專利名稱：陰極射線管的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陰極射線管，尤其涉及一種具有能夠減少泄漏磁場的偏轉(zhuǎn)軛的陰極射線管。
這里，黑白陰極射線管中有一個電子槍，而彩色陰極射線管包含三個在水平面上排列成一行的電子槍，其目的在于通過混合紅色R、綠色G和藍色B而再生彩色圖像。
彩色陰極射線管采用了利用不規(guī)則磁場的自會聚偏轉(zhuǎn)軛。其目的在于把從電子槍發(fā)射的三束R，G和B電子束在熒光屏上會聚成一點。
這里，偏轉(zhuǎn)軛的枕形水平偏轉(zhuǎn)磁場或筒形垂直偏轉(zhuǎn)磁場在水平或垂直方向上偏轉(zhuǎn)電子槍發(fā)射的三束電子束。
由偏轉(zhuǎn)軛所偏轉(zhuǎn)的電子束穿過蔭罩落在熒光屏上。
圖1是結(jié)構圖，顯示了普通陰極射線管。如圖1所示，該陰極射線管包含面板單元1、連接到面板單元1的玻殼單元2，以及與玻殼單元2合為一體的管頸3。
熒光屏5涂有發(fā)射R、G和B光的三點狀或條紋狀的彩色磷光體層，其被安裝在面板單元1的面板4內(nèi)表面上。此外，蔭罩6是有大量小孔或縫隙的顏色分揀電極，它排列在朝向熒光屏5的內(nèi)側(cè)部分。蔭罩6與框架7相連，它由彈性元件8彈性支承，也由面板通過柱螺栓銷9來支承。內(nèi)屏蔽10被固定在框架7上，其目的在于防止改變電子束的路徑而屏蔽由偏轉(zhuǎn)軛13所偏轉(zhuǎn)的電子束的外部磁場。
用于接受電壓和發(fā)射R、G和B電子束的電子槍14被固定在管頸3上。電子槍14更適宜是彩色陰極射線管內(nèi)在同一平面上排成一行的一排電子槍。此外，聚焦純度校正磁鐵(CPM)位于電子槍14的前端，其使電子槍14發(fā)出的電子束12會聚成一點。
偏轉(zhuǎn)軛13用于在水平和垂直方向上偏轉(zhuǎn)來自電子槍14的電子束，其被安裝在玻殼單元2后端的外表面上，即管頸3的前端。
如圖2所示，該偏轉(zhuǎn)軛13包含圓形座35，該座是用于形成包含屏幕側(cè)21和管頸側(cè)23的第一凸緣25和第二凸緣，用于把水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b、垂直偏轉(zhuǎn)線圈31和鐵氧體磁芯33固定在預定位置上，并使垂直偏轉(zhuǎn)線圈31和水平偏轉(zhuǎn)線圈29a與29b絕緣，該水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b纏繞在座35內(nèi)側(cè)部分的第一凸緣25和第二凸緣27之間，該線圈用于在水平方向上偏轉(zhuǎn)電子槍發(fā)出的電子束；垂直偏轉(zhuǎn)線圈31纏繞在座35內(nèi)側(cè)部分的第一凸緣25和第二凸緣27之間，該線圈用于在垂直方向上偏轉(zhuǎn)電子束；圓錐形鐵氧體磁芯33通過減少由水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b和垂直偏轉(zhuǎn)線圈31所產(chǎn)生的水平/垂直偏轉(zhuǎn)磁場的損失來提高磁效率。
一般而言，偏轉(zhuǎn)軛13在屏幕側(cè)21和管頸側(cè)23處產(chǎn)生泄漏磁場。磁場的漏磁對人類有害。
為防止磁場泄漏，消磁線圈37a和37b被安裝在偏轉(zhuǎn)軛13的第一凸緣25的上部及下部。這里，經(jīng)由消磁線圈37a和37b，從接線板39引出的引出線41與水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b相連。
如圖4所示，上水平偏轉(zhuǎn)線圈29a與一對消磁線圈37a和37b串聯(lián)，下水平偏轉(zhuǎn)線圈29b與電阻器R和電容器C串聯(lián)，該上水平偏轉(zhuǎn)線圈和下水平偏轉(zhuǎn)線圈并聯(lián)。在兩端H+和H-加上鋸齒波水平偏轉(zhuǎn)電流，從而產(chǎn)生了水平偏轉(zhuǎn)磁場。因此，由于該水平偏轉(zhuǎn)磁場的作用，電子槍發(fā)出的電子束被水平偏轉(zhuǎn)。
一般而言，現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛對水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b的兩端H+和H-施加至少15.76kHz頻率的電流，并使用這樣產(chǎn)生的枕形水平偏轉(zhuǎn)磁場在水平方向上偏轉(zhuǎn)玻殼單元2的電子束。另一方面，偏轉(zhuǎn)軛對垂直偏轉(zhuǎn)線圈31施加大約60Hz頻率的電流，使用這樣產(chǎn)生的筒形垂直偏轉(zhuǎn)磁場在垂直方向上偏轉(zhuǎn)該電子束。
此外，自會聚型偏轉(zhuǎn)軛已經(jīng)可以使用由水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b和垂直偏轉(zhuǎn)線圈31產(chǎn)生的不規(guī)則磁場在屏幕上會聚三束電子束，而不需要專用附加線路或裝置。
也就是說，自會聚型偏轉(zhuǎn)軛調(diào)整了垂直偏轉(zhuǎn)線圈31和水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b的導線分布，為每部分(例如屏幕側(cè)21，中間側(cè)22和管頸側(cè)23)產(chǎn)生了筒形或枕形磁場，根據(jù)三電子束位置，它們適宜有不同的偏轉(zhuǎn)力，以及盡管電子束出發(fā)點和終點(即，熒光屏)之間的距離不同，仍會聚到相同點。因此，電子束能精確擊中相應磷光體。
向水平偏轉(zhuǎn)線圈29a與29b和垂直偏轉(zhuǎn)線圈31傳輸電流，產(chǎn)生水平偏轉(zhuǎn)磁場和垂直偏轉(zhuǎn)磁場，由于水平/垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生了水平/垂直偏轉(zhuǎn)磁場，這種情況下，很難向面板的整個表面偏轉(zhuǎn)電子束。因此，高磁導率的鐵氧體磁芯33被用來減少磁場反饋路徑上的損耗，因此，增加了磁效率和磁力。
另一方面，如上所述，除用于在水平方向或垂直方向上偏轉(zhuǎn)電子束的主偏轉(zhuǎn)磁場之外，偏轉(zhuǎn)軛在屏幕側(cè)21和管頸側(cè)23不必要地產(chǎn)生了泄漏磁場。泄漏磁場對人類可能有害。尤其是，范圍在5Hz到2kHz的極低頻率(ELF)或范圍在2kHz到400kHz的超低頻(VLF)的泄漏磁場對人類是非常有害的。因此，需要解決該問題的方法。
其中一個研究領域提倡減少電場長度，其中，偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)靠近屏幕側(cè)之末端的直徑和傾斜角被增大以獲得高偏轉(zhuǎn)角，從而明顯產(chǎn)生了泄漏磁場。
同樣，為減少泄漏磁場，已經(jīng)使用了利用位于座35的第一凸緣25上、下部分的消磁線圈37a和37b的方法，或增加靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端與靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端之間間隔的方法。
圖2顯示了用消磁線圈減少泄漏磁場的方法，圖3是示意剖視圖，顯示了采用消磁線圈的偏轉(zhuǎn)軛。如圖3所示，因為除了用于在水平方向或垂直方向偏轉(zhuǎn)電子束的主偏轉(zhuǎn)磁場43之外，還在偏轉(zhuǎn)軛屏幕側(cè)(s)和管頸側(cè)(n)內(nèi)產(chǎn)生不必要的泄漏磁場45，因此，一對消磁線圈37a和37b被安裝在座35的第一凸緣25的上、下部分上，從消磁線圈37a和37b所產(chǎn)生的消磁磁場47能抵銷泄漏磁場45。如圖4所示，消磁線圈37a和37b安裝在水平偏轉(zhuǎn)電路中。在水平偏轉(zhuǎn)線圈29a與29b的屏幕側(cè)上產(chǎn)生了泄漏磁場45，由于消磁電流流經(jīng)消磁線圈37a和37b而產(chǎn)生了反方向的消磁磁場，從而抵銷了泄漏磁場。
然而，現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛有以下缺點第一，如圖4中的電路圖所示，消磁線圈37a和37b的電感值被串聯(lián)增加到水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b的電感值中，因此，水平偏轉(zhuǎn)線圈29a與29b的電感值必須被減少以保持恒定的電感值。當該水平偏轉(zhuǎn)線圈29a與29b的電感值減少時，水平偏轉(zhuǎn)靈敏度會降低。此外，水平偏轉(zhuǎn)靈敏度的降低導致了屏幕尺寸的減少。為使屏幕尺寸與靈敏度降低前的屏幕尺寸一致，則必須增加水平偏轉(zhuǎn)線圈的水平偏轉(zhuǎn)電流。然而，增加水平偏轉(zhuǎn)電流會使偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)發(fā)熱性能惡化，因此，降低了偏轉(zhuǎn)軛的品質(zhì)。
第二，如圖5所示，當消磁線圈被用來減少泄漏磁場時，在屏幕48上產(chǎn)生了顫動(ringing)49。也就是說，由于纏繞在一對消磁線圈37a和37b上的線圈之間存在雜散電容，充電電流在水平偏轉(zhuǎn)電流反饋時間內(nèi)被放電，所以在該屏幕48的左邊產(chǎn)生了顫動49。如圖4所示，電阻器R、電容器C和水平偏轉(zhuǎn)線圈連在一起，其目的在于消除顫動。然而，上述方法增加了偏轉(zhuǎn)軛的價格，并使印刷電路板上諸如電阻器和電容器等元件的安裝工作復雜化。
第三，當消磁線圈37a和37b的引出線41與水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b相連接時，實現(xiàn)了引出線41。因此，必須提供絕緣管以防止引出線41和水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b之間出現(xiàn)火花，必須把用于連接附加引出線的接線端插入到用于連接水平偏轉(zhuǎn)線圈29a和29b的接線板39中。因此，增加了需要運行的元件的數(shù)目，從而降低了其效率和生產(chǎn)率。
第四，必須預備和安裝消磁線圈37a和37b。也就是說，使用由注射材料形成的芯軸纏繞和安裝消磁線圈37a和37b。因此，必須單獨生產(chǎn)注入型消磁線圈架。既然單獨生產(chǎn)該消磁線圈架，所以需要生產(chǎn)模具(因此產(chǎn)生出額外費用)。此外，需要根據(jù)圖像顯示設備的改進或樣式的變化而改變消磁線圈的規(guī)格，因此，必須使用新模具生產(chǎn)、纏繞和安裝消磁線圈架。
另一方面，當采用增加靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端和靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端之間的間隔的方法來減少泄漏磁場時，其間隔的應用范圍非常有限。此外，當高偏轉(zhuǎn)角超過100°時，明顯增加了泄漏磁場。因此，該間隔不能完全抵銷泄漏磁場。
最近，已對含有減少的電場的陰極射線管積極地進行了研究。已經(jīng)確認，要減少陰極射線管的電場，偏轉(zhuǎn)軛就要有較高的偏轉(zhuǎn)角(監(jiān)視器內(nèi)大于110°)。然而，增加偏轉(zhuǎn)角就會降低偏轉(zhuǎn)軛的偏轉(zhuǎn)靈敏度，這會明顯增加水平偏轉(zhuǎn)線圈的泄漏磁場。為解決上述問題，已提出正交錐形偏轉(zhuǎn)軛(RAC)。該RAC偏轉(zhuǎn)軛獲得了在高偏轉(zhuǎn)角的穩(wěn)定的偏轉(zhuǎn)靈敏度，但是沒能改善如下所述的泄漏磁場的性能水平偏轉(zhuǎn)線圈內(nèi)產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)磁場由并合磁場組成，該并合磁場包含水平偏轉(zhuǎn)線圈本身產(chǎn)生的磁場和由于水平偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生磁場而引起鐵氧體磁芯的磁化而產(chǎn)生的磁場。尤其是，在鐵氧體磁芯的內(nèi)表面上易發(fā)生由鐵氧體磁芯產(chǎn)生的磁場，并經(jīng)鐵氧體磁芯體傳遞，對鐵氧體磁芯的內(nèi)表面垂直釋放。因此，所產(chǎn)生經(jīng)由水平偏轉(zhuǎn)線圈的屏幕側(cè)的泄漏磁場根據(jù)鐵氧體磁芯內(nèi)表面的傾斜角或直徑的變化而靈敏地增加或減少。然而，當偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)偏轉(zhuǎn)角被增大到能獲得高偏轉(zhuǎn)角時，用在偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)鐵氧體磁芯的內(nèi)表面的直徑被明顯增大以致產(chǎn)生泄漏磁場。因此，在高偏轉(zhuǎn)角時很難減少泄漏磁場。
一般而言，測量裝置被單獨安裝在距陰極射線管面板500mm的地方，其目的在于測量泄漏磁場。根據(jù)國際標準，當傳輸頻率為15.75khz的電流時，產(chǎn)生的泄漏磁場低于25nT。
然而，由于減少了電場，所以減少了偏轉(zhuǎn)軛和測量裝置之間的距離。泄漏磁場與該距離成反比，因此，這更加增加了泄漏磁場。例如就該偏轉(zhuǎn)軛有大于110°的偏轉(zhuǎn)角而言，該泄漏磁場在80到100nT范圍內(nèi)變化。
如上所述，很難在通常的偏轉(zhuǎn)軛和用于得到高偏轉(zhuǎn)角的偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)減少泄漏磁場。
因此，本發(fā)明的一個目的在于提供一種帶有偏轉(zhuǎn)軛的陰極射線管，該偏轉(zhuǎn)軛可以不使用專用輔助工具，例如消磁線圈，而有效減少泄漏磁場。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種帶有偏轉(zhuǎn)軛的陰極射線管，該線圈可以防止水平偏轉(zhuǎn)靈敏度的降低，也可克服由于消磁線圈引起的偏轉(zhuǎn)軛的發(fā)熱性能的劣化。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種帶有偏轉(zhuǎn)軛的陰極射線管，該偏轉(zhuǎn)軛可以減少在高偏轉(zhuǎn)角時的鐵氧體磁芯產(chǎn)生的泄漏磁場。
通過提供一種陰極射線管而實現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的以及優(yōu)點，其中，在偏轉(zhuǎn)軛中，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端直徑是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端直徑的50％到85％；在靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔是在管軸方向水平偏轉(zhuǎn)線圈長度的27％到50％。
陰極射線管有大于110°的偏轉(zhuǎn)角。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種TPS類型的陰極射線管，在偏轉(zhuǎn)軛中，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端直徑是靠近屏幕側(cè)的行偏轉(zhuǎn)軛末端直徑的50％到85％；在靠近屏幕側(cè)的行偏轉(zhuǎn)軛的末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔是在管軸方向的行偏轉(zhuǎn)軛長度的27％到50％。
本發(fā)明的另外的優(yōu)點，目的和特征將在下文中得到部分闡明，且很顯然本領域的技術人員通過閱讀下文或?qū)嵺`本發(fā)明可部分理解本發(fā)明。如所附權利要求中所特別指出地那樣，可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點。


下文將參考附圖來詳細描述本發(fā)明，其中，相同標號指代相同部件圖1是結(jié)構視圖，顯示了一種普通陰極射線管；圖2是結(jié)構視圖，顯示了一種現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛；圖3是視圖，顯示了在現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛中產(chǎn)生的磁場圖樣。
圖4是電路視圖，顯示了安裝在現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛中的水平偏轉(zhuǎn)線圈和消磁線圈；圖5顯示了由于消磁線圈導致產(chǎn)生的顫動；圖6是示意結(jié)構視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛；圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)的鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈之間位置關系；圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的直徑和間隔；圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例在偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)產(chǎn)生的磁場圖樣；以及圖10是視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例在偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)使用了交叉掃描方法的鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈之間位置關系。
優(yōu)選實施例說明根據(jù)附圖將如下詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。[實施例1]圖6是示意結(jié)構視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛。如圖6所示，偏轉(zhuǎn)軛包含在屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈51，和在屏幕側(cè)(s)和管頸側(cè)(n)之間的鐵氧體磁芯57。這里，座55是為使水平偏轉(zhuǎn)線圈51和鐵氧體磁芯57絕緣而被安裝在兩者之間的，垂直偏轉(zhuǎn)線圈53被安裝在座55和鐵氧體磁芯57之間。因此，在偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)部的元件排列的順序是水平偏轉(zhuǎn)線圈51、座55、垂直偏轉(zhuǎn)線圈53和鐵氧體磁芯57。偏轉(zhuǎn)軛更適宜減少靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑和減少鐵氧體磁芯在管軸方向的長度。
當鐵氧體磁芯57固定在座55外表面上時，鐵氧體磁芯管頸側(cè)的末端的安裝位置類似現(xiàn)有技術。因為在管軸方向減少了鐵氧體磁芯的長度，所以增加了靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端與靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔。
如圖6所示，偏轉(zhuǎn)軛沒有采用使屏幕側(cè)內(nèi)的泄漏磁場減少的專用輔助工具(例如，現(xiàn)有技術中的消磁線圈)。也就是說，所產(chǎn)生的磁場垂直于鐵氧體磁芯的內(nèi)表面，且該泄漏磁場對鐵氧體磁芯的內(nèi)表面的直徑或傾斜角敏感。因此，本發(fā)明不使用消磁線圈，而通過減少直徑和增加在屏幕的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔來減少泄漏磁場。
圖7A和圖7B是視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈之間的位置關系。也就是說，圖7A顯示了根據(jù)本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈之間的位置關系，以及圖7B顯示了在現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈之間的位置關系。
如圖7A所示，在偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’的直徑Rc是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端63’的直徑Rh的50％到85％；在靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’之間的間隔Ld是水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向Z長度Lh的27％到50％。
這里，同現(xiàn)有技術相比，可以認為靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’的直徑Rh沒有變化。也就是說，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’的直徑Rc是可調(diào)的。更適宜減少靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’的直徑Rc。
此外，同現(xiàn)有技術相比，可以認為水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向Z的長度Lh沒有變化。也就是說，在靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔是可調(diào)的。更適宜增加靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’之間的間隔。
如圖7A和圖7B所示，本發(fā)明的靠近偏轉(zhuǎn)軛的屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’的直徑Rc小于普通靠近偏轉(zhuǎn)軛的屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯末端63’直徑Rc 以及在靠近本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛的屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’和靠近其屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’之間的間隔Ld大于靠近普通偏轉(zhuǎn)軛的屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’和靠近它的屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’之間的間隔Ld’。
如上所述，不使用消磁線圈，確定適當?shù)谋戎礡c/Rh和/或比值Ld/Lh即可顯著減少靠近屏幕側(cè)的泄漏磁場，其中，比值Rc/Rh是靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’的直徑Rc與靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’的直徑Rh的比值；比值Ld/Lh是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端61’和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端63’之間的間隔Ld與水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向正的長度Lh的比值。
圖8A和圖8B顯示了本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛和現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)的鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈的位置。圖8A顯示了靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc。圖8B顯示了靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld。
如圖8A所示，在現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛中，對于15、17和19英寸的監(jiān)視器，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc與靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端的直徑Rh的比值Rc/Rh是0.886(RAC)，0.9(Normal)和0.09931(RTC)。然而，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛占用了從0.5到0.85的范圍。如圖8A所示，本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛的比值Rc/Rh比現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛的小，該比值Rc/Rh是靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc與靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端的直徑Rh的比值。這意味著靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc比現(xiàn)有鐵氧體磁芯之末端的直徑小。
如圖8B所示，本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛增大了大于現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛的比值Ld/Lh，該比值Ld/Lh是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld與水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向Z上的長度Lh之間的比值。這意味著本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛增加了靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯末端之間的間隔Ld。
如上所述，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛減少了靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑，同時增加了靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔。
圖9A和圖9B分別顯示了本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)泄漏磁場圖樣和現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)泄漏磁場圖樣。圖9A顯示了本發(fā)明泄漏磁場圖樣，以及圖9B顯示了現(xiàn)有泄漏磁場圖樣。
如上所述，偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)產(chǎn)生的泄漏磁場69對鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc和傾斜角敏感。因此，在本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛中，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端的直徑Rh的50％到85％；靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld是水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸線方向Z上的長度Lh的27％到50％。
因此，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)軛的泄漏磁場(圖9A)遠少于現(xiàn)有偏轉(zhuǎn)軛的磁場漏磁(圖9B)。
如圖9A和圖9B所示，偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)產(chǎn)生的泄漏磁場包含屏幕側(cè)產(chǎn)生的主偏轉(zhuǎn)磁場的泄漏磁場和管頸側(cè)產(chǎn)生的主偏轉(zhuǎn)領域的泄漏磁場。這里，一般固定在陰極射線管內(nèi)的屏蔽殼抵銷管頸側(cè)產(chǎn)生的泄漏磁場。也就是說，偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)產(chǎn)生的泄漏磁場被傳給了屏蔽殼，并且屏蔽殼通過產(chǎn)生相反磁場來抵銷泄漏磁場。然而，在現(xiàn)有技術中，屏幕側(cè)內(nèi)產(chǎn)生的泄漏磁場必須在偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)減少，或通過使用用于抵銷泄漏磁場的專用輔助工具即消磁線圈來抵消該泄漏磁場。
本發(fā)明減少了靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc，增加了靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld，從而抵銷了屏幕側(cè)產(chǎn)生的泄漏磁場。
一般而言，所產(chǎn)生的磁場垂直于鐵氧體磁芯的內(nèi)表面。因此，象本發(fā)明這樣，當減少鐵氧體磁芯之末端的直徑和使鐵氧體磁芯遠離水平偏轉(zhuǎn)線圈時，不使用消磁線圈就可充分地抵銷泄漏磁場。
根據(jù)實驗結(jié)果而設計鐵氧體磁芯，這樣靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc可以是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端直徑的50％到85％。當靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc低于靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端的直徑的50％時，電子束沖擊頸(BSN)的性能惡化。反之，在現(xiàn)有技術中當靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc大于靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端直徑的85％時，很難減少泄漏磁場。
此外，鐵氧體磁芯被固定在偏轉(zhuǎn)軛上，因此，靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld可以是水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向Z的長度Lh的27％到50％。
在現(xiàn)有技術中，當靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld低于水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向Z的長度Lh的27％時，很難減少泄漏磁場。在相反的情況中，BSN性能惡化。
本發(fā)明偏轉(zhuǎn)軛可以應用于交叉掃描(TPS)類型，下面將用實施例2解釋。[實施例2]在本發(fā)明(圖10A)和現(xiàn)有技術(圖10B)中顯示了已采用TPS的偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)的鐵氧體磁芯和水平偏轉(zhuǎn)線圈之間的位置關系。使用TPS的偏轉(zhuǎn)軛與圖7A和圖7B的偏轉(zhuǎn)軛有相同的概念和原理。
根據(jù)用于普通CRT的掃描法，如果從屏幕上觀看，電子槍發(fā)出的電子束從左向右掃描以配置屏幕。然而，根據(jù)用于TPS型CRT的掃描法，如果從屏幕觀看，電子槍發(fā)出的電子束自上而下或自下而上掃描以配置屏幕。簡而言之，用于TPS型CRT的掃描法，與常規(guī)掃描法不同，是靠旋轉(zhuǎn)90度的電子束掃描。因此，與普 CRT的電子槍的電子束陣列相比，TPS型CRT的電子槍的電子束陣列平行位于電視屏幕的垂直方向上，被旋轉(zhuǎn)了90度。因此，偏轉(zhuǎn)軛也同樣被旋轉(zhuǎn)90度。也就是說，圖7A的水平偏轉(zhuǎn)線圈位于玻殼單元的上邊和下邊，垂直偏轉(zhuǎn)線圈位于玻殼單元的右邊和左邊。為防止與用于TPS的偏轉(zhuǎn)軛的術語混淆，圖7A的水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈分別被稱作行偏轉(zhuǎn)軛和幀偏轉(zhuǎn)軛。
如上所述，如圖10A所示，確定了靠近采用TPS的偏轉(zhuǎn)軛的屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc和靠近屏幕側(cè)的行偏轉(zhuǎn)軛之末端與靠近屏幕側(cè)鐵氧體磁芯之末端之間的間隔Ld的最佳容許范圍。
也就是說，靠近屏幕側(cè)(s)的鐵氧體磁芯57之末端75的直徑Rc是靠近屏幕側(cè)(s)的行偏轉(zhuǎn)軛71之末端73的直徑Rh的50％到85％，靠近屏幕側(cè)(s)的行偏轉(zhuǎn)軛71之末端73和靠近屏幕側(cè)(s)的鐵氧體磁芯57之末端75之間的間隔Ld是行偏轉(zhuǎn)軛71在管軸方向Z的長度Lh的27％到50％。
本發(fā)明還可以應用于大于110°高偏轉(zhuǎn)角的偏轉(zhuǎn)軛中，現(xiàn)在將用如圖7A和圖7B所示，也就是說，在大于110°高偏轉(zhuǎn)角的偏轉(zhuǎn)軛中，靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔是水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向的長度Lh的27％到50％。
此外，在大于110°高偏轉(zhuǎn)角的偏轉(zhuǎn)軛中，靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑Rc是靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端的直徑的50％到85％。
通過使用如表1所示的條件范圍來測量泄漏磁場，該泄漏磁場低于20nT。
表1

這里，Lh表示水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向的長度，Rh表示靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端的直徑，Lc表示鐵氧體磁芯在管軸方向的長度，Rc表示靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端的直徑，以及Ld表示靠近屏幕側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈之末端和靠近屏幕側(cè)的鐵氧體磁芯之末端之間的間隔。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，陰極射線管可以不使用普通消磁線圈而有效地減少泄漏磁場。因此，本發(fā)明防止水平偏轉(zhuǎn)靈敏度的降低，防止發(fā)熱性能的惡化，防止由于采用普通消磁線圈而造成的元件單位價格的增加。
此外，該陰極射線管可明顯減少泄漏磁場，使大于110°高偏轉(zhuǎn)角的偏轉(zhuǎn)軛內(nèi)泄漏磁場低于20nT。陰極射線管也被應用到TPS方法，相應增加其應用范圍。
上述的實施例和優(yōu)點僅僅是示例性的，并不對本發(fā)明構成限制。本發(fā)明可以容易地應用于其它類型的裝置。本發(fā)明的說明書是用于進行說明，不限制權利要求的范圍。對于本領域的技術人員，很顯然可以有很多的替換、改進和變化。
權利要求
1.一種陰極射線管，其包括具有熒光屏的面板、連接到面板后表面的玻殼、從玻殼后部發(fā)射電子束的電子槍、用于在水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)電子槍所發(fā)出的電子束的水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈，以及包含鐵氧體磁芯的偏轉(zhuǎn)軛，所述鐵氧體磁芯通過減少水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈所產(chǎn)生的水平和垂直偏轉(zhuǎn)磁場的磁力損失而提高磁效率，其中，在偏轉(zhuǎn)軛中，鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)之末端的直徑是水平偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端的直徑的50％到85％。
2.一種陰極射線管，其包括具有熒光屏的面板、連接到面板后表面的玻殼、從玻殼后部發(fā)射電子束的電子槍、用于在水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)電子槍所發(fā)出的電子束的水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈，以及包含鐵氧體磁芯的偏轉(zhuǎn)軛，所述鐵氧體磁芯通過減少水平偏轉(zhuǎn)線圈和垂直偏轉(zhuǎn)線圈所產(chǎn)生的水平和垂直偏轉(zhuǎn)磁場的磁力損失而提高磁效率，其中，在偏轉(zhuǎn)軛中，水平偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端和鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)之末端之間的間隔是水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向上長度的27％到50％。
3.根據(jù)權利要求1所述的陰極射線管，其中，在偏轉(zhuǎn)軛中，水平偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端和鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)之末端之間的間隔是水平偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向上長度的27％到50％。
4.根據(jù)權利要求1所述的陰極射線管，其中，該陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大于110°。
5.一種TPS型陰極射線管，其包括具有熒光屏的面板、連接到面板后表面的玻殼、從玻殼后部發(fā)射電子束的電子槍、用于在水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)電子槍發(fā)出的電子束的行偏轉(zhuǎn)軛和幀偏轉(zhuǎn)軛，以及包含鐵氧體磁芯的偏轉(zhuǎn)軛，所述鐵氧體磁芯通過減少行偏轉(zhuǎn)線圈和幀偏轉(zhuǎn)線圈所產(chǎn)生的水平和垂直偏轉(zhuǎn)磁場的磁力損失而提高磁效率，其中，在偏轉(zhuǎn)軛中，鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)之末端的直徑是行偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端的直徑的50％到85％。
6.一種TPS型陰極射線管，其包括具有熒光屏的面板、連接到面板后表面的玻殼、從玻殼后部發(fā)射電子束的電子槍、用于在水平和垂直方向偏轉(zhuǎn)從電子槍發(fā)出的電子束的行偏轉(zhuǎn)軛和幀偏轉(zhuǎn)軛，以及包含鐵氧體磁芯的偏轉(zhuǎn)軛，所述鐵氧體磁芯通過減少行偏轉(zhuǎn)線圈和幀偏轉(zhuǎn)線圈所產(chǎn)生的水平和垂直偏轉(zhuǎn)磁場的磁力損失而提高磁效率，其中，在偏轉(zhuǎn)軛中，行偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端和鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)之末端之間的間隔是行偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向上長度的27％到50％。
7.根據(jù)權利要求5所述的陰極射線管，其中在偏轉(zhuǎn)軛中，行偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端和鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)之末端之間的間隔是行偏轉(zhuǎn)線圈在管軸方向上長度的27％到50％。
8.根據(jù)權利要求5所述的陰極射線管，其中，該陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大于110°。
9.根據(jù)權利要求3所述的陰極射線管，其中，該陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大于110°。
10.根據(jù)權利要求7所述的陰極射線管，其中，該陰極射線管的偏轉(zhuǎn)角大于110°。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種含有能夠明顯減少泄漏磁場的偏轉(zhuǎn)軛的陰極射線管。在該偏轉(zhuǎn)軛中，鐵氧體磁心靠近屏幕側(cè)之末端直徑是水平偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)之末端直徑的50％到85％，水平偏轉(zhuǎn)線圈靠近屏幕側(cè)的末端和鐵氧體磁芯靠近屏幕側(cè)的末端之間的間隔是管軸方向上水平偏轉(zhuǎn)線圈長度的27％到50％。因此，該陰極射線管可以克服普通消磁線圈的問題，且即使在高偏轉(zhuǎn)角時也能夠減少泄漏磁場。
文檔編號H01J29/76GK1457078SQ0216080
公開日2003年11月19日 申請日期2002年12月30日 優(yōu)先權日2002年5月7日
發(fā)明者李錫文 申請人:Lg.飛利浦顯示器(韓國)株式會社