專利名稱：電感耦合等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對制造液晶顯 示裝置(LCD)等平板顯示器(FPD)用的玻璃基板等基板實施等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置(LCD)等的制造工序中，為了對玻璃基板實施規(guī)定的處理，而使用等離子蝕刻裝置、等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積)成膜裝置等各種等離子體處理裝置。作為這樣的等離子體處理裝置，以往雖大多使用電容耦合等離子體處理裝置，但是最近，具有能夠得到高密度的等離子體這樣的大優(yōu)點的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma :ICP)處理裝置引起了人們的關(guān)注。電感耦合等離子體處理裝置是通過在收容被處理基板的處理室的電介質(zhì)窗的外側(cè)配置高頻天線，向處理室內(nèi)供給處理氣體、并且向該高頻天線供給高頻電力，從而在處理室內(nèi)產(chǎn)生電感耦合等離子體，并利用該電感耦合等離子體對被處理基板實施規(guī)定的等離子處理的裝置。作為電感耦合等離子體處理裝置的高頻天線，大多使用呈平面狀的規(guī)定圖案的平面天線。作為公開例，存在專利文獻I。近來，被處理基板的尺寸趨向大型化。例如，若以LCD用的矩形玻璃基板為例，短邊X長邊的長度從約1500_X約1800_的尺寸擴大到約2200_X約2400_的尺寸，甚至擴大到約2800mmX約3000mm的尺寸，其大型化尤為顯著。電感耦合等離子體處理裝置使電介質(zhì)窗部介于高頻天線和處理室之間。被處理基板若大型化，則電介質(zhì)窗部也大型化。對于電介質(zhì)窗部，如專利文獻I所述那樣，一般使用石英玻璃或者陶瓷。可是，石英玻璃或陶瓷質(zhì)脆，不適合大型化。因此，例如，如專利文獻2中所述那樣地分成四份等，將石英玻璃分割成適當大小的分割片以應(yīng)對電介質(zhì)窗部的大型化。專利文獻I :日本特許第3077009號公報專利文獻2 日本特許第3609985號公報然而，被處理基板的大型化仍然在顯著進展中。因此，若不更進一步地增加電介質(zhì)窗部的分割數(shù)就不能形成適當大小的分割片。然而，應(yīng)對被處理基板的大型化，而采用如專利文獻2中所述的直線性的分割方法，并與專利文獻2中的每邊分割成二份將整體均勻地四等分的方法同樣地、將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上而均等地分割成九份，則由于后述的原因而導致產(chǎn)生在處理室內(nèi)的感應(yīng)電場變小，與此相伴，由感應(yīng)電場生成的等離子體變?nèi)醯倪@一情況存在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置是應(yīng)對被處理基板的大型化而將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上，即便在比現(xiàn)有技術(shù)分割成更多的分割片的情況下，也能夠在處理室內(nèi)產(chǎn)生強等離子體。
本發(fā)明的一方式的電感耦合等離子體處理裝置是在處理室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體，來對基板進行等離子處理，所述裝置具備用于在所述等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生所述電感耦合等離子體的高頻天線；配置在所述等離子生成區(qū)域與所述高頻天線之間，并包括多個感應(yīng)部件和支承該多個感應(yīng)部件的導電性梁的電介質(zhì)窗部，所述導電性梁將所述電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上，并且，在所述導電性梁將所述電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上時，在所述導電性梁中不會形成有在所述電介質(zhì)窗部的中央部分沿所述高頻天線生成的閉環(huán)電路。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供下述那樣的電感耦合等離子體處理裝置，即即便在應(yīng)對被處理基板的大型化而將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上并比現(xiàn)有技術(shù)分割了更多的分割片的情況下，也能夠在處理室內(nèi)發(fā)生強等離子體。


圖I是簡要地表示本發(fā)明的一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置的剖視 圖。圖2(A)圖是表示一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第一分割例的俯視圖，⑶圖、(C)圖是從(A)圖省略了高頻天線的俯視圖。圖3(A)圖是表示一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第二分割例的俯視圖，⑶圖、(C)圖是從(A)圖省略了高頻天線的俯視圖。圖4(A)圖是表示一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第三分割例的俯視圖，⑶圖、(C)圖是從(A)圖省略了高頻天線的俯視圖。圖5(A)圖是表示一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第四分割例的俯視圖，⑶圖是從(A)圖省略了高頻天線的俯視圖。圖6是表示高頻天線的其他例的俯視圖。圖7(A)圖是將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份的九分割型電介質(zhì)窗部的俯視圖，(B)圖 (D)圖是從(A)圖省略了聞頻天線的俯視圖。圖8(A)圖是將電介質(zhì)窗部每邊分割成四份的十六分割型電介質(zhì)窗部的俯視圖，(B)圖是從(A)圖省略了高頻天線的俯視圖。符號說明I...主體容器；3...電介質(zhì)窗部；4...天線室；5...處理室；6...金屬支承架；
7. 金屬支承梁高頻天線；16...載置臺。
具體實施例方式在實施方式的說明之前，對若要將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上，則在處理室內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場會變小這一情況進行說明。圖7A是將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份的九分割型電介質(zhì)窗部的俯視圖，圖7B 圖7D是從圖7A省略了高頻天線的俯視圖。如圖7A以及圖7B所示，九分割型電介質(zhì)窗部103被分割成縱橫各是3X 3的共九枚分割片(被分割后的多個感應(yīng)部件)103a 103i。分割片103a 103i被具有格子狀的平面圖案的導電性支承梁、例如金屬支承梁107支承。高頻天線111在本例中有三組，分別是內(nèi)側(cè)高頻天線111a、中間高頻天線111b、以及外側(cè)高頻天線111c。內(nèi)側(cè)高頻天線Illa配置于分割片103i的上方，該分割片103i配置于電介質(zhì)窗部103的中央部位的上方，并且中間高頻天線Illb以及外側(cè)高頻天線Illc配置于八片分割片103a 103h的上方,這八片分割片103a 103h配置于電介質(zhì)窗部103的外側(cè)部分?？墒?，若是這樣的九分割型電介質(zhì)窗部103，則在內(nèi)側(cè)高頻天線Illa與中間高頻天線Illb之間的金屬梁107內(nèi)，產(chǎn)生了沿著這些內(nèi)側(cè)高頻天線Illa與中間高頻天線Illb寄生性生成的環(huán)狀閉環(huán)電路200。若電流I順時針地在內(nèi)側(cè)高頻天線Illa以及中間高頻天線Illb中流動,貝U電流Ii在閉環(huán)電路200中逆時針地流動(圖7C)。相反，若電流I逆時針地在內(nèi)側(cè)高頻天線Illa以及中間高頻天線Illb中流動，則電流Ii在閉環(huán)電路200中就會順時針地流動(圖7D)。即為所謂的反電動勢。 若基于反電動勢產(chǎn)生電流Ii在金屬梁107中流動，則電流Ii會起到消除通過內(nèi) 側(cè)高頻天線Illa以及中間高頻天線Illb而在處理室內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場的作用。因此，在處理室內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場變小，在處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體變?nèi)?。通過以下的實施方式解決如上情況。以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，在圖中，對于相同的部分標以相同的參照符號。圖I是簡要地表示本發(fā)明的一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置的剖視圖。圖I所示的電感耦合等離子體處理裝置能夠用于等離子體處理，例如在Fro用玻璃基板上形成薄膜晶體管時的金屬膜、IT0(Indium Tin Oxide摻錫氧化銦)膜、氧化膜等的蝕刻或抗蝕劑膜的灰化處理等。在此，作為FH)舉例有液晶顯示器(IXD)、電致發(fā)光(ElectroLuminescence ；EL)顯示器、等離子顯示板(F1DP)等。另外，并不局限于FPD用玻璃基板,對太陽能電池板用玻璃基板也能夠使用與上述相同的等離子處理。等離子體處理裝置具備由導電性材料、例如內(nèi)壁表面被進行了陽極氧化處理(anodized處理)后的鋁構(gòu)成的方筒狀的氣密性主體容器I。主體容器I通過接地線2接地。主體容器I利用與主體容器I絕緣并形成的電介質(zhì)窗部3被上下劃分成天線室4以及處理室5。在本例中，電介質(zhì)窗部3構(gòu)成處理室5的頂棚壁。電介質(zhì)窗部3使用電介質(zhì)材料構(gòu)成。電介質(zhì)材料例如為石英玻璃或者陶瓷。在天線室4的側(cè)壁4a與處理室5的側(cè)壁5a之間，設(shè)置有朝向電介質(zhì)窗部3并向主體容器I的內(nèi)側(cè)突出的支承架6以及支承梁7。支承架6以及支承梁7由導電性材料，優(yōu)選金屬構(gòu)成。以下，稱為金屬支承架6以及金屬支承梁7。作為金屬的例子為鋁。在本例中，金屬支承梁7兼做處理氣體供給用的噴淋筐體。金屬支承梁7在兼做噴淋筐體的情況下，在金屬支承梁7的內(nèi)部，形成有與被處理基板G的被處理表面平行延伸的氣體流路8。氣體流路8形成有向處理室5內(nèi)排出處理氣體的多個氣體噴出孔8a。處理氣體從處理氣體供給機構(gòu)9經(jīng)由氣體供給管10向氣體流路8供給，并從氣體噴出孔8a被排出到處理室5的內(nèi)部。在電介質(zhì)窗部3上方的天線室4內(nèi)以面向電介質(zhì)窗部3的方式配置有高頻天線11。高頻天線11利用由絕緣部件構(gòu)成的隔離物12與電介質(zhì)窗部3分離配置。在等離子體處理期間，感應(yīng)電場形成用的高頻電力從第一高頻電源13經(jīng)由匹配器14以及供電部件15向高頻天線11供給。高頻電的頻率例如是13. 56MHz。通過向高頻天線11供給高頻電力，從而在處理室5內(nèi)的等離子體生成區(qū)域中形成感應(yīng)電場。從多個氣體排出孔8a供給的處理氣體利用該感應(yīng)電場在處理室5內(nèi)的等離子生成區(qū)域被等離子化。在處理室5的下方，以借助絕緣部件17而與主體容器I絕緣的狀態(tài)下配置有載置臺16，該載置臺16經(jīng)由電介質(zhì)窗部3并與高頻天線11對置。載置臺16是由導電性材料、例如表面被進行了陽極氧化處理的鋁構(gòu)成。被處理基板G、例如LCD玻璃基板被載置于載置臺16。在載置臺16設(shè)置有靜電卡盤(未圖示)。被處理基板G被靜電卡盤吸引而保持于載置臺16。第二高頻電源18經(jīng)由匹配器19以及供電線20與載置臺16連接。在本例中，在等離子處理期間，從第二高頻電源18經(jīng)由匹配器19以及供電線20向載置臺16供給偏壓用的高頻電力。偏壓用的高頻電力的頻率例如是3. 2MHz。通過對載置臺16施加偏壓用的高頻電力，在處理室5內(nèi)生成的等離子體中的離子被有效地導入被處理基板G。另外，雖未特別圖示，但在載置臺16內(nèi)設(shè)置有用于控制被處理基板G的溫度的陶瓷加熱器等加熱裝置或由制冷流路等構(gòu)成的溫度控制機構(gòu)以及溫度傳感器等。在處理室5的側(cè)壁5a設(shè)置有將被處理基板G搬入搬出處理室5的內(nèi)部的搬入搬 出口 21。搬入搬出口 21利用門閥22被開閉。在處理室5的底壁5b設(shè)置有對處理室5的內(nèi)部進行排氣的排氣口 23。包括真空泵等的排氣裝置24與排氣口 23連接。利用排氣裝置24，對處理室5的內(nèi)部進行排氣，并在等離子處理期間，處理室5內(nèi)部的壓力被設(shè)定并維持在規(guī)定的真空環(huán)境(例如、1.33pa)的壓力。電感耦合等離子體處理裝置被包括計算機的控制部25控制。用戶界面26以及存儲部27與控制部25連接。用戶界面26包括供工程管理人員進行用于管理電感耦合等離子體處理裝置的指令輸入操作等的鍵盤、將電感耦合等離子體處理裝置的運轉(zhuǎn)狀況可視化并顯示的顯示器等。存儲部27中存儲有控制程序，該控制程序通過控制部25的控制實現(xiàn)由電感I禹合等離子體處理裝置中所實行的各種處理；程序(工藝方法process recipe),該程序是根據(jù)處理條件使電感耦合等離子體處理裝置的各部執(zhí)行處理。工藝方法可以存儲在硬盤或半導體存儲器中，并可以以收容在CD-ROM、DVD等可移動性的存儲介質(zhì)中的狀態(tài)安裝于存儲部27。并且，工藝方法例如可以從其它裝置經(jīng)由專用線路使其適當?shù)貍魉?。等離子處理是根據(jù)來自用戶界面26的指示等將任意的工藝方法從存儲部27調(diào)出，使控制部25執(zhí)行按照工藝方法的處理，從而在控制部25控制下進行。接下來，對本發(fā)明的一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部進行說明。(電介質(zhì)窗部的第一分割例)圖2A是表示本發(fā)明的一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第一分割例的俯視圖，圖2B、圖2C是從圖2A省略了高頻天線的俯視圖。如圖2A及圖2B所示，第一分割例的電介質(zhì)窗部3的平面形狀為矩形。矩形的電介質(zhì)窗部3每邊被分割成三份，矩形的電介質(zhì)窗部3被分割成八份分割片(被分割后的多個感應(yīng)部件)3a 3h。這些分割電介質(zhì)窗3a 3h分別被支承在金屬支承架6以及金屬支承梁7上。在本例中，高頻天線11具備環(huán)狀的內(nèi)側(cè)高頻天線Ila和環(huán)狀的外側(cè)高頻天線Ilc以及在內(nèi)側(cè)高頻天線Ila與外側(cè)高頻天線Ilc之間的環(huán)狀的中間高頻天線lib。本實施例中的電介質(zhì)窗部3的分割方法如下。與之前所說明一樣，若將電介質(zhì)窗部單純地每邊分割成三份，雖然能得到如圖7所示的九分割結(jié)構(gòu)，但在本實施方式的天線構(gòu)成中，基于反電動勢而產(chǎn)生的電流會在閉環(huán)電路200中流動，因此必須防止此閉環(huán)電路200產(chǎn)生的電流。于是，如圖2C所示，為了防止使用金屬支承梁7將矩形狀的電介質(zhì)窗部3每邊分割成三份時，在如圖中虛擬線(兩點劃線)表示的電介質(zhì)窗部3的中央部分產(chǎn)生閉環(huán)電路200，在本例中，將使閉環(huán)電路200產(chǎn)生金屬支承梁7如圖中箭頭所示那樣，向電介質(zhì)窗部3的中心點彎曲。由此，在本例中，高頻天線11如圖2A所示那樣，其內(nèi)側(cè)高頻天線Ila在電介質(zhì)窗部3的中央部分與金屬支承梁7交叉。通過這樣對金屬支承梁7的配置加以設(shè)計，從而在內(nèi)側(cè)高頻天線Ila和中間高頻天線Ilb之間，使要沿這些天線IlaUlb產(chǎn)生的閉環(huán)電路200消失。使閉環(huán)電路200消失的結(jié)果是，基于反電動勢產(chǎn)生的電流不會在金屬支承梁7中流動，能夠消除在將電介質(zhì)窗部3每邊分割成三份以上時產(chǎn)生的、在處理室5內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場變小這一情況。如圖2C所示，若想使用金屬支承梁7將矩形狀的電介質(zhì)窗部3每邊分割成三份，則會如圖中虛擬線所·示那樣，在電介質(zhì)窗部3的中央部分，金屬支承梁7中產(chǎn)生閉環(huán)電路200。本例中，將會產(chǎn)生閉環(huán)電路200的金屬支承梁7如圖中箭頭表示，向電介質(zhì)窗部3的中心點彎曲。由此，高頻天線11在本例中如圖2A所示那樣，其內(nèi)側(cè)高頻天線Ila在電介質(zhì)窗部3的中央部分與金屬支承梁7交叉。通過這樣對屬支承梁7的配置加以設(shè)計，從而在內(nèi)側(cè)高頻天線Ila和中間高頻天線Ilb之間，使要沿這些天線IlaUlb產(chǎn)生的閉環(huán)電路200消失。使閉環(huán)電路200消失的結(jié)果為，基于反電動勢產(chǎn)生的電流不會在金屬支承梁7流動，能夠解除將電介質(zhì)窗部3每邊分割三份以上時產(chǎn)生的、在處理室5內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場變小。因此，根據(jù)一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置能夠得到即便在將電介質(zhì)窗部3每邊分割成三份以上的情況下，也能夠在處理室5內(nèi)產(chǎn)生強等離子體這一優(yōu)點。另外，在本例中，金屬支承梁7在電介質(zhì)窗部3的中央部分具有放射狀地延伸的放射狀部位，并且金屬支承梁7具有在所述電介質(zhì)窗部3的中央部分交叉的平面形狀。另外，放射狀部位是沿著電介質(zhì)窗部3的對角線的部位。(電介質(zhì)窗部的第二分割例)在將上述電介質(zhì)窗部每邊分割成三份時產(chǎn)生的、在處理室5內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場變小的這種情況也會在將電介質(zhì)窗部每邊分割4份時產(chǎn)生。參考例如圖8A、圖SB所示。圖8A是將電介質(zhì)窗部每邊分割成四份的16分割型電介質(zhì)窗部的俯視圖，圖8B是圖8A省略了聞頻天線的俯視圖。如圖8A以及圖8B所示，16分割型電介質(zhì)窗部103被分割成縱橫各4X4的共16枚的分割片(被分割后的多個感應(yīng)部件)103a 103p。這些分割片103a 103p被具有格子狀的平面圖案的導電性支承梁例如金屬支承梁107支承。高頻天線111具備內(nèi)側(cè)高頻天線111a、中間高頻天線Illb以及外側(cè)高頻天線111c。內(nèi)側(cè)高頻天線Illa以及中間高頻天線Illb配置于4個分割片103m 103p的上方，這4個分割片103m 103p配置于電介質(zhì)窗部103的中央部分，外側(cè)高頻天線Illc配置于12個分割片中103a 1031的上方，這12個分割片中103a 1031配置于電介質(zhì)窗部103的外側(cè)部分。如圖8A所示，在這樣的16分割型電介質(zhì)窗部103中，在中間高頻天線11 Ib與外側(cè)高頻天線Illc之間的金屬梁107內(nèi)，沿這些中間高頻天線Illb與外側(cè)高頻天線Illc產(chǎn)生寄生性生成的環(huán)狀的閉環(huán)電路200。與圖7A 圖7C所示的九分割型電介質(zhì)窗部的閉環(huán)電路200同樣、基于反電動勢產(chǎn)生的電流在閉環(huán)電路200中流動。因此，由于反電動勢產(chǎn)生的電流會起到消除通過內(nèi)側(cè)高頻天線Illa以及中間高頻天線Illb而在處理室內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場的作用，并且在處理室內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電場變小，從而在處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體變?nèi)?。由此，在金屬支承?07將電介質(zhì)窗部103每邊分割成三份以上時會產(chǎn)生閉環(huán)電路200。反過來說，如專利文獻2那樣，在將電介質(zhì)窗部103每邊分割兩份的時候，因為不會產(chǎn)生這樣的閉環(huán)電路，所以沒有像本專利申請那樣的要解決的課題。第二分割例是在將電介質(zhì)窗部每邊分割四份時，使閉環(huán)電路200消失的例子。圖3A是表示本發(fā)明的一個實施方式的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第二分割例的俯視圖，圖3B、圖3C是從圖3A省略了高頻天線的俯視圖。
如圖3A及圖3B所示，第二分割例的電介質(zhì)窗部3的平面形狀為與第一分割例相同的矩形。矩形的電介質(zhì)窗部3每邊被分割成四份，被分割成12份的分割片(被分割后的多個感應(yīng)部件)3a 31。這些分割電介質(zhì)窗3a 31分別支承于金屬支承架6以及金屬支承梁7上。高頻天線11具備環(huán)狀的內(nèi)側(cè)高頻天線I la、環(huán)狀的外側(cè)高頻天線Ilc以及在內(nèi)側(cè)高頻天線Ila和外側(cè)高頻天線Ilc之間的環(huán)狀的中間高頻天線lib。本實施例中的電介質(zhì)窗部3的分割方法如下。與之前所說明的一樣，若將電介質(zhì)窗部單純地每邊分割成四份，雖然能得到如圖8所示的16分割的結(jié)構(gòu)，但是在本實施方式的天線構(gòu)成中，由于基于反電動勢而產(chǎn)生的電流會在閉環(huán)電路200流動，所以必須防止此閉環(huán)電路200產(chǎn)生的電流。因此，如圖3C所示那樣，為了防止在使用金屬支承梁7將電介質(zhì)窗部3每邊分割成4份時、在電介質(zhì)窗部3的中央部分產(chǎn)生閉環(huán)電路200 (用圖中以虛擬線表示)，而在本例中將使閉環(huán)電路200產(chǎn)生金屬支承梁7與第一分割例同樣、如圖中箭頭所示那樣向電介質(zhì)窗部3的中心點彎曲。由此，在本例中，高頻天線11如圖3A所示,其內(nèi)側(cè)高頻天線11a、中間高頻天線Ilb在電介質(zhì)窗部3的中央部分與金屬支承梁7交叉。即使在這樣的第二分割例中，通過以內(nèi)側(cè)高頻天線11a、中間高頻天線Ilb與金屬支承梁7交叉的方式對金屬支承梁7的配置加以設(shè)計，從而在中間高頻天線Ilb與外側(cè)高頻天線Ilc之間，使要沿這些天線Ilb和Ilc產(chǎn)生的閉環(huán)電路200消失。閉環(huán)電路200消失的結(jié)果是即使在第二分割例中也能夠得到與第一分割例相同的優(yōu)點。另外，在本例中，金屬支承梁7也在電介質(zhì)窗部3的中央部分具有放射狀地延伸的放射狀部位，且金屬支承梁7也具有在上述電介質(zhì)窗部3的中央部分交叉的平面形狀。另外，放射狀部位是沿著電介質(zhì)窗部3的對角線的部位。(電介質(zhì)窗部的第三分割例)第三分割例是從第一分割例進一步增加分割數(shù)的例子。圖4A是表示本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第三分割例的俯視圖，圖4B、圖4C是從圖4A省略了高頻天線的俯視圖。如圖4A及圖4B所示，在第三分割例中，將矩形狀的電介質(zhì)窗部3每邊分割成三份，此外，對角部以外的分割片沿電介質(zhì)窗部3的周向進一步的進行分割。其結(jié)果是，電介質(zhì)窗部3被分割成12份分割片(被分割后的多個感應(yīng)部件)3a 31。這些分割電介質(zhì)窗3a 31分別被支承在金屬支承架6以及金屬支承梁7上。本實施例中的電介質(zhì)窗部3的分割方法如下。如圖4C所示，若使用金屬支 承梁7沿周向0將電介質(zhì)窗部3進一步的分割，則會在電介質(zhì)窗部3的中央部分的、金屬支承梁7中產(chǎn)生閉環(huán)電路200 (用圖中以虛擬線表示)。本例中，不是將會使閉環(huán)電路200產(chǎn)生的金屬支承梁7向電介質(zhì)窗部3的中心點彎曲，而是將金屬支承梁7以在電介質(zhì)窗部3的中央部分斷開的方式配置，以便使閉環(huán)電路200消失。這樣，在第三分割例中，通過將會使閉環(huán)電路200產(chǎn)生的金屬支承梁7在電介質(zhì)窗部3的中央部分斷開，從而在中間高頻天線Ilb與外側(cè)高頻天線Ilc之間，要沿這些天線Ilb和Ilc產(chǎn)生的閉環(huán)電路200消失。閉環(huán)電路200消失的結(jié)果為，即使是在第三分割例中，也能夠得到與第一、第二分割例相同的優(yōu)點。(電介質(zhì)窗部的第四分割例)第四分割例是在將電介質(zhì)窗部3每邊分割成三份以上時，為了使位于電介質(zhì)窗部3的中央部分的全部的金屬支承梁7與高頻天線11交叉，而對金屬支承梁7加以設(shè)計。圖5A是表示本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電感耦合等離子體處理裝置具備的電介質(zhì)窗部的第4分割例的俯視圖，圖5B是從圖5A省略了高頻天線的俯視圖。如圖5A及圖5B所示，在第四分割例中，將矩形狀的電介質(zhì)窗部3每邊分割三份(例如、將圖5B的上邊分割3a、3b、3c的三份)時，在電介質(zhì)窗部3的中央部分，將金屬支承梁7配置在與沿著周向形成環(huán)狀的內(nèi)側(cè)高頻天線11a、中間高頻天線lib、外側(cè)高頻天線Ilc交叉的方向上。本例中，取電介質(zhì)窗部3的對角線方向為與周向交叉的方向。將電介質(zhì)窗部3沿著2個對角線先分成4分。并且，對電介質(zhì)窗部3沿連接第一邊的中心Ol與和第一邊順時針鄰接的第二邊的中心o2的線、連接第二邊的中心o2與和第二邊順時針鄰接的第三邊的中心o3的線、連接第三邊的中心o3與和第三邊順時針鄰接的第四邊的中心o4的線、連接第四邊的中心o4與和第四邊順時針鄰接的第一邊的中心ol的線，進一步進行分割。根據(jù)這樣的分割，電介質(zhì)窗部3被分割成的12枚分割片(被分割后的多個感應(yīng)部件)3a 31。這些分割電介質(zhì)窗部3a 31分別支承于金屬支承架6以及金屬支承梁7上。這樣，即便按照在電介質(zhì)窗部3的中央部分，使金屬支承梁7的全部邊與高頻天線lla、llb、llc交叉的方式，對金屬支承梁7的配置加以設(shè)計，也不產(chǎn)生閉環(huán)電路200。不產(chǎn)生閉環(huán)電路200的結(jié)果為，在第四分割例中也能夠得到與第一至第三分割例相同的優(yōu)點。以上，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能夠提供下述那樣的電感耦合等離子體處理裝置，即即使在將電介質(zhì)窗部3每邊分割三份以上的情況下，因為不會生成產(chǎn)生反電動勢這樣的閉環(huán)電路，所以能夠在處理室5內(nèi)產(chǎn)生強等離子體。另外，本發(fā)明不被限定于上述一個實施方式而能夠進行多種變形。另外，在本發(fā)明的實施方式中上述一個實施方式也并非唯一的實施方式。例如，高頻天線11的構(gòu)造不限于上述實施方式中所公開的構(gòu)造。例如，也能夠使用如圖6所示的漩渦狀的高頻天線40。 如圖6所示，漩渦狀的高頻天線40被構(gòu)成為，在其中心部的周圍的、距中心大致相同半徑位置處且以90°為單位錯開的位置上，具有與圖I所示的供電部件15連接的4個供電部41、42、43、44，從這些供電部41、42、43、44各向外側(cè)延伸出兩根天線。各天線的終端與電容器45連接，各天線經(jīng)由電容器45接地。在這樣的漩渦狀的高頻天線40中，存在天線被緊密配置的位置。本例中，在內(nèi)側(cè)和外側(cè)兩處具有天線被緊密配置的位置。天線被緊密配置的內(nèi)側(cè)位置46a，其對應(yīng)上述一個實施方式的內(nèi)側(cè)高頻天線11a。另外，天線被緊密配置的外側(cè)位置46b對應(yīng)上述一個實施方式的中間高頻天線Ilb或者是外側(cè)高頻天線11c。其中，高頻天線11的構(gòu)造不限定環(huán)狀或者漩渦狀，。再者，在上述實施方式中，雖然舉例說明了作為電感耦合等離子體處理裝置一個例子的灰化裝置，但是不限定灰化裝置、蝕刻、CVD成膜等其他等離子處理裝置也能夠應(yīng)用。再者，作為被處理基板雖然使用了 Fro基板，但本發(fā)明不限于此，對半導體晶片等 其它基板進行處理的情況也能夠應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種電感耦合等離子體處理裝置，其在處理室內(nèi)的等離子生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體，來對基板進行等離子處理，所述裝置的特征在于， 具備 用于在所述等離子生成區(qū)域產(chǎn)生所述電感耦合等離子體的高頻天線；以及配置在所述等離子生成區(qū)域與所述高頻天線之間，并包括多個感應(yīng)部件和支承該多個感應(yīng)部件的導電性梁的電介質(zhì)窗部， 所述導電性梁將所述電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上， 并且，在所述導電性梁將所述電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上時，在所述導電性梁中不會形成在所述電介質(zhì)窗部的中央部分沿所述高頻天線生成的閉環(huán)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述導電性梁被配置成在所述電介質(zhì)窗部的中央部分與所述高頻天線交叉，以便使所 述閉環(huán)電路消失。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或者2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述導電性梁具有在所述電介質(zhì)窗部的中央部分放射狀地延伸的放射狀部位、且所述導電性梁在所述電介質(zhì)窗部的中央部分交叉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述放射狀部位沿著所述電介質(zhì)窗部的對角線。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任意一項所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述導電性梁被配置成在所述電介質(zhì)窗部的中央部分斷開，以便使所述閉環(huán)電路消失。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任意一項所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述導電性梁的全部的邊在所述電介質(zhì)窗部的中央部分與所述高頻天線交叉。
7.根據(jù)權(quán)利要求I 6中任意一項所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于， 所述高頻天線至少包括第一高頻天線和位于該第一高頻天線的外側(cè)的第二高頻天線的、兩根， 所述閉環(huán)電路是在所述第一高頻天線與所述第二高頻天線之間沿著所述第一高頻天線與所述第二高頻天線而形成環(huán)狀的電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電感耦合等離子體處理裝置，該處理裝置即使在應(yīng)對被處理基板的大型化而將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上，從而比現(xiàn)有技術(shù)分割了更多片的分割片的情況下，也能夠在處理室內(nèi)產(chǎn)生強等離子體。該裝置具備用于在處理室內(nèi)的等離子生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體的高頻天線(11a)～(11c)；配置在等離子生成區(qū)域與所述高頻天線(11a)～(11c)之間，并包含多個感應(yīng)部件(3a)～(3h)和支承該多個感應(yīng)部件(3a)～(3h)的導電性梁(7)的電介質(zhì)窗部(3)。導電性梁(7)將電介質(zhì)窗部每邊分割成三份以上，并且，在導電性梁(7)將電介質(zhì)窗部(3)每邊分割成三份以上時，在導電性梁(7)中不會形成有在電介質(zhì)窗部(3)的中央部分沿著高頻天線(11a)、(11b)生成的閉環(huán)電路(200)。
文檔編號H01J37/32GK102751156SQ20121011917
公開日2012年10月24日 申請日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月21日
發(fā)明者東條利洋, 佐佐木和男 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社