專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
最近，平板顯示器，包括液晶顯示器(LCD)，場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)和等離子體顯示器，已經(jīng)得到積極的發(fā)展。與其它類(lèi)型的平板顯示設(shè)備相比等離子體顯示器具有較佳的亮度和發(fā)光效率，并且也具有更寬的視角。因此，等離子體顯示器在超過(guò)40英寸的大屏幕顯示器中作為陰極射線管(CRT)的替代品已經(jīng)成為公眾注意的中心。
等離子體顯示器是一種利用通過(guò)氣體放電過(guò)程產(chǎn)生的等離子體來(lái)顯示字符或圖像，并且根據(jù)其尺寸，以矩陣形式在其上提供幾十至幾百萬(wàn)像素的平板顯示器。根據(jù)所提供的驅(qū)動(dòng)電壓波形和放電單元結(jié)構(gòu)，將等離子體顯示器分成直流(DC)等離子體顯示器和交流(AC)等離子體顯示器。
由于直流等離子體顯示器包含多個(gè)暴露于放電空間的電極，在施加電壓時(shí)它們使電流流入放電空間，因此問(wèn)題是它們需要用于限制電流的電阻。另一方面，由于交流等離子體顯示器包含由介電層所覆蓋的多個(gè)電極，自然地形成電容以限制電流，并且在放電的情況下保護(hù)電極不受離子的撞擊。因此，與直流等離子體顯示器相比，交流等離子體顯示器具有更長(zhǎng)的使用壽命。
圖1顯示了交流AC PDP(等離子體顯示板)的透視圖，圖2顯示了圖1的PDP的剖面圖。參考圖1和2，在第一玻璃基片11之下平行地提供X電極3和Y電極4并且相互形成一對(duì)，其中X電極3和Y電極4布置在介電層14和保護(hù)膜15之上。由透明導(dǎo)電材料制成X和Y電極。將由金屬制成的總線電極6分別形成在X和Y電極3、4的表面上。
將多個(gè)由介電層14’覆蓋的地址電極5安裝在第二玻璃基片12上。在介電層14’上，在地址電極5之間以與地址電極5平行地方式形成多個(gè)隔離肋(barrier ribs)17。將熒光物質(zhì)(phosphor)18形成在介電層14’的表面上和隔離肋17的兩個(gè)側(cè)面上。以彼此相對(duì)的方式提供在其間包含放電空間19的第一和第二玻璃基片11，12以使Y電極4可以穿越地址電極5以及X電極3可以穿越地址電極5。地址電極5和在Y電極4和X電極3的交叉部分形成的放電空間19形成放電單元20。
圖3顯示了現(xiàn)有等離子體顯示器電極排列圖。該等離子體顯示器電極具有m×n矩陣結(jié)構(gòu)，詳細(xì)地，其包含沿著列方向的地址電極A1到Am和交替地沿著行方向的Y電極Y1到Y(jié)n和X電極X1到Xn。圖3中顯示的放電單元20對(duì)應(yīng)圖1中顯示的放電單元20。
圖4顯示了等離子體顯示器的常規(guī)驅(qū)動(dòng)波形圖。根據(jù)圖4中顯示的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，每一子域(subfield)包含復(fù)位周期，尋址周期和維持周期。復(fù)位周期清除以前維持的壁電荷狀態(tài)，并為了穩(wěn)定地執(zhí)行下一尋址而提供壁電荷。在尋址周期，選擇在平板上打開(kāi)(turned on)的單元和沒(méi)有打開(kāi)的單元，并使壁電荷聚集在打開(kāi)的單元(例如，尋址的單元)。在維持周期，通過(guò)交替地施加維持電壓到X和Y電極以執(zhí)行用于實(shí)際在尋址的單元上顯示圖像的放電。
現(xiàn)在將更為詳細(xì)地描述現(xiàn)有等離子體顯示器驅(qū)動(dòng)方法的復(fù)位周期的操作。如圖4所示，復(fù)位周期包括清除周期I，Y斜坡上升周期II，Y斜坡下降周期III。
(1)清除周期(I)在該周期期間，將從維持電壓Vs逐漸下降到地電勢(shì)的下降斜坡施加到Y(jié)電極，同時(shí)用固定電勢(shì)Vbias偏置(bias)X電極，因此消除了在以前維持周期中形成的壁電荷。
(2)Y斜坡上升周期(II)在該周期期間，使地址電極和X電極保持在0V，并施加從電壓Vs逐漸上升到電壓Vset的斜坡電壓到Y(jié)電極。在斜坡電壓上升時(shí)，在從Y電極到地址電極和X電極的所有放電單元產(chǎn)生微弱的復(fù)位。因此，負(fù)的壁電荷聚集在Y電極，同時(shí)，正的壁電荷聚集在地址電極和X電極。
(3)Y斜坡下降周期(III)在復(fù)位周期的后一部分，在X電極保持固定電壓Vbias的情況下施加從Vs逐漸下降到地電勢(shì)的斜坡電壓到Y(jié)電極。在斜坡電壓下降時(shí)，在所有放電單元再次產(chǎn)生微弱的復(fù)位。
然而，在現(xiàn)有等離子體顯示器中由于當(dāng)在尋址周期之后施加第一維持脈沖時(shí)，在放電單元內(nèi)產(chǎn)生不足的起動(dòng)(priming)粒子，從而產(chǎn)生了有害的放電。
將相同的維持電壓在維持周期中交替施加到X和Y電極，因而執(zhí)行用于在尋址單元上顯示實(shí)際圖像的維持，最好在維持周期期間施加對(duì)稱(chēng)的波形到X和Y電極。然而，在復(fù)位周期期間在現(xiàn)有等離子體顯示器中施加到Y(jié)電極(另外施加用于復(fù)位和掃描的波形到其上)的波形與施加到X電極的波形不同，用于驅(qū)動(dòng)Y電極的電路與用于驅(qū)動(dòng)X電極的電路不同。因此，在X和Y電極的驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有執(zhí)行阻抗匹配，從而使在維持周期交替施加到X和Y電極的波形失真，并出現(xiàn)有害的放電。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明提供一種用于防止有害放電的等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
在本發(fā)明的第一方面，提供一種方法用于驅(qū)動(dòng)一種包含用于分別接收維持電壓脈沖的第一和第二電極，以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極的等離子體顯示器，其中在維持時(shí)間間隔(interval)中包括(a)在第一周期期間在第一和第二電極之間執(zhí)行短間隙放電(short gap discharge)；和(b)在第二周期期間在第一和第二電極之間執(zhí)行長(zhǎng)間隙放電。
在本發(fā)明的第二方面，一種方法用于驅(qū)動(dòng)一種包含第一和第二電極，以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極的等離子體顯示器，包括(a)在復(fù)位時(shí)間間隔期間施加復(fù)位波形到第三電極；和(b)在維持時(shí)間間隔期間交替施加維持電壓脈沖到第一和第二電極。
在本發(fā)明的第三方面，提供一種方法用于驅(qū)動(dòng)一種包含用于分別接收維持電壓脈沖的第一和第二電極，以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極的等離子體顯示器，其中在復(fù)位時(shí)間間隔中包括(a)施加清除電壓到第三電極；(b)施加從第一電壓上升到第二電壓的上升波形到第三電極；和(c)施加從第三電壓下降到第四電壓的下降波形到第三電極。
在本發(fā)明的第四方面，一種方法用于驅(qū)動(dòng)一種包含第一和第二電極，以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極的等離子體顯示器，包括(a)在復(fù)位時(shí)間間隔期間施加復(fù)位波形到第三電極；(b)在尋址時(shí)間間隔期間施加掃描脈沖到第三電極；和(c)在維持時(shí)間間隔期間交替施加維持電壓脈沖到第一和第二電極。
在本發(fā)明的第五方面，一種方法用于驅(qū)動(dòng)一種包含第一和第二電極，以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極的等離子體顯示器，包括(a)在尋址時(shí)間間隔期間施加第一電壓到第一電極；和(b)施加第三電壓到第一電極，施加低于第三電壓的第四電壓到第二電極，并施加高于第一和第四電壓之一的第五電壓到第三電極。
在本發(fā)明的第六方面，一種PDP包含第一和第二基片；形成在第一基片上的第一和第二電極，用于接收維持脈沖電壓；形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極，用于接收復(fù)位波形；用于覆蓋第一到第三電極的介電層；形成在第二基片上以穿過(guò)第一到第三電極的地址電極；用于覆蓋地址電極的介電層；形成在第二基片的介電層上部之上的隔離肋(barrier ribs)；和在隔離肋之間提供的熒光物質(zhì)。
在本發(fā)明的第七方面，一種PDP包含彼此相對(duì)的第一和第二基片；形成在第二基片上的地址電極；在第一和第二基片之間的空間內(nèi)提供的隔離肋，用于劃分多個(gè)放電單元；在放電單元內(nèi)形成的熒光物質(zhì)層；提供以穿越地址電極并成對(duì)地彼此相對(duì)的維持電極，該維持電極包括X和Y電極，其每一個(gè)包含提供給各個(gè)放電單元并成對(duì)地彼此相對(duì)的突起(protrusion)；和在維持電極中在突起之間彼此成對(duì)互相面對(duì)地提供的，并穿越地址電極形成的M電極，M電極順序接收掃描脈沖電壓。
在本發(fā)明的第八方面，一種等離子體顯示器包括包含多個(gè)用于接收維持電壓脈沖的第一和第二電極以及多個(gè)形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極的PDP；耦合到第一電極的第一電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；耦合到第二電極的第二電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；和耦合到第三電極的第三電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加一復(fù)位波形到第三電極。
在本發(fā)明的第九方面，一種等離子體顯示器包括包含多個(gè)用于接收維持電壓脈沖的X和Y電極以及多個(gè)分別形成在X和Y電極之間的M電極的PDP；耦合到X電極的X電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；耦合到Y(jié)電極的Y電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；耦合到屬于M電極之中的第一組的多個(gè)第一M電極的第一M電極驅(qū)動(dòng)器，用于順序施加掃描脈沖電壓到第一M電極；和耦合到屬于M電極之中第二組的多個(gè)第二M電極的第二M電極驅(qū)動(dòng)器，用于順序施加掃描脈沖電壓到第二M電極。


通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1顯示了現(xiàn)有PDP的透視圖。
圖2顯示了圖1的PDP的橫截面圖。
圖3顯示了等離子體顯示器的現(xiàn)有電極排列圖。
圖4顯示了等離子體顯示器的現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)波形圖。
圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的電極排列圖。
圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形圖。
圖7A到7E顯示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的基于驅(qū)動(dòng)波形的壁電荷分布圖。
圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形圖。
圖9到10分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器圖和電極排列圖。
圖11和12分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器圖和電極排列圖。
圖13和14分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的PDP的透視圖和橫截面圖。
圖15顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的另一示例性PDP。
圖16和17分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的PDP的平面圖和橫截面圖。
圖18A和18B顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的示例性PDP電極構(gòu)造。
具體實(shí)施例方式
圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的電極排列圖。沿著列方向平行地提供地址電極A1到Am，并沿著行方向提供(n/2+1)個(gè)Y電極Y1到Y(jié)n/2+1、(n/2+1)個(gè)X電極X1到Xn/2+1和n個(gè)中央(median)電極(下文中稱(chēng)為M電極)。也就是說(shuō)，在Y和X電極之間提供M電極，并且Y電極、X電極、M電極和地址電極形成單個(gè)放電單元30，因而形成四電極(four-electrode)結(jié)構(gòu)。
X和Y電極是用于施加維持電壓波形的電極，而M電極是用于施加復(fù)位波形和掃描脈沖電壓的電極。
現(xiàn)在參考圖6和7A到7E，將描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法。每一子域包含復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，并且復(fù)位周期包括清除周期、M電極上升波形周期和M電極下降波形周期。
(1-1)清除周期(I)在清除周期期間，在以前的維持周期期間形成的壁電荷被清除。假設(shè)在示例性實(shí)施例中施加維持電壓到X電極，在維持周期的最后時(shí)刻將低于施加到X電極的電壓的電壓(例如，接地電壓)施加到Y(jié)電極。結(jié)果，如圖7A所示，在Y電極和地址電極形成正的壁電荷，在X和M電極形成負(fù)的壁電荷。
在清除周期期間，施加從電壓Vmc逐漸下降到接地電壓的波形(斜坡波形或?qū)?shù)波形)到M電極，同時(shí)使用電壓Vyc偏置Y電極。因此，在維持周期期間形成的壁電荷被清除。
(1-2)M電極上升波形周期(II)在該周期期間，施加從電壓Vmd逐漸上升到電壓Vset的波形(斜坡波形或?qū)?shù)波形)到M電極，同時(shí)使用接地電壓偏置X和Y電極。在施加上升波形的同時(shí)，在所有放電單元內(nèi)從M電極到地址、X和Y電極產(chǎn)生微弱的復(fù)位。結(jié)果，如圖7B所示，負(fù)的壁電荷聚集在M電極，而正的壁電荷聚集在地址、X和Y電極。
(1-3)M電極下降波形周期(III)在復(fù)位周期的后一部分期間，施加從電壓Vme逐漸下降到接地電壓的波形(斜坡波形或?qū)?shù)波形)到M電極，同時(shí)使用電壓Vxe、Vye分別偏置X和Y電極。在這種情況下，為了簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)，最好將電壓設(shè)置成Vxe＝Vye和Vmd＝Vme，并且該示例性實(shí)施例不限于此。
在斜坡電壓下降同時(shí)再次產(chǎn)生微弱的復(fù)位。由于提供M電極下降波形周期用來(lái)逐漸減少在M電極上升波形周期期間聚集的壁電荷，延長(zhǎng)下降波形的時(shí)間對(duì)尋址是有利的，因?yàn)樵谙陆挡ㄐ蔚臅r(shí)間變得更長(zhǎng)時(shí)(例如，在傾斜度變得更緩時(shí))可以精確地控制減少的壁電荷。
聚集在所有單元的各個(gè)電極的壁電荷根據(jù)將下降波形施加到M電極的結(jié)果而被統(tǒng)一地清除，結(jié)果，如圖7C所示，正的壁電荷聚集在地址電極，負(fù)的壁電荷同時(shí)聚集在X、Y和M電極。
(2)尋址周期(掃描周期)在尋址周期期間，順序施加掃描電壓到M電極，因此施加掃描脈沖，并施加地址電壓到地址電極，因此施加地址電壓到將要被放電的單元(例如，將要打開(kāi)的單元)，同時(shí)用電壓Vsc偏置多個(gè)M電極。使X電極保持在接地電壓，并施加電壓Vye到Y(jié)電極。也就是說(shuō)，施加高于X電極電壓的電壓到Y(jié)電極。
在M和地址電極之間產(chǎn)生放電，并使放電擴(kuò)展到X和Y電極，結(jié)果，如圖7D所示，正的壁電荷聚集到X和M電極，負(fù)的壁電荷聚集到Y(jié)和地址電極。
(3)維持周期在維持周期，交替施加維持電壓到X和Y電極，同時(shí)使用維持電壓Vm偏置M電極。通過(guò)上述電壓的應(yīng)用在尋址周期內(nèi)在所選的放電單元產(chǎn)生維持電壓。
在初始維持和在正常時(shí)間以不同的放電機(jī)制產(chǎn)生放電。為便于描述，把產(chǎn)生在初始維持的放電稱(chēng)為短間隙放電周期，把在正常時(shí)間的放電稱(chēng)為長(zhǎng)間隙放電周期。
(3-1)短間隙放電周期如圖7E的(a)和(b)部分所示，施加正的電壓脈沖到X電極，施加負(fù)的電壓脈沖到Y(jié)電極(正和負(fù)的符號(hào)是相對(duì)的概念，用于比較施加到X和Y電極的電壓的強(qiáng)度，并且施加正的脈沖電壓到X電極表示將高于施加到Y(jié)電極電壓的電壓施加到X電極)，并且同時(shí)施加正的電壓脈沖到M電極。因此，與其中放電發(fā)生在X電極和Y電極之間的常規(guī)情況不同，放電發(fā)生在X電極/M電極和Y電極之間。特別是，由于M和Y電極之間的距離小于X和Y電極之間的距離，因此施加在M和Y電極之間的電場(chǎng)變得更高。因此，與X和Y電極之間的放電相比，在M和Y電極之間的放電起主要作用。如上所述，在較早的維持中，在具有相對(duì)較短距離的M和Y電極之間的放電起到最主要的作用，這稱(chēng)為短間隙放電。
因此，當(dāng)在尋址周期后在施加第一維持脈沖的時(shí)候在放電單元內(nèi)產(chǎn)生不足的起動(dòng)粒子時(shí)，由于通過(guò)施加相對(duì)高的電場(chǎng)，使在較早的維持階段里執(zhí)行的短間隙放電產(chǎn)生，從而完成充分的放電。
(3-2)長(zhǎng)間隙放電周期由于在施加維持的第一維持脈沖后，用固定電壓Vm偏置M電極的電壓，在M和X電極之間或在M和Y電極之間的放電(例如，短間隙放電)起到次要的作用，在X和Y電極之間的放電成為主要的放電，通過(guò)一系列交替施加到X和Y電極的放電脈沖顯示輸入圖像。
也就是說(shuō)，如圖7E的部分(d)所示，在正常維持周期，負(fù)的壁電荷持續(xù)聚集在M電極，而負(fù)的壁電荷和正的壁電荷交替聚集到X和Y電極。
因?yàn)樵谳^早的維持階段在X和M電極之間(或Y和M電極之間)通過(guò)短間隙放電執(zhí)行放電，在起動(dòng)粒子較少時(shí)執(zhí)行充足的放電，并且因?yàn)樵谡５臓顟B(tài)中，在X和Y電極之間通過(guò)長(zhǎng)間隙放電執(zhí)行放電，從而執(zhí)行穩(wěn)定的放電。
此外，因?yàn)槭┘訋缀鯇?duì)稱(chēng)的電壓波形到X和Y電極，把用于驅(qū)動(dòng)X和Y電極的電路設(shè)計(jì)成幾乎相同的樣式。因此，由于在X和Y電極之間電路阻抗差別幾乎被消除了，所以在維持周期中施加到X和Y電極的脈沖波形的失真降低，并提供穩(wěn)定的放電。
根據(jù)如圖6所示的第一示例性實(shí)施例，可以驅(qū)動(dòng)X和Y電極的反轉(zhuǎn)波形，也可以在尋址周期中驅(qū)動(dòng)X和Y電極的反轉(zhuǎn)波形。
根據(jù)第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法，主要施加復(fù)位波形和掃描脈沖波形到M電極，并主要施加維持電壓波形到X和Y電極。在這種情況下，可以施加各種類(lèi)型的復(fù)位波形和如圖6所示的復(fù)位波形到M電極。
參考圖7A到7E和圖8，將要描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法。圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的驅(qū)動(dòng)波形圖。
每一個(gè)子域包括復(fù)位周期，尋址周期和維持周期，由于尋址和維持周期的描述與如圖6中所示的驅(qū)動(dòng)方法類(lèi)似，不將提供重復(fù)的描述。
根據(jù)第二示例性實(shí)施例的復(fù)位周期包括清除周期，M電極上升/浮動(dòng)(floating)波形周期和M電極下降/浮動(dòng)波形周期。
(1)清除周期該周期用于清除在以前的維持周期中形成的壁電荷。假設(shè)在第二示例性實(shí)施例中，在維持周期的后一部分中，施加維持電壓脈沖到X電極并施加接地電壓到Y(jié)電極，正的壁電荷聚集在Y和地址電極，而負(fù)的壁電荷形成在X和M電極。
在清除周期期間，施加從電壓Vmc逐漸下降到接地電壓的波形(斜坡波形或?qū)?shù)波形)到M電極，同時(shí)使用電壓Vyc偏置Y電極。因此，如圖7A所示，在維持周期期間形成的壁電荷被清除。
(2)M電極上升/浮動(dòng)波形周期在該周期期間，施加上升/浮動(dòng)波形到M電極，同時(shí)使用接地電壓的電壓偏置X和Y電極，其中上升/浮動(dòng)波形用來(lái)重復(fù)施加從電壓Vmd到電壓Vset的上升波形并執(zhí)行浮動(dòng)。在施加上升/浮動(dòng)波形的同時(shí)，在全部的放電單元內(nèi)從M電極向X和Y電極產(chǎn)生了微弱的放電。更加詳細(xì)的是，當(dāng)施加上升波形到M電極時(shí)，復(fù)位發(fā)生在全部放電單元內(nèi)以積聚壁電荷，同時(shí)使M電極浮動(dòng)，在放電空間內(nèi)的放電實(shí)質(zhì)上被消除了。結(jié)果，如圖7B所示，負(fù)的壁電荷聚集在M電極，正的壁電荷同時(shí)聚集在X和Y電極。
(3)M電極下降/浮動(dòng)波形周期在復(fù)位周期的后一部分，施加下降/浮動(dòng)波形到M電極，同時(shí)以電壓Vxe、Vye分別偏置X和Y電極，其中下降/浮動(dòng)波形用于重復(fù)施加從電壓Vme到接地電壓的下降波形并執(zhí)行浮動(dòng)。在施加下降/浮動(dòng)波形的同時(shí)，在全部的放電單元內(nèi)產(chǎn)生了微弱的放電。
作為施加下降/浮動(dòng)波形到M電極的結(jié)果，聚集在全部單元的各個(gè)電極的壁電荷被統(tǒng)一清除，并且如圖7C所示，正的壁電荷聚集到地址電極，負(fù)的壁電荷同時(shí)聚集到X、Y和M電極。
除圖6和8所示的施加的波形之外，可以施加各種類(lèi)型的用于三電極結(jié)構(gòu)的復(fù)位波形到M電極。由于由本領(lǐng)域技術(shù)人員從以上描述可以很容易了解將各種類(lèi)型的復(fù)位波形應(yīng)用到四電極結(jié)構(gòu)，因此不提供相應(yīng)的描述。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，當(dāng)應(yīng)用各種類(lèi)型的復(fù)位波形到四電極結(jié)構(gòu)時(shí)，最好滿(mǎn)足下面提出的四個(gè)條件。
第一，在上升的復(fù)位波形周期里，施加到M電極的電壓波形Rm(v)被設(shè)置為高于施加到X電極的電壓波形Rx(v)或施加到Y(jié)電極的電壓波形Ry(v)(即，Rm(v)＞(Rx(v)或Ry(v))。
第二，在下降的復(fù)位波形周期里，施加到M電極的電壓波形Fm(v)被設(shè)置為低于施加到X電極的電壓波形Fx(v)或施加到Y(jié)電極的電壓波形Fy(v)(即，F(xiàn)m(v)＜(Fx(v)或Fy(v))。
第三，在尋址周期里，施加到M電極的電壓波形Am(v)被設(shè)置為低于施加到X電極的電壓波形Ax(v)或施加到Y(jié)電極的電壓波形Ay(v)(即，Am(v)＜(Ax(v)或Ay(v))。
第四，在維持周期里，施加到M電極的電壓波形Sm(v)被設(shè)置為高于施加到X電極的電壓波形Sx(v)或施加到Y(jié)電極的電壓波形Sy(v)(即，Sm(v)＞(Sx(v)或Sy(v))。此外，在維持周期里施加到M電極的電壓波形Sm(v)被設(shè)置為高于在尋址周期里施加到M電極的電壓波形Am(v)(即，Sm(v)＞Am(v))。
圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器圖。
如圖所示，等離子體顯示器包括等離子體顯示板100、地址驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器300、X電極驅(qū)動(dòng)器400、M電極驅(qū)動(dòng)器500、和控制器600。
等離子體顯示板100包括多個(gè)沿列方向排列的地址電極A1到Am、以及多個(gè)沿著行方向排列的Y電極Y1到Y(jié)n、X電極X1到Xn、和Mij電極。Mij電極代表形成在Yi電極和Xj電極之間的電極。
地址驅(qū)動(dòng)器200接收來(lái)自控制器600的地址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA，并將用于選擇將要被顯示的放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到各個(gè)地址電極。
Y電極驅(qū)動(dòng)器300和X電極驅(qū)動(dòng)器400接收來(lái)自控制器600的Y電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY和X電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX，并將它們分別施加到X和Y電極。
M電極驅(qū)動(dòng)器500接收來(lái)自控制器600的M電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SM，并將其施加到M電極。在這種情況下，最好在同一印刷電路板(PCB)上提供M電極驅(qū)動(dòng)器500和X電極驅(qū)動(dòng)器400，因而成形為更加緊湊的電路。
控制器600接收外部視頻信號(hào)，產(chǎn)生地址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、Y電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY、X電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX、和M電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SM，并將它們發(fā)送到地址驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器300、X電極驅(qū)動(dòng)器400、和M電極驅(qū)動(dòng)器500。
可以在等離子體顯示板的一側(cè)上提供Y電極驅(qū)動(dòng)器300?？梢栽谄淞硪粋?cè)上提供X電極驅(qū)動(dòng)器400。在第一示例性實(shí)施例中，可以在其預(yù)定的一側(cè)(例如，在如圖8中X電極驅(qū)動(dòng)器所處的一側(cè)上)上提供M電極驅(qū)動(dòng)器500。也就是說(shuō)，將全部M電極耦合到等離子體顯示板的一側(cè)上提供的M電極驅(qū)動(dòng)器500。
圖10顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的電極排列圖。如圖所示，將M電極排列在Y和X電極之間。為便于描述，當(dāng)提供用于驅(qū)動(dòng)X、Y和M電極的驅(qū)動(dòng)器時(shí)，在該位置上提供有參考數(shù)字。即，把用于驅(qū)動(dòng)Y電極的驅(qū)動(dòng)器的參考數(shù)字加在Y電極的左側(cè)，這是因?yàn)樵谄渥髠?cè)提供驅(qū)動(dòng)器，并且把用于驅(qū)動(dòng)X和M電極的驅(qū)動(dòng)器的參考數(shù)字加在X和M電極的右側(cè)，這是因?yàn)樵谄溆覀?cè)提供驅(qū)動(dòng)器。
在上述的電極排列結(jié)構(gòu)中，假設(shè)掃描方向在顯示板上是從上至下的，在尋址周期期間，M電極在單一掃描的情況下以M1、M2、M3、...、MM1、MM2、MM3的順序，并在雙掃描的情況下以(M1、MM1)、(M2、MM2)、(M3、MM3)的順序進(jìn)行掃描。
因?yàn)閷電極耦合到在顯示板的一側(cè)提供的M電極驅(qū)動(dòng)器500，當(dāng)需要用于獲得高分辨率的許多電極時(shí)，用于耦合M電極到M電極驅(qū)動(dòng)器的終端電纜增加，因此，在耦合終端電纜之間的間隙變窄。因此，當(dāng)增加電極的數(shù)目以獲得根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示器的高分辨率時(shí)，可能有困難將M電極耦合到M電極驅(qū)動(dòng)器500。
圖11和12分別顯示了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器圖和電極排列圖。如圖11所示，等離子體顯示器包括等離子體顯示板100、地址驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器300、X電極驅(qū)動(dòng)器400、第一M電極驅(qū)動(dòng)器520、第二M電極驅(qū)動(dòng)器540、和控制器600’。
在等離子體顯示板100的兩側(cè)提供用于分別驅(qū)動(dòng)奇數(shù)線和偶數(shù)線M電極的第一和第二電極驅(qū)動(dòng)器520、540。與圖9的那些部件執(zhí)行相同功能和操作的圖11的部件具有相同的參考數(shù)字，不提供重復(fù)的描述。
將第一M電極驅(qū)動(dòng)器520耦合到奇數(shù)線M電極，接收來(lái)自控制器600’的用于驅(qū)動(dòng)奇數(shù)線M電極的M電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SM1，并將其施加到M電極。將第二M電極驅(qū)動(dòng)器540耦合到偶數(shù)線M電極，接收來(lái)自控制器600’的用于驅(qū)動(dòng)偶數(shù)線M電極的M電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SM2，并將其施加到M電極。在這種情況下，最好在同一PCB上分別提供第一M電極驅(qū)動(dòng)器520和X電極驅(qū)動(dòng)器400、第二M電極驅(qū)動(dòng)器540和Y電極驅(qū)動(dòng)器300。
由于奇數(shù)線M電極被耦合到平板(panel)的一側(cè)上提供的第一M電極驅(qū)動(dòng)器520，并且偶數(shù)線M電極耦合到平板的另一側(cè)上提供的第二M電極驅(qū)動(dòng)器540，因此當(dāng)需要許多M電極以獲得高分辨率時(shí)，用于耦合奇數(shù)線M電極到第一M電極驅(qū)動(dòng)器的終端電纜(或用于耦合偶數(shù)線M電極到第二M電極驅(qū)動(dòng)器的終端電纜)的間隙變成圖9的第一示例性實(shí)施例所需的終端電纜的間隙的一半。
因此，當(dāng)增加電極的數(shù)目以獲得高分辨率時(shí)，在根據(jù)第二示例性實(shí)施例的等離子體顯示器中，可以容易地執(zhí)行終端耦合。
在圖11和12的電極排列結(jié)構(gòu)中，在尋址周期里的M電極的掃描順序如下。
首先，在單一掃描的情況下M電極以ML1、ML2、ML3、...、MR1、MR2、MR3的順序掃描。在這種情況下，由于掃描奇數(shù)M電極的方向?qū)?yīng)于掃描偶數(shù)M電極的方向，因此平板的放電特性可能不會(huì)均勻。
因此，當(dāng)考慮到平板的放電特性時(shí)，在單一掃描的情況下以ML1、ML2、ML3、...、MR3、MR2、MR1的順序掃描M電極(即，把線掃描奇數(shù)M電極的方向設(shè)置為與線掃描偶數(shù)M電極的方向相反)是有利的。
在雙掃描的情況下，M電極以(ML1、MML1)、(ML2、MML2)、...、(MR2、MMR2)、(MR1、MMR1)的順序或以(ML1、MML1)、(ML2、MML2)、...、(MR1、MMR1)、(MR2、MMR2)的順序掃描。
將奇數(shù)線M電極和偶數(shù)線M電極分別耦合到在等離子體顯示板的右側(cè)和左側(cè)上提供的第一M電極驅(qū)動(dòng)器520和第二M電極驅(qū)動(dòng)器540，此外，通過(guò)各種方法把M電極分成多個(gè)組，并且把各組耦合到第一和第二M電極驅(qū)動(dòng)器520和540。
圖13和14分別顯示了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP的透視圖和橫截面圖。參考圖13和14，等離子體顯示板包括第一基片41和第二基片42。X電極53和Y電極54形成在第一基片41上?？偩€電極46形成在X和Y電極53、54上。介電層44和保護(hù)膜45順序形成在X和Y電極53、54上。
地址電極55形成在第二基片42的表面上，介電層44’形成在地址電極55上。隔離肋(barrie rib)47形成在介電層44’上，因而形成在隔離肋47之間的放電空間的單元49。在隔離肋47之間的單元空間內(nèi)將熒光物質(zhì)48覆蓋在隔離肋47的表面上。與地址電極55垂直地形成X和Y電極53、54。
M電極56形成在第一基片41的表面上形成的一對(duì)X和Y電極53、54之間。施加復(fù)位波形和掃描波形到M電極?？偩€電極46形成在M電極56上。
在根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示板中，在Xi電極和Yi電極之間和在Xi+1電極和Yi+1電極之間提供M電極。也就是說(shuō)，當(dāng)提供(n/2+1)個(gè)X和Y電極時(shí)，提供有n個(gè)M電極。
此外，如圖15所示，可以在Xi電極53和Yi電極54之間，而不在Yi電極和Xi+1電極之間提供M電極56。在這種情況下，X、Y和M電極的數(shù)目是n。
圖16顯示了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的部分平面圖，而圖17顯示了關(guān)于圖16的線A-A的部分橫截面圖。等離子體顯示板包括第一基片100和第二基片200。多個(gè)地址電極210沿著一個(gè)方向(y軸方向)形成在第二基片200上，多個(gè)X電極130和Y電極140沿著垂直于地址電極210方向的方向(x軸方向)形成在第一基片100上。X和Y電極130、140成對(duì)地與各個(gè)放電單元270對(duì)應(yīng)。介電層70和保護(hù)膜80順序形成在第一基片100上，并覆蓋X和Y電極130、140。介電層230形成在第二基片200上，并覆蓋地址電極210。
多個(gè)隔離肋150形成在第一和第二基片100、200之間。將隔離肋150分別布置在相鄰的地址電極210之間并與地址電極210平行，并且形成等離子體放電所需的放電單元270。
用于形成維持電極的X電極130和Y電極140各自包括突起電極130a、140a和總線電極130b、140b。突起電極130a、140a用于在放電單元270內(nèi)產(chǎn)生等離子體放電，最好將透明的銦錫氧化物(ITO)電極應(yīng)用到突起電極130a、140a以獲得亮度，并且最好將金屬電極應(yīng)用到總線電極130b、140b，從而補(bǔ)償透明電極的高阻抗并得到導(dǎo)電性。平行地形成對(duì)應(yīng)于每一放電單元270的一對(duì)總線電極130b、140b，并將突起電極130a、140a從各個(gè)總線電極130b、140b向著每一個(gè)放電單元270突起以便它們可以彼此相對(duì)。
M電極180形成在第一基片上形成的X和Y電極130、140之間，總線電極182形成在M電極180上。
如圖16所示，將凹形(concave)單元B形成在突起電極130a、140a的中央，將平坦(flat)單元C形成在凹形單元B的兩側(cè)上。M電極中央部分的長(zhǎng)度d2要長(zhǎng)于其邊緣部分的長(zhǎng)度d1，其中中央部分對(duì)應(yīng)于突起電極130a、140a的凹形單元B。形成地址電極210來(lái)疊加在突起電極的凹形單元B和M電極的中央部分之上。
短間隙SG形成在M電極180和各個(gè)突起電極130a、140a之間。長(zhǎng)間隙LG形成在突起電極之間。主要的放電從初始短間隙開(kāi)始到長(zhǎng)間隙以便擴(kuò)展到整個(gè)放電單元270。
在突起電極130a、140a的凹形單元B之間的長(zhǎng)間隙的長(zhǎng)度LG2大于凹形單元B之間的長(zhǎng)間隙的長(zhǎng)度LG1。由于產(chǎn)生地址的地址電極和M電極會(huì)合的區(qū)域具有相對(duì)大的面積，因此根據(jù)第二示例性實(shí)施例的電極構(gòu)造具有更優(yōu)的尋址效率。此外，由于可以縮短在突起電極130a、140a的平坦單元C之間形成的、用于維持的距離LG1，從而使維持電壓降低。
如上所述，凹形單元B和平坦單元C形成在維持電極130、140的一側(cè)上布置的突起電極130a、140a之上，或在維持電極130、140的兩側(cè)上布置的突起電極130a、140a之上。此外，如圖18A和18B所示，突起電極130a、140a和M電極180的構(gòu)造不相同。
此外，通過(guò)在X和Y電極之間形成M電極，施加復(fù)位波形和掃描波形到M電極，并施加維持電壓波形到X和Y電極，防止了放電的失效。
盡管已參照本發(fā)明的確定優(yōu)選實(shí)例表示和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員將理解的是，可在不背離由所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明宗旨和范圍的前提下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的修改。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，所述等離子體顯示器包括用于分別接收維持電壓脈沖的第一電極和第二電極，以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極，其中在維持時(shí)間間隔中，該方法包括(a)在第一周期期間，在第一電極和第三電極之間執(zhí)行短間隙放電；及(b)在第二周期期間，在第一電極和第二電極之間執(zhí)行長(zhǎng)間隙放電。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在第一周期期間產(chǎn)生第一維持。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中第二周期是在第一維持之后提供的時(shí)間間隔。
4.如權(quán)利要求1的所述方法，其中在第一周期和第二周期期間，將從第一電壓轉(zhuǎn)換到高于第一電壓的第二電壓的維持電壓脈沖分別交替施加到第一電極和第二電極，及由高于第一電壓的第三電壓偏置第三電極。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在尋址時(shí)間間隔期間，施加掃描脈沖電壓到第三電極。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中在尋址時(shí)間間隔期間，施加第一電壓到第一電極，并施加高于第一電壓的第二電壓到第二電極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中執(zhí)行短間隙放電包括分別施加維持脈沖和第三電壓到第一電極和第二電極，并施加高于第三電壓的第四電壓到第三電極。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中執(zhí)行長(zhǎng)間隙放電包括交替施加維持脈沖到第一電極和第二電極，并由第四電壓偏置第三電壓。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一電壓是接地電壓。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中第三電壓是接地電壓。
11.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器方法，所述等離子體顯示器包括第一電極和第二電極以及形成在各個(gè)第一電極和第二電極之間的第三電極，所述方法包括(a)在復(fù)位時(shí)間間隔期間施加復(fù)位波形到第三電極；及(b)在維持時(shí)間間隔期間交替施加維持電壓脈沖到第一電極和第二電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在復(fù)位時(shí)間間隔和維持時(shí)間間隔之間提供的尋址時(shí)間間隔期間，施加掃描脈沖電壓到第三電極。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在尋址時(shí)間間隔期間施加第一電壓到第一電極，并施加高于第一電壓的第二電壓到第二電極。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在維持時(shí)間間隔的第一周期期間分別施加維持脈沖和第三電壓到第一電極和第二電極，并施加高于第三電壓的第四電壓到第三電極。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中在第一周期期間產(chǎn)生第一維持。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中在維持時(shí)間間隔的第二周期期間，交替施加維持脈沖到第一電極和第二電極，并由第四電壓偏置第三電極。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在復(fù)位時(shí)間間隔期間包括施加清除電壓到第三電極；施加從第一電壓上升到第二電壓的上升波形到第三電極；及施加從第三電壓下降到第四電壓的下降波形到第三電極。
18.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，所述等離子體顯示器包括用于分別接收維持電壓脈沖的第一電極和第二電極以及形成在各個(gè)第一電極和第二電極之間的第三電極，其中在復(fù)位時(shí)間間隔中包括(a)施加清除電壓到第三電極；(b)施加從第一電壓上升到第二電壓的上升波形到第三電極；及(c)施加從第三電壓下降到第四電壓的下降波形到第三電極。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中施加清除電壓包括施加從第五電壓下降到第六電壓的下降波形到第三電極；由低于第五電壓的第七電壓偏置第一電極；及由高于第七電壓的第八電壓偏置第二電極。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在先前子域的維持時(shí)間間隔期間，施加最后維持電壓到第一電極。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中施加上升波形包括施加上升/浮動(dòng)波形，用于重復(fù)施加上升波形和浮動(dòng)到第三電極。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中施加下降波形包括施加下降/浮動(dòng)波形，用于重復(fù)施加下降波形和浮動(dòng)到第三電極。
23.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，所述等離子體顯示器包括第一和第二電極以及形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極，包括(a)在復(fù)位時(shí)間間隔期間施加復(fù)位波形到第三電極；(b)在尋址時(shí)間間隔期間施加掃描脈沖到第三電極；及(c)在維持時(shí)間間隔期間，交替施加維持電壓脈沖到第一電極和第二電極。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中在復(fù)位時(shí)間間隔和維持時(shí)間間隔之間提供的尋址時(shí)間間隔期間，施加掃描脈沖到第三電極。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中在尋址時(shí)間間隔期間，施加第一電壓到第一電極，并施加高于第一電壓的第二電壓到第二電極。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中在維持時(shí)間間隔的第一周期期間，分別施加維持脈沖和第三電壓到第一電極和第二電極，并施加高于第三電壓的第四電壓到第三電極。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中在第一周期期間產(chǎn)生第一維持。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其中在維持時(shí)間間隔的第二周期期間，交替施加維持脈沖到第一電極和第二電極，并由第四電壓偏置第三電極。
29.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器的方法，所述等離子體顯示器包括第一電極和第二電極以及形成在各個(gè)第一電極和第二電極之間的第三電極，包括(a)在尋址時(shí)間間隔期間施加第一電壓到第一電極；及(b)施加第三電壓到第一電極，施加低于第三電壓的第四電壓到第二電極，并施加高于第一和第四電壓之一的第五電壓到第三電極。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中在尋址時(shí)間間隔期間施加掃描脈沖到第三電極。
31.一種等離子體顯示板包括第一基片和第二基片；形成在第一基片上的第一電極和第二電極，用于接收維持脈沖電壓；形成在各個(gè)第一和第二電極之間的第三電極，用于接收復(fù)位波形；用于覆蓋第一電極、第二電極和第三電極的介電層；形成在第二基片上以分別穿過(guò)第一電極、第二電極和第三電極的地址電極；用于覆蓋地址電極的介電層；形成在第二基片的介電層上部之上的隔離肋；及在隔離肋之間提供的熒光物質(zhì)。
32.如權(quán)利要求31所述的等離子體顯示板，其中施加掃描脈沖到第三電極。
33.一種等離子體顯示板包含彼此相對(duì)的第一基片和第二基片；形成在第二基片上的地址電極；在第一基片和第二基片之間的空間內(nèi)提供的隔離肋，用于劃分多個(gè)放電單元；在放電單元內(nèi)形成的熒光物質(zhì)層；提供來(lái)穿越地址電極并成對(duì)地彼此相對(duì)的維持電極，該維持電極包括X電極和Y電極，其中X電極和Y電極具有進(jìn)入相應(yīng)放電單元并成對(duì)地彼此相對(duì)的各個(gè)突起；及在維持電極中的、在成對(duì)地彼此相對(duì)的突起之間提供并形成M電極，來(lái)穿越地址電極，M電極順序接收掃描脈沖電壓。
34.如權(quán)利要求33所述的等離子體顯示板，其中凹形單元形成在成對(duì)的維持電極的至少一側(cè)上提供的每一個(gè)突起的中央。
35.如權(quán)利要求33所述的等離子體顯示板，其中平坦單元形成在每一個(gè)突起的附近。
36.如權(quán)利要求33所述的等離子體顯示板，其中對(duì)應(yīng)于突起的凹形單元的M電極的長(zhǎng)度大于對(duì)應(yīng)于突起的平坦單元的M電極的長(zhǎng)度。
37.一種等離子體顯示器包括包括多個(gè)用于接收維持電壓脈沖的第一電極和第二電極以及多個(gè)形成在各個(gè)第一電極和第二電極之間的第三電極的等離子體顯示板；耦合到第一電極的第一電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；耦合到第二電極的第二電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；及耦合到第三電極的第三電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加復(fù)位波形到第三電極。
38.如權(quán)利要求37所述的等離子體顯示器，其中在等離子體顯示板的第一表面上提供第一電極驅(qū)動(dòng)器和第三電極驅(qū)動(dòng)器。
39.如權(quán)利要求38所述的等離子體顯示器，其中第一電極驅(qū)動(dòng)器和第三電極驅(qū)動(dòng)器形成在同一印刷電路板上。
40.一種等離子體顯示器包括包括多個(gè)用于接收維持電壓脈沖的X電極和Y電極以及多個(gè)形成在各X電極和Y電極之間的M電極的等離子體顯示板；耦合到X電極的X電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；耦合到Y(jié)電極的Y電極驅(qū)動(dòng)器，用于施加維持電壓脈沖；耦合到屬于M電極之中第一組的多個(gè)第一M電極的第一M電極驅(qū)動(dòng)器，用于順序施加掃描脈沖電壓到第一M電極；及耦合到屬于M電極之中第二組的多個(gè)第二M電極的第二M電極驅(qū)動(dòng)器，用于順序施加掃描脈沖電壓到第二M電極。
41.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示器，其中在復(fù)位時(shí)間間隔期間，第一M電極驅(qū)動(dòng)器和第二M電極驅(qū)動(dòng)器分別施加復(fù)位波形到第一M電極和第二M電極。
42.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示器，其中第一M電極驅(qū)動(dòng)器和第二M電極驅(qū)動(dòng)器關(guān)于等離子體顯示板彼此相對(duì)。
43.如權(quán)利要求42所述的等離子體顯示器，其中第一M電極驅(qū)動(dòng)器和X電極驅(qū)動(dòng)器形成在同一印刷電路板上。
44.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示器，其中第一M電極是奇數(shù)M電極，第二M電極是偶數(shù)M電極。
全文摘要
一種等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。中央電極形成在用于接收維持電壓脈沖的X和Y電極之間，并施加復(fù)位波形和掃描脈沖電壓到中央電極。在維持時(shí)間間隔的初始時(shí)間間隔期間，在X電極和中央電極之間執(zhí)行短間隙放電，并且在維持時(shí)間間隔的正常時(shí)間間隔期間，在X電極和Y電極之間執(zhí)行長(zhǎng)間隙放電，因而完成穩(wěn)定的放電。因?yàn)槭┘拥絏和Y電極的波形實(shí)質(zhì)上對(duì)稱(chēng)，通過(guò)同等的電路實(shí)現(xiàn)X和Y電極驅(qū)動(dòng)器。
文檔編號(hào)H01J11/26GK1637806SQ200410095450
公開(kāi)日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者李正斗, 金貞男, 金泰佑, 金晙淵, 蔡洙龍 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社