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等離子顯示設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):2936847閱讀:206來源:國知局
專利名稱:等離子顯示設(shè)備的制作方法
等離子顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域本文件涉及等離子顯示設(shè)備。
背景技術(shù)
等離子顯示設(shè)備包括其上使用等離子放電顯示圖像的等離子顯示 面板,和位于等離子顯示面板前面的濾光器。等離子顯示面板包括由阻擋條分隔的放電單元內(nèi)的熒光材料層和 多個(gè)電極。將驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過電極提供到放電單元,由此在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電時(shí),在放電單元中填充的放電 氣體產(chǎn)生真空紫外線,由此引起放電單元內(nèi)形成的熒光材料發(fā)光,從 而在等離子顯示面板的屏幕上顯示圖像。發(fā)明內(nèi)容一個(gè)方面中,等離子顯示設(shè)備包括其上顯示圖像的等離子顯示 面板;和濾光器,其位于等離子顯示面板前面,包括吸收或反射近紅 外線的近紅外線屏蔽層,其中等離子顯示面板包括其上彼此平行地形 成第一電極和第二電極的前基片,其上形成第三電極以交叉第一電極 和第二電極的后基片,其中在后基片中省略排氣單元,且形成在前和 后基片之間的阻擋條分隔放電單元,其中放電單元填充有包括大于等 于基于放電氣體的總重量10%的氙(Xe)的放電氣體。


附圖是為了能進(jìn)一步了解本發(fā)明而包含的,并且被納入本說明書 中構(gòu)成本說明書的一部分,這些附圖示出了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施 例,并用于與本說明書一起對(duì)本發(fā)明的原理進(jìn)行說明。圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的配置的一個(gè)實(shí)例;圖2a到2d示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的等離子顯 示面板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例;圖3示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的進(jìn)一步包括在等離子顯示面板和濾 光器之間的緩沖器的等離子顯示設(shè)備;圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制造等離子顯示面板的方法的一個(gè) 實(shí)例,其中省略了排氣單元;圖5a和5b是示出了在氙(Xe)的含量和驅(qū)動(dòng)電壓的幅度之間的 關(guān)系和在氛(Xe)的含量和亮度之間的關(guān)系的曲線圖;圖6a和6b示出了濾光器的沉積;圖7示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的濾光器的一個(gè)實(shí)例;圖8示出了近紅外線屏蔽層;圖9示出了電磁干擾(EMI)屏蔽層;圖IO示出了外部光屏蔽層;圖lla到lle示出了圖形部分的功能;圖12a到12e示出了其它形式的圖形部分;圖13a和13b示出了圖形部分的延伸方向;圖Ha到14c示出了多種類型的圖形部分;圖15示出了使用每個(gè)具有不同圖形的兩個(gè)或多個(gè)圖形部分的情 況的一個(gè)實(shí)例;圖16示出了圖形部分的另一結(jié)構(gòu);圖17示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例用于實(shí)現(xiàn)由等離子顯示設(shè)備顯示的 圖像的灰度級(jí)的幀; 圖18示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的操作的一個(gè)實(shí)例;圖19a和19b示出了另一形式的上升信號(hào)和第二下降信號(hào);且 圖20示出了另一類型的維持信號(hào)。
具體實(shí)施方式
將詳細(xì)參考本發(fā)明的具體實(shí)施例,在附圖中示出了其實(shí)例。圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的配置的一個(gè)實(shí)例。參考圖1,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備包括其上顯示圖像 的等離子顯示面板100,和位于等離子顯示面板100的前面的濾光器 110。濾光器110包括通過吸收或反射當(dāng)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板100時(shí)產(chǎn) 生的近紅外線來屏蔽近紅外線的近紅外線屏蔽層。濾光器110包括近紅外線屏蔽層的原因?qū)⒃谙旅嬖敿?xì)解釋。下面是參考圖2a到2d,對(duì)使用等離子放電在其上顯示圖像的等離 子顯示面板IOO的具體描述。圖2a到2d示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的等離子顯 示面板的結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。參考圖2a,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的等離子顯示面板 包括彼此接合的前基片201和后基片211。在前基片201上,彼此平行 地形成第一電極202和第二電極203。在后基片211上,形成第三電極 213以交叉第一電極202和第二電極203。
在后基片211中省略排氣單元??梢栽谇盎?01和后基片211兩者中省略排氣單元。排氣單元可以是排氣孔、排氣嘴嘴(exhaust tip) 或排氣管的至少其中之一。稍后將參考圖3詳細(xì)描述排氣單元。第一電極202和第二電極203在放電空間(也就是,放電單元) 內(nèi)產(chǎn)生放電,且維持放電單元的放電。在其上形成第一電極202和第二電極203的前基片201的上部上, 形成用于覆蓋第一電極202和第二電極203的上介質(zhì)層204。上介質(zhì)層204限制第一電極202和第二電極203的放電電流,且 提供第一電極202和第二電極203之間的絕緣。在上介質(zhì)層204的上表面上形成保護(hù)層205以促進(jìn)放電條件???通過在上介質(zhì)層204的上部上沉積比如氧化鎂(MgO)的材料形成保 護(hù)層205。在其上形成第三電極213的后基片211的上部上形成用于覆蓋第 三電極213的下介質(zhì)層215。下介質(zhì)層215提供第三電極213的絕緣。在下介質(zhì)層215的上部上形成條形、井形、三角形、蜂窩形等的 阻擋條212,以分隔放電空間(也就是,放電單元)。在前基片201和 后基片211之間形成紅(R)放電單元、綠(G)放電單元,和藍(lán)(B) 放電單元等。除了紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元外,還可進(jìn)一步在 前基片201和后基片211之間形成白色(W)放電單元或黃色(Y)放 電單元。紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元的節(jié)距(pitch)可基本
上彼此相等。但是,紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元的節(jié)距也可彼此不同,以控制紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元中的 白平衡。在這個(gè)情況中,所有紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元的 節(jié)距可彼此不同,或作為選擇地,紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放 電單元的至少其中之一的節(jié)距和其它放電單元的節(jié)距不同。例如,如 圖2b所示,紅(R)放電單元的節(jié)距(a)最小,綠(G)和藍(lán)(B) 放電單元的節(jié)距(b和c)大于紅(R)放電單元的節(jié)距(a)。綠(G)放電單元的節(jié)距(b)可基本上等于或不同于藍(lán)(B)放 電單元的節(jié)距(c)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板可具有多種形式的阻擋條結(jié) 構(gòu),以及如圖2a所示的阻擋條212的結(jié)構(gòu)。例如,阻擋條212包括第 一阻擋條212b和第二阻擋條212a。阻擋條212可具有其中第一阻擋條 212b的高度和第二阻擋條212a的高度彼此不同的差別類型阻擋條結(jié) 構(gòu),其中在第一阻擋條212b或第二阻擋條212a的至少一個(gè)上形成可 用作排氣路徑的通道的通道類型阻擋條結(jié)構(gòu),其中在第一阻擋條212b 或第二阻擋條212a的至少一個(gè)上形成空洞(hollow)的空洞類型阻擋 條結(jié)構(gòu)等。在差別類型阻擋條結(jié)構(gòu)中,如圖2c所示,第一阻擋條212b的高 度hl可小于第二阻擋條212a的高度h2。另外,在通道類型阻擋條結(jié) 構(gòu)或空洞類型阻擋條結(jié)構(gòu)中,可在第一阻擋條212b上形成通道或空洞。雖然示出和描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板具有在相同行 上排列的紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元,但是可以以不同 圖形排列它們。例如,可應(yīng)用其中以三角形形狀排列紅(R)、綠(G), 和藍(lán)(B)放電單元的三角類型排列。另外,放電單元可具有多種多邊
形形狀,比如五邊形和六邊形形狀以及矩形形狀。由阻擋條212分隔的每個(gè)放電單元填充有預(yù)定的放電氣體。放電 氣體包括基于放電氣體的總重量大于等于10%的氤(Xe)。放電氣體 可包括基于放電氣體的總重量的13-30%的氤(Xe)。稍后將具體描述 放電氣體。在由阻擋條212分隔的放電單元內(nèi)形成在產(chǎn)生尋址放電時(shí)發(fā)射用 于圖像顯示的可見光的熒光材料層214。例如,可在放電單元內(nèi)形成紅 (R)、綠(G),和藍(lán)(B)熒光材料層。除了紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)熒光材料層,還可以進(jìn)一步 形成白色(W)熒光材料層和/或黃色(Y)熒光材料層。在紅(R)、綠(G),和藍(lán)(B)放電單元內(nèi)形成的熒光材料層 214的厚度(寬度)可基本上彼此相等?;蛘?,在紅(R)、綠(G)、 和藍(lán)(B)放電單元的至少其中之一中的熒光材料層的厚度可不同于在 其它放電單元中熒光材料層214的厚度。例如,如圖2d所示,在綠(G) 或藍(lán)(B)放電單元中熒光材料層214b和214a的厚度t2和t3大于在 紅(R)放電單元中熒光材料層214c的厚度tl。在綠(G)放電單元中 熒光材料層214b的厚度t2可基本上等于或不同于在藍(lán)(B)放電單元 中熒光材料層214a的厚度t3。應(yīng)該注意,上面僅示出和描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面 板的一個(gè)實(shí)例,且該實(shí)施例不限于上述結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板。例如, 雖然上述示出了其中每個(gè)上介質(zhì)層204和下介質(zhì)層215以單一層的形 式形成的情況,但是也可以多個(gè)層的形式形成上介質(zhì)層204和下介質(zhì) 層215的至少其中之一??稍谧钃鯒l212的上部上進(jìn)一步形成用于吸收外部光的黑色層、.(沒有示出),以防止由阻擋條212引起的外部光的反射。另外,可進(jìn)一步在前基片201上對(duì)應(yīng)于阻擋條212的預(yù)定位置形成另一黑色層(沒有示出)。在后基片211上形成的第三電極213可具有基本上恒定的寬度或 厚度。另外,放電單元內(nèi)第三電極213的寬度或厚度可不同于放電單 元外第三電極213的寬度或厚度。例如,放電單元內(nèi)第三電極213的 寬度或厚度可大于放電單元外第三電極213的寬度或厚度。以這種方式,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)可以多種 方式改變。因?yàn)樯鲜銮盎?10包括玻璃材料,外部沖擊很可能對(duì)前基片210 造成損壞。為防止該損壞,進(jìn)一步在等離子顯示面板IOO和濾光器之間形成 緩沖器。下面是參考圖3的緩沖器的具體描述。圖3示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的進(jìn)一步包括在等離子顯示面板和濾 光器之間的緩沖器的等離子顯示設(shè)備。參考圖3,在等離子顯示面板100和濾光器110之間形成一個(gè)或 多個(gè)緩沖器120和130。緩沖器120和130可包括比如樹脂或玻璃的材 料。緩沖器120和130吸收從外部施加到等離子顯示面板100的沖擊, 由此保護(hù)等離子顯示面板100。為更加有效地保護(hù)等離子顯示面板100, 緩沖器120和130的厚度tl和t2的至少一個(gè)的范圍從200um到400 U m。 緩沖器120和130可包括抗沖擊膜。例如,緩沖器120可包括抗 沖擊膜,緩沖器130可包括樹脂材料。雖然圖3中緩沖器的數(shù)目是兩個(gè),也可形成一個(gè)、三個(gè)或四個(gè)緩 沖器。可不同地控制緩沖器的數(shù)目。圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制造等離子顯示面板的方法的一個(gè) 實(shí)例,其中省略排氣單元。參考圖4,附圖標(biāo)記300指示前基片201和后基片211位于其中 的腔。附圖標(biāo)記310a指示用于將腔300中填充的氣體排出到外部的排 氣部分。附圖標(biāo)記310b指示用于注入放電氣體到腔300中的氣體注入 單元。附圖標(biāo)記350指示用于燒結(jié)密封層340的燒結(jié)單元。首先通過預(yù)定處理形成的前基片201和后基片211置于腔300內(nèi)。在前基片201或后基片211的至少一個(gè)的一部分上形成用于接合 前基片201和后基片211的密封層340。例如,如圖4所示,密封層 340可形成在后基片211上。排氣部分310a排出在腔300中填充的氣體。換句話說,排氣部分 310a將腔300內(nèi)的不純的氣體排出到外部。之后,氣體注入單元310b將放電氣體注入腔300內(nèi)。更加具體的 說,氣體注入單元310b將例如氙(Xe)、氖(Ne)、氬(Ar)的放電 氣體注入腔300中,使得在大約200到400°C的溫度環(huán)境下腔300的壓 力范圍從大約4X10々托(torr)到大約2托。使用預(yù)定接合設(shè)備(沒有示出)接合前基片201和后基片211。
在這時(shí),燒結(jié)單元350將熱或光應(yīng)用到密封層340,使得密封層340硬 化和燒結(jié)。結(jié)果,足夠強(qiáng)的接合前基片201和后基片211。密封層340可包括光致交聯(lián)材料。燒結(jié)單元350在接合前基片201 和后基片211時(shí)將光加到密封層340,由此固化和燒結(jié)密封層340。因 此,上述處理防止在燒結(jié)密封層340時(shí)產(chǎn)生不純的氣體。如上所述,通過前基片201和后基片211的接合處理完成等離子 顯示面板。換句話說,因?yàn)榻雍锨昂秃蠡?01和211的處理和將放 電氣體注入放電單元的處理同時(shí)執(zhí)行,因此前基片201和后基片211 不需要具有排氣單元(例如,排氣孔)。換句話說,可在前基片201 和后基片211中省略排氣孔。如上,因?yàn)槭÷耘艢饪祝墒÷杂糜谶B接氣體注入單元以通過排 氣孔注入放電氣體到前和后基片201和211的排氣嘴。排氣嘴可被解 釋為排氣管。在其中在現(xiàn)有技術(shù)中使用排氣單元(例如,排氣孔)執(zhí)行等離子 顯示面板內(nèi)的不純氣體的排出和放電氣體的注入的情況中,排氣孔位 于等離子顯示面板的特定位置。另外,因?yàn)樵诮雍锨昂秃蠡螅?執(zhí)行不純氣體的排出和氣體注入,很有可能不純氣體留在等離子顯示 面板內(nèi)(也就是,放電單元內(nèi))。因此,在現(xiàn)有技術(shù)的包括排氣孔的 等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)中,不純氣體干擾等離子顯示面板的放電使得因?yàn)榕艢獾钠睿瑔?dòng)電壓進(jìn)一步增加且不穩(wěn)定地執(zhí)行放電。結(jié)果, 驅(qū)動(dòng)效率降低。另一方面,如圖4所示,當(dāng)前和后基片201和211的接合處理和 放電氣體的注入處理同時(shí)執(zhí)行時(shí),充分除去不純氣體并充分均勻地注 入放電氣體。
比較其中省略排氣孔的圖4的等離子顯示面板(也就是,具有無 嘴或無孔結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板)和現(xiàn)有技術(shù)的包括排氣孔的等離子 顯示面板,圖4的等離子顯示面板以相對(duì)低的啟動(dòng)電壓(也就是,驅(qū) 動(dòng)電壓)產(chǎn)生足夠穩(wěn)定的放電。制造包括排氣孔的現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示面板的方法必須包括排 氣孔的形成處理、接合處理、排氣嘴的耦接處理、排氣處理、氣體注 入處理等。另一方面,在具有無嘴或無孔結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板中,因?yàn)楫?dāng) 執(zhí)行接合處理時(shí)同時(shí)執(zhí)行排氣處理和氣體注入處理,等離子顯示面板 的制造處理的數(shù)目和制造時(shí)間減少。因此,制造成本降低。在包括排氣單元的現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示面板內(nèi)產(chǎn)生的噪聲通過 排氣孔或排氣嘴發(fā)射到外部。因此,現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示面板的總 體噪聲增加。另一方面,因?yàn)椴看嬖谠肼暟l(fā)射到外面的路徑,在根據(jù)一個(gè)實(shí)施 例的無嘴或無孔結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板內(nèi)產(chǎn)生的噪聲不被發(fā)射到外 部。因此,無嘴或無孔結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板的總體噪聲小于現(xiàn)有技 術(shù)的等離子顯示面板的總體噪聲。將放電氣體均勻注入無嘴或無孔結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板中,使得啟動(dòng)電壓相對(duì)低。因此,基于放電氣體的總重量Xe的含量增加。下面 是Xe含量的具體描述。Xe具有能夠在產(chǎn)生放電時(shí)增加真空紫外線的產(chǎn)生的特性。因此, 當(dāng)基于放電單元中填充的放電氣體的總重量Xe的含量增加時(shí),在放電 單元中產(chǎn)生的光的量增加,使得圖像的亮度增加。
但是,Xe增加了啟動(dòng)電壓。例如,當(dāng)Xe含量等于基于放電氣體 總重量的2%時(shí),啟動(dòng)電壓等于150V且假定由一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生的光 的量量化地等于100。當(dāng)Xe的含量是基于放電氣體的總重量的10%時(shí),啟動(dòng)電壓等于 250V,且由一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生的光的量量化地等于150。換句話說,當(dāng)Xe含量增加時(shí),光的量增加使得亮度增加。但是啟 動(dòng)電壓進(jìn)一步增加。另一方面,將放電氣體均勻注入無嘴或無孔結(jié)構(gòu)的等離子顯示面 板中,使得啟動(dòng)電壓相對(duì)低。因此,雖然Xe含量相對(duì)增加,仍防止啟 動(dòng)電壓的過度增加。圖5a和5b是示出了在氙(Xe)的含量和驅(qū)動(dòng)電壓的幅度之間的 關(guān)系和在流(Xe)的含量和亮度之間的關(guān)系的曲線圖。圖5a是示出了當(dāng)Xe含量在基于放電氣體總重量的2-50%的范圍 內(nèi)改變時(shí),在其中存在排氣單元的情況A和其中不存在排氣單元的情 況B的每一個(gè)中產(chǎn)生維持放電的維持驅(qū)動(dòng)電壓的變化的曲線圖。參考圖5a,當(dāng)Xe含量在基于放電氣體總重量的2-10%的范圍中 改變時(shí),情況A的維持驅(qū)動(dòng)電壓在大約174-187V的范圍中改變。當(dāng) Xe含量在基于放電氣體總重量的10-50%的范圍中改變時(shí),情況A中 的維持驅(qū)動(dòng)電壓在大約187-203V的范圍中改變。當(dāng)Xe含量等于或大 于10%時(shí),根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在情況A中維持驅(qū)動(dòng)電壓突然增加。另一方面,當(dāng)Xe含量在基于放電氣體總重量的2-10c/。的范圍中改 變時(shí),情況B的維持驅(qū)動(dòng)電壓在大約170-174V的范圍中改變。當(dāng)Xe 含量在基于放電氣體總重量的10-30%的范圍中改變時(shí),情況B中的維 持驅(qū)動(dòng)電壓在大約174-181V的范圍中改變。當(dāng)Xe含量等于或大于30 X時(shí),根據(jù)一個(gè)實(shí)施例在情況B中的維持驅(qū)動(dòng)電壓增加到大約181V或 更多。如上,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例在情況B中的維持驅(qū)動(dòng)電壓小于根據(jù)現(xiàn)有 技術(shù)在情況A中的維持驅(qū)動(dòng)電壓。另外,當(dāng)Xe含量在10-30X的范圍 中改變時(shí),在情況A中維持驅(qū)動(dòng)電壓和情況B中維持驅(qū)動(dòng)電壓之間的 差值相對(duì)大。圖5b是示出了當(dāng)Xe含量在基于放電氣體總重量的2-50X的范圍 中改變時(shí),在其中存在排氣單元的情況A和其中不存在排氣單元的情 況B的每一個(gè)中維持信號(hào)產(chǎn)生的光的亮度級(jí)別(也就是,維持亮度級(jí) 別)的變化的曲線圖。參考圖5b,當(dāng)Xe的含量在基于放電氣體總重量的2-10%范圍中 改變時(shí),情況A中的維持亮度級(jí)別在大約160-300的范圍中改變。當(dāng) Xe的含量在基于放電氣體總重量的10-50%范圍中改變時(shí),情況A中 的維持亮度級(jí)別在大約300-700的范圍中改變。另一方面,當(dāng)Xe的含量在基于放電氣體總重量的2-10%范圍中 改變時(shí),情況B中的維持亮度級(jí)別在大約240-560的范圍中改變。當(dāng) Xe的含量在基于放電氣體總重量的10-30%范圍中改變時(shí),情況B中 的維持亮度級(jí)別在大約560-1200的范圍中改變。當(dāng)Xe含量等于或大 于30%時(shí),情況B中的維持亮度級(jí)別在大約1200飽和。如上,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的情況B中維持亮度級(jí)別大于根據(jù)現(xiàn)有技 術(shù)的情況A中的維持亮度級(jí)別。另外,當(dāng)Xe含量在10-30%的范圍中 改變時(shí),情況A中的維持亮度級(jí)別和情況B中的維持亮度級(jí)別的差別 相對(duì)大。
如上,通過在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板中設(shè)置Xe含量大于等于基于放電氣體的總重量的10%或在13%-30%的范圍中,防止啟動(dòng)電壓的突然上升,且亮度增加。當(dāng)設(shè)置Xe含量大于等于基于放電氣體總重量的10%或在13%-30 %的范圍中時(shí),在驅(qū)動(dòng)根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備時(shí),因?yàn)閄e 的特性近紅外線的產(chǎn)生增加。換句話說,當(dāng)Xe含量增加時(shí),近紅外線 的產(chǎn)生增加。近紅外線引起比如遙控器的設(shè)備的故障,由此引起等離子顯示面 板的故障。因此,當(dāng)Xe含量大于等于基于放電氣體總重量的10%或在13% -30%的范圍中時(shí),濾光器可包括如圖1所示的近紅外線屏蔽層。將參 考圖8a和8b具體描述該近紅外線屏蔽層。圖6a和6b示出了濾光器的沉積。參考圖6a,濾光器540和等離子顯示面板530隔開預(yù)定距離d。 熱輻射框架520位于等離子顯示面板530的后表面上,且通過緊固設(shè) 備(沒有示出)將前蓋510固定到熱輻射框架520。前蓋510連接濾光 器540,其中濾光器和等離子顯示面板530隔開預(yù)定距離d。附圖標(biāo)記 500表示后蓋。和等離子顯示面板530隔開預(yù)定距離d的濾光器540可以是其中 使用玻璃基片作為基底且近紅外線屏蔽層位于玻璃基片上的玻璃類型 濾光器。參考圖6b,使用層壓方法等將濾光器550粘合到等離子顯示面板 530的前表面。
層壓方法是為使用滾輪等將片類型的濾光器粘合到等離子顯示面 板530的前表面。例如,在等離子顯示面板530的前表面上形成粘合層。使用粘合 層560將濾光器550粘合到等離子顯示面板530的前表面。粘合到等離子顯示面板530的前表面的濾光器550可以是其中使 用比如聚合樹脂的樹脂材料的樹脂材料基片用作基底且近紅外線屏蔽 層位于樹脂材料基片上的玻璃類型濾光器。粘合層560的厚度范圍從10um到50y m或從20um到30iim, 以防止降低等離子顯示面板中產(chǎn)生的光的透射,和充分保證等離子顯 示面板530和濾光器550之間的粘合強(qiáng)度。圖7示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的濾光器的一個(gè)實(shí)例。參考圖7,濾光器可包括彼此堆疊的多個(gè)功能層。例如,在基底層600上形成外部光屏蔽層620,在外部光屏蔽層 620上形成近紅外線屏蔽層640,在近紅外線屏蔽層640上形成電磁干 擾(EMI)屏蔽層660,且在EMI屏蔽層660上形成彩色層680。外部 光屏蔽層620包括基底部分621和圖形部分622。后面將具體描述基底 部分621和圖形部分622。在功能層600、 620、 640、 660和680之間形成粘合層610、 630、 650和670,以彼此粘合功能層600、 620、 640、 660和680。應(yīng)該注意,圖7示出和描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備
的濾光器的一個(gè)實(shí)例,且本實(shí)施例不限于圖7所示的濾光器。例如,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的濾光器可進(jìn)一步包括另一功能 層,比如防閃光(anti-glare)層或防反射層。另外,可以以與如圖7所示的多個(gè)功能層的堆疊順序不同的順序 來堆疊多個(gè)功能層。例如,可以順序堆疊基底層600、外部光屏蔽層 620、彩色層680、 EMI屏蔽層660和近紅外線屏蔽層640。另外,可省略除了近紅外線屏蔽層640之外的基底層600、外部 光屏蔽層620、彩色層680和EMI屏蔽層660的至少一個(gè)?;讓?00用作功能層620、 630、 660和680的基底?;讓?00 不容易受溫度和濕度影響?;讓?00可包括高強(qiáng)度材料,比如樹脂 或玻璃。近紅外線屏蔽層640反射或吸收在等離子顯示面板中產(chǎn)生的紅外 線,且透射可見光。例如,近紅外線屏蔽層640透射具有400-700nm 波長(zhǎng)的光,且反射或吸收具有820-880mn波長(zhǎng)的光。近紅外線屏蔽層640可包括含有有機(jī)化合物的染料的樹脂。例如, 近紅外線屏蔽層640可包括含有比如蒽醌基、酞菁基的有機(jī)化合物的 染料的樹脂,或含有金屬絡(luò)合物的有機(jī)化合物的樹脂。近紅外線屏蔽層640可包括彼此堆疊的多個(gè)層。圖8示出了近紅外線屏蔽層。參考圖8,近紅外線屏蔽層640包括彼此堆疊的具有不同折射系 數(shù)的多個(gè)層720到790。
層720、 740、 760和780可具有相等的折射系數(shù),而層730、 750、 770和790可具有相同的折射系數(shù)。另外,層720、 740、 760和780的折射系數(shù)可不同于層730、 750、 770和790的折射系數(shù)。例如,層720、 740、 760和780可以是單一層。作為單一層的材 料,可使用具有相對(duì)高折射系數(shù)的Ti02、 Ta205或Zr02。另外,層720、 740、 760和780可以是多層的層。作為多層的層的材料,可使用具有 相對(duì)高折射系數(shù)的PreOn和Ti02。層730、 750、 770和790可包括具 有相對(duì)低的折射系數(shù)的MgF2和Si02。層720、 740、 760和780可包括Ag,且層730、 750、 770和790 可包括銦錫氧化物(ITO)。如上,當(dāng)通過堆疊具有不同折射系數(shù)的多個(gè)層形成近紅外線屏蔽 層640時(shí),由多個(gè)層的折射系數(shù)之間的差異反射近紅外線。因此,防 止等離子顯示面板中產(chǎn)生的近紅外線發(fā)射到外部。圖8示出和描述了近紅外線屏蔽層的一個(gè)實(shí)例,且因此本發(fā)明不 限于如圖8所示的近紅外線屏蔽層。例如,雖然圖8示出包括8個(gè)層 的近紅外線屏蔽層,近紅外線屏蔽層可包括總共4、 5和6個(gè)層。另外,雖然圖8示出了其中交替堆疊每個(gè)具有不同折射系數(shù)的兩 層的近紅外線屏蔽層,也可交替堆疊每個(gè)具有不同折射系數(shù)的三個(gè)或 四個(gè)層。如上,近紅外線屏蔽層640可具有多種結(jié)構(gòu)。如圖8所示,當(dāng)通過堆疊具有不同折射系數(shù)的多個(gè)層形成近紅外
線屏蔽層640時(shí),近紅外線屏蔽層640可執(zhí)行EMI屏蔽層的功能。更加具體地說,因?yàn)榻t外線屏蔽層的具有不同折射系數(shù)的多個(gè) 層包括導(dǎo)電金屬,因此當(dāng)近紅外線屏蔽層接地時(shí),近紅外線屏蔽層提 供作為引起電磁波的因素的帶電粒子的移動(dòng)路徑。因此,減少了驅(qū)動(dòng) 等離子顯示設(shè)備產(chǎn)生的EMI。如上,在其中通過堆疊具有不同折射系數(shù)的多個(gè)層形成近紅外線 屏蔽層的情況中,省略了EMI屏蔽層。圖9示出了電磁干擾(EMI)屏蔽層。參考圖9, EMI屏蔽層660可以是網(wǎng)格形。換句話說,以網(wǎng)格圖 形形成電極800。如上,當(dāng)以網(wǎng)格圖形形成電極800時(shí),充分減少驅(qū)動(dòng)等離子顯示 設(shè)備所產(chǎn)生的EMI。電極800可接地以有效發(fā)射引起EMI的帶電粒子。雖然圖9示出了網(wǎng)格類型的EMI屏蔽層,也可以濺射類型形成 EMI屏蔽層。例如,EMI屏蔽層660可具有由比如ITO的透明材料制 成的透明電極層和由具有良好電導(dǎo)性的金屬比如Ag制成的金屬電極 層的堆疊結(jié)構(gòu)。濺射類型EMI屏蔽層的結(jié)構(gòu)基本上和如圖7所示的EMI 屏蔽層的結(jié)構(gòu)相同。圖IO示出了外部光屏蔽層。參考圖10,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的濾光器的外部光 屏蔽層包括圖形部分910和基底部分920。
在基底部分920上形成圖形部分910。圖形部分910的數(shù)目是復(fù) 數(shù),且多個(gè)圖形部分910定位成其間隔開預(yù)定距離。圖形部分910包 括光吸收材料。光吸收材料包括碳、顏料或染料的至少其一?;撞糠?20給圖形部分910提供形成基底,且具有大于圖形部 分910的折射系數(shù)的折射系數(shù)?;撞糠?20可包括透明材料。圖形部分910的顏色可比基底部分920的顏色深(darker)。例如, 圖形部分910的顏色可以是黑的。隨著圖形部分910向著基底部分920, 圖形部分的寬度逐漸減少。例如,圖形部分910的截面形狀可以是接 近等腰三角形。因此,基底部分920的平行于圖形部分910的底邊的一個(gè)表面和 圖形部分910形成預(yù)定角度9 1。角度9 1可大于等于大約70'且小于 大約90'。圖lla到llc示出了圖形部分的功能。參考圖lla,在直接位于濾光器的內(nèi)側(cè)的點(diǎn)"a"產(chǎn)生的光被發(fā)射 到外側(cè)。在位于濾光器的內(nèi)側(cè)的點(diǎn)"b"和"c"的光由圖形部分910 全反射且之后發(fā)射到外側(cè)。但是,從位于濾光器外側(cè)的點(diǎn)"d"和"e"進(jìn)入的光被吸收進(jìn)圖 形部分910。這是因?yàn)閳D形部分910的折射系數(shù)小于基底部分920的折 射系數(shù),且基底部分920平行于圖形部分910的底邊的一個(gè)表面和圖 形部分910形成預(yù)定角度8 1。在濾光器內(nèi)側(cè)產(chǎn)生的光被有效地發(fā)射到外側(cè),且從濾光器外側(cè)進(jìn) 入的光被吸收,改進(jìn)了在等離子顯示面板上顯示的圖像的對(duì)比度。
為更加有效地吸收從濾光器外進(jìn)入的光和更加有效地發(fā)射在濾光 器內(nèi)產(chǎn)生的光,圖形部分的折射系數(shù)是基底部分920的折射系數(shù)的0.8到0.999倍。圖形部分910的上部區(qū)域比圖形部分910的下部區(qū)域離等離子顯 示面板遠(yuǎn)。在上部區(qū)域中圖形部分910的寬度(在下文中,稱為上部 寬度)小于在底部區(qū)域中圖形部分910的寬度(在下文中,稱為下部 寬度tl)。圖形部分910的上部寬度和下部寬度tl被設(shè)置為充分保證 從濾光器外進(jìn)入的光的阻斷效率和對(duì)在濾光器內(nèi)產(chǎn)生的光的反射效 率。例如,如圖lib所示,當(dāng)圖形部分910的下部寬度tl被設(shè)置為23.0 P m且圖形部分910的上部寬度小于等于23.0y m時(shí),保證大于等于 50%的孔徑比。當(dāng)圖形部分910的上部寬度小于等于8.0um時(shí),從濾 光器外進(jìn)入的光的阻斷效率降低。當(dāng)圖形部分910的高度是t2時(shí),圖 形部分910的上部寬度對(duì)應(yīng)于圖形部分910的高度t2的一半(t2/2)。當(dāng)圖形部分910的下部寬度tl的范圍是上部寬度的l到3.5倍時(shí), 有利于阻斷外部光和保證孔徑比。圖形部分910的下部寬度tl可小于在第一電極202和第二電極203 之間的最近距離(參考圖2a)。在這個(gè)情況中,從濾光器外進(jìn)入的光 的阻斷效率和在濾光器內(nèi)產(chǎn)生的光的反射效率增加。圖形部分910的下部寬度tl可根據(jù)第一電極202和第二電極203 的每一個(gè)的寬度。例如,如圖llc所示,當(dāng)圖形部分910的下部寬度 tl與第一電極202或第二電極203的寬度的比率范圍從0.2到0.5時(shí), 防止當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)周期性圖形重疊時(shí)產(chǎn)生的干涉條紋(interference fringe)(也減少,摩爾條紋(Moire fringe)),且有效阻斷外部光。 在其中第一電極202和第二電極203每個(gè)包括透明電極和總線電 極的情況中,圖形部分910的下部寬度tl和第一電極202或第二電極 203的總線電極的寬度的比率范圍從0.2到0.5。設(shè)置基底部分920的高度t3和圖形部分910的高度t2的比率以阻 斷外部光和防止介質(zhì)失效(breakdown)。例如,如圖lld所示,當(dāng)設(shè)置基底部分920的高度t3為120y m 且圖形部分910的高度t2大于等于120um時(shí),基底部分920的厚度 減少。結(jié)果,圖形部分910的介質(zhì)很可能失效使得濾光器的缺陷部分 增加。當(dāng)圖形部分910的高度t2小于等于50um時(shí),不屏蔽以預(yù)定角 度入射在圖形部分910上的光使得外部光的阻斷效率降低。因此,優(yōu)選地基底部分920的高度t3的范圍是圖形部分910的高 度t2的1.01到2.25倍。設(shè)置圖形部分910的下部寬度tl和阻擋條的寬度的比率,以防止 摩爾條紋,和有效保證外部光的阻斷效率。例如,如圖lle所示,當(dāng)圖形部分910的下部寬度tl和第二阻擋 條212a的寬度的比率(參考圖2a)的范圍從0.3到0.8時(shí),防止形成 摩爾條紋,和有效屏蔽外部光。另外,圖形部分910之間的最短間隙t4的范圍從圖形部分910的 下部寬度tl的1.1到5倍。因此,充分保證濾光器的孔徑比,有效阻 斷從濾光器外進(jìn)入的光,和容易地執(zhí)行圖形部分910的制造處理。另外,圖形部分910之間的最長(zhǎng)間隙t5的范圍從圖形部分910之 間的最短間隙t4的1.1到3.25倍。因此,充分保證濾光器的孔徑比, 且設(shè)置圖形部分910的角度9 l到理想值使得充分阻斷從濾光器進(jìn)入的 光。另外,圖形部分910的高度t2的范圍是圖形部分910之間的最短 t4的0.89到4.25倍。因此,充分保證濾光器的孔徑比,且充分阻斷從 濾光器外進(jìn)入的光。例如,圖形部分910的下部寬度tl的范圍從18um到35ym。圖形部分910的高度t2的范圍從80y m到170y m?;撞糠?20的高度t3的范圍從100um到180ym。圖形部分910之間的最短間隙t4的范圍從40u m到90u m。圖形部分910之間的最長(zhǎng)間隙的范圍從90u m到130u m。圖12a到12e示出了其它形式的圖形部分。參考圖12a,圖形部分1110包括兩個(gè)部分,每個(gè)具有不同寬度。 例如,圖形部分1110在點(diǎn)"a"具有第一寬度,且在點(diǎn)"a"之上的點(diǎn) "b"具有第二寬度。換句話說,圖形部分1110的寬度以第一比率減 少直到點(diǎn)"a",且以大于第一比率的第二比率從點(diǎn)"a"到點(diǎn)"b"減 少。參考圖12b,不像圖12a,圖形部分1130的寬度以第一比率減少 直到點(diǎn)"a",并以小于第一比率的第二比率從點(diǎn)"a"到點(diǎn)"b"減少。參考圖12c,圖形部分1150的尖端具有基本上平坦的形狀。
參考圖12d,圖形部分1140的側(cè)表面形成光滑的曲線。參考圖12e,圖形部分1160的側(cè)表面直到點(diǎn)"a"是基本上直線形 狀,且從點(diǎn)"a"到點(diǎn)"b"是曲線形狀。如上所述,圖形部分的形狀可多種地改變。圖13a和13b示出了圖形部分的延伸方向。參考圖13a,圖形部分1200的延伸方向和基底部分1210的長(zhǎng)側(cè)基 本上彼此平行。參考圖13b,圖形部分1220的延伸方向和基底部分1210的長(zhǎng)側(cè) 形成預(yù)定角度0 2。如上,當(dāng)圖形部分1220的延伸方向和基底部分1210的長(zhǎng)側(cè)形成 預(yù)定角度0 2時(shí),有效防止產(chǎn)生摩爾條紋。另外,為更有效防止摩爾條紋,預(yù)定角度9 2的范圍從0.5'到9' 或從0.5'到4.5'。雖然上面描述了條形類型的圖形部分,可多種改變圖形部分的類型。圖14a到14c示出了多種類型的圖形部分。 參考圖14a,以矩陣型形成圖形部分1300。 參考圖14b,以波浪型形成圖形部分1320。
參考圖14c,以突起型形成圖形部分1330。例如,具有半球形狀 的突起型的多個(gè)圖形部分1330在其間隔開預(yù)定距離。如上所述,可多種地改變圖形部分的類型。圖15示出了使用每個(gè)具有不同圖形的兩個(gè)或多個(gè)圖形部分的情 況的一個(gè)實(shí)例。參考圖15,第一外部光屏蔽層1400和第二外部光屏蔽層1410可 被包括在一個(gè)濾光器中。第一外部光屏蔽層1400包括第一基底部分 1402和平行于第一基底部分1402的長(zhǎng)側(cè)的第一圖形部分1401。第二 外部光屏蔽層1410包括第二基底部分1412和平行于第二基底部分 1412的短側(cè)的第二圖形部分1411。如上,當(dāng)一起使用每個(gè)具有不同圖形的兩個(gè)或多個(gè)圖形部分時(shí), 多種地控制等離子顯示面板的視角。圖16示出了圖形部分的另一結(jié)構(gòu)。參考圖16,圖形部分1510具有多個(gè)層。例如,圖形部分1510包 括上部圖形部分1511和下部圖形部分1512。上部圖形部分1511覆蓋 下部圖形部分1512。上部圖形部分1511的折射系數(shù)可小于基底部分1520的折射系數(shù)。 上部圖形部分1511的顏色可以比基底部分1520的顏色深。下部圖形 部分1512的折射系數(shù)可不同于或等于上部圖形部分1511的折射系數(shù)。 例如,下部圖形部分1512的折射系數(shù)可小于上部圖形部分1511的折 射系數(shù)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的上述等離子顯示設(shè)備的等離子顯示面板包含小
于等于1000 PPM (百萬分率)的鉛(Pb)。換句話說,因?yàn)榛诘入x子顯示面板的所有組件的總重量的Pb含 量小于等于1000 PPM,因此等離子顯示面板中的總的Pb含量小于等 于1000 PPM。另外,等離子顯示面板的具體組件中Pb含量可小于等于1000 PPM。例如,在阻擋條或介質(zhì)層的至少一個(gè)中的Pb含量可小于等于1000 PPM。等離子顯示面板的每個(gè)組件中Pb含量的總和可小于等于1000 PPM。換句話說,每個(gè)阻擋條、介質(zhì)層、電極、熒光材料層等中Pb含 量的和可小于等于1000 PPM。因?yàn)榈入x子顯示面板中的總Pb含量小于等于1000 PPM,等離子 顯示面板中含有的Pb不會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生不利的影響。圖17示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例用于實(shí)現(xiàn)由等離子顯示設(shè)備顯示的 圖像的灰度級(jí)的幀。圖18示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的操作的一個(gè)實(shí)例。參考圖17,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于實(shí)現(xiàn)由等離子顯示設(shè)備顯示的 圖像的灰度級(jí)的幀被劃分為每個(gè)具有不同發(fā)射次數(shù)的幾個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)被細(xì)分為用于初始化所有單元的復(fù)位周期、用于選擇待 放電的單元的尋址周期,和用于根據(jù)放電數(shù)目表現(xiàn)灰度級(jí)的維持周期。例如,如果要顯示具有256級(jí)灰度級(jí)的圖像,如圖17所示,將幀 劃分為8個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8。8個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8的每一個(gè)被細(xì)分為復(fù) 位周期、尋址周期和維持周期。在維持周期期間提供的維持信號(hào)的數(shù)目確定每個(gè)子場(chǎng)中的灰度級(jí) 加權(quán)。例如,在這種設(shè)置第一子場(chǎng)的灰度級(jí)加權(quán)為f且第二子場(chǎng)的灰 度級(jí)加權(quán)為21的方法中,維持周期在每個(gè)子場(chǎng)中以2n (其中, n=0,l,2,3,4,5,6,7)的比率增加。因?yàn)榫S持周期從一個(gè)子場(chǎng)到下一個(gè)子場(chǎng) 不同,通過控制用于使每個(gè)所選單元放電的維持周期,也就是,在每 個(gè)放電單元中實(shí)現(xiàn)的維持放電的數(shù)目,來實(shí)現(xiàn)特定灰度級(jí)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備使用多個(gè)幀以在1秒期間顯示 圖像。例如,使用60幀在1秒期間顯示圖像。在該情況中, 一幀的持 續(xù)時(shí)間T是l/60秒,也就是,16.67ms。雖然圖17示出和描述了其中一幀包括8個(gè)子場(chǎng)的情況,然而構(gòu)成 一幀的子場(chǎng)數(shù)目可改變。例如, 一幀可包括12個(gè)子場(chǎng)或IO個(gè)子場(chǎng)。另外,雖然圖17示出和描述了以灰度級(jí)加權(quán)的增加順序排列的子 場(chǎng),然而也可以灰度級(jí)加權(quán)的減小順序排列子場(chǎng),或不顧灰度級(jí)加權(quán) 而排列子場(chǎng)。圖18示出了在如圖17所述的一幀的多個(gè)子場(chǎng)的一個(gè)子場(chǎng)中根據(jù) —個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的操作的一個(gè)實(shí)例。在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間,將第一下降信號(hào)提供到第一 電極Y。在提供第一下降信號(hào)到第一電極Y期間,將和第一下降信號(hào)的極 性方向相對(duì)的極性方向的預(yù)維持信號(hào)提供到第二電極Z。 提供到第一電極Y的第一下降信號(hào)從地電平電壓GND逐漸下降到第十電壓VIO。預(yù)維持信號(hào)恒定維持在預(yù)維持電壓Vpz。預(yù)維持電壓Vpz基本上 等于將在維持周期期間提供的維持信號(hào)(SUS)的電壓(也就是,維持 電壓Vs)。如上,在預(yù)復(fù)位周期期間,提供第一下降信號(hào)到第一電極Y且提 供預(yù)維持信號(hào)到第二電極Z。結(jié)果,在第一電極Y上累積預(yù)定極性的 壁電荷,并在第二電極Z上累積和第一電極Y上累積的壁電荷的極性 相反極性的壁電荷。例如,在第一電極Y上累積正極性的壁電荷,且 在第二電極Z上累積負(fù)極性的壁電荷。結(jié)果,在復(fù)位周期發(fā)生足夠強(qiáng)度的建立放電,使得穩(wěn)定執(zhí)行所有 放電單元的初始化。即使放電單元內(nèi)累積的壁電荷的量不足,也發(fā)生具有足夠強(qiáng)度的 建立放電。另外,雖然在復(fù)位周期期間提供到第一電極Y的上升信號(hào)的電壓 低,仍發(fā)生具有足夠強(qiáng)度的建立放電。在一幀的多個(gè)子場(chǎng)中以時(shí)間順序首先排列的子場(chǎng)可包括復(fù)位周期 之前的預(yù)復(fù)位周期,從而獲得充足的驅(qū)動(dòng)時(shí)間?;蛘?,兩個(gè)或三個(gè)子 場(chǎng)可包括復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期。所有子場(chǎng)可不包括預(yù)復(fù)位周期。復(fù)位周期被進(jìn)一步劃分為建立周期和撤除周期。在建立周期期間, 將和第一下降信號(hào)的極性方向相反的極性方向的上升信號(hào)提供到第一
電極Y。上升信號(hào)包括第一上升信號(hào)和第二上升信號(hào)。第一上升信號(hào)以第一斜率從第二十電壓V20逐漸上升到第三十電壓V30,且第二上升信 號(hào)以第二斜率從第三十電壓V30逐漸上升到第四十電壓V40。上升信號(hào)在建立周期期間在放電單元中產(chǎn)生弱的無光放電(也就 是,建立放電),由此在放電單元內(nèi)累積適當(dāng)量的壁電荷。第二上升信號(hào)的第二斜率比第一上升信號(hào)的第一斜率平緩。當(dāng)?shù)?二斜率比第一斜率平緩時(shí),上升信號(hào)的電壓相對(duì)快速地上升直到發(fā)生 建立放電,且上升信號(hào)的電壓在產(chǎn)生建立放電期間相對(duì)慢的上升。結(jié) 果,建立放電產(chǎn)生的光的量減少。因此,改進(jìn)等離子顯示設(shè)備的對(duì)比 度。在撤除周期期間,將和上升信號(hào)的極性方向相反的極性方向的第 二下降信號(hào)提供到第一電極Y。第二下降信號(hào)從第二十電壓V20逐漸 下降到第五十電壓V50。第二下降信號(hào)在放電單元內(nèi)產(chǎn)生弱的擦除放 電(也就是,撤除放電)。另外,剩余壁電荷以穩(wěn)定執(zhí)行尋址放電的 程度均勻留在放電單元內(nèi)。下面參考圖19a和19b具體說明上升信號(hào)和第二下降信號(hào)的另一 形式。圖19a和19b示出了另一形式的上升信號(hào)和第二下降信號(hào)。參考圖19a,上升信號(hào)急劇上升到第三十電壓V30,且之后逐漸從 第三十電壓V30上升到第四十電壓V40。如圖18所示的上升信號(hào)可通過兩個(gè)階段以兩個(gè)不同斜率逐漸上
升。但是,如圖19a所示的上升信號(hào)可通過一個(gè)階段逐漸上升。如上, 上升信號(hào)可以多種形式改變。參考圖19b,第二下降信號(hào)從第三十電壓V30逐漸下降。如上, 第二下降信號(hào)的電壓下降時(shí)間點(diǎn)是可改變的。換句話說,第二下降信號(hào)可以多種形式改變。再次參考圖18,在尋址周期期間,將第二偏置信號(hào)提供到第一電 極Y,該第二偏置信號(hào)維持在高于第二下降信號(hào)的第五十電壓V50的 電壓。將從掃描偏置信號(hào)下降掃描電壓幅度AVy的掃描信號(hào)(Scan)提 供到所有第一電極Y1到Y(jié)n。例如,將第一掃描信號(hào)(Scanl)提供到第一電極Yl,且之后提 供第二掃描信號(hào)(Scan2)到第一電極Y2。因此,提供第n掃描信號(hào)(Scan n)到第一電極Yn。掃描信號(hào)的寬度可從一個(gè)子場(chǎng)到下一個(gè)子場(chǎng)變化。換句話說,在 至少一個(gè)子場(chǎng)中掃描信號(hào)的寬度可不同于其它子場(chǎng)中掃描信號(hào)的寬 度。例如,子場(chǎng)中掃描信號(hào)的寬度可大于以時(shí)間順序下一個(gè)子場(chǎng)中掃 描信號(hào)的寬度。另外,掃描信號(hào)的寬度可以2.6us、 2.3ys、 2.1ws、 1.9tis等的順序,或以2.6iis、 2.3"s、 2.3ws、 2.1ys、 1.9us、 1.9^ s等的順序逐漸減少。如上,當(dāng)提供掃描信號(hào)(Scan)到第一電極Y時(shí),提供對(duì)應(yīng)于該 掃描信號(hào)(Scan)的數(shù)據(jù)信號(hào)(data)到第三電極X。數(shù)據(jù)信號(hào)(data) 從地電平電壓GND上升數(shù)據(jù)電壓幅度A Vd。當(dāng)將掃描信號(hào)(Scan)和數(shù)據(jù)信號(hào)(data)之間的電壓差值加到在
復(fù)位周期期間產(chǎn)生的壁電壓時(shí),在向其提供了數(shù)據(jù)信號(hào)(data)的放電 單元中產(chǎn)生尋址放電。在尋址周斯期間提供維持偏置信號(hào)到第二電極z以防止由第二電 極z的干擾產(chǎn)生不穩(wěn)定的尋址放電。維持偏置信號(hào)基本維持在維持偏 置電壓Vz。維持偏置電壓Vz低于維持信號(hào)的電壓Vs且高于地電平電 壓GND。在維持周期期間,將維持信號(hào)(SUS)交替提供到第一電極Y和 第二電極Z。維持信號(hào)(SUS)具有對(duì)應(yīng)于維持電壓Vs的電壓幅度。當(dāng)通過執(zhí)行尋址放電選擇的放電單元內(nèi)的壁電壓加到維持信號(hào) (SUS)的維持電壓Vs時(shí),每次提供維持信號(hào)(SUS),在第一電極 Y和第二電極Z之間發(fā)生維持放電,也就是,顯示放電。圖20示出了另一類型的維持信號(hào)。參考圖20,將正極性方向的維持信號(hào)((+)SUSl, (+)SUS2)和負(fù) 極性方向的維持信號(hào)((-)SUSl, (-)SUS2)交替提供到第一電極Y或第 二電極Z,例如,圖20中的第一電極Y。如上,當(dāng)正極性方向的維持信號(hào)和負(fù)極性方向的維持信號(hào)被交替 提供到第一電極Y時(shí),提供偏置信號(hào)到第二電極Z。偏置信號(hào)恒定維 持在地電平電壓GND。如圖20所示,當(dāng)提供維持信號(hào)到第一電極Y或第二電極Z時(shí), 需要安裝提供維持信號(hào)到第一電極Y或第二電極Z的電路的單一驅(qū)動(dòng) 板。因此,等離子顯示設(shè)備中包括的驅(qū)動(dòng)器的整個(gè)尺寸減小使得制造 成本降低。
前面所述的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示范性的,不解釋為對(duì)本發(fā)明的限 制。本公開的內(nèi)容可容易地應(yīng)用于其他類型的裝置。本發(fā)明的說明書 是說明性的,并不限制權(quán)利要求書的范圍。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說, 許多替換、修改和變動(dòng)都是顯而易見的。在權(quán)利要求書中,裝置加功 能的句子意在包含在此所描述的實(shí)現(xiàn)所引用的功能的結(jié)構(gòu),不僅是結(jié) 構(gòu)的等效物,也包括等效的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1. 一種等離子顯示設(shè)備,其包括等離子顯示面板,其上顯示圖像,該等離子顯示面板包括 前基片,其上彼此平行地形成第一電極和第二電極; 后基片,其上形成第三電極以與第一電極和第二電極交叉,其中在后基片中省略排氣單元;和阻擋條,其形成在前和后基片之間,分隔放電單元,其中該放電單元填充有包括大于等于基于放電氣體的總重量的10%的氙(Xe)的放電氣體;和濾光器,其位于等離子顯示面板前面,包括吸收或反射近紅外線的近紅外線屏蔽層。
2. 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示設(shè)備,其中,在前基片和后基 片之間形成接合前基片和后基片的密封層,以及該密封層包括光致交聯(lián)材料。
3. 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示設(shè)備,其中,在放電氣體中的 Xe含量范圍從基于放電氣體總重量的13%到30%。
4. 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該排氣單元包括 排氣孔、排氣嘴和排氣管的至少其中之一。
5. 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該近紅外線屏蔽 層包括彼此堆疊的具有不周折射系數(shù)的多個(gè)層。
6. 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該濾光器包括基 底部分和形成在該基底部分上的圖形部分,且該圖形部分的顏色比基 底部分的顏色暗。
7. 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該圖形部分的延 伸方向和基底部分的長(zhǎng)側(cè)形成預(yù)定角度,且該預(yù)定角度范圍從0,5'到 9° 。
8. 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該圖形部分的折 射系數(shù)小于基底部分的折射系數(shù)。
9. 如權(quán)利要求8所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該圖形部分的折 射系數(shù)的范圍是該基底部分的折射系數(shù)的0.8到0.999倍。
10. 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該基底部分的 高度的范圍是該圖形部分的高度的1.01到2.25倍。
11. 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該圖形部分之 間的最短間隙的范圍是該圖形部分的下部寬度的1.1到5倍。
12. 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該圖形部分之 間的最長(zhǎng)間隙的范圍是圖形部分之間的最短間隙的1.1到3.25倍。
13. 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備,其中,該圖形部分的 高度的范圍是該圖形部分之間的最短間隙的0.89到4.25倍。
全文摘要
公開了一種等離子顯示設(shè)備。該等離子顯示設(shè)備包括等離子顯示面板和位于等離子顯示面板前面的濾光器。該濾光器包括吸收或反射近紅外線的近紅外線屏蔽層。該等離子顯示面板包括前基片、后基片和形成在前和后基片之間、分隔放電單元的阻擋條。在后基片中省略了排氣單元。放電單元填充有包含大于等于基于放電氣體總重量的10%的氙(Xe)的放電氣體。
文檔編號(hào)H01J11/46GK101123161SQ20061017248
公開日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2006年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日
發(fā)明者樸記洛, 柳圣煥, 裴鐘運(yùn), 金警來 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社
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