專利名稱：：等離子顯示面板的制造方法及其制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：在此所公開的技術(shù)涉及用于顯示設(shè)備等的等離子顯示面板的制造方法及其制造置。
背景技術(shù)：
：等離子顯示面板(以下稱為“PDP”)的制造裝置具備配管用的頭(head)，其與制造過(guò)程中的作為PDP的工件連結(jié)；配管，其與頭連接；氣瓶，其用于向配管噴出放電氣體；和放電氣體回收電路，其回收殘留于配管內(nèi)的放電氣體。放電氣體回收電路經(jīng)由接頭相對(duì)于配管可裝卸地進(jìn)行連接(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。但是，在配管內(nèi)混入大氣中的雜質(zhì)氣體的情況下，雜質(zhì)氣體將流入PDP內(nèi)。若雜質(zhì)氣體流入PDP內(nèi)，則PDP的放電狀態(tài)會(huì)惡化。也就是說(shuō)，PDP的圖像顯示質(zhì)量將下降。專利文獻(xiàn)1JP特開2009-2M286號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容PDP的制造方法具備通過(guò)配管從形成于對(duì)向配置的基板之間的放電空間排氣的步驟；接著，通過(guò)從配管分出的氣體配管將放電氣體導(dǎo)入到放電空間的步驟；和接著，從配管回收殘留于配管以及氣體配管中的放電氣體的步驟。PDP的制造裝置具備排氣單元，其通過(guò)配管從形成于對(duì)向配置的基板之間的放電空間排氣；放電氣體導(dǎo)入單元，其通過(guò)從配管分出的氣體配管將放電氣體導(dǎo)入到放電空間；和放電氣體回收單元，其回收殘留于配管以及氣體配管中的放電氣體。進(jìn)而，放電氣體回收單元與配管連接。圖1是表示PDP的構(gòu)造的立體圖。圖2是實(shí)施方式1以及2涉及的制造工序的流程圖。圖3是表示封接(sealing)·排氣時(shí)的握持構(gòu)件的安裝狀態(tài)的俯視圖。圖4是表示在進(jìn)排氣孔安裝排氣管的狀態(tài)的截面圖。圖5是表示現(xiàn)有的PDP制造裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖6是現(xiàn)有的封接·排氣工序的流程圖。圖7是表示封接·排氣工序的切下(chipoff)的狀態(tài)的截面圖。圖8是表示封接·排氣工序的切下的狀態(tài)的截面圖。圖9是表示封接·排氣工序的切下的狀態(tài)的截面圖。圖10是實(shí)施方式1以及2涉及的封接·排氣工序的流程圖。圖11是表示實(shí)施方式1以及2涉及的PDP制造裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖12是表示比較例的PDP制造裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖13是表示回收的放電氣體的全壓力變化的圖。(符號(hào)說(shuō)明)IPDP19進(jìn)排氣孔21排氣管21a排氣管剩余部22扁塊23排氣頭30a，30b，31PDP制造裝置32加熱機(jī)構(gòu)33爐體34真空排氣裝置系35氣體導(dǎo)入裝置系36a,36b,36c,36d,36e,36f37a,37b歧管38真空排氣裝置39主閥門40a放電氣體導(dǎo)入裝置40b惰性氣體導(dǎo)入裝置41連接部42排氣裝置43，43a，43b排出口44罐體45增壓部46真空壓力計(jì)47回收容器48回收部50配管52氣體配管具體實(shí)施例方式[1.PDP1的概要]本實(shí)施方式涉及的PDPl是交流表面放電型PDP。如圖1所示，PDPl是構(gòu)成一對(duì)的、前面板2和背面板3夾著阻隔壁4而對(duì)置的構(gòu)造。前面板2具有顯示電極8，該顯示電極8由形成于前面玻璃基板5上的多對(duì)的、掃描電極6和維持電極7構(gòu)成。前面板2還具有覆蓋顯示電極8的電介質(zhì)層9、和覆蓋電介質(zhì)層9的保護(hù)層10。另外，掃描電極6和維持電極7可以是在透明電極6a、7a上層疊總線電極6b、7b的構(gòu)造。背面板3具有形成于背面玻璃基板11的主面上的多個(gè)數(shù)據(jù)電極12。背面板3還具有覆蓋數(shù)據(jù)電極12的電介質(zhì)層13、和在相當(dāng)于電介質(zhì)層13上的數(shù)據(jù)電極12之間的位置4所形成的阻隔壁4。并且，背面板3具有形成于相鄰的阻隔壁4之間的熒光體層14R、14G、14B。在前面板2和背面板3之間形成有放電空間15。圖1中的箭頭表示圖像的顯示方向16。[2.PDPl的制造方法]如圖2所示，PDPl的制造方法大致分為形成前面板2的步驟(SlO)、形成背面板3的步驟(S20)、以及對(duì)前面板2和背面板3進(jìn)行裝配的步驟(S30)。SlO由形成掃描電極/維持電極的步驟(Sll)、形成電介質(zhì)層的步驟(S12)、和形成保護(hù)膜的步驟(S13)構(gòu)成。S20由形成數(shù)據(jù)電極的步驟(S21)、形成基底電介質(zhì)層的步驟(S22)、形成阻隔壁的步驟(SM)、和形成熒光體層的步驟(S24)構(gòu)成。另外，S30由進(jìn)行封接、排氣、放電氣體導(dǎo)入的步驟(S31)、進(jìn)行時(shí)效處理的步驟(S32)、和取出PDP的步驟(S33)構(gòu)成。[2-1.S31的預(yù)備階段]如圖3所示，作為封接的準(zhǔn)備，在前面板2、背面板3中的任意一個(gè)的周邊部，按照包圍圖像顯示區(qū)域18的方式形成密封構(gòu)件17。密封構(gòu)件17包含燒結(jié)玻璃、有機(jī)樹脂等。通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、注塑法等對(duì)密封構(gòu)件17進(jìn)行涂布。接著，通過(guò)加熱來(lái)去除密封構(gòu)件17中的有機(jī)樹脂成分。接著，將前面板2和背面板3對(duì)向配置。并通過(guò)卡子等握持構(gòu)件20不偏離地對(duì)符合規(guī)定的位置的前面板2和背面板3進(jìn)行臨時(shí)固定。為了從PDPl內(nèi)排氣，在PDPl預(yù)先形成進(jìn)排氣孔19。進(jìn)排氣孔19形成于PDPl的拐角部。其理由主要有兩個(gè)。在圖像顯示區(qū)域18的、形成有阻隔壁4的區(qū)域，很難形成進(jìn)排氣孔19。在PDPl的長(zhǎng)邊部或短邊部，由于安裝有向PDPl提供電力等的撓性電路基板，因此也很難形成進(jìn)排氣孔19。另一方面，在PDPl中，要求盡量縮小除圖像顯示區(qū)域18以外的區(qū)域(外廓部)。因此，進(jìn)排氣孔19形成于靠近密封構(gòu)件17的位置。如圖4所示，在進(jìn)排氣孔19，經(jīng)由作為封接材料且在中心部具有空孔的扁塊(tablet)22而安裝有排氣管21。作為扁塊22的材料，例如使用低熔點(diǎn)的燒結(jié)玻璃等。扁塊22按照進(jìn)排氣孔19的中心和扁塊22的空孔的中心對(duì)齊的方式進(jìn)行配置。另外，在進(jìn)行定位以使排氣管21在背面板3—側(cè)的端部的開口部的中心和進(jìn)排氣孔19的中心大致一致后，安裝排氣管21。排氣管21由未圖示的固定夾具進(jìn)行固定以使排氣管21的中心和進(jìn)排氣孔19的中心不偏離。另外，排氣管21在背面板3的相反側(cè)的端部連接有排氣頭23。排氣頭23經(jīng)由排氣管21等與從PDPl內(nèi)排氣并向PDPl內(nèi)提供放電氣體的氣體進(jìn)排氣部、和進(jìn)排氣孔19連接。[2-2.S31的詳細(xì)][2-2-1.現(xiàn)有技術(shù)]如圖5所示，現(xiàn)有的PDP制造裝置30a是將作為氣體進(jìn)排氣部的真空排氣裝置系34、和氣體導(dǎo)入裝置系35與具備加熱機(jī)構(gòu)32的爐體33相連接的結(jié)構(gòu)。在圖5中，用短虛線包圍的部分是真空排氣裝置系34。在圖5中，用長(zhǎng)虛線包圍的部分是氣體導(dǎo)入裝置系35。真空排氣裝置系34由閥門36a、歧管37a、真空排氣裝置38、主閥門39、配管50構(gòu)成。氣體導(dǎo)入裝置系35由具有氣瓶等的放電氣體導(dǎo)入裝置40a、閥門36b、歧管37a、主閥門39、氣體配管52、配管50構(gòu)成。真空排氣裝置系34和氣體導(dǎo)入裝置系35共有歧管37a、主閥門39、配管50的一部分。此外，在圖5中，省略了進(jìn)排氣孔19以及排氣管21周邊部的描述。如圖5、圖6所示，在S34中，首先將用握持構(gòu)件20進(jìn)行臨時(shí)固定的PDPl載置于爐體33內(nèi)。接著，加熱機(jī)構(gòu)32將爐體33內(nèi)升溫至密封構(gòu)件17以及扁塊22熔化的溫度。此后，加熱機(jī)構(gòu)32將爐體33內(nèi)冷卻至密封構(gòu)件17以及扁塊22凝固的溫度。由密封構(gòu)件17對(duì)前面板2和背面板3進(jìn)行氣密封接。另外，由扁塊22對(duì)排氣管21和背面板3進(jìn)行氣密封接。在S35中，加熱機(jī)構(gòu)32再次將爐體33內(nèi)加熱至規(guī)定的溫度。接著，真空排氣裝置系34從PDPl內(nèi)排氣。PDPl內(nèi)的排氣通過(guò)排氣頭23、配管50等進(jìn)行。此時(shí)，真空排氣裝置系；34的閥門36a打開，氣體導(dǎo)入裝置系35的閥門36b關(guān)閉。在S36中，加熱機(jī)構(gòu)32將爐體33的溫度降溫至例如室溫附近。在S37中，將放電氣體導(dǎo)入PDPl內(nèi)。此時(shí)，關(guān)閉閥門36a。并打開閥門36b。放電氣體是例如氖(Ne)80%-氙(Xe)20%的混合氣體。放電氣體導(dǎo)入后的PDPl內(nèi)的壓力約為53kPa80kP￡io在S38中，對(duì)排氣管21的規(guī)定的部分進(jìn)行局部加熱。排氣管21的一部分熔化進(jìn)而阻塞。將排氣管21的阻塞的部分切斷。排氣管21被封切，從而PDPl被氣密封接(切下)。在S39中，將PDPl從PDP制造裝置30a取出。在S40中，進(jìn)一步導(dǎo)入放電氣體直到配管50以及氣體配管52的內(nèi)部壓力達(dá)到大氣壓(在海拔Om約101.3kPa)為止。在S41中，去除排氣管剩余部21a(參照?qǐng)D9)。導(dǎo)入放電氣體至大氣壓為止的理由是為了避免在去除排氣管剩余部21a時(shí)，大氣中的雜質(zhì)氣體混入真空排氣裝置系34以及氣體導(dǎo)入裝置系35的內(nèi)部。在S42中，將配置有排氣管21和扁塊22的PDPl載置于爐體33內(nèi)。在S43中，為了排氣管21的洗凈，流入放電氣體。以上，完成S31所含的一系列循環(huán)。S40以及S43是重要的步驟。若將它們省略，則會(huì)有雜質(zhì)氣體混入PDPl內(nèi)部的情況。在PDPl的圖像顯示時(shí)，會(huì)有例如雜質(zhì)氣體使亮度降低、顏色不均等不良狀況產(chǎn)生的情況。[2-3.S38的詳細(xì)]如圖7所示，由從燃?xì)馄?0的氣體噴出孔61噴出的氣體產(chǎn)生的火焰63對(duì)排氣管21的側(cè)面進(jìn)行加熱。若排氣管21的溫度通過(guò)加熱達(dá)到軟化點(diǎn)溫度(例如，約630°C)，則排氣管21開始漸漸地熔化。此時(shí)，排氣管21的內(nèi)壓與PDPl內(nèi)部同壓(約53kPa80kPa)，從而低于外氣壓(大氣壓)。因此，如圖8所示，排氣管21的側(cè)面朝著排氣管21的內(nèi)側(cè)被逐漸吸入。若進(jìn)一步由燃?xì)馄?0繼續(xù)加熱，則排氣管21的熔化的壁之間相互融合形成阻塞。此后，如圖9所示，將排氣管21的阻塞部分切斷。排氣管21固定于PDP1。排氣管剩余部21a從PDPl分離，且固定于排氣頭23。在現(xiàn)有技術(shù)中，用于放電氣體導(dǎo)入的氣體配管52由單一的系統(tǒng)形成。因此，作為在S40、S43中使用的氣體，只使用了放電氣體。作為放電氣體，例如使用Ne-Xe混合氣體。Xe是大氣中只含有0.087ppm的稀有價(jià)值很高的氣體。另外，由于產(chǎn)量存在限制且當(dāng)前需求增加，因此^？成為難以獲取的材料。另一方面，也考慮通過(guò)減小配管直徑，使配管容積(Xe氣體殘留量)減少。但是，在此情況下，由于排氣時(shí)的電導(dǎo)率會(huì)下降，因此排氣能力降低。另外，為了彌補(bǔ)電導(dǎo)率的降低，也考慮縮短配管長(zhǎng)度。但由于制造裝置的限制，難以縮短配管長(zhǎng)度。如上所述，減少配管容積是困難的。因此，控制Xe的使用量很重要。[3-1.實(shí)施方式1][3-1-1.放電氣體回收的概要]在圖10中，對(duì)與圖6所示的步驟相同的步驟賦予相同符號(hào)。在圖11中，對(duì)與圖5所示的現(xiàn)有技術(shù)相同的結(jié)構(gòu)賦予相同符號(hào)。并且，在實(shí)施方式1中，適當(dāng)省略與現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明重復(fù)的部分。如圖11所示，PDP制造裝置31以具備回收部48為特征?；厥詹?8具有與真空排氣裝置系34連接的連接部41、配置于連接部41的下游的排氣裝置42、臨時(shí)存貯放電氣體的罐體44、對(duì)罐體44的放電氣體進(jìn)行加壓的增壓部45、和收納加壓后的放電氣體的回收容器47。PDP制造裝置31還具有排出口43，該排出口43設(shè)置有用于與回收部48連接的閥門36d。另外，PDP制造裝置31具備惰性氣體導(dǎo)入裝置40b以及閥門36c。如圖10所示，本實(shí)施方式中，在S39取出PDPl后，在S401連接部41與排出口43連接。此外，由于在S38(切下)排氣管剩余部21a被密封，因此即使取出PDP1，配管50及氣體配管52(以下稱為配管系統(tǒng))的放電氣體也會(huì)被保留。因此，PDPl的取出和回收部48的連接的時(shí)序不限于上述，即使前后顛倒也沒(méi)關(guān)系。其次，打開閥門36d。通過(guò)排氣裝置42確認(rèn)沒(méi)有來(lái)自連接部41的泄漏。接著，打開主閥門39以及閥門36e。并將殘留于配管系統(tǒng)的放電氣體回收到罐體44。最后，關(guān)閉閥門36d。此后，解除連接部41和排出口43之間的連接?；厥盏姆烹姎怏w經(jīng)增壓部45加壓后存貯到回收容器47。另外，在S402以及S43，打開閥門36c，從惰性氣體導(dǎo)入裝置40b導(dǎo)入惰性氣體。此外，在本實(shí)施方式中，PDP1、真空排氣裝置系34、和氣體導(dǎo)入裝置系35—起移動(dòng)。另一方面，對(duì)回收部48進(jìn)行固定。也就是說(shuō)，若在回收部48前，切下后的PDP1、真空排氣裝置系34、和氣體導(dǎo)入裝置系35到達(dá)，則連接部41與排出口43連接。在本實(shí)施方式中，將殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體存貯到回收部48的回收容器47。此后，回收的放電氣體通過(guò)再提純而高純度化。對(duì)高純度化的放電氣體進(jìn)行再利用。[3-1-2.放電氣體回收的詳細(xì)]在本實(shí)施方式中，在連接部41與排出口43連接后，保持關(guān)閉閥門36d，而打開閥門36g。通過(guò)排氣裝置42，對(duì)大氣開放的部分進(jìn)行真空排氣。連接部41的壓力只要從排氣開始起20秒后下降到50kPa以下即可。壓力由設(shè)置于連接部41的壓力計(jì)(未圖示)確認(rèn)。在20秒后50kPa以下的數(shù)值是由排氣裝置42的排氣能力和容許泄漏量之間的關(guān)系所決定的。將該數(shù)值設(shè)定為使后述的再提純時(shí)的雜質(zhì)混入量在規(guī)定以下即可。接下來(lái)，為了連結(jié)真空排氣裝置系34和氣體導(dǎo)入裝置系35，打開主閥門39以及閥門36e，或者閥門36e以及閥門36f。此后，打開閥門36d，使殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體排放到與排氣裝置42的后部連接的罐體44。若排氣結(jié)束，則關(guān)閉閥門36d來(lái)解除連接部41的連接。增壓部45使存貯于罐體44中的放電氣體的壓力上升。增壓的放電氣體被送往回收容器47。此后，需要去除排氣管剩余部21a。但是，若就這樣直接去除排氣管剩余部21a，則在配管系統(tǒng)的內(nèi)部將形成負(fù)壓，從而大氣會(huì)流入配管系統(tǒng)。即，大氣中的雜質(zhì)氣體會(huì)混入到配管系統(tǒng)。[3-1-3.惰性氣體的導(dǎo)入]放電氣體殘留在配管系統(tǒng)中是無(wú)法避免的。但是，在本實(shí)施方式中，氣體導(dǎo)入裝置系35還具有惰性氣體導(dǎo)入裝置40b以及閥門36c。通過(guò)將惰性氣體導(dǎo)入到配管系統(tǒng)中，可以削減殘留在配管系統(tǒng)中的Xe的量。如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，在S40中，進(jìn)一步導(dǎo)入放電氣體直至配管系統(tǒng)的內(nèi)部壓力達(dá)到大氣壓為止。另一方面，在本實(shí)施方式中，在S402中，打開閥門36c來(lái)將惰性氣體從惰性氣體導(dǎo)入裝置40b導(dǎo)入到配管系統(tǒng)。通過(guò)惰性氣體，配管系統(tǒng)的內(nèi)部壓力上升至大氣壓。放電氣體的削減量是排出到大氣中的大約4L、和排氣管21的洗凈量份的大約0.5L的總和，大約為4.5L。但是，削減量是在能對(duì)回收的放電氣體進(jìn)行100%再提純的情況下得到的。削減量還取決于配管系統(tǒng)的容積。此外，作為放電氣體的代替氣體的惰性氣體使用氮(N2)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)和氡(1)等。但是，為了削減Xe的使用量，應(yīng)該避開Xe而選擇其他的惰性氣體。在本實(shí)施方式中，使用Ne作為惰性氣體。Ne價(jià)格便宜。另外，在本實(shí)施方式中，Ne是放電氣體的成分之一，因此即使混入到PDP1，也能降低給發(fā)光特性帶來(lái)的影響。另外，在本實(shí)施方式中的制造裝置中，為了防止由于閥門36c等的故障而使惰性氣體流入PDPl內(nèi)，采取以下措施。首先，在歧管37a設(shè)置有真空壓力計(jì)46。使得配管內(nèi)的真空度滿足某基準(zhǔn)。具體來(lái)說(shuō)，在只打開閥門36a而關(guān)閉閥門36b、36c和主閥門39的狀態(tài)下，通過(guò)真空排氣裝置38向配管內(nèi)排氣。此時(shí)，確認(rèn)真空壓力計(jì)46的壓力是否達(dá)到1.0X10_5Pa以下。由此，即使例如閥門36c泄漏而使惰性氣體流入PDP1，若在上述的真空度以下，則也可以維持PDPl的圖像顯示質(zhì)量。另外，相比放電氣體導(dǎo)入裝置40a的壓力，將惰性氣體導(dǎo)入裝置40b的壓力設(shè)定地較低。由此，在向PDPl內(nèi)導(dǎo)入放電氣體時(shí)，即使閥門36c泄漏，放電氣體導(dǎo)入裝置40a的放電氣體也將優(yōu)先被導(dǎo)入PDPl內(nèi)。進(jìn)而，還將放電氣體導(dǎo)入用的歧管37b和排氣用的歧管37a分離。另外，歧管37a和連接部41能經(jīng)由排出口43連接。這是基于以下的理由。一般而言，在排放(回收)關(guān)閉的配管內(nèi)的氣體的情況下，極限壓力依賴于泵的能力。達(dá)到極限壓力的時(shí)間取決于配管的容積。也就是說(shuō)，配管的容積越大，達(dá)到某極限壓力的時(shí)間越長(zhǎng)，反之，容積越小，時(shí)間越短。如圖12所示，在比較例的PDP制造裝置30b中，除了設(shè)置于歧管37a的排出口43a以外，在歧管37b也設(shè)置有排出口43b(省略回收部48的記載)。如上所述，相比將回收部48與排出口43a連接來(lái)回收放電氣體，將回收部48與排出口4連接來(lái)回收放電氣體，其用于回收而排氣的配管系統(tǒng)的容積較小。S卩，達(dá)到結(jié)束放電氣體的回收的壓力的時(shí)間較短。即，放電氣體的回收效率將提高。但是，在設(shè)置有排出口4的情況下，在S37中，將回收部48從排出口4取下時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大氣中的雜質(zhì)氣體從排出口4混入到氣體配管52中的可能性。在雜質(zhì)氣體混入到氣體配管52的情況下，雜質(zhì)氣體經(jīng)由排氣管21流入PDPl內(nèi)。若雜質(zhì)氣體流入PDPl內(nèi)，則PDPl的放電狀態(tài)將惡化。也就是說(shuō)，PDPl的圖像顯示質(zhì)量會(huì)降低，從而對(duì)PDPl的制造裝置而言成為致命的缺陷。因此，在本實(shí)施方式中，如圖11所示，將回收部48設(shè)置于真空排氣裝置系34。由此，即使大氣中的雜質(zhì)氣體從排出口43混入，也將止于流入真空排氣裝置系34。S卩，能抑制雜質(zhì)氣體流入PDPl內(nèi)。因此，能維持PDPl的制造成品率。[3-2.實(shí)施方式2]在本實(shí)施方式中，決定對(duì)放電氣體進(jìn)行回收的時(shí)間。如圖11所示，回收部48具備真空壓力計(jì)46。因此，能測(cè)定回收的放電氣體的壓力。在本實(shí)施方式中，在真空壓力計(jì)46的值達(dá)到某規(guī)定值的時(shí)間點(diǎn)(或基于此的規(guī)定時(shí)間)停止回收。通常，通過(guò)將回收時(shí)間設(shè)置得充分，來(lái)增加放電氣體的回收量。但是，如圖13所示，隨著回收時(shí)間的流逝，殘留于配管系統(tǒng)的放電氣體被回收，從而回收氣體的全壓力逐漸下降。此處，回收氣體的全壓力是指真空壓力計(jì)46顯示的值。但是，如圖13所示，在回收氣體中存在一定量的大氣。這起因于來(lái)自回收部48的連接部41和排出口43之間的連接處的大氣泄漏(向配管系統(tǒng)的大氣泄漏)?；厥詹?8、和與氣體導(dǎo)入裝置系35連接的真空排氣裝置系34是可解除連接的結(jié)構(gòu)。即，不是完全的密閉型的連接方式。因此，與完全的密閉型的連接方式相比，在連接部?jī)H產(chǎn)生少量的大氣泄漏。其結(jié)果是，如圖13所示，與回收氣體的全壓力的變化相同，回收氣體中的放電氣體的存在比例逐漸減少。另一方面，回收氣體中的大氣的存在比例逐漸增加。但是，在大氣中存在1體積％左右的氬(Ar)。在回收氣體的再提純中，去除殘留在回收氣體中的Ar比較困難。因此，在使用再提純后的放電氣體的情況下，在PDPl內(nèi)將混入Ar。作為發(fā)明者們的研究結(jié)果，明確了在放電氣體中存在Ar的情況下，會(huì)產(chǎn)生圖像顯示所需的驅(qū)動(dòng)電壓隨著PDPl的點(diǎn)亮?xí)r間而上升的問(wèn)題。這對(duì)PDPl而言是致命的缺陷。因此，在本實(shí)施方式中，為了兼顧放電氣體的回收量的確保和大氣中的雜質(zhì)氣體的混入減少，通過(guò)真空壓力計(jì)46來(lái)測(cè)定回收氣體的全壓力。根據(jù)全壓力值的變動(dòng)，在某規(guī)定值(或者，在基于此值的時(shí)間)處停止回收時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)，按如下方式來(lái)決定回收的結(jié)束時(shí)間。首先，測(cè)定PDPl的驅(qū)動(dòng)電壓相對(duì)于放電氣體中的Ar濃度的變化。進(jìn)而，為了PDPl能維持良好的圖像顯示水平，判斷出放電氣體中的Ar濃度必須在體積換算下的Ippm以下。接著，估計(jì)出回收氣體中的容許Ar濃度。此外，容許Ar濃度是根據(jù)作為一般的氣體提純方法的深冷分離法的提純能力而計(jì)算出的。然后，回收氣體的全壓力在達(dá)到容許Ar濃度的壓力(或，達(dá)到其的時(shí)間)的時(shí)間點(diǎn)停止回收。由此，能抑制大氣中的雜質(zhì)氣體的混入。即，能抑制雜質(zhì)氣體流入到PDPl內(nèi)。因9此，能維持PDPl的制造成品率。[3-3.其他的實(shí)施方式]在實(shí)施方式1及實(shí)施方式2中，PDP制造裝置31具備作為惰性氣體導(dǎo)入單元的惰性氣體導(dǎo)入裝置40b。但是，在PDP制造裝置31中，惰性氣體導(dǎo)入裝置40b非必要條件。艮口，PDP制造裝置31若具備放電氣體導(dǎo)入裝置40a、設(shè)置于真空排氣裝置系34的排出口43、和連接于排出口43的回收部48，則能進(jìn)行大氣中的雜質(zhì)氣體的放電氣體的回收。[4.結(jié)論]實(shí)施方式所公開的PDP的制造方法具備通過(guò)配管50從形成于對(duì)向配置的基板即前面板2和背面板3之間的放電空間排氣的步驟(S35)；通過(guò)從配管50分出的氣體配管52將放電氣體導(dǎo)入到放電空間的步驟(S37)；和從配管50回收殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體的步驟(S401)。通過(guò)這樣的方法，能回收未能導(dǎo)入到PDPl而殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體。進(jìn)而能抑制雜質(zhì)氣體流入到PDPl內(nèi)。因此，能維持PDPl的制造成品率?；厥辗烹姎怏w的步驟(S401)還可以包括如下步驟作為回收用配管的連接部41與設(shè)置于配管50的排出口43相連接，并通過(guò)連接部41來(lái)回收放電氣體。通過(guò)這樣的方法，使回收部48的連接及連接的解除更加容易。由此，放電氣體的回收的效率將提高。回收放電氣體的步驟(S401)還可以包括對(duì)回收的放電氣體的特性值進(jìn)行測(cè)定的步驟、和通過(guò)特性值來(lái)決定回收放電氣體的步驟的結(jié)束時(shí)間的步驟。通過(guò)這樣的方法，能抑制大氣中的雜質(zhì)氣體混入回收的放電氣體中。進(jìn)而，特性值可以是回收的放電氣體的壓力。通過(guò)這樣的方法，能通過(guò)真空壓力計(jì)等簡(jiǎn)單地測(cè)定特性值。特性值還可以是回收的放電氣體中的氧、氮、氬、二氧化碳中的至少一種的濃度。通過(guò)這樣的方法，能直接測(cè)定給PDPl的放電特性帶來(lái)影響的雜質(zhì)氣體的濃度，因此能更加正確地設(shè)定停止回收的時(shí)間。此外，在回收放電氣體的步驟(S401)之后，還可以包括從氣體配管52導(dǎo)入惰性氣體的步驟(S402)。通過(guò)這樣的方法，能削減配管系統(tǒng)中殘留的放電氣體量。因此，能削減用于回收的放電氣體的再提純的成本。實(shí)施方式所公開的PDP制造裝置31具備真空排氣裝置38，其是通過(guò)配管50從形成于對(duì)向配置的基板即前面板2和背面板3之間的放電空間排氣的排氣單元；放電氣體導(dǎo)入裝置40a，其是通過(guò)從配管50分出的氣體配管52將放電氣體導(dǎo)入到放電空間的放電氣體導(dǎo)入單元；和回收部48，其是回收殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體的放電氣體回收單元。進(jìn)而，回收部48與配管50連接。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能回收未能導(dǎo)入PDPl而殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體。進(jìn)而能抑制雜質(zhì)氣體流入到PDPl內(nèi)。由此，能維持PDPl的制造成品率。回收部還可以具備測(cè)定回收的放電氣體的特性值的測(cè)定單元。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能抑制大氣中的雜質(zhì)氣體混入回收的放電氣體中。測(cè)定單元還可以是壓力計(jì)或氣體濃度計(jì)。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，特別是在使用壓力計(jì)的情況下，能簡(jiǎn)單地測(cè)定特性值。特別是在使用氣體濃度計(jì)的情況下，能直接測(cè)定給PDPl的放電特性帶來(lái)影響的雜質(zhì)氣體的濃度，因此能更加正確地設(shè)定停止回收的時(shí)間。還可以將作為惰性氣體供給單元的惰性氣體導(dǎo)入裝置40b與氣體配管52連接。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能削減在配管系統(tǒng)中殘留的放電氣體量。因此，能削減回收的放電氣體的再提純所花的成本。在實(shí)施方式中的PDPl中，按規(guī)定導(dǎo)入適當(dāng)?shù)姆烹姎怏w，且沒(méi)有發(fā)生發(fā)光不均、亮度降低等問(wèn)題。另外，相比現(xiàn)有技術(shù)還能大幅削減放電氣體的使用量。如上所述，由于本發(fā)明在PDP的制造中將提高放電氣體的使用效率，因此能廣泛地應(yīng)用于PDP的制造。權(quán)利要求1.一種等離子顯示面板的制造方法，具備通過(guò)配管從形成于對(duì)向配置的基板之間的放電空間排氣的步驟；接著，通過(guò)從所述配管分出的氣體配管將放電氣體導(dǎo)入到所述放電空間的步驟；和接著，從所述配管回收殘留于所述配管以及所述氣體配管中的放電氣體的步驟。2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，回收所述放電氣體的步驟還包括將回收用配管與所述配管連接，并通過(guò)所述回收用配管來(lái)回收放電氣體的步驟。3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，回收所述放電氣體的步驟還包括對(duì)回收的放電氣體的特性值進(jìn)行測(cè)定的步驟；和根據(jù)所述特性值來(lái)決定回收所述放電氣體的步驟的結(jié)束時(shí)間的步驟。4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，所述特性值是回收的放電氣體的壓力。5.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，所述特性值是回收的放電氣體中的氧、氮、氬、二氧化碳中的至少一種的濃度。6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的制造方法，其中，在回收所述放電氣體的步驟之后，還包括從所述氣體配管導(dǎo)入惰性氣體的步驟。7.一種等離子顯示面板的制造裝置，具備排氣單元，其通過(guò)配管從形成于對(duì)向配置的基板之間的放電空間排氣；放電氣體導(dǎo)入單元，其通過(guò)從所述配管分出的氣體配管將放電氣體導(dǎo)入到所述放電空間；和放電氣體回收單元，其回收殘留于所述配管以及所述氣體配管中的放電氣體，所述放電氣體回收單元與所述配管連接。8.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示面板的制造裝置，其中，所述等離子顯示面板的制造裝置還具備測(cè)定單元，該測(cè)定單元對(duì)回收的放電氣體的特性值進(jìn)行測(cè)定。9.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示面板的制造裝置，其中，所述測(cè)定單元是壓力計(jì)或氣體濃度計(jì)。10.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示面板的制造裝置，其中，所述氣體配管還與惰性氣體供給單元連接。全文摘要本發(fā)明的等離子顯示面板的制造方法具備通過(guò)配管從形成于對(duì)向配置的基板即前面板和背面板之間的放電空間排氣的步驟；通過(guò)從配管分出的氣體配管將放電氣體導(dǎo)入到放電空間的步驟；和從配管回收殘留于配管系統(tǒng)中的放電氣體的步驟。文檔編號(hào)H01J9/395GK102272877SQ201080004369公開日2011年12月7日申請(qǐng)日期2010年11月16日優(yōu)先權(quán)日2009年11月20日發(fā)明者佐佐木良樹,大河政文,平潤(rùn)一,渡邊利幸,渡邊衛(wèi),竹田有吾,船岡武夫,西中勝喜申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社