，其描述了位于兩個光學路徑上的XY射束偏轉(zhuǎn)裝置764。這潛在地提供較高的射束質(zhì)量，因為每個射束的較小移位可能實現(xiàn)較大的偏移。例如，如果想要兩個射束之間有40μm的距離，則每個射束可能在不同方向上僅偏移20μm。較小的偏移導致較輕的光學變形并提高聚焦光斑的質(zhì)量。第三，一種配置可能在X方向偏轉(zhuǎn)一個射束而在Y方向偏轉(zhuǎn)另一個射束，如圖20所示，其描述了在一條光學路徑上的X射束偏轉(zhuǎn)裝置766和在另一條光學路徑上的Y射束偏轉(zhuǎn)裝置768。優(yōu)選激光束傳播路徑上的射束偏轉(zhuǎn)裝置(例如射束偏轉(zhuǎn)裝置764)被控制結(jié)構(gòu)(如圖17中所示的那個)所控制。00130在應(yīng)用射束偏轉(zhuǎn)裝置764、766或768的實施方式中，如圖18-20中所示，中繼透鏡770是有用的。中繼透鏡770與射束偏轉(zhuǎn)裝置協(xié)同工作以調(diào)整激光束的軌跡，使得所有射束在同一光斑擊中最終反射鏡725。晶片740上的兩個射束的不同光斑位置歸因于射束入射到聚焦透鏡730的不同角度。00131這些配置中的每一個的物理實施方式可能以多種方式發(fā)生。例如，圖21中描述的兩光斑系統(tǒng)是提供一個射束相對于另一個射束的XY偏轉(zhuǎn)的一種可選擇配置。使用兩個而不是一個XY射束偏轉(zhuǎn)裝置764和中繼光學器件770的那種實施方式導致與圖18中所描述的系統(tǒng)類似的系統(tǒng)。00132圖22中示出了兩光斑系統(tǒng)800的另一種實施方式，其具體詳盡地展示了優(yōu)選實施例。在該實施例中，優(yōu)選激光器720的輸出射束是線性偏振的。該射束經(jīng)過射束成形和準直光學器件722，其可能在射束到達半波片724和分束器745之前改變射束尺寸，更重要地是產(chǎn)生準直射束。優(yōu)選分束器745是將射束分裂成兩個獨立且正交的線性偏振分量A和B的偏振器。根據(jù)半波片724的光學軸線的旋轉(zhuǎn)方向，可能連續(xù)調(diào)整射束A和B的功率比例，同時全部功率(A+B)基本上保存。例如，當希望工作面上的兩個聚焦光斑是一樣的時，半波片724的光學軸線角度可能被調(diào)整，以使工作面上兩光斑有同樣的功率，而不管兩個射束路徑A和B的功率吞吐量之間有所不同。00133分束器745的輸出射束A接著經(jīng)過開關(guān)750，其優(yōu)選是例如AOM的快速開關(guān)器件。根據(jù)所需的開關(guān)速度或AOM的構(gòu)造，射束成形光學器件(沒有示出)可能緊接著AOM之前和之后被應(yīng)用，以利于適當?shù)纳涫叽绾驮贏OM內(nèi)部的發(fā)散?；蛘?，可能應(yīng)用例如光電調(diào)制器(Electro-opticmodulator)的其它快速開關(guān)。顯然，如果不需要對兩個射束的獨立控制，在這種情況下兩個射束將被同時打開或關(guān)閉，則開關(guān)750可能被省略。00134繼續(xù)沿著光學路徑A下行，可能應(yīng)用射束尺寸控制光學器件752來改變射束尺寸，使得在工件740上產(chǎn)生所需的聚焦光斑尺寸。例如，可能實現(xiàn)可編程變焦射束擴大器(ZBE)來改變輸出射束尺寸，從而改變處于工作表面的最終光斑尺寸?；蛘?，可能根據(jù)所需光斑強度分布和尺寸來應(yīng)用其它射束成形光學器件。00135在這個實施例中，可能在準直光學器件722之前或之后應(yīng)用適當?shù)姆质?54以作為功率監(jiān)控之用。例如，在入射路徑上，一部分入射射束可能被轉(zhuǎn)向到入射監(jiān)控器756上以監(jiān)控激光脈沖的能量大小和波動。00136從工件740的部件上反射離開的光學信號可能沿著系統(tǒng)的光學路徑向后傳輸。分束器754可能將反射的光學信號導進反射檢測器758進行監(jiān)控。例如，反射和入射光功率電平在校準聚焦光斑的位置中有用。在對準過程中，將該聚焦光斑掃過工作面上的對準標記。反射的功率電平和位置測量可用于校準光斑相對于工件740的位置。00137在圖22所描述的實施方式中，偏振光器件引起從工件740處反射離開的信號沿著相反路徑反向傳播。因此由入射射束A產(chǎn)生的反射光沿著實線射束路徑B反向傳播。類似地，由入射射束B產(chǎn)生的反射光沿著虛線射束路徑A反向傳播。這導致反射信號的交叉。在比較入射和反射信號時的一種優(yōu)選操作模式是使用耦合到反向射束路徑上的檢測器。這樣的比較對于校準和測量是有用的，例如在確定光斑的能量或特性，或在工件上執(zhí)行對準掃描是有用的。00138射束路徑A中的第二個主要組件是射束掃描或偏轉(zhuǎn)裝置760，其控制工作面上的聚焦光斑的位置。雖然可能應(yīng)用正交布置配置的兩個掃描鏡，每一個僅在一個方向上掃描，但優(yōu)選這是能在工作面上X和Y方向兩個方向上移動光斑的快速偏轉(zhuǎn)反射鏡。優(yōu)選的方法是單反射鏡方法，因為它可能在射束的兩個軸線上產(chǎn)生角度變化，同時在反射鏡中心或靠近的地方維持靜止的旋轉(zhuǎn)中心?；蛘撸赡苁褂闷渌鼟呙杵骷?，例如AOM，以獲得相對小的掃描范圍及高掃描速度。00139在有多個掃描射束通過單個聚焦透鏡730的配置中，需要在整個掃描范圍內(nèi)將所有射束放在聚焦透鏡730的入瞳的中心處或靠近中心的地方，以獲得最優(yōu)的聚焦光斑質(zhì)量。對于具有高數(shù)值孔徑(NA)且其輸入射束尺寸幾乎填滿了入瞳的聚焦透鏡，如在光斑尺寸小于，譬如三倍的射束波長的鏈路處理系統(tǒng)中經(jīng)常會遇到的那樣，這尤其正確。這些高NA透鏡的共同特性是入瞳在靠近透鏡處，這樣即使不是不可能也會難以將所有射束掃描組件物理裝配在一起。因此使用能為每個遠程掃描裝置向入瞳內(nèi)重生掃描角度的中繼透鏡770是有利的?？赡馨ǘ鄠€光學元件的中繼透鏡770被定位在偏轉(zhuǎn)裝置760和射束組合器765下游之間。中繼透鏡770的定位影響其性能，因為偏轉(zhuǎn)反射鏡的中心應(yīng)該布置在中繼透鏡770的入瞳的中心處，同時中繼透鏡770的出射光瞳與聚焦透鏡730的入瞳重合。在這種布置中，聚焦透鏡730的入瞳的射束位置在掃描中保持基本上靜止，從而維持整個掃描范圍內(nèi)聚焦光斑的最優(yōu)射束質(zhì)量。00140中繼透鏡的另一個合乎需要的特性是保持射束通過透鏡的準直狀態(tài)。在優(yōu)選實施例中，在中繼透鏡770的輸入和輸出之間，射束尺寸和射束相對于光軸線的射束孔徑角的幅度維持不變。然而，對于不同的設(shè)計，中繼透鏡770的輸出射束在維持期望的準直的同時會有不同的射束尺寸和相應(yīng)不同的孔徑角。例如，將中繼透鏡770的輸出射束的尺寸加倍時，很可能會使輸出射束孔徑角小一半，當需要減小聚焦透鏡770的掃描角度范圍以增強工作面上光斑的位置敏感度時，這種安排在某些情況下可能是有用的。00141在前述光學鏈或光學系統(tǒng)中，中繼透鏡770可能用增加一個或多個掃描鏡來替代。通過最少兩個獨立掃描鏡并對掃描角的適當操控，可能產(chǎn)生在聚焦物鏡的入瞳處靜止但有可變的期望掃描角的掃描射束，如此在整個掃描范圍內(nèi)最優(yōu)化光斑質(zhì)量。這種布置的缺點是整個鏡掃描角相比于中繼透鏡的情況要大；這可能是掃描范圍受到限制的快速掃描且高分辨裝置中的一個因素。00142對于分束器745輸出的第二射束路徑B，如果需要獨立開關(guān)和掃描時，在到射束組合器765之前的光學系統(tǒng)(opticaltrain)組件可能基本是類似的。任選地，必要時可能應(yīng)用半波片724以產(chǎn)生期望的偏振特性。在優(yōu)選的實施例中，正交偏振的兩個光路A和B的輸出射束在偏光器中被組合，組合的方式使得當調(diào)整掃描鏡以將工作面上的光斑重疊時，兩個輸出射束在基本上同一個位置和方向上進入到聚焦物鏡730的入瞳處。射束組合器765可能是，例如，立方偏光器或薄膜片偏光器，兩者都是常用的光學元件。這種布置具有功率損耗最小的優(yōu)勢，雖然可能想見可能在這里應(yīng)用其它射束組合器，例如衍射光學元件或非偏振光敏感分束器(non-polarizationsensitivesplitter)。此外，組合器765的輸入射束可能是非線性偏振的。00143當射束被射束組合器765組合后，反射鏡725將射束導向聚焦透鏡730處。反射鏡725任選是掃描鏡或FSM，插入到光學系統(tǒng)中以作額外掃描。也是為了優(yōu)化聚焦，優(yōu)選掃描中心放在聚焦透鏡730的入瞳處。掃描鏡可用于校正射束位置誤差，該誤差與運動平臺或其它位置誤差源有關(guān)。該掃描鏡還可能用作射束A或B的射束偏轉(zhuǎn)裝置760之一的備選的射束定位設(shè)備。在這種布置中，譬如射束B的射束偏轉(zhuǎn)裝置760可能被去掉，而射束A的掃描裝置760的運動和反射鏡725的運動聯(lián)合在工作面740上產(chǎn)生期望的光斑位置。00144在大多數(shù)鏈路處理應(yīng)用中，需要幾乎一樣尺寸和強度分布的聚焦光斑。通過測量每個光斑的尺寸和調(diào)整兩個射束路徑的射束尺寸控制光學器件752，可能產(chǎn)生幾乎一樣尺寸的光斑。可選擇地，可能在開關(guān)后面使用偏光器重新組合兩個射束，組合的射束被傳送通過通用射束尺寸控制光學器件，接著被第二次分束。使用通用射束尺寸控制光學器件將保證工作面上基本上相同的聚焦光斑。00145可能通過傳遞到光學開關(guān)750的驅(qū)動信號，或通過使用任選的額外的衰減光學器件來調(diào)整半波片724，從而控制強度分布。00146在多射束系統(tǒng)中，使所有射束同時且精確地在物鏡730的焦平面處或附近的同一平面上聚焦(齊焦性)是有優(yōu)勢的。盡管光路上極大的類似性，但光學組件的正常容限(normaltolerance)可能阻止完全齊焦性。因此需要在每個光學分支內(nèi)引入聚焦控制光學器件769，盡管如果該分支的聚焦光斑確定焦平面，則這些器件中一個可被省略。還可能將聚焦控制功能集成到射束尺寸控制光學器件752中。00147如前面的例子所示，多光斑系統(tǒng)可能有很多不同配置和實施方式。不同物理實施方式間存在差別，例如厚膜光學(bulkoptic)或光纖實施方式，所使用的光學組件的類型(在本文件的另一部分詳細討論)，光學組件的順序，激光脈沖源的數(shù)量，和期望的配置。本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易理解多重光學配置可能導致兩光斑和多光斑激光處理系統(tǒng)。00148可能使用多種光學組件來實現(xiàn)多光斑激光處理系統(tǒng)。此處所描述的是可能用于構(gòu)造這些系統(tǒng)的許多厚膜光學組件的選擇。其他選擇對本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯然的。與本發(fā)明相關(guān)的主要組件是激光源，分束器，射束開關(guān)，轉(zhuǎn)動發(fā)生器和射束變換光學器件(beamalteringoptics)。00149在多射束激光處理中使用不同激光器和不同激光脈沖特性可能很好地改進半導體鏈路結(jié)構(gòu)的處理?？赡茉诙嗌涫す馓幚硐到y(tǒng)中應(yīng)用或組合很多種不同類型的激光源。這些激光源可能包括固態(tài)激光器，例如二極管抽運Q開關(guān)固態(tài)激光器，其包括含有諸如Nd:YVO4、Nd:YLF和Nd:YAG的摻稀土激射物和諸如紫翠玉、Cr:LiAF和Cr:LiCAF的電子振動激射物的激光器。這些激光器的基本輸出波長可能通過已知的非線性諧波轉(zhuǎn)換過程來轉(zhuǎn)換成諧波波長。00150這些激光源可能進一步包括二極管抽運鎖模固態(tài)激光器，例如，能夠產(chǎn)生脈沖皮秒激光輸出的SESAM鎖模Nd:YVO4激光器。鎖模固態(tài)激光器可能包括振蕩再生放大器和振蕩器功率放大器配置。這些激光器的基本波長輸出可能通過已知的非線性諧波轉(zhuǎn)換過程來轉(zhuǎn)換成諧波波長。這些激光源還可能包含線性調(diào)頻的脈沖放大激光器系統(tǒng)，用于產(chǎn)生飛秒(fs)量級的激光輸出，或者還可能包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其它脈沖延伸或壓縮光學器件以產(chǎn)生脈沖的飛秒激光輸出。00151這些激光源可能進一步包括摻稀土固態(tài)芯纖維脈沖激光器和摻稀土光子晶體光纖脈沖激光器。摻稀土光子晶體光纖脈沖激光器可以包括Q開關(guān)和振蕩器-放大器配置。進一步，可能應(yīng)用多種振蕩器，包括大面積半導體激光器，單頻半導體激光器，發(fā)光二極管，Q開關(guān)固態(tài)激光器和纖維激光器。這些激光器的基本輸出波長可可能通過已知的非線性諧波轉(zhuǎn)換過程來轉(zhuǎn)換成諧波波長。00152額外的激光源還可能進一步包括半導體激光器，氣體激光器，包括二氧化碳和氬離子激光器，和受激準分子激光器。00153多射束激光處理系統(tǒng)中所包含的激光源能產(chǎn)生從約150nm到約11,000nm的大范圍的波長。根據(jù)所用的激光源，脈沖寬度可能從10fs到大于1μs，并且PRF從按需發(fā)送脈沖到在寫這篇文件時的大于100MHz。根據(jù)所用的激光源，脈沖形狀，每個脈沖的能量或輸出功率，脈沖寬度，偏振和/或波長可能是可調(diào)的或可選的。00154多射束應(yīng)用中需要有每個脈沖輸出都有足夠能量的激光源，其中來自一個激光源的輸出被分裂并傳輸?shù)蕉鄠€工件位置。由于器件結(jié)構(gòu)特征尺寸的可預見的縮小，鏈路處理系統(tǒng)現(xiàn)在所使用的很多激光器可能為多射束實施方式的每個脈沖產(chǎn)生足夠能量。00155連續(xù)地傳輸多個脈沖以處理鏈路的超級快速激光器也可能應(yīng)用到多射束激光處理中。在系統(tǒng)中除了像其它激光源那樣使用，在利用超級快速激光器的系統(tǒng)中的脈沖產(chǎn)生和阻擋可能被調(diào)整以允許不同的脈沖序列沿著多條射束路徑中的每一條進行傳輸。例如，可能允許更多或更少的脈沖沿著射束路徑之一傳遞以傳送到鏈路。脈沖還可能被猝發(fā)傳送或沿著不同射束路徑交替?zhèn)魉?。還可能通過允許一組瞬時不同的激光脈沖到達目標鏈路，從而偏移或調(diào)整一個或多個射束路徑上激光光斑相對于工件的位置。00156分束器可能是厚膜光學器件，例如偏振分束立方體或部分反射鏡。還可能配置和驅(qū)動AOM，EOM和可開關(guān)LCD偏光器來進行分束。或者，光纖耦合器可能在纖維光學實施方式中充當分束器。00157用于切換射束以允許脈沖傳播到工作面740或被阻擋的光學部件包括AOM，EOM，普克爾斯盒(pockelcell)，可開關(guān)LCD偏光器，機械快門，和高速射束偏轉(zhuǎn)器，例如偏轉(zhuǎn)反射鏡。00158射束偏轉(zhuǎn)裝置一般是旋轉(zhuǎn)發(fā)生器。機械旋轉(zhuǎn)儀包含有用壓電，電磁，電致伸縮或其他激勵器致動的偏轉(zhuǎn)反射鏡。檢流計，傾斜楔，和微型機械鏡陣列也屬于機械射束偏轉(zhuǎn)器的范疇。其它能偏轉(zhuǎn)光束的光學元件包括AOM和EOM。00159對于某些應(yīng)用，可能使用固定射束偏轉(zhuǎn)裝置而不是對輸入命令作響應(yīng)的裝置來實現(xiàn)多射束激光系統(tǒng)。固定或手動可調(diào)的光學器件可能用于配置鏈路處理系統(tǒng)，用于操作具有與特定工件740上的鏈路間距匹配的相對位置間距的聚焦光斑。這樣的系統(tǒng)將從具有用在X軸線鏈路處理行程的若干固定路徑和用在Y軸線鏈路處理行程的其它固定路徑中受益。00160光路中可能包含很多種類的額外的改變射束的光學器件。不同光路中可能使用類似和/或不同的元件。這些額外的光學元件可能包括偏光器，偏振修改器，法拉第絕緣器，空間射束分布修改器，瞬時射束分布修改器，頻率偏移器，倍頻光學器件，衰減器，脈沖放大器，選膜光學器件，射束擴張器，透鏡和中繼透鏡。額外的光學元件還可能包括有額外的光路距離的延遲線、折疊光路和光纖延遲線。00161在完全重疊配置570和部分重疊配置580(圖5)的情況下，實施方式可能簡化。例如，圖23和24分別是系統(tǒng)900A和900B的框圖，產(chǎn)生兩個激光光斑的部分重合配置580。系統(tǒng)900A包含激光器720，其產(chǎn)生具有傳輸經(jīng)過X軸線AOM761，Y軸線AOM763和光學器件735，然后到達工件740的一連串脈沖的激光束。X軸線AOM761將入射到其輸入端的激光束分裂為兩個沿著X軸線的不同方向的射束；Y軸線AOM763沿Y軸線做同樣的工作。雖然一般在給定時間AOM761和763中只有一個是活躍的(圖23示出了Y軸線AOM763是活躍的)，但兩者串聯(lián)允許系統(tǒng)900A可能無需重新定位工件740就可能操作具有在Y或X方向上的長度方向的鏈路。可能使用任何合適的射束分束裝置來替代AOM761和763。在AOM761和763中，兩個輸出射束的特性依賴于射頻(RF)控制信號(沒有示出)的特性。更具體地說，兩個輸出射束之間的位移是RF信號的頻率的函數(shù)，而兩個輸出射束的能量的比例是RF信號的功率的函數(shù)。優(yōu)選能量的比例在0和1之間變化。作為任選，還可能包含延遲元件731，例如光纖環(huán)路，來使一個射束相對于另一個延遲。最后，光學元件735包含類似最終聚焦透鏡的元件和任何其它所需的光學元件。00162系統(tǒng)900B是產(chǎn)生兩部分重疊聚束光斑的可選擇實施方式。系統(tǒng)900B包含波片725和分束器745，其將一束激光束分裂為兩束射束，后者將傳輸通過各自的衍射元件767和769。衍射元件767將其輸入處的激光束分裂成沿著X軸線的不同方向的兩個射束，而衍射元件769沿Y軸線做同樣的工作。類似系統(tǒng)900A中的X軸線AOM761和Y軸線AOM763，雙折射元件767和769提供處理沿著X或Y方向的鏈路的靈活性。衍射元件的輸出傳輸通過組合器765和光學器件735，然后到達工件740。00163可能在多光斑激光系統(tǒng)中使用多激光源以在激光鏈路處理中獲得更高的靈活性和性能。不同的配置具有不同的優(yōu)勢。例如，圖25示出了使用激光器720-1和720-2，第一反射鏡722，射束組合器723和第二反射鏡724的配置。在一種操作模式中，多激光器配置可能用于增加有效的激光重復率。通過將多個激光器頭組合成單個輸出射束，并順序觸發(fā)激光器頭來產(chǎn)生脈沖，有效激光重復率就會增加。因為無需增加單個激光器的重復率而增加有效激光重復率，脈沖特性得以保留。脈沖形狀、脈沖寬度、峰值脈沖高度和脈沖能量全部被保留。通過高速率地驅(qū)動單個激光器來提高激光重復率會增加脈沖寬度和降低可用的脈沖能量。作為這項技術(shù)的例子，可能使用兩個40kHz的激光器來產(chǎn)生以80kHz操作的脈沖列而同時具有與40kHz激光器相同的光學特性。00164還可能操作多激光器配置來同時啟動激光器720-1和720-2中的某些或全部，并將它們的輸出組合以增加可用的脈沖能量。00165還可能操作多激光器配置來生成具有不同光學特性的光學脈沖，其可能同時被啟動或具有較小的時間延遲以作瞬時脈沖整形。例如，來自具有快速上升時間的激光器的脈沖可能與來自具有長脈沖寬度的激光器的脈沖組合以產(chǎn)生具有快速上升時間和長脈沖寬度的組合脈沖。00166還可能以類似的方式來組合不同波長的激光。本文件中先前描述的多射束脈沖整形技術(shù)可能用于這些激光器，以進一步將輸入的脈沖列修整成多射束或單射束鏈路處理系統(tǒng)。例如，一個配備了IR和UV波長激光器的系統(tǒng)可能選擇性使用來自任一個激光源的脈沖來處理鏈路?；蛘?，不同的激光器頭可能傳送具有不同瞬時形狀的脈沖。00167在鏈路處理系統(tǒng)中組合連續(xù)波和脈沖激光提供額外的優(yōu)勢。如果兩個射束重疊或有已知的不同聚焦光斑位置，則可能使用連續(xù)波激光來定位和校準，而脈沖激光可用于鏈路處理。這樣的安排可能利用連續(xù)波激光更適合定位和校準的優(yōu)勢，因為它一直運轉(zhuǎn)且比一般的脈沖激光穩(wěn)定。00168還可能實現(xiàn)多個激光器頭使得其中一個或多個激光器頭被傳送到聚焦光斑處。這樣的配置可能在多光斑系統(tǒng)中重復出現(xiàn)，以使每個激光聚焦光斑具有獨立的一個或多個激光器來提供處理鏈路的脈沖。00169所述概念可能推廣到多光斑系統(tǒng)和多個激光器頭被配置成使用M個激光器頭產(chǎn)生N個射束路徑和K個聚焦的激光光斑，對半導體鏈路處理系統(tǒng)是有優(yōu)勢的，其中，M、N和K是大于或等于1的整數(shù)。00170如上所述，多個激光器可能同時或不同時啟動，以在脈沖之間組合或改變。這些激光器可能有相同或不同的光學特性。且激光脈沖列可能進一步被劃分和同時或相繼地被傳送到多個鏈路結(jié)構(gòu)中。00171圖26描述了組合來自M個輸入激光器的脈沖列到N個輸出光束的光學系統(tǒng)。該光學系統(tǒng)可能作為鏈路處理機器的功能單元來產(chǎn)生。00172多個這種功能光學系統(tǒng)組可能被組合到一個鏈路處理系統(tǒng)。射束組合光學系統(tǒng)的輸入可能是激光器頭或來自其它射束組合光學系統(tǒng)的輸出。類似地，來自這些光學子系統(tǒng)的輸出可能被傳送到聚焦光學器件以處理半導體鏈路，或作為其它射束組合光學子系統(tǒng)的輸入。00173在光學系統(tǒng)中與多個目標鏈路相互連接的激光器頭產(chǎn)生的網(wǎng)絡(luò)具有(1)產(chǎn)生具有所需特性的光學脈沖和(2)通過降低處理一個產(chǎn)品所需鏈路處理行程的數(shù)量和提高鏈路處理行程的速度，從而提高系統(tǒng)吞吐量的靈活性。00174上面所介紹的實施方式細節(jié)描述了如何配置用于產(chǎn)生多光斑的系統(tǒng)，其所有的聚焦射束通過單聚焦透鏡730發(fā)射到工件740上。然而，還有可能利用多個聚焦透鏡。這些多個聚焦透鏡可能以同軸線間距，跨越軸線間距或兩者都有進行布置。00175可能用多個透鏡的配置產(chǎn)生多個最終聚焦透鏡系統(tǒng)。該系統(tǒng)可能包含兩個或更多沿著鏈路處理行程的同軸線和/或鏈路處理行程的跨越軸線方向的透鏡。透鏡可能按常規(guī)布置，交錯布置或隨機布置來配置。還可能有以“+”加配置的透鏡布置。多個聚焦透鏡的子集可能用于X軸線的鏈路處理行程，而另一個子集的透鏡可能用于Y軸線的鏈路處理行程。上述鏈路配置是示例配置的一個小子集?？赡苡泻芏嗥渌耐哥R布置，每種具有不同的優(yōu)勢。00176實現(xiàn)具有跨越軸線間距的多個透鏡允許同時處理多個鏈路處理行程。因此，晶片必須在聚焦透鏡下方經(jīng)過的次數(shù)就被透鏡數(shù)目除。這可能導致顯著的吞吐量提升。橫向間隔的光斑的另外的優(yōu)勢在前面第III節(jié)中已經(jīng)討論過，并且也適用于多透鏡系統(tǒng)。00177實現(xiàn)同軸線配置的兩個或更多透鏡還提供吞吐量和硬件的優(yōu)勢。同軸線間隔的光斑的優(yōu)勢在前面第IV節(jié)中已經(jīng)討論過，例如多熔斷，也適用于多透鏡系統(tǒng)。00178沿著鏈路處理行程的軸線方向隔開多個透鏡還可能使得每個鏈路處理行程更短。例如，兩個間隔150mm的透鏡將允許處理300mm的晶片時鏈路處理行程最長為150mm。處理在晶片中心處的鏈路處理行程的相對運動舉例要求是晶片直徑除以透鏡的數(shù)量。00179使用這種處理方法，鏈路處理行程速度與單光斑情況下一樣，然而由于鏈路處理行程較短，卻有時間顯著減少的結(jié)果。額外的好處是運動平臺的運動范圍可能減小。較小的平臺將降低平臺成本和占用面積，且有可能增加平臺的加速度和帶寬能力。00180由于在通常的處理系統(tǒng)中使用的每個聚焦透鏡的尺寸和短焦距，有可能多透鏡系統(tǒng)的聚焦光斑在工件處有大的間隔距離(英寸量級)。然而，有可能生成一個產(chǎn)生重疊光斑的多聚焦透鏡系統(tǒng)。采用較小透鏡(例如，直徑為2-3英寸的UV透鏡)的系統(tǒng)還可能相比采用較大透鏡(例如，直徑3-5英寸的IR透鏡)的系統(tǒng)能容納更多的透鏡來實現(xiàn)小的光斑尺寸。例如，能夠處理300mm晶片的UV系統(tǒng)可能能夠采用多達約6個的透鏡。00181圖27示出了多透鏡半導體鏈路處理系統(tǒng)的一種實施方式。很多備選的配置也是可能的。這樣的系統(tǒng)可能放置在位于XY運動平臺260(圖27中沒有示出)的工件740之上(如虛線所示)以執(zhí)行鏈路處理行程。00182圖27的多透鏡系統(tǒng)包括單個激光源720，激光源720產(chǎn)生脈沖列，分束器745A-745D和反射鏡775用于將光學脈沖傳送到每個聚焦透鏡730A-730E。每個聚焦透鏡之前包括任選的偏轉(zhuǎn)反射鏡764A-764E或固定反射鏡。使用獨立的AOM752A-752E或其他開關(guān)來阻擋那些不是用來處理鏈路的脈沖。優(yōu)選每個透鏡730A-730E還有聚焦裝置和調(diào)整聚焦光斑射束中部位置的快速偏轉(zhuǎn)反射鏡。00183在多透鏡系統(tǒng)中，有利的是在每個聚焦透鏡之前使用XY射束偏轉(zhuǎn)設(shè)備(例如FSM或偏轉(zhuǎn)反射鏡)來使得聚焦光斑的偏移較小，以將每個聚焦光斑精確定位到期望的目標鏈路處。使用偏轉(zhuǎn)反射鏡764A-764E可能校正對準過程中或放置每個射束路徑和/或聚焦透鏡時的微小不規(guī)則。還可能使用這些偏轉(zhuǎn)反射鏡來補償(1)晶片相對于透鏡布置的旋轉(zhuǎn)，(2)版圖偏移、旋轉(zhuǎn)、幾何不規(guī)則、校準因子、比例因子和/或可能在晶片范圍內(nèi)不同的偏移，和(3)可能對每個聚焦光斑具有不同影響的動態(tài)或其它誤差。簡而言之，偏轉(zhuǎn)反射鏡可以幫助任何多透鏡處理系統(tǒng)來將所有光斑在正確的時刻正確地定位在工件上的期望的位置，這可能需要獨特的校準參數(shù)和/或?qū)γ總€聚焦光斑位置的補償。00184使用多透鏡的優(yōu)勢有時會被斂集損失所限制。因為不是每個透鏡都一直在需要處理的工件740的區(qū)域上方，因此會發(fā)生斂集損失。例如，參見圖27，當處理到接近工件740的邊緣時，圖中頂部和底部的透鏡730A和730E可能會使它們的聚焦光斑落在工件740之外。因為這種情況下不是所有的聚焦光斑都是有用的，因此導致某種程度的低效率。00185圖27的多透鏡系統(tǒng)的非對稱配置(沿著Y軸線對準)使得很自然在X和Y鏈路處理行程使用非對稱的運動平臺和不同的處理形式。晶片740隨著有長的運動軸線和短的運動軸線的平面XY運動平臺被移來移去。例如，需要在X方向運動300mm，但在Y方向只需要移動60mm。這與現(xiàn)有的在兩個軸線都提供300mm的運動的單透鏡系統(tǒng)形成對比。降低Y軸線方向的運動需求將降低平臺的運動量和占用面積。00186使用具有與X和Y處理形式匹配的不同X和Y性能特性的運動平臺是有必要的，且能提供額外的優(yōu)勢。一個這樣的運動平臺是多層XY平臺，其內(nèi)在特性很適合在與圖27的系統(tǒng)中使用。在多層運動平臺的實施方式中，X軸線運動平臺承載著Y軸線運動平臺。在這樣的配置中，X軸線運動平臺一般有較小的加速度和帶寬，因為它承載者Y軸線運動平臺的質(zhì)量，但它還可能有延伸的運動范圍。較輕的Y軸線運動平臺可能有較大的加速度和帶寬。只要需要的是短的運動范圍，則Y平臺質(zhì)量可能進一步減小。00187此特性組合十分適合在圖27的多透鏡處理系統(tǒng)中使用。優(yōu)選的配置是將光學臺與X軸線運動平臺對準，如此，跨越軸線并行處理減少鏈路處理行程的數(shù)目。Y軸線運動平臺與光學臺對準，形成同軸線并行。Y軸線中很多較短的鏈路處理行程被較高性能的Y平臺處理，而性能較低的X軸線被用于處理較少的鏈路處理行程。00188因為典型的DRAM晶片在每個軸線上的鏈路處理行程數(shù)量和鏈路密度經(jīng)常是不對稱的，工件740相對多射束處理系統(tǒng)可能存在某個優(yōu)選的朝向。典型的DRAM晶片有一個處理軸線，其有更多鏈路處理行程和更高的鏈路密度。另一個軸線有較少的鏈路處理行程，更稀疏的鏈路，其有更多間隙分析機會。在這種情況下，所需的處理配置將晶片定向，使得有很多密集的鏈路處理行程的軸線被較慢的軸線以跨越軸線并行處理(所述的多層平臺的X軸線)。這樣減少了所需的鏈路處理行程數(shù)量。由于鏈路密度的原因，在那個方向上間隙分析的機會較少，在那個方向上適合較低性能運動平臺。則較快的軸線被用于處理稀疏的鏈路處理行程，而可能利用同軸線并行來快速處理具有較多從間隙分析中獲益的機會的許多鏈路處理行程。00189使用圖27中的多透鏡處理系統(tǒng)的另一種方式是在X軸線或Y軸線上處理所有的鏈路處理行程。這將利用在任何一種配置中多個透鏡的同軸線或跨越軸線優(yōu)勢。為了將所有鏈路處理行程作為X或Y軸線鏈路處理行程來處理，有必要旋轉(zhuǎn)晶片。這可能通過設(shè)計在卡盤中加入旋轉(zhuǎn)裝置，或通過從卡盤中移開晶片，并用旋轉(zhuǎn)裝置旋轉(zhuǎn)它，之后將晶片重新裝載到卡盤表面來實現(xiàn)。為了減少旋轉(zhuǎn)晶片所需的時間，可以將能夠從卡盤上移走晶片然后快速地將另一個晶片放在卡盤上的裝置包含在系統(tǒng)中。當一個晶片被處理時，另一個晶片可能被旋轉(zhuǎn)。00190在同一個方向處理所有的鏈路處理行程的一個優(yōu)勢是可能在該朝向上最優(yōu)化運動平臺來進行處理。例如，如果所有的鏈路處理行程都作為短的Y軸線處理行程處理，Y軸線可能被優(yōu)化成具有高加速度和高帶寬以及低質(zhì)量。在這種情況下，然而，相對于現(xiàn)有系統(tǒng)，X軸線的要求可能放松，因為它只需在鏈路處理行程之間橫向行進，而X對準掃描只需要微小移動。X軸線可能仍要求高準確度，然而，高速度和加速度可能不那么重要。00191半導體IC一般制作成設(shè)置在晶片上名義上一樣的長方形芯片的規(guī)則網(wǎng)絡(luò)。所有這些芯片包含同樣排列的鏈路和鏈路簇，因此可能用類似的鏈路處理行程圖案來處理。然而，每個芯片上要被分離的特定的熔絲是測試程序的結(jié)果，因此一般會不相同。晶片上一樣的芯片的規(guī)則排列促進多透鏡處理系統(tǒng)的透鏡的優(yōu)選排列。自然也有必要來調(diào)整聚焦透鏡，進而調(diào)整聚焦光斑的間距為芯片尺寸的整數(shù)倍數(shù)。當然，需要使用射束偏轉(zhuǎn)裝置來應(yīng)用小糾錯因子解決例如晶片的微小旋轉(zhuǎn)的校準、測量和朝向的差異。以這種方式來間隔透鏡和/或聚焦光斑允許每個光斑同時照射到不同芯片的相同的對應(yīng)鏈路和鏈路簇。使用多射束系統(tǒng)來同時處理兩個以上芯片和同時處理在兩個或更多芯片上的相同的對應(yīng)鏈路是優(yōu)選的操作模式。00192例如，假設(shè)每個芯片有需要在X方向被處理的類型A、B、C和D的四個鏈路處理行程。通過調(diào)整聚焦光斑之間的相對間距使得所有透鏡一次處理類型A的鏈路處理行程中的同一批鏈路，然后使用XY平臺在跨越軸線方向簡單調(diào)整晶片的位置，允許同時處理所有類型B的鏈路處理行程。這項技術(shù)的一個優(yōu)勢是可能為每個鏈路處理行程方向一次性地調(diào)整粗透鏡和聚焦光斑位置。確保所有聚焦光斑將能夠落入鏈路上的鏈路處理行程之間的調(diào)整是不必要的。這項技術(shù)的第二個優(yōu)勢是產(chǎn)生聯(lián)合速度分布要容易得多，且有更多機會做間隙分析。因為可分析的間隙可能出現(xiàn)在每個芯片的某種類型的鏈路處理行程的同樣的位置，所以會這樣。觸發(fā)具有純跨越軸線間距的激光器也較為容易，因為激光聚焦光斑同時擊中多個芯片的同一個對應(yīng)的鏈路。00193還可能需要令透鏡間距是晶片掩模尺寸(聚焦掩模尺寸)的整數(shù)倍。這允許在一個圖案化步驟中在晶片上圖案化的芯片都被相同的透鏡處理。在掩模步驟中發(fā)生的小階躍和重復誤差可能更容易地被校準消除。00194同時處理多個不同芯片的多透鏡系統(tǒng)相比起單透鏡系統(tǒng)具有較小的間隙分析的機會。無論何時當沒有必要處理芯片上的鏈路時，因為它們是不可修復或完美的，單透鏡系統(tǒng)有機會通過間隙分析來節(jié)省時間。因為多個不同芯片可能被多透鏡系統(tǒng)同時處理，則有機會跳過整個芯片。然后，通過使用多光斑節(jié)省的時間比由于較少的間隙分析導致的時間損失更多。使用較少間隙分析的快速系統(tǒng)的一個優(yōu)勢是運動平臺產(chǎn)生較少的熱量。放松運動平臺的規(guī)范，將導致較低成本、更易于制造的系統(tǒng)，且更為緊湊的系統(tǒng)。00195在多透鏡處理系統(tǒng)中，需要包含能夠調(diào)整透鏡間距若干微米的裝置。這允許透鏡間距被調(diào)整成與不同客戶產(chǎn)品的芯片尺寸的整數(shù)倍匹配。不要求聚焦透鏡的完美布置，因為射束偏轉(zhuǎn)反射鏡，例如快速偏轉(zhuǎn)反射鏡(FSM)在透鏡被機械調(diào)整后馬上可能微調(diào)光斑位置。00196多聚焦透鏡系統(tǒng)的最后一個方面是有可能產(chǎn)生從每個聚焦透鏡處發(fā)射出的多個光斑。通過這么做，鏈路處理行程速度可能被進一步提高和/或所需的鏈路處理行程數(shù)目可能被進一步減少，因此系統(tǒng)的吞吐量被進一步提高。前述的來自單個聚焦透鏡的多光斑的優(yōu)勢可能被應(yīng)用到來自多個聚焦透鏡的多個光斑。同軸線和/或跨越軸線間隔的聚焦透鏡也可能有這些組合的優(yōu)勢，它們各自將同軸線和/或跨越軸線聚焦光斑傳送到工件上。00197多光斑處理的其它重要方面是確定被并行處理的鏈路，聯(lián)合速度分布和將鏈路處理行程數(shù)據(jù)傳送到計算機或控制硬件的電路的軟件方法。00198對于光斑之間存在名義上固定的偏移的多光斑鏈路處理行程，沒有必要將要被處理的所有鏈路的坐標傳遞給每個光斑。指定“主光斑”然后將其它光斑相對于主光斑的偏移從指定鏈路處理行程的系統(tǒng)控制計算機傳送到硬件控制計算機是足夠的。接著將被主光斑處理的主鏈路坐標連同每個光斑的一個數(shù)據(jù)比特一起被傳輸，指定每個射束的開關(guān)750是應(yīng)該傳輸還是阻擋對應(yīng)于每個主鏈路的脈沖。這將顯著減少需要被傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。只有一個比特信息需要為每個要被處理的額外的光斑進行傳輸，而不是鏈路坐標，鏈路坐標的每一個都是多字節(jié)數(shù)字。VIII.糾錯00199美國專利第6,816,294號描述了使用FSM來移動聚焦激光光斑的位置以校正XY運動平臺出現(xiàn)的相對位置誤差。該專利所描述的技術(shù)與本文所描述的多激光束處理系統(tǒng)完全兼容。如其中所描述的，激光束響應(yīng)坐標位置命令，被導向工件上的目標位置。作為對該命令的響應(yīng)，XY運動平臺將激光束定位在工件上的坐標位置。系統(tǒng)還檢測工件相對于坐標位置的實際位置，然后產(chǎn)生表示位置差別的誤差信號，如果存在誤差的話。與XY運動平臺有關(guān)的伺服控制系統(tǒng)生成位置校正信號來補償該差別，因此更精確地將激光束導向目標位置。類似的伺服控制系統(tǒng)可能用于將多個激光束導向多個目標位置。例如，在兩光斑系統(tǒng)中，因為XY運動平臺誤差導致的相對定位誤差將會同樣影響兩個光斑，最終XY射束偏轉(zhuǎn)裝置772的加入可能用于為多光斑的情況重導向和校正這些誤差，如圖28所示。由于XY平臺旋轉(zhuǎn)導致的誤差將不會同樣地影響兩個光斑，然而，任何被檢測到的旋轉(zhuǎn)誤差都可能通過使用旋轉(zhuǎn)坐標變換和兩射束偏轉(zhuǎn)裝置764以類似的方式來校正。00200此外，在一個或多個射束路徑上配置了偏轉(zhuǎn)裝置，并且配置了最終偏轉(zhuǎn)反射鏡的系統(tǒng)為命令光斑移動和校正誤差提供額外的靈活性?？赡苈?lián)合使用所有的XY射束偏轉(zhuǎn)裝置和任何最終FSM射束偏轉(zhuǎn)裝置來給予光斑所需的運動。例如，最終XY射束偏轉(zhuǎn)裝置可能在X方向上移動兩個光斑+20μm，接著獨立射束偏轉(zhuǎn)裝置可能在X方向上移動一個光斑+20μm，而在X方向上移動另一個光斑-20μm。因而產(chǎn)生的配置具有相對于初始位置不改變的光斑，而另一個光斑則移動了+40μm，而沒有任何一個激勵器給予多于20μm的運動。這樣的配置的一個優(yōu)勢是任何射束偏轉(zhuǎn)裝置所施與的移動量可能被減少。此外，與產(chǎn)生光斑偏移相呼應(yīng)，所有射束偏轉(zhuǎn)裝置還可能一起工作來補償誤差。00201在激勵器有不同的性能規(guī)格時，體現(xiàn)出上述配置的額外優(yōu)勢。例如，某些激勵器可能具有較大的運動范圍但帶寬有限。其它的激勵器可能有非常高的帶寬但是運動范圍有限。有選擇地分配頻率含量和所需要的射束偏轉(zhuǎn)命令的范圍以與不同的激勵器匹配，可能導致具有大運動范圍與糾錯和命令偏移所必需的快速響應(yīng)的系統(tǒng)。把將給予較大的位置偏移的射束偏轉(zhuǎn)裝置放置在靠近聚焦透鏡的入瞳處，而把給予較小的偏移的那些放在距離聚焦透鏡較遠的地方，還可能導致聚焦光斑的變形較小。00202有了某些光學配置，校正XY平臺誤差可能不需要額外的FSMXY射束偏轉(zhuǎn)裝置。例如，如果兩個射束都有偏轉(zhuǎn)裝置使得它們在X和Y兩個方向都移動(例如，如圖19所示)，且如果這些偏轉(zhuǎn)裝置具有足夠的帶寬和范圍來校正平臺誤差，則用于糾錯的最終輸出FSM是冗余的。用于將兩個光斑相對彼此移動的偏轉(zhuǎn)裝置命令可能與糾錯所必需的命令結(jié)合。結(jié)果產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)反射鏡的運動正確地定位晶片表面上光斑之間的相互位置，并且還校正了相對定位誤差。00203兩個射束具有獨立的偏轉(zhuǎn)反射鏡額外允許誤差校正或校準和比例因子的校正，它們影響定位每個光斑以及所需目標位置的能力。例如，晶片制造誤差可能導致晶片上不同芯片的略微不同的比例因子或旋轉(zhuǎn)，而射束偏轉(zhuǎn)可能校正這些不同?；蛘?，光學臺共振，光振動，光學元件的熱漂移，或系統(tǒng)中的其它變化可能引發(fā)工件740上每個聚焦光斑和目標鏈路結(jié)構(gòu)之間的相對定位誤差。耦合到檢測位置誤差的傳感器的獨立驅(qū)動偏轉(zhuǎn)反射鏡可能對不同射束路徑作獨立校正。這樣的位置傳感器可能是光編碼器，干涉計，應(yīng)變傳感器，感應(yīng)式位置傳感器，容性位置傳感器，線性變量位移變換器(LVDT)，位置敏感檢測器(PSD)，監(jiān)控射束運動的傳感器或四通道光電探測器(quadphotodetector)，或其它傳感器。因此，相比單個偏轉(zhuǎn)反射鏡，使用兩個偏轉(zhuǎn)反射鏡為糾錯和校準提供更多靈活性和好處。00204上述專利申請中沒有提到的其它定位誤差的來源也可能使用偏轉(zhuǎn)反射鏡來校正。例如，激光定點穩(wěn)定性、AOM開關(guān)和激光干線中元件可以使用光學或機械傳感器來檢測，且由系統(tǒng)的偏轉(zhuǎn)反射鏡進行糾錯動作。00205圖29示出了使用獨立的XY射束偏轉(zhuǎn)裝置764的例子(1)使用相對偏移命令來產(chǎn)生一個聚焦光斑相對于其它聚焦光斑的位移；(2)校正XY平臺伺服系統(tǒng)784檢測到的聚焦光斑相對于工件的定位誤差；和(3)校正用其它位置傳感器檢測到的額外的相對定位誤差。在該圖中，PSD780被用于測量由于激光定點穩(wěn)定性，AOM定點穩(wěn)定性和安裝光學器件產(chǎn)生的射束運動。每個射束路徑中所測得的由于AOM定點穩(wěn)定性和光學元件的運動產(chǎn)生的誤差可能對于每個射束路徑有所不同，因此，圖中描述了獨立的測量，信號處理以及被傳輸?shù)絏Y射束偏轉(zhuǎn)裝置764的命令。00206應(yīng)該注意到，射束偏轉(zhuǎn)裝置優(yōu)選在鏈路處理行程開始之前以及執(zhí)行鏈路處理行程的過程中被調(diào)整，以產(chǎn)生和維持聚焦光斑位置和目標鏈路位置之間的所期望的關(guān)系。例如，這些調(diào)整可以補償系統(tǒng)誤差，還可以補償那些可以用在晶片周圍的不同位置的鏈路的不同坐標系統(tǒng)，校準參數(shù)，比例因子，和偏移。00207多光斑處理系統(tǒng)中光斑之間的分離距離還可能需要更準確的晶片定位。這種需要是由于阿貝偏移誤差引起的，阿貝偏移誤差是由于大的桿杠力臂上小角度偏移造成的平移定位誤差。單光斑機器只要求在激光脈沖被觸發(fā)時聚焦射束照射到工件上的正確點。這可能通過將工件相對于聚焦光斑做單純的XY平移來實現(xiàn)，即使工件有小的旋轉(zhuǎn)誤差。多光斑機器要求所有光斑同時照射到工件上的正確位置。對于光斑的固定配置來說，小旋轉(zhuǎn)誤差將阻止所有光斑同時照射到正確的工件位置。這對于光斑間距較大的多透鏡實施方式尤其突出，但對于單透鏡實施方式也存在。在多于兩個自由度上對工件相對于多個聚焦光斑的控制，具體地說是反饋控制，相比單光斑處理系統(tǒng)來說，對多光斑處理系統(tǒng)更加重要。這種控制與卡盤和晶片在X，Y和θ坐標的平面運動有關(guān)，以及與進一步包括Z坐標、間距和滾動的全三維控制有關(guān)。00208多光斑系統(tǒng)中檢測裝置對于控制和校正包括阿貝偏移誤差的誤差有用。例如，將干涉計或其它傳感器與多透鏡系統(tǒng)的每個透鏡排成一直線是一種有用的減少誤差的技術(shù)，因為可能檢測到靠近每個透鏡處的定位誤差。此外，可以采用中央處理器或FPGA來組合來自多個傳感器的數(shù)據(jù)以確定不同系統(tǒng)組件之間的幾何關(guān)系，例如聚焦光斑位置，偏轉(zhuǎn)反射鏡位置，射束路徑位置，透鏡，卡盤，鏈路等等。已經(jīng)確定期望的和所測得的組件之間幾何關(guān)系的誤差后，就可能減少定位誤差。這可能需要通過工件、卡盤、平臺或其它系統(tǒng)組件的多維控制。還可能通過使用一個或多于一個FSM來移動同軸線和跨越軸線方向的光斑來補償誤差。00209組件之間的幾何關(guān)系對于激光器觸發(fā)也是有用的。如果一個激光器被用于產(chǎn)生多個光斑，通過一個透鏡或者多個透鏡，系統(tǒng)可能根據(jù)位置估計或測量來觸發(fā)激光器發(fā)射，使得一個或多于一個光斑將照射在工件的(多個)期望位置上。在(多個)估計的位置或時間觸發(fā)激光器，其最小化多個聚焦光斑位置中的每一個和期望的熔斷位置間的平均誤差，是一種優(yōu)選的脈沖觸發(fā)方法。類似地，如果使用多個激光器來產(chǎn)生多個光斑，每個激光器可能在最小化聚焦光斑位置和目標工件位置之間的誤差的(多個)時間或位置被觸發(fā)。還可能實現(xiàn)其它脈沖觸發(fā)方法。IX.校準，對準和聚焦00210使用多射束路徑鏈路處理系統(tǒng)可能要求每個激光束的射束能量參數(shù)和光斑位置參數(shù)的校準。一種實現(xiàn)能量校準的方式，如圖30所示，是從每個射束中釋放部分光學能量并使用獨立脈沖檢測器790來檢測脈沖特性，例如脈沖能量，脈沖高度，脈沖寬度以及可能其它的特性。檢測了(多個)光學參數(shù)后，可能使用射束路徑中可配置的硬件或激光器進行調(diào)整。在一個實施方式中，來自脈沖檢測器790的信息可能允許獨立調(diào)整每個射束路徑中可配置的衰減器792，以作能量控制。衰減器792可能是標準光學元件，AOM或其它衰減器。來自脈沖檢測器790的反饋還可能被用于修正激光器中的脈沖的產(chǎn)生。當使用多個激光源時，這提供額外的優(yōu)勢。00211執(zhí)行多激光光斑的系統(tǒng)位置校準與現(xiàn)有的單光斑校準類似。然而，每個聚焦束中部和每個目標鏈路之間的Z高度關(guān)系，以及聚焦光斑和目標鏈路之間的XY位置關(guān)系應(yīng)該被確認。這兩種關(guān)系可能通過掃描晶片上的對準目標來確定。這個掃描過程涉及傳送連續(xù)波或光學能量脈沖到晶片的表面上，并橫向掃描XY平臺，這樣光從晶片上具有已知坐標的對準目標處反射離開。監(jiān)控從目標處和平臺位置傳感器處反射的能量的量允許精確確定激光光斑相對于對準目標的位置。這些被監(jiān)控的信號還允許確定光斑依照透鏡和對準結(jié)構(gòu)之間的現(xiàn)有的Z高度間隔衡量的尺寸。圖31中示出了用于這個目的的系統(tǒng)，其中安排分束器794和反射光檢測器798以檢測反射信號。任選地，可以應(yīng)用四分之一波片796來產(chǎn)生圓偏振光輸出并傳送到工作面740。00212在多光斑系統(tǒng)中，為了聚焦，目標在若干聚焦高度被掃描，在這些聚焦光斑高度處對反差或襯度或光斑尺寸的測量被用于預測和反復細調(diào)聚焦射束中部。因為涉及單個透鏡的多光斑系統(tǒng)一次只有一個透鏡到鏈路結(jié)構(gòu)或?qū)誓繕司嚯x，所以有必要預先對準多光斑系統(tǒng)中所有聚焦光斑，使得它們都具有基本上相同的聚焦高度。這么做的一種方法涉及將多個激光束導向在一個或多于一個焦深處的目標，對各個射束做焦深測量，基于這些焦深測量結(jié)果確定相對焦深差別，并優(yōu)選響應(yīng)減小相對焦深差別來調(diào)整激光束路徑。這個過程被不斷重復，或通過反饋控制系統(tǒng)來達到相對聚焦預對準。其后，可能只使用激光聚焦光斑中的一個來實現(xiàn)在現(xiàn)場晶片處理環(huán)境中的聚焦。聚焦可以用聚焦場中的單個目標或多個目標完成，例如聚焦場中的三個或四個目標。接著從不同聚焦目標位置處的聚焦高度計算出聚焦場中的XY定位位置處的聚焦高度距離。00213多光斑系統(tǒng)的聚焦還可以通過以下方式增強加入或移動聚焦控制光學器件769(圖22)，以從Z方向上的其它聚焦射束中部處偏移一個或更多個聚焦光斑射束中部。00214除了是有用的獨立聚焦裝置，聚焦控制光學器件769可能給予聚焦射束中部相對于其它光斑的已知的Z聚焦偏移以增強聚焦方法。通過使用這些兩個或更多Z-偏移光斑來掃描對準目標，就可以知道達到聚焦所必須運動的Z方向。三個或更多的Z-偏移光斑不單可能用于預設(shè)聚焦光斑方向，還可以預設(shè)到聚焦處的距離。00215另一種聚焦技術(shù)包括聚焦調(diào)節(jié)器在每個透鏡上的小運行范圍，可能被對準到接近一個晶片厚度并原地鎖定的單次Z粗調(diào)。這優(yōu)選在具有基本上平整和水平的卡盤的系統(tǒng)上實現(xiàn)，這樣在處理鏈路處理行程時，透鏡不需要被上下移動以校正晶片傾斜。這大大地減小了必須做的聚焦工作量。接著聚焦只需追蹤由于晶片下的灰塵微?；虿黄秸目ūP造成的小(一般小于約10μm)偏差。因為每個透鏡可以聚焦在卡盤的不同部分，所以可能在每個透鏡上實現(xiàn)壓電式激勵器以允許其被豎直地略微移動來調(diào)整聚焦?？赡芡ㄟ^這些壓電激勵器來調(diào)整聚焦，從而聚焦射束中部追蹤每個透鏡下的局部晶片拓撲。當然，這種聚焦技術(shù)的其它實施方式也是可能的，例如使用音圈或其它激勵器而不是壓電式激勵器。00216多光斑系統(tǒng)的一種對準程序涉及確定所有光斑相對于對準目標的位置和這種關(guān)系中的任何Z高度依賴。在最簡單的實施方式中，XY對準目標首先由系統(tǒng)中的所有光斑掃描和測量來確定這些光斑彼此之間的XY和可能Z偏移。接著，還可能在不同聚焦高度測量相對偏移。這個程序可以在晶片上的不同位置處或校準網(wǎng)格上的單個目標或多個聚焦目標上進行。在處理晶片的其它區(qū)域時，收集到的關(guān)于光斑在工件處理位置上的相對定位的信息可能被控制校準和校正光斑位置處的差別的機器的一個或多于一個計算機所處理。00217描述了多個光斑相對彼此的特性之后，可能以類似單光斑系統(tǒng)對準(同軸校直)的方式來實現(xiàn)不同對準場中的晶片XY對準。掃描一個目標或多于一個目標以確定聚焦光斑和目標鏈路結(jié)構(gòu)之間的幾何關(guān)系，然后可能應(yīng)用光斑位置之間的已知映射來精確確定系統(tǒng)的其它聚焦光斑的位置。接著可能向XY偏轉(zhuǎn)裝置和聚焦偏移系統(tǒng)發(fā)送定位命令以將所有聚焦激光光斑精確定位在鏈路處理行程和鏈路處理行程分區(qū)的期望位置處。這優(yōu)選通過創(chuàng)建定義了工件區(qū)域范圍內(nèi)的激光器到工件的三維參考表面來執(zhí)行?？赡軓逆溌啡蹟辔恢玫腃AD數(shù)據(jù)、參考表面和任何其它額外的校準信息產(chǎn)生目標鏈路坐標和平臺、射束偏轉(zhuǎn)裝置和聚焦偏移裝置的軌跡命令。00218某些XY和聚焦校準可能僅使用多個光斑中的一個一次性執(zhí)行。然而，存在其他程序，在其中使用同時發(fā)送的多個光斑來掃描目標較為有利。例如，同時使用所有的光斑來掃描XY對準目標可以核實所有光斑都聚焦了以及通過校準程序用XY射束偏轉(zhuǎn)裝置已將光斑之間的相對偏移去除了。接著被掃描目標的反射信號將會顯得具有嚴格聚焦的單個光斑的反射標記(reflectionsignature)。如果任何射束沒有被正確地對準或是離焦的，則將觀察到多個可能重疊的反射標記，或者可能觀察到疊加在小光斑上的大光斑的反射標記。00219使用同時發(fā)送到晶片上的多光斑的另一種校準程序使用平均技術(shù)來提高掃描測量的質(zhì)量。圖32示出了這種技術(shù)。如果光斑之間的偏移關(guān)系已知且可能被精確設(shè)置，則可能啟動在軸線方向上具有較小的橫向偏移(例如，兩微米)的兩個(或更多)光斑，對準目標810將沿著這個軸線被掃描。接著對對準目標的單次掃描，收集反射的傳感器數(shù)據(jù)和平臺位置數(shù)據(jù)，可能用于確定兩個光斑的位置。這信息可能與指定的光斑偏移聯(lián)合起來，通過平均兩個光斑的位置來確定具有增強的準確度的目標位置。這項技術(shù)可能用于精化或改進掃描方向上光斑相對于彼此的準確度。例如，假設(shè)掃描方向上偏移距離是5μm。進一步假設(shè)光斑1掃描對準目標810，當X位置是10,005.020μm時產(chǎn)生最大的反射強度，而光斑2掃描對準目標810，當X位置是10,000.000μm時產(chǎn)生最大的反射強度。接著，考慮已知的偏移之后將兩個位置測量值平均，則結(jié)果位置應(yīng)為10,000.010μm。因為平均值是根據(jù)多于單次測量的數(shù)據(jù)，這是更可靠的結(jié)果。00220在能夠確定哪個反射光由哪個入射的聚焦光斑引起的系統(tǒng)中，有可能用完全重疊的光斑來實施這個平均程序。時間分割和利用不同光斑特性例如偏振或波長是將反射光斑與入射光斑關(guān)聯(lián)的一些技術(shù)。當光斑是部分重疊或完全重疊使相對偏移為零時，這些技術(shù)可能很有用。00221在圖32所描述的第二種情形中，兩個被掃描的光斑都有同軸線和跨越軸線偏移。這提供了關(guān)于對準目標810的位置的兩個估計值，其測量值是在沿著對準目標820的不同點處獲得的。這多個測量值對確定晶片上的絕對定位有用，即使是在對準目標820不一致的時候。00222接著，因為多光斑系統(tǒng)的射束可能配備了XY射束偏轉(zhuǎn)裝置，這些裝置，而不是XY平臺，可以用于跨越對準目標810掃描聚焦光斑。接著校準程序?qū)膶誓繕?10-820處反射的反射信號能量與檢測到的XY偏轉(zhuǎn)裝置的位置關(guān)聯(lián)起來，并將其與XY平臺位置聯(lián)合，以確定光斑定位。因為每個射束路徑中放置了獨立的XY射束偏轉(zhuǎn)裝置，因此可能使用不同聚焦光斑來獨立掃描XY對準目標810-820。使用適當?shù)挠糜诖_定哪個是X信號哪個是Y信號的方法，一個目標可能在X中被掃描，而另一個對準目標810-820在Y中被掃描。這可能通過使用AOM或其它衰減器在特定頻率處脈動功率以改變能量，并且接著使用頻率信息確定來自每個光斑的反射信號來實現(xiàn)?；蛘撸赡苁褂靡圆煌俣纫苿拥墓獍邅頀呙鑼誓繕?10-820來將反射信號的分量與特定光斑關(guān)聯(lián)起來。光斑還可能被高速地時間分割或調(diào)制，使得一次只啟用一個光斑。接著使用時間片(timeslice)直接分離反射信號，以允許同時掃描多個目標或一個X和一個Y目標?；诠鈱W特性例如偏振性或波長的分離對于某些實施方式也是適合的。00223如果半導體鏈路處理系統(tǒng)中使用多個激光源，正確的對準會導致最高質(zhì)量的鏈路處理。用于對準多個激光器頭的一種技術(shù)要求必須從激光器頭中產(chǎn)生連續(xù)波或脈沖發(fā)射，測量射束相對彼此的傳播，并且將射束調(diào)整到期望的重疊或相對位置?？赡芡ㄟ^使用聚焦激光光斑掃描晶片上的對準目標810-820，或者將PSD或其它光學檢測器放置到射束路徑中不同位置，來相對彼此測量射束。一種可選的技術(shù)是將PSD對準工具替代最終聚集透鏡放置到射束路徑中。然后在使用Z平臺來改變PSD的位置時可以測量射束位置，并可以調(diào)整光學元件，例如傾斜片或反射鏡的位置來校正射束位置。對于所有激光器頭分別發(fā)射或同時發(fā)射的情形都可以對射束或聚焦光斑位置作測量。00224一種期望的射束對準是每個激光器頭的發(fā)射都精確重疊。這樣，產(chǎn)生的單射束系統(tǒng)在同一個位置有聚焦的射束中部，而不管哪個激光器頭產(chǎn)生了該脈沖。類似地，兩射束系統(tǒng)將產(chǎn)生兩個聚焦光斑。00225另一種期望的射束對準是引入由不同激光器頭產(chǎn)生的聚焦光斑的有意的同軸線和/或跨越軸線相對偏移?？梢詫崿F(xiàn)這樣的偏移以使來自一個激光器頭的脈沖照射到鏈路中的一行，同時來自其它激光器頭的脈沖則照射到鏈路中其它行。00226激光束路徑的對準或準直可以在機器安裝時調(diào)整，然后不需要進一步的調(diào)整。然而，可能存在某些情形，例如為了校正聚焦光斑的熱漂移，需要動態(tài)的或周期的射束調(diào)整。可以在系統(tǒng)中放置用于射束調(diào)整的激勵器，激勵器和控制系統(tǒng)可以放置就位，以根據(jù)來自對準目標810-820的掃描數(shù)據(jù)或?qū)ι涫恢玫腜SD測量數(shù)據(jù)來配置這些激勵器。00227還可以在晶片處理過程中不時地使用激勵器來重配置由不同激光器頭產(chǎn)生的射束的對準。例如，可能需要在處理X和Y軸線鏈路處理行程中間，或者處理需要不同間距的鏈路處理行程分區(qū)中間，移動源自不同激光器頭的聚焦光斑的位置。此外，當使用通過相同透鏡的多個光斑進行處理時，可能需要在鏈路處理行程整個過程中對光斑的相對或絕對位置做小的調(diào)整。例如，可能聚焦光斑的XY位置對于Z高度有某些依賴關(guān)系。如果射束是傾斜的，由于傾斜卡盤或卡盤與晶片拓撲變化所導致的在不同高度的聚焦，可能導致光斑漂移。這樣的誤差可以通過使用多射束激勵器和/或射束偏轉(zhuǎn)裝置來校正。00228本文所示出的和所描述的方法和系統(tǒng)(例如，聯(lián)合速度分布的計算)可能以活動和非活動的各種方式存在。例如，它們可能作為一個或多個軟件程序而存在，軟件程序包括源代碼、目標代碼、可執(zhí)行代碼或其它形式的程序指令。所述代碼格式的任何一種(包括壓縮或非壓縮形式的存儲設(shè)備和信號)可以在計算機可讀介質(zhì)上實現(xiàn)。示例性的計算機可讀存儲設(shè)備包括傳統(tǒng)的計算機系統(tǒng)RAM(隨機存儲器)、ROM(只讀存儲器)、可擦可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、閃存和磁盤或光盤或磁帶。示例性的計算機可讀信號(無論是否使用載波進行調(diào)制)是這樣的信號其能被寄存有計算機程序或運行計算機程序的計算機系統(tǒng)配置訪問，包括從因特網(wǎng)或其它網(wǎng)絡(luò)下載的信號。上文具體的例子包括CDROM或通過因特網(wǎng)下載的軟件的分配。在某種意義上，因特網(wǎng)作為一個抽象實體，其本身也是計算機可讀介質(zhì)。對于通常的計算機網(wǎng)絡(luò)也是這樣的。00229上文所用的術(shù)語和描述僅是示例性提出的，并不意味著限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，所述的實施例的細節(jié)是可能有很多變化的，而并不脫離本發(fā)明的基本原理。例如，可以使用多激光光斑來處理半導體基片上的導電鏈路結(jié)構(gòu)之外的結(jié)構(gòu)。作為另一個例子，不是所有的鏈路處理都是為了切斷鏈路使其不再導電；有時激光輻照的目的是為了使否則非導電“鏈路”變成導電的，或者是改變鏈路的特性。因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)僅由所附權(quán)利要求以及其等同物來定義，除非另有說明，其中的所有術(shù)語應(yīng)按照其最大范圍的合理意義來理解。權(quán)利要求1.一種用于使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中，所述方法包括沿著具有第一軸線的第一傳播路徑傳播第一激光束，所述第一軸線在給定時間入射到所述半導體基片(740)之上或之內(nèi)的第一位置，所述第一位置在第一行結(jié)構(gòu)中的一結(jié)構(gòu)之上或者在所述第一行中的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間；沿著具有第二軸線的第二傳播路徑傳播第二激光束，所述第二軸線在給定時間入射到所述半導體基片(740)之上或之內(nèi)的第二位置，所述第二位置在第二行結(jié)構(gòu)中的一結(jié)構(gòu)之上或者在所述第二行中的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間，所述第二行不同于所述第一行，其中所述第二位置在所述行的縱向上與所述第一位置偏離一定距離；和相對于所述半導體基片(740)，沿著所述行的縱向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，從而分別使用所述第一和第二激光束來選擇性地輻照所述第一行或第二行中的結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一行中的結(jié)構(gòu)在所述行的縱向方向與所述第二行中的結(jié)構(gòu)偏移。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一行中的結(jié)構(gòu)在所述行的縱向上與所述第二行中的結(jié)構(gòu)對準，但所述第一位置和第二位置對應(yīng)于各自的第一行和第二行中的結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)沿著所述行的縱向相互偏移。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二激光束具有各自的第一和第二組光學特性，且其中所述第一和第二組光學特性彼此不同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括選擇性地阻擋所述第一激光束到達所述第一位置；和選擇性地阻擋所述第二激光束到達所述第二位置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二激光束大致同時到達所述工件。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一激光束第一次輻照所述第一行中的選擇的結(jié)構(gòu)，以及所述第二激光束第二次輻照之前已經(jīng)被所述第一激光束輻照過的所述第二行中的結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在移動步驟中，動態(tài)地調(diào)整所述第一和第二激光束軸線在所述半導體基片(740)上的入射位置之間的相對間距。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含導電性鏈路，并且對鏈路的輻照導致分離該鏈路。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導體基片(740)包含多個芯片，且所述第一激光束軸線入射到半導體基片(740)上的一個芯片上，而所述第二激光束軸線入射到所述半導體基片(740)上的分開的芯片上。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一行和第二行相鄰。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一和第二位置被足夠的距離間隔以避免在所述第一和第二位置附近被所述半導體基片(740)吸收的能量的有害集中。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法被處理的半導體基片(740)。14.一用于使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中，所述系統(tǒng)包括產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束的激光源；第一激光束傳播路徑，其具有在給定時間入射到所述半導體基片(740)之上或之內(nèi)第一位置處的第一光斑的第一軸線，所述第一位置在第一行結(jié)構(gòu)的一結(jié)構(gòu)之上，或者在所述第一行的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間；第二激光束傳播路徑，其具有在給定時間入射到所述半導體基片(740)之上或之內(nèi)第二位置處的第二光斑的第二軸線，所述第二位置在第二行結(jié)構(gòu)中的一結(jié)構(gòu)之上，或者在所述第二行的兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間，所述第二行不同于所述第一行，其中所述第二位置在所述行的縱向方向與所述第一位置偏離一定距離；和運動平臺(660)，其相對所述半導體基片(740)沿著所述行的縱向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，從而分別使用所述第一和第二激光束來選擇性地輻照所述第一行或第二行中的結(jié)構(gòu)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括各自的第一和第二激光器(720-1，720-2，…)。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括激光器(720)；和分束器(745)，其設(shè)置在位于所述激光器(720)和所述半導體基片(740)之間的所述第一和第二激光束傳播路徑中。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光傳播路徑中的第一光學開關(guān)(750)，所述第一光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和設(shè)置在所述第二激光傳播路徑中的第二光學開關(guān)(750)，所述第二激光開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二光學開關(guān)(750)是聲光調(diào)制器AOM。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，進一步包括連接到所述第一和第二光學開關(guān)(750)的控制器(690)，所述控制器(690)設(shè)定所述第一和第二光學開關(guān)(750)的狀態(tài)，使得只輻照選擇的結(jié)構(gòu)。20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760、764、766、768)，由此可以調(diào)整所述第一位置。21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760、764、766、768)，由此可以調(diào)整所述第二位置。22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的射束組合器(765)；和設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的、位于所述射束組合器(765)和所述半導體基片(740)之間的聚焦透鏡(730)。23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一聚焦透鏡(730A)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二聚焦透鏡(730B)。24.一種用于處理具有被多個激光束選擇性輻照的多個結(jié)構(gòu)的半導體基片(740)的方法，所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中，所述方法包括產(chǎn)生沿著與半導體基片(740)之上或之內(nèi)的第一目標位置相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束；產(chǎn)生沿著與半導體基片(740)之上或之內(nèi)的第二目標位置相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束，所述第二目標位置在垂直于所述行的縱向上與所述第一目標位置偏移一定距離，由此，當所述第一目標位置是位于第一行結(jié)構(gòu)上的一結(jié)構(gòu)時，所述第二目標位置是在與所述第一行不同的第二行的一結(jié)構(gòu)或位于兩個相鄰結(jié)構(gòu)之間；和在與所述行的結(jié)構(gòu)幾乎平行的方向上，相對所述第一和第二激光束軸線移動所述半導體基片(740)，由此，沿著所述第一行通過所述第一目標位置以第一次輻照所述第一行中的選擇的結(jié)構(gòu)，且同時沿著所述第二行，通過所述第二目標位置，以第二次輻照在沿著所述第二行的所述第一目標位置的前一遍通過中已被所述第一激光束輻照的結(jié)構(gòu)。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第一和第二激光束具有各自的第一和第二組光學特性，且其中所述第一組和第二組光學特性彼此不同。26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第一激光束軸線在與所述行的縱向平行的方向上與所述第二激光束軸線偏移一定距離。27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，進一步包括選擇性地阻擋所述第一激光束到達所述第一目標位置；和選擇性地阻擋所述第二激光束到達所述第二目標位置。28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第一和第二激光束大致同時到達所述半導體基片(740)。29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，進一步包括在移動步驟中，動態(tài)地調(diào)整所述第一和第二激光束軸線在所述半導體基片(740)上的入射位置之間的相對間距。30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)是導電性鏈路，并且對鏈路的輻照導致分離該鏈路。31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述半導體基片(740)包含多個芯片，且所述第一激光束軸線入射到所述半導體基片(740)上的一個芯片上，而所述第二激光束軸線入射到所述半導體基片(740)上的分開的芯片上。32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第二激光束在給定結(jié)構(gòu)上的入射位置在該結(jié)構(gòu)的縱向上與所述第一激光束在所述給定結(jié)構(gòu)上的入射位置偏移。33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法被處理的半導體基片(740)。34.一種用于處理具有被多個激光束選擇性地輻照的多個結(jié)構(gòu)的半導體基片(740)的系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中，所述系統(tǒng)包括產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束的激光源；從所述激光源出發(fā)到所述半導體基片(740)的第一激光束傳播路徑，其具有與所述半導體基片(740)之上或之內(nèi)的第一目標位置相交的第一激光束軸線；從所述激光源出發(fā)到所述半導體基片(740)的第二激光束傳播路徑，其具有與半導體基片(740)之上或之內(nèi)的第二目標位置相交的第二激光束軸線，所述第二目標位置在垂直于行的縱向的方向上與第一目標位置偏移一定距離，由此，當所述第一目標位置是在第一行結(jié)構(gòu)上的一結(jié)構(gòu)時，所述第二目標位置是在與所述第一行不同的第二行上的一結(jié)構(gòu)或位于兩個相鄰的結(jié)構(gòu)之間；和運動平臺(660)，其相對所述第一和第二激光束軸線沿著與所述行的結(jié)構(gòu)大致平行的方向移動所述半導體基片(740)，由此，沿著第一行通過所述第一目標位置以第一次輻照所述第一行中的選擇的結(jié)構(gòu)，且同時沿著所述第二行，通過所述第二目標位置，以第二次輻照在沿著所述第二行的所述第一目標位置的前一遍通過中已被所述第一激光束軸線輻照的結(jié)構(gòu)。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括各自的第一和第二激光器(720-1，720-2，…)。36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括激光器(720)；和分束器(745)，其設(shè)置在位于所述激光器(720)和所述半導體基片(740)之間的所述第一和第二激光束傳播路徑中。37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光傳播路徑中的第一光學開關(guān)(750)，所述第一光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和設(shè)置在所述第二激光傳播路徑中的第二光學開關(guān)(750)，所述第二光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二光學開關(guān)(750)是聲光調(diào)制器AOM。39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，進一步包括連接到所述第一和第二光學開關(guān)(750)的控制器(690)，所述控制器(690)設(shè)定所述第一和第二光學開關(guān)(750)的狀態(tài)，使得只輻照被選擇的結(jié)構(gòu)。40.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第一位置。41.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第二位置。42.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，進一步包括射束組合器(765)，其設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中；和聚焦透鏡(730)，其設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中，并位于所述射束組合器(765)和所述半導體基片(740)之間。43.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一聚焦透鏡(730A)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二聚焦透鏡(730B)。44.一種用于使用N個連續(xù)激光脈沖對半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)進行處理以獲得吞吐量益處的方法，其中N≥2，所述結(jié)構(gòu)被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中，所述N個連續(xù)激光脈沖沿著各自的N個射束軸線傳播直至入射到各自的N個不同的行上的選擇的結(jié)構(gòu)上，所述方法包括確定同時相對所述半導體基片(740)在縱向上大致協(xié)同地移動N個激光束軸線的聯(lián)合速度分布，使得用各自的N個連續(xù)激光脈沖處理N行中的結(jié)構(gòu)，由此所述聯(lián)合速度分布應(yīng)實現(xiàn)吞吐量益處，同時確保所述聯(lián)合速度分布表示的速度對于N個連續(xù)激光脈沖中每一個和被N個連續(xù)激光脈沖處理的N行各自結(jié)構(gòu)中的每一個都是可行的。45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中確定步驟包括為N行中每一行確定速度分布(410)，其用于沿縱向相對所述半導體基片(740)移動各個激光束軸線，以使用各自連續(xù)激光脈沖處理結(jié)構(gòu)，由此產(chǎn)生N個單獨的速度分布(410)；和比較所述N個單獨的速度分布(410)以確定所述聯(lián)合速度分布。46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述聯(lián)合速度分布是在沿著分布的每個點處的N個單獨的速度分布(410)的最小速度值。47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中在使用激光脈沖處理結(jié)構(gòu)時，所述聯(lián)合速度分布沒有超過N個單獨的速度分布(410)的最小值。48.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述N個單獨的速度分布(410)包含有各自恒定速度的對準區(qū)間(440)，所述聯(lián)合速度分布包含相應(yīng)的具有恒定速度的區(qū)間，所述恒定速度是N個相應(yīng)恒定速度中的最小值。49.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中N行中一行或多于一行包含沒有要被輻照的結(jié)構(gòu)的間隙(460)，且如果所有N行都包含相互對準的間隙，則所述聯(lián)合速度分布包含間隙分布。50.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述聯(lián)合速度分布包含具有一個或多于一個恒定速度區(qū)間。51.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，進一步包括產(chǎn)生所述N連續(xù)激光脈沖；和根據(jù)所述聯(lián)合速度分布，相對所述半導體基片(740)沿著縱向協(xié)同地移動N個激光束軸線，以此使用所述各自的N個連續(xù)激光脈沖來選擇性地輻照所述N行中的結(jié)構(gòu)。52.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中確定步驟包括產(chǎn)生一主坐標組；為將被激光輻照的N行中的每個結(jié)構(gòu)確定其與主坐標的相對偏移坐標；和基于所述主坐標組為所述N行確定聯(lián)合速度分布。53.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包括導電性鏈路，且對鏈路的輻照導致分離該鏈路。54.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述半導體基片(740)包括多個芯片，且所述N個激光束軸線的每一個軸線入射到所述半導體基片(740)上的分開的芯片上。55.計算機可讀介質(zhì)，其中嵌入執(zhí)行權(quán)利要求44所述方法的程序。56.一種半導體基片(740)，設(shè)置在其上的結(jié)構(gòu)由比被單激光束更快的N個激光束所輻照，其中N≥2，且其中N個激光束被布置成在給定方位入射到所述半導體基片(740)上，所述半導體基片(740)包括沿著大體縱向延伸的以多行的形式布置的多個結(jié)構(gòu)，其中所述結(jié)構(gòu)的一個或多個特性可以通過輻照被改變，其中構(gòu)成并設(shè)置至少N個這樣的行，以使所述N行有一個或多個區(qū)間的結(jié)構(gòu)被設(shè)置成大致與所述給定方位匹配，由此所述半導體基片(740)可能通過使用所述N個激光束被輻照處理而具有增大的吞吐量，其中，每個激光束光斑同時入射到N行的所述區(qū)間之一的各自的行中的一結(jié)構(gòu)上。57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述結(jié)構(gòu)被設(shè)置以最大化所述聯(lián)合速度分布，其用于同時在行的縱向上移動N個激光束光斑。58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述N行包含對準間隙，其沒有要被輻照處理的結(jié)構(gòu)，且所述間隙被設(shè)置成沿著所述N行的縱向大致對準。59.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中沿著所述N行的結(jié)構(gòu)的設(shè)置在所述行的縱向上幾乎一致。60.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述N行被設(shè)置成在垂直于所述行的縱向的方向上足夠相互靠近，使得所述N個激光束可能使用單個透鏡聚焦到所述的半導體基片(740)上。61.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述區(qū)間包含具有以近似恒定的間距間隔開的相鄰結(jié)構(gòu)的行。62.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述給定方位是與大致垂直于所述行的縱向的方向近似共線的。63.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中基本所述半導體基片(740)的所有結(jié)構(gòu)都被布置在沿著縱向?qū)实男兄小?4.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述半導體基片(740)的行的總數(shù)量是N的整數(shù)倍。65.根據(jù)權(quán)利要求56所述的半導體基片(740)，其中所述結(jié)構(gòu)是鏈路。66.一種使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述方法包括產(chǎn)生第一激光束，其沿著與所述半導體基片(740)相交的第一激光束軸線傳播；產(chǎn)生第二激光束，其沿著與所述半導體基片(740)相交的第二激光束軸線傳播；同時將所述第一和第二激光束導向在所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)；和相對于所述半導體基片(740)沿著與行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，由此同時使用所述第一和第二激光束中的一個或多于一個光束來選擇性地輻照所述行中的結(jié)構(gòu)。67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)不相鄰。68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)被足夠避免有害的能量集中的距離分隔開，所述能量在所述第一和第二結(jié)構(gòu)附近被所述半導體基片(740)吸收。69.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間存在多于一個的結(jié)構(gòu)。70.根據(jù)權(quán)利要求69所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)的數(shù)量是偶數(shù)。71.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第三激光束軸線傳播的第三激光束；和將所述第三激光束導向所述行中的一結(jié)構(gòu)上。72.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述第一和第二激光束有各自的第一和第二組光學特性，且其中所述第一組和第二組光學特性彼此不同。73.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，進一步包括選擇性地阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和選擇性地阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。74.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，進一步包括在移動步驟中，動態(tài)地調(diào)整所述第一和第二激光束軸線的入射位置之間的相對間距。75.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含導電性鏈路，而對鏈路的輻照導致分離該鏈路。76.半導體基片(740)，用根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法進行處理。77.一種使用多個激光束來選擇性輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述系統(tǒng)包括產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束的激光源；第一激光束傳播路徑，所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第一激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第一光斑的第一激光束軸線；第二激光束傳播路徑，所述第二激光束沿所述第二激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第二激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第二光斑的第二激光束軸線，其中所述第一光斑和所述第二光斑同時照射到所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)；和運動平臺(660)，其相對于所述半導體基片(740)沿著與所述行的縱向幾乎平行的方向移動所述第一和第二激光束軸線，以同時使用所述第一和第二激光束中的一個或多于一個光束來選擇性輻照所述行中的結(jié)構(gòu)。78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括各自的第一和第二激光器(720-1，720-2，…)。79.根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括激光器(720)；和分束器(745)，其設(shè)置在位于所述激光器(720)和所述半導體基片(740)之間的所述第一和第二激光束傳播路徑中。80根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光傳播路徑中的第一光學開關(guān)(750)，所述第一光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和設(shè)置在所述第二激光傳播路徑中的第二光學開關(guān)(750)，所述第二光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。81.根據(jù)權(quán)利要求80所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二光學開關(guān)(750)是聲光調(diào)制器AOM。82.根據(jù)權(quán)利要求80所述的系統(tǒng)，進一步包括連接到所述第一和第二光學開關(guān)(750)的控制器(690)，所述控制器(690)設(shè)定所述第一和第二光學開關(guān)(750)的狀態(tài)，使得只輻照被選擇的結(jié)構(gòu)。83.根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第一位置。84.根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第二位置。85.根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的射束組合器(765)；和設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的位于所述射束組合器(765)和所述半導體基片(740)之間的聚焦透鏡(730)。86.根據(jù)權(quán)利要求77所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一聚焦透鏡(730A)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二聚焦透鏡(730B)。87.一種用于使用多個脈沖激光束選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的各結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述方法包括產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第一激光束軸線傳播的第一脈沖激光束；產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第二激光束軸線傳播的第二脈沖激光束；將來自所述第一和第二脈沖激光束的各自第一和第二脈沖導向到所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)，以通過對每個結(jié)構(gòu)用單個激光脈沖來完成對所述結(jié)構(gòu)的輻照；和在與所述行的縱向大致平行的方向上，相對所述半導體基片(740)大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，以使用所述第一或第二激光束來選擇性地輻照各結(jié)構(gòu)，其中移動步驟導致比只有單個激光束被用于輻照所述行中的結(jié)構(gòu)時更高的速度。88.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中所述第一和第二脈沖分別被同時傳輸?shù)剿龅谝缓偷诙Y(jié)構(gòu)處。89.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包括導電性鏈路，而對鏈路的輻照導致分離該鏈路。90.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包括潛在的導電性鏈路，而對所述鏈路的輻照導致在該鏈路中形成電連接。91.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)不相鄰。92.根據(jù)權(quán)利要求91所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)被足夠大的距離間隔開以避免有害的能量集中，所述能量在所述第一和第二結(jié)構(gòu)附近被所述半導體基片(740)所吸收。93.根據(jù)權(quán)利要求91所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間存在多于一個的結(jié)構(gòu)。94.根據(jù)權(quán)利要求93所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)數(shù)量是偶數(shù)。95.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中所述第一和第二激光束軸線與所述半導體基片(740)在各自的第一和第二光斑處相交，且其中所述第一和第二光斑在大致垂直于所述行的縱向的方向上彼此偏移一定距離。96.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，進一步包括產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第三激光束軸線的第三激光束；和將所述第三激光束導向所述行中的結(jié)構(gòu)上。97.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中所述第一和第二激光束具有各自的第一和第二組光學特性，且其中所述第一組和第二組光學特性彼此不同。98.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，進一步包括選擇性地阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和選擇性地阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。99.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，進一步包括在移動步驟中，動態(tài)地調(diào)整所述第一和第二光斑之間的相對間距。100.半導體基片(740)，其根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法被處理。101.一種使用多個脈沖激光束來選擇性輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述系統(tǒng)包括產(chǎn)生至少第一脈沖激光束和第二脈沖激光束的激光源；第一激光束傳播路徑，所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第一激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第一光斑處的第一激光束軸線；第二激光束傳播路徑，所述第二激光束沿所述第二激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第二激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第二光斑處的第二激光束軸線，其中所述第一光斑和第二光斑入射在所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)上；和運動平臺(660)，其相對所述半導體基片(740)，沿著與所述行的縱向大致平行的方向，大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線，以此使用所述第一和第二脈沖激光束之一來選擇性輻照所述行中的結(jié)構(gòu)，使得所述行中的任何結(jié)構(gòu)都不會被多于一個激光束脈沖輻照，由此所述運動平臺(660)遍歷所述行的長度的時間將少于如果只有單個激光束被用于輻照所述行中的結(jié)構(gòu)所要求的時間。102.根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括各自的第一和第二激光器(720-1，720-2，…)。103.根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括激光器(720)；和分束器(745)，其設(shè)置在位于所述激光器(720)和所述半導體基片(740)之間的所述第一和第二激光束傳播路徑中。104根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一光學開關(guān)(750)，所述第一光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二光學開關(guān)(750)，所述第二光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。105.根據(jù)權(quán)利要求104所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二光學開關(guān)(750)是聲光調(diào)制器AOM。106.根據(jù)權(quán)利要求104所述的系統(tǒng)，進一步包括連接到所述第一和第二光學開關(guān)(750)的控制器(690)，所述控制器(690)設(shè)定所述第一和第二光學開關(guān)(750)的狀態(tài)，使得只輻照被選擇的結(jié)構(gòu)。107.根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第一位置。108.根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第二位置。109.根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的射束組合器(765)；和設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的位于所述射束組合器(765)和所述半導體基片(740)之間的聚焦透鏡(730)。110.根據(jù)權(quán)利要求101所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一聚焦透鏡(730A)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二聚焦透鏡(730B)。111.一種使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述方法包括產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束；產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束；將所述第一和第二激光束導向所述行中的非相鄰的第一和第二結(jié)構(gòu)上；和沿著與所述行的縱向大致平行的方向，相對所述半導體基片(740)大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。112.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，進一步包括選擇性地阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和選擇性地阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。113.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述第一激光束第一次輻照所述行中的給定結(jié)構(gòu)，以及所述第二激光束第二次輻照所述給定結(jié)構(gòu)。114.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述行中的選擇的結(jié)構(gòu)被所述第一激光束或第二激光束輻照，但不是被兩個激光束都輻照，由此移動步驟相比只有單個激光束被用于輻照所述行中的結(jié)構(gòu)時，可能以更高的速度進行。115.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)被足夠的距離間隔以避免有害的能量集中，所述能量在所述第一和第二結(jié)構(gòu)附近被所述半導體基片(740)吸收。116.根據(jù)權(quán)利要求115所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間存在多于一個的結(jié)構(gòu)。117.根據(jù)權(quán)利要求116所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)的數(shù)量是偶數(shù)。118.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述第一和第二激光束軸線與所述半導體基片(740)相交于各自的第一和第二光斑，且其中所述第一和第二光斑在大致垂直于所述行的縱向的方向上彼此偏移一定距離。119.根據(jù)權(quán)利要求118所述的方法，其中所述第一和第二光斑被足夠的距離間隔以避免有害的能量集中，所述能量在所述第一和第二光斑之間被所述半導體基片(740)吸收。120.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，進一步包括產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第三激光束軸線傳播的第三激光束；和將所述第三激光束導向所述行中的一結(jié)構(gòu)上。121.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述第一和第二激光束具有各自的第一和第二組光學特性，且其中所述第一組和第二組光學特性彼此不同。122.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，進一步包括在移動步驟中，動態(tài)地調(diào)整所述第一和第二激光束軸線之間的相對間距。123.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)是導電性鏈路，而對鏈路的輻照導致分離該鏈路。124.根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法，其中所述第一和第二激光束是脈沖激光束。125.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中所述第一和第二激光束被同時分別發(fā)送到所述第一和第二結(jié)構(gòu)上。126.半導體基片(740)，其根據(jù)權(quán)利要求111所述的方法被處理。127.一種使用多個激光脈沖束來選擇性輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述系統(tǒng)包括產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束的激光源；第一激光束傳播路徑，所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第一激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第一光斑處的第一激光束軸線；第二激光束傳播路徑，所述第二激光束沿所述第二激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第二激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第二光斑處的第二激光束軸線，其中所述第一光斑和第二光斑入射在所述行中的不相鄰的第一和第二結(jié)構(gòu)上；和運動平臺(660)，其相對所述半導體基片(740)，沿著與所述行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。128.根據(jù)權(quán)利要求127所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括各自的第一和第二激光器(720-1，720-2，…)。129.根據(jù)權(quán)利要求127所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括激光器(720)；和分束器(745)，其設(shè)置在位于所述激光器(720)和所述半導體基片(740)之間的所述第一和第二激光束傳播路徑中。130根據(jù)權(quán)利要求127所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光傳播路徑中的第一光學開關(guān)(750)，所述第一光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和設(shè)置在所述第二激光傳播路徑中的第二光學開關(guān)(750)，所述第二光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。131.根據(jù)權(quán)利要求130所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二光學開關(guān)(750)是聲光調(diào)制器AOM。132.根據(jù)權(quán)利要求130所述的系統(tǒng)，進一步包括連接到所述第一和第二光學開關(guān)(750)的控制器(690)，所述控制器(690)設(shè)定所述第一和第二光學開關(guān)(750)的狀態(tài)，使得只輻照被選擇的結(jié)構(gòu)。133.根據(jù)權(quán)利要求127所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第一位置。134.根據(jù)權(quán)利要求127所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的射束組合器(765)；和設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的位于所述射束組合器(765)和所述半導體基片(740)之間的聚焦透鏡(730)。135根據(jù)權(quán)利要求127所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一聚焦透鏡(730A)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二聚焦透鏡(730B)。136.一種使用多個激光束來選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述方法包括產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第一激光束軸線傳播的第一激光束；產(chǎn)生沿著與所述半導體基片(740)相交的第二激光束軸線傳播的第二激光束；將所述第一和第二激光束導向所述行中的各自不同的第一和第二結(jié)構(gòu)的不同的第一和第二光斑上，所述第二光斑在垂直于所述行的縱向的方向上與所述第一光斑偏移一定距離；和沿著大致與所述行的縱向平行的方向，相對所述半導體基片(740)大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。137.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，進一步包括選擇性地阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和選擇性地阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。138.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，其中所述第一激光束第一次輻照所述行中的給定結(jié)構(gòu)，且所述第二激光束第二次輻照所述給定結(jié)構(gòu)。139.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，其中所述行中的被選擇的結(jié)構(gòu)被所述第一激光束或第二激光束輻照，但不是被兩個激光束都輻照，由此移動步驟相比于只有單個激光束被用于輻照所述行中的結(jié)構(gòu)，可能以更高的速度進行。140.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)非相鄰。141.根據(jù)權(quán)利要求140所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間存在多于一個的結(jié)構(gòu)。142.根據(jù)權(quán)利要求141所述的方法，其中所述第一和第二結(jié)構(gòu)之間的結(jié)構(gòu)的數(shù)量是偶數(shù)。143.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，其中所述第一和第二光斑被足夠的距離間隔以避免有害的能量集中，所述能量在所述第一和第二光斑之間被所述半導體基片(740)吸收。144.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，其中所述第一和第二激光束具有各自的第一和第二組光學特性，且其中所述第一組和第二組光學特性彼此不同。145.根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包括導電性鏈路，而對鏈路的輻照導致分離該鏈路。146.半導體基片(740)，其根據(jù)權(quán)利要求136所述的方法處理。147.一種使用多個激光脈沖束來選擇性地輻照半導體基片(740)之上或之內(nèi)的結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)被布置在沿大體縱向延伸的行中，所述系統(tǒng)包括產(chǎn)生至少第一激光束和第二激光束的激光源；第一激光束傳播路徑，所述第一激光束沿所述第一激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第一激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第一光斑處的第一激光束軸線；第二激光束傳播路徑，所述第二激光束沿所述第二激光束傳播路徑傳向所述半導體基片(740)，所述第二激光束傳播路徑具有與所述半導體基片(740)相交于第二光斑處的第二激光束軸線，其中所述第一光斑和第二光斑入射在所述行中的不同的第一和第二結(jié)構(gòu)上，且其中所述第一和第二光斑在垂直于所述行的縱向方向上被間隔開一定的距離；和運動平臺(660)，其相對所述半導體基片(740)，沿著與所述行的縱向大致平行的方向大致協(xié)同地移動所述第一和第二激光束軸線。148.根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括各自的第一和第二激光器(720-1，720-2，…)。149.根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，其中所述激光源包括激光器(720)；和分束器(745)，其設(shè)置在位于所述激光器(720)和所述半導體基片(740)之間的所述第一和第二激光束傳播路徑中。150根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一光學開關(guān)(750)，所述第一光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第一激光束到達所述半導體基片(740)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二光學開關(guān)(750)，所述第二光學開關(guān)(750)能夠選擇性地允許或阻擋所述第二激光束到達所述半導體基片(740)。151.根據(jù)權(quán)利要求150所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二光學開關(guān)(750)是聲光調(diào)制器AOM。152.根據(jù)權(quán)利要求150所述的系統(tǒng)，進一步包括連接到所述第一和第二光學開關(guān)(750)的控制器(690)，所述控制器(690)設(shè)定所述第一和第二光學開關(guān)(750)的狀態(tài)，使得只輻照被選擇的結(jié)構(gòu)。153.根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第一位置。154.根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的射束偏轉(zhuǎn)裝置(760，764，766，768)，由此可以調(diào)整所述第二位置。155.根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的射束組合器(765)；和設(shè)置在所述第一和第二激光束傳播路徑中的位于所述射束組合器(765)和所述半導體基片(740)之間的聚焦透鏡(730)。156根據(jù)權(quán)利要求147所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一激光束傳播路徑中的第一聚焦透鏡(730A)；和設(shè)置在所述第二激光束傳播路徑中的第二聚焦透鏡(730B)。157.一種使用激光脈沖來處理半導體基片(740)之上或之內(nèi)的選擇的結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)具有表面、寬度和長度，所述激光脈沖沿著某個軸線傳播，隨著所述激光脈沖輻照所述選擇的結(jié)構(gòu)，所述軸線沿著掃描射束路徑相對于所述基片移動，所述方法包括同時在所述選擇的結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生第一和第二激光束脈沖，所述激光束脈沖沿著各自的與所述選擇的結(jié)構(gòu)在不同的第一和第二位置相交的第一和第二激光束軸線傳播，所述第一和第二激光束脈沖照射到所述選擇的結(jié)構(gòu)的表面上的各自第一和第二束斑處，每個束斑包圍至少所述選擇的結(jié)構(gòu)的寬度，所述第一個和第二束斑在沿著所述選擇的結(jié)構(gòu)的長度方向在空間上彼此偏移，以定義被所述第一和第二束斑均覆蓋的重疊區(qū)域，和被所述第一和第二光斑之一或全部覆蓋的大體區(qū)域，其中所述大體區(qū)域比所述第一束斑大，也比所述第二束斑大；和設(shè)定所述第一和第二激光束脈沖的各自的第一和第二能量值，以引起對至少所述大體區(qū)域的一部分區(qū)域內(nèi)的所述選擇的結(jié)構(gòu)在其寬度范圍內(nèi)所進行的完整深度處理。158.根據(jù)權(quán)利要求157所述的方法，進一步包括在所述第一和第二激光束脈沖之間建立延時，以隨著所述第一和第二激光束軸線沿著所述掃描射束路徑移動，引起對所述運作中的所述選擇的結(jié)構(gòu)的完整深度處理。159.根據(jù)權(quán)利要求158所述的方法，其中所述延時足夠長以避免在所述選擇的結(jié)構(gòu)附近被吸收的能量的有害集中。160.根據(jù)權(quán)利要求158所述的方法，其中所述第一和第二束斑在垂直于與所述選擇的結(jié)構(gòu)的縱向方向上彼此空間偏移。161.根據(jù)權(quán)利要求157所述的方法，其中第一和第二激光能量束脈沖具有大致相等的能量。162.根據(jù)權(quán)利要求157所述的方法，其中所述第一和第二束斑具有大致相等的激光束光斑尺寸。163.根據(jù)權(quán)利要求162所述的方法，其中所述第一和第二束斑的空間偏移小于所述激光束光斑尺寸的約50％。164.根據(jù)權(quán)利要求157所述的方法，其中所述第二激光束脈沖具有與所述第一激光束脈沖不同的至少一個光學特性。165.根據(jù)權(quán)利要求157所述的方法，其中所述選擇的結(jié)構(gòu)是導電性鏈路，且處理的目的是分離所述鏈路。166.根據(jù)權(quán)利要求165所述的方法，其中分裂步驟包括將所述單個激光束衍射成被預定的角度分開的兩個射束，所述兩個射束通過一個或多于一個光學組件以在所述選擇的結(jié)構(gòu)上沿其長度方向形成所述第一和第二束斑，以此實現(xiàn)所述第一和第二束斑的空間偏移。167.半導體基片(740)，其根據(jù)權(quán)利要求157所述的方法被處理。168.一種系統(tǒng)，其包括脈沖激光器；從所述脈沖激光器延伸向半導體基片(740)上的不同的第一和第二位置的第一和第二激光束傳播路徑，所述半導體基片(740)包含將被來自所述脈沖激光器的輻照處理的結(jié)構(gòu)，其中所述結(jié)構(gòu)具有表面、寬度和長度，其中在一個脈沖期間，所述第一和第二束斑照射到所述結(jié)構(gòu)上的不同的第一和第二位置，由此每個激光光斑圍繞所述結(jié)構(gòu)的至少所述寬度，并且所述第一個和第二束斑沿著所述選擇的結(jié)構(gòu)的所述長度在空間上彼此偏移，由此定義被所述第一和第二束斑均覆蓋的重疊區(qū)域和被所述第一和第二束斑之一或全部束斑覆蓋的大體區(qū)域，其中所述大體區(qū)域比所述第一束斑大，并且比所述第二束斑也大，且其中所述脈沖用各自的能量輻照所述第一和第二束斑，以引起對所述大體區(qū)域的至少一部分區(qū)域的所述選擇的結(jié)構(gòu)在寬度范圍內(nèi)的完整深度處理。169.根據(jù)權(quán)利要求168所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述第一和第二傳播路徑之內(nèi)的分束器(745)，所述分束器(745)將具有RF功率電平和RF頻率的RF信號接收作為輸入，其中所述分束器將經(jīng)過它的激光束衍射成由預定角度間隔的兩個射束。170.根據(jù)權(quán)利要求169所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二束斑的空間偏移小于所述激光束光斑尺寸的約50％，其被供應(yīng)到所述分束器(745)的所述RF信號的RF頻率確定。171.根據(jù)權(quán)利要求168所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二傳播路徑具有不同的長度，其建立所述激光脈沖在所述第一和第二束斑處入射到所述結(jié)構(gòu)之間的延時。172.根據(jù)權(quán)利要求168所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二傳播路徑包括預定長度的光纖。173.根據(jù)權(quán)利要求168所述的系統(tǒng)，其中所述第一和第二傳播路徑之一包括光學元件(735)，其改變光學特性使得到達所述第一和第二束斑的脈沖具有不同的光學特性。全文摘要使用多個激光束處理處于半導體基片(740)之上或之內(nèi)的導電性鏈路的方法和系統(tǒng)。例如，使用N個連續(xù)激光脈沖以獲得吞吐量益處的方法，其中N≥2。所述鏈路被布置在多個大致平行的沿大體縱向延伸的行中。所述N個連續(xù)激光脈沖沿著各自的N個射束軸線傳播，直至入射到選定鏈路。產(chǎn)生的激光光斑的圖案可以位于N個不同行的鏈路上，或同一行的不同鏈路上，或在同一鏈路上，或者部分或者完全重疊。產(chǎn)生的激光光斑可以在行的縱向上彼此偏移，或在垂直于行的縱向的方向上彼此偏移，或在兩個方向上都彼此偏移。文檔編號B23K26/06GK101023510SQ200580026305公開日2007年8月22日申請日期2005年6月16日優(yōu)先權(quán)日2004年6月18日發(fā)明者K·J·布呂蘭,H·W·洛,B·W·貝爾德,F·G·埃文斯,R·S·哈里斯,Y·孫,S·N·斯瓦倫申請人:電子科學工業(yè)公司