一種輔助植物生長的照明方法和設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本申請的目的是一種輔助植物生長的照明方法和設(shè)備，所述照明設(shè)備包括發(fā)光芯片、熒光體，其中，所述發(fā)光芯片用于向所述熒光體投射激發(fā)光束；所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述熒光體的主波長包括640nm～680nm，且半波寬度大于或等于40nm。進而使得所發(fā)出的波長范圍大部分都落在植物光合作用的高效能區(qū)間，且同時發(fā)出光線的波長囊括了促進植物發(fā)芽、長高、開花的光譜范圍，從而，能夠輔助植物快速的生長，以提高作物質(zhì)量和產(chǎn)量，滿足人們對一些經(jīng)濟作物的急速擴大的需求。
【專利說明】
_種輔助植物生長的照明方法和設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請涉及發(fā)光元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種輔助植物生長的照明的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們生活水平的提高和現(xiàn)代農(nóng)業(yè)技術(shù)的發(fā)展，人們對農(nóng)作物的需求越來越高。用通常的種植方法，一些有藥用價值的植物或者經(jīng)濟作物的生長周期比較長，季節(jié)性要求高，所以市場對于一些對農(nóng)作物有輔助生長的技術(shù)有迫切的需求。
[0003]目前，在作物輔助照明上，通常采用的是熒光燈或者氣體放電燈補光。由于熒光燈和氣體放電燈發(fā)出的光譜通常是在280nm?100nm之間都有分布，所以其能量非常分散。而對光合作用最有利的高效光，主要分布在6 1nm?720nm部分，最高效能點在660nm前后。焚光燈和氣體放電燈的光譜分布中，對植物能產(chǎn)生高效光合作用的能量分布非常有限，從而這兩類光源的輔助生長作用比較低，且能耗很高，不能實現(xiàn)低碳環(huán)保。另一方面，也有普通的白光LED(發(fā)光二極管)做的作物輔助生長燈具，這類光源由于所發(fā)出的光廣泛分布在400nm?780nm范圍內(nèi)，所以效率也不高。
[0004]目前，還有一些采用單色晶片(chip)封裝的LED的植物生長燈，這類光源可以將發(fā)出的光的主波長設(shè)置在660nm前后，但是由于其半波寬度在20-25nm前后，因此需要兩種以上的chip才能覆蓋光和作用的高效點660nm和作物長高需要的720nm?100nm光譜，控制比較復雜，而且此類光源效能受溫度影響很大，發(fā)射光譜能量隨工作溫度的升高急劇下降，因此綜合效率也不是很高，且制作作物照明器具明顯復雜，同時成本也很高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請的目的是提供一種輔助植物生長的照明的方法和設(shè)備，能夠解決現(xiàn)有方案無法提供一種輔助植物生長的高綜合效率和低成本的光源問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種輔助植物生長的照明設(shè)備，其特征在于，所述照明設(shè)備包括:發(fā)光芯片、熒光體，其中，所述發(fā)光芯片用于向所述熒光體投射激發(fā)光束;所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述焚光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nmo
[0007]進一步地，所述照明設(shè)備包括封裝裝置，所述發(fā)光芯片和熒光體設(shè)置于所述封裝裝置的內(nèi)部。
[0008]進一步地，所述照明設(shè)備包括:電源裝置;其中，所述發(fā)光芯片通過連接線與所述電源裝置進行電連接;或所述發(fā)光芯片與所述電源裝置通過引腳進行電連接。
[0009]更進一步地，所述封裝裝置包括:連接單元;其中，所述熒光體通過所述連接單元固定在所述封裝裝置的內(nèi)表面。
[0010]進一步地，所述發(fā)光芯片包括一個或多個發(fā)光二極管芯片。
[0011]進一步地，所述發(fā)光芯片投射的激發(fā)光束為以下至少任一項:藍光、紫光、紫外光。
[0012]進一步地，所述照明設(shè)備還包括:信號輸入控制裝置，其中，
[0013]所述信號輸入控制裝置用于通過控制所述發(fā)光二極管芯片端的電流信號進行選擇所述發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及所述激發(fā)光束的顏色。
[00? 4] 進一步地，所述焚光體的主波長為660nm，且半波寬度為40nm?150nm。
[0015]根據(jù)本申請的另一方面，還提供了一種輔助植物生長的照明方法，所述方法包括:發(fā)光芯片向熒光體投射激發(fā)光束;所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述焚光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nmo[ΟΟ??] 進一步地，所述焚光體的主波長為660nm，且半波寬度為40nm?150nm。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請?zhí)峁┑妮o助植物生長的照明設(shè)備，包括發(fā)光芯片、熒光體，其中，所述發(fā)光芯片用于向所述熒光體投射激發(fā)光束;所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述熒光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nm。進而使得所發(fā)出的波長范圍大部分都落在植物光合作用的高效能區(qū)間，且同時發(fā)出光線的波長囊括了促進植物長高的光譜范圍，從而，能夠輔助植物快速的生長，以提高作物質(zhì)量和產(chǎn)量，滿足人們對一些經(jīng)濟作物的急速擴大的需求。
【附圖說明】
[0018]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0019]圖1示出根據(jù)本申請一個方面的一種輔助植物生長的照明設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2示出根據(jù)本申請一個方面的一個優(yōu)選實施例的輔助植物生長的照明原理的示意圖；
[0021]圖3示出根據(jù)本申請一個方面的一個優(yōu)選實施例中獲得的光譜圖形。
[0022]附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對本申請作進一步詳細描述。
[0024]需要說明的是，下述實施例僅為本申請的優(yōu)選實施例，并非全部?；趯嵤┓绞街械膶嵤├绢I(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得其它實施例，都屬于本申請的保護范圍。
[0025]圖1示出根據(jù)本申請一個方面的一種輔助植物生長的照明設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。所述照明設(shè)備包括:發(fā)光芯片7和熒光體4，其中，所述發(fā)光芯片7用于向所述熒光體4投射激發(fā)光束;所述熒光體4被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述熒光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nmo
[0026]在此，本申請的一實施例中通過采用特性波長的發(fā)光芯片，配合特別調(diào)配的熒光材料(焚光體)，其中，焚光體的主波長選用為640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nm，與一些添加劑調(diào)配成本申請所需的熒光材料，用發(fā)光芯片發(fā)出的激發(fā)光譜激發(fā)熒光體，使其發(fā)出的光譜的能量不小于能量強度峰值的10%的波長范圍覆蓋590nm?770nm區(qū)間，同時滿足植物光合作用的高能效區(qū)間和植物長高的光譜區(qū)間。其中，所選的發(fā)光芯片優(yōu)選為LED芯片，LED芯片能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的半導體，具有壽命長、光效高、低功耗等優(yōu)點；所選的熒光材料溫度效率穩(wěn)定性較高，能夠在較高的工作溫度即80度-150度范圍內(nèi)維持較高的光輸出溫度穩(wěn)定特性，保持較高的電光轉(zhuǎn)換效率，從而更加節(jié)能和促進植物生長。另外，熒光體接收發(fā)光芯片發(fā)出的激發(fā)光譜從而發(fā)出到植物的光優(yōu)選為深紅色光或紅光這樣的單色光，而若直接由發(fā)光芯片直接發(fā)出深紅色光或紅色光為植物提供所需的光譜，則所需的芯片制作工藝技術(shù)難度大且隨著使用時的發(fā)熱，光效會直降40%?50%，若為了滿足植物生長要求，采用至少兩種不同波長的單色芯片配合，則控制比較復雜，且成本較高。本申請一實施例中所述的輔助植物生長的照明設(shè)備能夠一次性滿足植物光合作用所需的610nm?700nm這一高效能波段和植物長高所需的720nm?770nm波段，且降低了成本，隨著使用時發(fā)熱造成的溫度的升高，光效下降較少，相對穩(wěn)定。
[0027]需要說明的是，因所用熒光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nm，使得焚光體被激發(fā)后照射到植物上的能量強度峰值主要分布在640nm?680nm內(nèi)，能量強度峰值的約10%?85%會分布在590nm?770nm這一波段范圍內(nèi)，能量強度峰值的約30 %?85 %會分布在61nm?640nm內(nèi)；與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請所述的照明設(shè)備使得植物需要光合作用的高能效區(qū)間光譜范圍更集中，即能量主要集中在640nm?680nm這一波段，同時又囊括了植物長高所需的光譜范圍720nm?770nm這一波段。所述照明設(shè)備滿足低成本要求，且高效地輔助植物快速的發(fā)芽、生長、長高、開花，以提高作物質(zhì)量和產(chǎn)量。同時，較寬的以660nm為主波長的發(fā)射半波寬，能夠很好的覆蓋目前發(fā)現(xiàn)的多種在植物生長中起關(guān)鍵作用的葉綠素的峰值吸收光譜，這樣就不需要因為種植的植物種類發(fā)生變化而更換不同的輔助生長補光器具。
[0028]需要說明的是，所述發(fā)光芯片可以是包括但不限于包括注入式半導體發(fā)光器件、半導體激光器件和光電耦合器件，其中，所述注入式半導體發(fā)光器件包括發(fā)光二極管(LED)、數(shù)碼管、符號管、米字管及矩陣管等。所述發(fā)光芯片結(jié)構(gòu)包括但不限于包括水平芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)、倒裝芯片結(jié)構(gòu)、CSP(chip scale package，芯片級封裝)結(jié)構(gòu)。在本申請的一個優(yōu)選實施例中，將所述發(fā)光芯片優(yōu)選為發(fā)光二極管(LED)芯片。當然，在本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解所述發(fā)光二極管(LED)芯片僅為所述發(fā)光芯片的一個方面的優(yōu)選實施例，其他現(xiàn)有的或今后可能出現(xiàn)的所述發(fā)光芯片如可適用于本申請，也應(yīng)包含在本申請保護范圍以內(nèi)，并在此以引用方式包含于此。
[0029]優(yōu)選地，所述照明設(shè)備包括封裝裝置3，所述發(fā)光芯片7和熒光體4設(shè)置于所述封裝裝置3的內(nèi)部。
[0030]在此，所述封裝裝置3包括LED支架或基板，例如SMD( Surf ace mounted devices，表面貼裝器件)封裝需要支架，C0B(chip on board，板上工藝)封裝需要基板，CSP(chipscale package，芯片級封裝)類封裝可以不含支架或基板，參考圖1，在本申請的一優(yōu)選實施例中，采用了低成本的封裝支架塑膠體作為封裝裝置，優(yōu)選地，所述封裝裝置3包括:連接單元，其中，所述熒光體通過所述連接單元固定在所述封裝裝置的內(nèi)表面。例如，圖1中，連接單元5優(yōu)選為封裝膠，熒光體4通過封裝膠涂覆在封裝裝置3的內(nèi)部，從而熒光體4能夠吸收由發(fā)光芯片7所投射的激發(fā)光譜，并轉(zhuǎn)換成高效能的單色光，通過封裝裝置3照射到植物上。
[0031]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解，上述實施例中所述的封裝形式僅為本申請的一優(yōu)選實施例，其他現(xiàn)有的或今后可能出現(xiàn)的封裝形式如可適用于本申請，也應(yīng)包含在本申請保護范圍以內(nèi)，并在此以引用方式包含于此。
[0032]優(yōu)選地，所述照明設(shè)備包括:電源裝置;其中，所述發(fā)光芯片通過連接線與所述電源裝置進行電連接;或所述發(fā)光芯片與所述電源裝置通過引腳進行電連接。
[0033]在此，所述發(fā)光芯片通過連接線與所述電源裝置進行電連接，繼續(xù)參考圖1，在一優(yōu)選實施例中，支架包括負電極1、正電極2和封裝支架塑膠體3，電源裝置包括負電極I和正電極2，LED芯片7固定在負電極I上，也可以固定在正電極2上，通過兩條連接線6分別與負電極I和正電極2保持電連接，其中，連接線6根據(jù)實際場景應(yīng)用優(yōu)選為金線，通過正電極2的電流可以通過金線6流經(jīng)LED芯片7，使LED芯片7發(fā)出激發(fā)光譜，流經(jīng)LED芯片7的電流通過另一條金線6到達負電極I，流出本LED光源器件。在本申請又一優(yōu)選實施例中，當采用COB封裝或其他需要基板的封裝時，所述發(fā)光芯片固定在固定裝置上，所述電源裝置設(shè)置于所述固定裝置中，所述發(fā)光芯片與所述固定裝置中的電源裝置通過引腳進行電連接。在此，所述固定裝置包括PCB板(印刷電路板)或FPC板(柔性電路板)或其他基板，一方面為發(fā)光芯片提供支撐，一方面為發(fā)光芯片供電，例如，發(fā)光芯片通過引腳焊接與電源裝置進行電連接。
[0034]優(yōu)選地，所述發(fā)光芯片包括一個或多個發(fā)光二極管芯片。
[0035]在此，所述發(fā)光芯片可以為一個LED芯片，也可以是多個LED芯片，其中，所述發(fā)光芯片投射的激發(fā)光束為以下至少任一項:藍光、紫光、紫外光。在一實施例中，LED芯片為一個時，發(fā)出的光束為藍光或紫光或紫外光，優(yōu)選地為藍光這一單色光，因?qū)τ谕幻娣e大小的晶片來說，單色光中藍色光的能量效率會更高，且價格更加經(jīng)濟而容易獲得。也可以是多個LED芯片組成的發(fā)光芯片，都是發(fā)藍光的芯片或都是發(fā)紫光的芯片或有些是發(fā)藍光剩下的發(fā)紫光等情況的組合。
[0036]更優(yōu)選地，所述照明設(shè)備還包括:信號輸入控制裝置(未示出)，其中，所述信號輸入控制裝置用于通過控制所述發(fā)光二極管芯片端的電流信號進行選擇所述發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及所述激發(fā)光束的顏色。
[0037]在此，信號輸入控制裝置通過控制LED芯片端的電流信號進行選擇LED芯片的數(shù)量，如是一個LED芯片進行發(fā)光還是多個芯片進行發(fā)光，發(fā)出藍光的LED芯片數(shù)量和發(fā)出紫光的LED芯片數(shù)量，選擇所要發(fā)光的LED芯片數(shù)量后能夠確定發(fā)光芯片發(fā)出的光束的顏色。例如，有三個發(fā)藍光的LED芯片和兩個發(fā)紫光的LED芯片，將發(fā)出同一顏色光的LED芯片放在同一條電路上，通過兩條電路上的電流進行控制LED芯片進行發(fā)光的芯片數(shù)量和所發(fā)出的光束的顏色。
[0038]優(yōu)選地，所述焚光體的主波長為660nm，且半波寬度為40nm?150nm。
[0039]在一優(yōu)選實施例中，熒光體4可以是一種熒光體，也可以是兩種或兩種以上的熒光體的混合。主波長優(yōu)選為660nm時發(fā)射的半波寬，最有利于植物的光合作用，能夠很好的覆蓋目前發(fā)現(xiàn)的多種在植物生長中起關(guān)鍵作用的葉綠素的峰值吸收光譜，這樣就不需要因為種植的植物種類發(fā)生變化而更換不同的輔助生長補光器具。在此，需要說明的是，由于半導體參雜時，電子云禁帶寬度(band gap)—般都是一個固定值造成，所以空穴和電子復合時，能量是一個很固定的范圍，對應(yīng)這個能量的光的波長為一個固定值造成，因而形成的顏色很純或者飽和度很高的單色光，因此它的半波寬度很窄，適合普通的照明領(lǐng)域，而本申請實施例中所用的熒光體的色飽和比較差，在做RGB(紅綠藍顏色模型)混光時色域空間比較小，在和其他熒光粉合成激發(fā)白光時，會造成合成的白光效率比較低，在普通照明領(lǐng)域為不優(yōu)秀熒光材料，但依照植物生長需求方面，本申請所用的熒光體的半波寬度會比較寬，能夠?qū)崿F(xiàn)很寬的光譜覆蓋，因此在本申請的實施例中，采用熒光體的主波長與半波寬度進行相互配合為植物提供所需的光譜范圍，為一種比較優(yōu)秀的方案。需要說明的是，半波寬度小于40nm時，接收發(fā)光芯片的激發(fā)光譜進行轉(zhuǎn)換的波長在710nm以上的光譜能量會很低，為了保證710nm以上的波段的光譜能量能夠滿足植物生長要求，半波寬度需要大于或等于40nm，需要注意的是，在實際應(yīng)用中，半波寬度還應(yīng)小于150nm，因當半波寬度大于150nm時，會使促進光合作用的能量很大一部分分散到低能效區(qū)間，降低光合作用的效率。
[0040]本申請所述的照明設(shè)備，通過發(fā)光芯片7發(fā)出的激發(fā)光譜激發(fā)熒光體4，使其發(fā)出波長范圍也囊括了720nm?770nm這一段促進植物長高的光譜范圍，另外，一小部分未照射到熒光體4的激發(fā)光譜，連同熒光體輻射的深紅色光，透過封裝膠5照射出去，而透射出去的這一小部分光的波長恰好在450nm前后，這是植物光合作用的次高效波長，這部分光也能很好的輔助植物進行光合作用。通過這種方式，獲得的植物生長需要的波長在590nm?770nm的光。
[0041]本申請還提供了一種輔助植物生長的照明方法，其特征在于，所述方法:發(fā)光芯片向熒光體投射激發(fā)光束;所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述焚光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nmo
[0042]圖2示出根據(jù)本申請另一個方面的一個優(yōu)選實施例的輔助植物生長的照明原理的示意圖；其中，B為發(fā)光芯片7發(fā)出的藍光或紫光或紫外光;R是B激發(fā)熒光體4產(chǎn)生的深紅色光，優(yōu)選地，所述焚光體4的主波長為660nm，且半波寬度為40nm?150nm?？梢允且环N焚光體，也可以是兩種或兩種以上的熒光體的混合。利用本申請所述的輔助植物生長的方法包括:激發(fā)光譜B直接或者通過封裝支架塑膠體3與負電極I及正電極2的反射，一部分照射到熒光體4上，激發(fā)熒光體4產(chǎn)生輻射深紅色光R，一小部分未照射到熒光體4的激發(fā)光譜B，連同熒光體4輻射的深紅色光R，透過封裝膠5照射出去，從而獲得植物生長需要的波長在590nm ?770nm的光。
[0043]在本申請一優(yōu)選實施例中，熒光體4的主波長優(yōu)選為663nm，半波寬度為104nm，發(fā)光芯片4的主波長優(yōu)選為450nm，通過實驗獲得的光譜如圖3所示，圖3示出根據(jù)本申請一個方面的一個優(yōu)選實施例中獲得的光譜圖形。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解，光譜圖形中，能量強度峰值作為100%，以能量強度峰值作為參考進行繪制光譜圖形。在該優(yōu)選實施例中，設(shè)置能量強度峰值的10%為波長篩選閾值，獲取不小于能量強度峰值的10%的波長，由圖3可看出，利用本申請所述的方法和設(shè)備，可獲得波長在590nm?770nm的高能量的光，從而滿足植物光合作用和長高的需求。
[0044]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本申請不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本申請的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本申請。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申請的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化涵括在本申請內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此夕卜，顯然“包括”一詞不排除其他單元或步驟，單數(shù)不排除復數(shù)。裝置權(quán)利要求中陳述的多個單元或裝置也可以由一個單元或裝置通過軟件或者硬件來實現(xiàn)。第一，第二等詞語用來表示名稱，而并不表示任何特定的順序。
【主權(quán)項】
1.一種輔助植物生長的照明設(shè)備，其特征在于，所述照明設(shè)備包括:發(fā)光芯片、熒光體，其中， 所述發(fā)光芯片用于向所述熒光體投射激發(fā)光束； 所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述熒光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nmo2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述照明設(shè)備包括:封裝裝置，所述發(fā)光芯片和熒光體設(shè)置于所述封裝裝置的內(nèi)部。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述照明設(shè)備包括:電源裝置;其中， 所述發(fā)光芯片通過連接線與所述電源裝置進行電連接;或 所述發(fā)光芯片與所述電源裝置通過引腳進行電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述封裝裝置包括:連接單元； 其中，所述熒光體通過所述連接單元固定在所述封裝裝置的內(nèi)表面。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)光芯片包括一個或多個發(fā)光二極管芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)光芯片投射的激發(fā)光束為以下至少任一項:藍光、紫光、紫外光。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述照明設(shè)備還包括:信號輸入控制裝置，其中， 所述信號輸入控制裝置用于通過控制所述發(fā)光二極管芯片端的電流信號進行選擇所述發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及所述激發(fā)光束的顏色。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明設(shè)備，其特征在于，所述熒光體的主波長為660nm，且半波寬度為40nm?150nmo9.一種輔助植物生長的照明方法，其特征在于，所述方法: 發(fā)光芯片向熒光體投射激發(fā)光束； 所述熒光體被所述激發(fā)光束所激發(fā)進行發(fā)光，所發(fā)光照射在植物上，所述熒光體的主波長包括640nm?680nm，且半波寬度大于或等于40nmo10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的照明方法，其特征在于，所述熒光體的主波長為660nm，且半波寬度為40nm?150nmo
【文檔編號】A01G7/04GK106051551SQ201610561177
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月15日
【發(fā)明人】盛書華
【申請人】江蘇華旦科技有限公司