專利名稱：等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面放電AC(交流型)等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板(PDP)因可自行發(fā)光而具備優(yōu)良的可視性，厚度薄，可用于大屏幕及高速顯示。由于上述種種理由，把它用作為CRT顯示的替代品一事，正受到人們的高度重視。特別是平面放電式的ACPDP適用于全彩色顯示。于是，很有希望把它用于高清晰感領(lǐng)域，也增長了對(duì)高質(zhì)量圖像的需求。通過產(chǎn)生出較高的分辨率、更多的灰度等級(jí)、較好的亮度、在黑色區(qū)域中有較低的亮度，同時(shí)產(chǎn)生出較高的對(duì)比度等方法，就可獲得較高質(zhì)量的圖像。縮小像素間距可獲得高分辨率，增加一幀內(nèi)的子域數(shù)可獲得更多灰度等級(jí)，增長持續(xù)放電的時(shí)間可獲得較高亮度，而較深黑色區(qū)域中的較低亮度則可以通過減少消隱周期中的光發(fā)射量來實(shí)現(xiàn)。
圖30給出了現(xiàn)有技術(shù)中一種表面放電AC等離子體顯示板10P的示意性結(jié)構(gòu)。
于兩塊彼此面對(duì)的玻璃基片中，在面對(duì)觀察者一側(cè)的玻璃基片上，電極X1～X5以等間距且彼此平行的形式形成，而電極Y1～Y5彼此平行地形成并與相應(yīng)電極X1～X5組成平行對(duì)。在另一塊玻璃基片上形成有地址電極A1～A6，它們與上述電極垂直并且涂有磷光體。在彼此面對(duì)的這兩塊玻璃基片之間，隔墻171～177和隔墻191～196彼此交叉面網(wǎng)格狀，以確保不會(huì)因一個(gè)象素放電影響到鄰近象素而造成錯(cuò)誤顯示。
表面放電PDP的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，磷光體不會(huì)在其上的離子碰撞而減少，這是因?yàn)榉烹姲l(fā)生于同一表面的相鄰電極之間。然而，由于對(duì)每條顯示行L1～L5都提供有一對(duì)電極，因而像素間距的可減小程度受到了限制并成為達(dá)到高分辨率的障礙。此外，由于具有大量電極，驅(qū)動(dòng)電路的規(guī)模也一定很大。
為解決這一問題，日本專利公告No.5-2993和No.2-220330中公開了一種PDP 10Q，如圖31所示。
PDP 10Q中，隔墻191～199設(shè)置于電極X1～X5和Y1～Y4的中心線上，這些電極是表面放電電極，而且除兩側(cè)的電極X1和X5外，電極X2～X4和電極Y1～Y4為在地址電極方向上鄰接的顯示行所公用。這樣，電極數(shù)量幾乎減半，像素間距得以減小，與圖30所示PDP相比可取得更高的分辨率。并且驅(qū)動(dòng)電路的規(guī)模也可以減半。
然而，在以上所引的兩件專利文獻(xiàn)中，由于對(duì)顯示行L1～L8的寫入是以線性次序進(jìn)行，因而如果去掉隔墻191～199，放電將影響地址電極方向上的相鄰像素而導(dǎo)致錯(cuò)誤顯示。于是就不能去掉隔墻191～199，這便成為減小像素間距以獲得高分辨率的一個(gè)障礙。而且，也不容易在電極的中心線上設(shè)置隔墻191～199，因而生產(chǎn)PDP 10Q將是昂貴的。另外，在上述文獻(xiàn)中，沒有公開電極所使用電壓的特定波形，從而這一發(fā)明無法實(shí)用化。為了使除去在表面放電電極方向上工作的隔墻成為可能，在圖30所示結(jié)構(gòu)中必須加大隔墻191～196中每一個(gè)的兩側(cè)電極之間的距離，其結(jié)果減小了這兩個(gè)電極之間的電場(chǎng)效應(yīng)。結(jié)果使像素間距增大，難以獲得較高分辨率。例如，電極Y1和X2(非顯示行)之間的距離為300μm，而這時(shí)電極Y1和X2(顯示行)之間的距離為50μm。
另外，在消隱周期中，由于全屏(所有像素)放電發(fā)射光，增加了黑色顯示區(qū)域的亮度，從而降低了顯示質(zhì)量。
而且，由于磷光體為白色或亮灰色，因而在觀察PDP上亮區(qū)的圖像時(shí)，外來的入射光會(huì)反射到非顯示行中的磷光體上，因而降低了圖像的對(duì)比度。
此外，由于一次只能尋址一條線，因而地址線不能減少，而且不可能通過增加子域的數(shù)目來獲得更多的灰度等級(jí)或者通過增加持續(xù)放電的次數(shù)來獲得較高亮度。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明總的目的便是去提供一種等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法。
具體地說，本發(fā)明的第一目的是去提供一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法以便進(jìn)一步減小像素間距而獲得較高分辨率。
本發(fā)明的第二目的是去提供一種等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法，可以提高在消隱周期中因全屏(所有像素)放電光發(fā)射而降低的黑色顯示質(zhì)量。
本發(fā)明的第三目的是去提供一種等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法，可以通過減少來自非顯示行的反射光來提高圖像對(duì)比度。
本發(fā)明的第四目的是去提供一種等離子體顯示板及其驅(qū)動(dòng)方法，可以通過同時(shí)尋址多條地址線以減小尋址周期來提高灰度等級(jí)數(shù)和亮度。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種等離子體顯示板，包括基片、在所述基片上相互間同時(shí)形成的地址電極束以及與所述地址電極束交叉并以一定距離形成的掃描電極用于放電，其中每一個(gè)所述地址電極束包括在所述基片上相互間同時(shí)形成的、對(duì)應(yīng)于一個(gè)單色像素列的m(m≥2)個(gè)地址電極；沿所述m個(gè)地址電極縱向放置的焊盤，所述焊盤對(duì)應(yīng)于各自的單色像素，所述焊盤相對(duì)于所述基片位于所述m個(gè)地址電極之上；以及電接頭，每一個(gè)電接頭沿所述m個(gè)地址電極的所述縱向以某種模式將一個(gè)所述焊盤電連接到一個(gè)所述地址電極。
通過同時(shí)選擇與m條地址電極連接的焊盤相交叉的m條掃描電極，并且通過同時(shí)向m條地址電極施加相應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的電壓，可以實(shí)現(xiàn)掃描電極的m條線的成組掃描。
可同時(shí)對(duì)多條線進(jìn)行同時(shí)尋址，從而可縮短尋址周期，因此，通過增加子域數(shù)量，就有可能獲得更大量的灰度等級(jí)或者通過增加持續(xù)放電的次數(shù)有可能獲得更高的亮度。


圖1示意地表明了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例中表面放電PDP的結(jié)構(gòu)；圖2的透視圖示出了圖1所示PDP中彩色像素相對(duì)的表面之間的區(qū)域展開后的狀態(tài)；圖3為圖1所示PDP的沿電極X1的彩色像素的縱剖面圖；圖4的框圖示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖5給出了一種幀的結(jié)構(gòu)；圖6(A)和6(B)給出了尋址周期中顯示行掃描的順序；圖7為施加于一個(gè)奇數(shù)區(qū)中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的一種方法；圖8為施加于一個(gè)偶數(shù)區(qū)中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP的方法；圖9的框圖示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖10為施加于一個(gè)奇數(shù)區(qū)中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的一種方法；圖11為施加于一個(gè)偶數(shù)區(qū)中電極的電壓波形圖，顯示了驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的方法；圖12的框圖示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖13的框圖示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖14示出了來自圖13中維持電路31和32的輸出電壓波形和施加于圖7奇數(shù)區(qū)中地址電極的電壓波形；圖15的框圖示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖16為施加于奇數(shù)區(qū)中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP的一種方法；圖17為施加于偶數(shù)區(qū)中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP的方法；圖18的框圖示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖19為圖18所示PDP的一部分沿地址電極的縱剖面圖；圖20示出了尋址周期中顯示行掃描的順序；圖21顯示了一種幀的結(jié)構(gòu)；圖22為施加于奇數(shù)幀中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的方法；圖23為施加于一個(gè)偶數(shù)幀中電極的電壓波形圖，用于說明驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP的方法；圖24為第八實(shí)施例中PDP的一部分沿一個(gè)地址電極的縱剖面圖；圖25顯示了依據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的表面放電PDP的示意性結(jié)構(gòu)；圖26為施加于電極的示意性電壓波形圖，顯示了驅(qū)動(dòng)依據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP的一種方法；圖27(A)為依據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的地址電極的平面圖，圖27(B)～27(E)為圖27(A)分別沿線B-B，C-C，D-D和E-E的剖面圖；圖28(A)為依據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的地址電極的平面圖，圖28(B)～28(E)為圖28(A)分別沿線B-B，C-C，D-D和E-E的剖面圖；圖29示意性地給出了依據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的地址電極的結(jié)構(gòu)；圖30示意性地給出了現(xiàn)有技術(shù)的表面放電PDP的結(jié)構(gòu)；以及圖31它示意性地給出了現(xiàn)有技術(shù)的另一種表面放電PDP的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的最佳實(shí)施例，其中在若干個(gè)圖中出現(xiàn)的同一標(biāo)號(hào)代表著相同的或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 第一實(shí)施例圖1示出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例PDP 10。圖1中，只是對(duì)顯示行L1用點(diǎn)線標(biāo)出了像素。為簡(jiǎn)化說明，PDP 10的像素?cái)?shù)量為6×8＝48的單色像素。本發(fā)明可應(yīng)用于彩色像素或單色像素，三個(gè)單色像素對(duì)應(yīng)于一個(gè)彩色像素。
為便于生產(chǎn)并便于通過減小像素間距來獲得更高的分辨率，PDP10具有圖31中PDP 10Q除去隔墻191～199的結(jié)構(gòu)。為了確保因除去隔墻而在鄰近顯示行間不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤放電，以如下方式進(jìn)行隔行掃描；電極L1～L8中奇行和偶行中維持脈沖電壓波形的相位彼此反相，其中電極L1～L8進(jìn)行著下文將予解釋的表面放電。(現(xiàn)有技術(shù)隔行掃描中，由于行L2，L4，L6和L8為非顯示行，在奇數(shù)區(qū)對(duì)行L1和L5掃描，在偶數(shù)區(qū)對(duì)行L3和L7掃描)。
圖2顯示了彩色像素10A的相對(duì)表面間的距離展開后的狀態(tài)。圖3顯示了彩色像素10A沿電極X1的縱剖面。
在作為絕緣體透明基片的玻璃基片的一個(gè)表面上，彼此平行地設(shè)置有由ITO薄膜或類似材料構(gòu)成的透明電極121和122，為盡可能減小透明電極121和122的電壓沿縱向降低，由銅或類似材料構(gòu)成了分別沿透明電極121和122的中心線形成的金屬電極131和132。透明電極121和金屬電極131構(gòu)成電極X1，透明電極122和金屬電極132構(gòu)成電極Y1。用于阻擋墻電荷的介電材料14覆蓋著玻璃基片11和電極X1及Y1。介電材料14涂有MgO保護(hù)膜15。
在面對(duì)MgO保護(hù)膜15的另一玻璃基片16的表面上，地址電極A1、A2和A3以與電極X1和Y1成直角的方向形成，并用隔墻171～173將它們分隔開。當(dāng)有放電過程中產(chǎn)生的紫外光進(jìn)入其中時(shí)，發(fā)射紅光的磷光體181、發(fā)射綠光的磷光體182和發(fā)射藍(lán)光的磷光體183便分別覆蓋住隔墻171和隔墻172之間，隔墻172和隔墻173之間以及隔墻173和隔墻174之間的區(qū)域。在磷光體181～183和MgO保護(hù)膜15之間的放電空間則為例如Ne(氖)+Xe(氙)的彭寧(Pen ning)混合氣體所充滿。
隔墻171～174阻止放電期間產(chǎn)生的紫外光進(jìn)入相鄰像素，同時(shí)起到作為用于形成放電空間的隔離件的作用。如果磷光體181～183由同一種材料構(gòu)成，PDP 10就為一種單色顯示。
圖4顯示了使用上述結(jié)構(gòu)的PDP 10的等離子體顯示設(shè)備20的示意性結(jié)構(gòu)。
控制電路21將外部提供的顯示數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)換為PDP 10所使用的數(shù)據(jù)，并將其提供給地址電路22中的基于時(shí)鐘信號(hào)CLK的移位寄存器221，由外部提供的垂直同步信號(hào)VSYNC和水平同步信號(hào)HSYNC產(chǎn)生提供給元件22～27的各種控制信號(hào)。
為了將圖7和圖8中所示電壓波形施加到電極上，將電壓Vaw、Va和Ve提供給地址電路22，電壓-Vc、-Vy和Vs提供給奇數(shù)Y的維持電路24和偶數(shù)Y的維持電路25，電壓Vw、Vx和Vs提供給奇數(shù)X的維持電路26和偶數(shù)X維持電路27，以上電壓來自電源電路(供電電路)29。
圖4所示的移位寄存器221內(nèi)部的數(shù)字值被用于標(biāo)識(shí)彼此結(jié)構(gòu)相同的元件，例如，221(3)表示移位寄存器221的第三位。對(duì)其他元件表示方法類同。
地址電路22中，當(dāng)一個(gè)尋址周期中相應(yīng)于一行的顯示數(shù)據(jù)已從控制電路21依序提供給移位寄存器221時(shí)，位221(1)～221(6)分別存入鎖存電路222的位222(1)～222(6)中，與這些值相對(duì)應(yīng)，驅(qū)動(dòng)器223(1)～223(6)內(nèi)部的開關(guān)元件(未示出)控制為開/關(guān)態(tài)，以將電壓為Va或0的一種二進(jìn)制電壓圖(pattern)被提供給地址電極A1～A6。
掃描電路23中配有移位寄存器231和驅(qū)動(dòng)器232。在一個(gè)尋址周期中，“1”被供給移位寄存器231的串行數(shù)據(jù)輸入，用于只是在各個(gè)VSYNC循環(huán)中的初始尋址周期，然后與尋址周期同步移位應(yīng)用移位寄存器231中位23 1(1)～231(4)的值對(duì)驅(qū)動(dòng)器232(1)～232(4)中的開關(guān)元件(未示出)進(jìn)行開/關(guān)控制，對(duì)電極Y1～Y4施加已選電壓-Vy或未選電壓-Vc。換句話說，電極Y1～Y4依序?yàn)橐莆患拇嫫?31的移位操作所選擇，并將所選電壓-Vy施加到所選電極Y上而將未選電壓-Vc施加到尚未選擇的電極Y上。這些電壓-Vy和-Vc從奇數(shù)Y維持電路24和偶數(shù)Y維持電路25中提供。在一個(gè)維持周期中，第一維持脈沖序列從奇數(shù)Y維持電路24通過驅(qū)動(dòng)器232(1)和232(3)提供給Y電極的奇數(shù)電極Y1和Y3，相位與第一維持脈沖序列相位相差180°的第二維持脈沖序列通過驅(qū)動(dòng)器232(2)和232(4)從偶數(shù)Y維持電路25提供給電極Y的偶數(shù)電極Y2和Y4。
在供X電極使用的電路中，在此維持周期中，第二維持脈沖序列從奇數(shù)X維持電路26提供給X電極的奇數(shù)電極X1、X3和X5，第一維持脈沖序列從偶數(shù)X維持電路27提供給X電極的偶數(shù)電極X2和X4。在一個(gè)消隱周期過程中，全屏(所有像素)寫入脈沖分別從X維持電路26和27共同提供給電極X1～X5。在一個(gè)尋址周期中，相應(yīng)于掃描脈沖，有一個(gè)用于兩個(gè)尋址周期的脈沖序列從奇數(shù)X維持電路26提供給X電極的奇數(shù)電極X1、X3和X5，一個(gè)相位與上述脈沖序列相差180°的脈沖序列則從偶數(shù)X維持電路27提供給X電極的偶數(shù)電極X2和X4。
上述電路223、232、24、25、26和27為用于開/關(guān)電源電路29提供的電壓的開關(guān)電路。
圖5示明了一幀顯示圖像的結(jié)構(gòu)。
該幀被劃分為兩個(gè)區(qū)，即奇數(shù)區(qū)和偶數(shù)區(qū)，每個(gè)區(qū)包含1～3個(gè)分區(qū)。對(duì)每一分區(qū)，具有圖7所示波形的電壓提供給奇數(shù)區(qū)中PDP 10的用于圖1所示的顯示行L1、L3、L5和L7不同電極，而具有圖8所示波形的電壓則提供給偶數(shù)區(qū)中PDP 10的用于圖1所示的顯示行L2、L4、L6和L8的不同電極。第一到第三分區(qū)的維持周期分別為T1、2T1和4T1，在每一分區(qū)中，持續(xù)放電對(duì)應(yīng)于不同長度的維持周期進(jìn)行多次。使用這一方式，亮度將有八個(gè)等級(jí)。同樣，若分區(qū)數(shù)為8，維持周期比率為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128，此時(shí)亮度將具有256個(gè)等級(jí)。
在一個(gè)尋址周期中顯示選擇掃描以圖6(A)中圓圈內(nèi)指定數(shù)字的順序進(jìn)行。即，對(duì)奇數(shù)區(qū)，掃描以顯示行L1、L3、L5和L7的順序進(jìn)行，對(duì)偶數(shù)區(qū)，掃描以顯示行L2、L4、L6和L8的順序進(jìn)行。
下面參照?qǐng)D7，對(duì)奇數(shù)區(qū)中的工作加以描述。圖7中，以W、E、A和S分別表示全屏寫入放電，全屏自擦除放電，地址放電和持續(xù)放電。為簡(jiǎn)單起見，使用了以下的通用術(shù)語X電極電極X1～X5奇數(shù)X電極電極X1、X3和X5偶數(shù)X電極電極X2和X4Y電極電極Y1～Y4奇數(shù)Y電極電極Y1和Y3偶數(shù)Y電極電極Y2和Y4地址電極地址電極A1～A6另外，Vfxy相鄰X電極和Y電極之間的放電開始電壓，Vfay彼此面對(duì)的地址電極和Y電極之間的放電開始電壓，Vwall因相鄰的X電極和Y電極之間的放電產(chǎn)生的墻電荷的正的墻電荷和負(fù)的墻電荷之間的電壓(墻電壓)。
例如，Vfxy＝290V，Vfay＝180V。另外，地址電極和Y電極之間的區(qū)域稱作A-Y電極間區(qū)域，這種稱法也用于其他電極之間的區(qū)域。
(1)消隱周期在消隱周期中，供給X電極的電壓波形，即全屏寫入脈沖，彼此相同，供給Y電極的電壓波形為0時(shí)彼此相同，供給地址電極的電壓波形，即中間值電壓脈沖，彼此相同。
開始，加到每一電極上的電壓設(shè)為0。由于消隱周期前維持周期的最后的維持脈沖，使正的墻電荷出現(xiàn)在X電極附近(X電極一側(cè))的MgO保護(hù)膜15上，負(fù)的墻電荷出現(xiàn)在Y電極附近(Y電極一側(cè))的MgO保護(hù)膜15上，用于像素發(fā)光。而在像素不發(fā)光處，幾乎沒有任何墻電荷出現(xiàn)在X電極一側(cè)或Y電極一側(cè)。
當(dāng)a≤t≤b時(shí)，電壓為Vw的消隱脈沖提供給X電極，電壓為Vaw的中間值電壓脈沖提供給地址電極。例如，Vw＝310V，Vw＞Vfxy。不管是否有墻電荷，全屏寫入放電W會(huì)在相鄰X-Y電極間發(fā)生，即發(fā)生在顯示行L1～L8的X-Y電極間。產(chǎn)生的電子和正離子則為X-Y電極之間的電壓Vw導(dǎo)致的電場(chǎng)所吸引，產(chǎn)生相反極性的墻電荷。這便減弱了放電空間的電場(chǎng)強(qiáng)度使放電時(shí)間為1到幾個(gè)μs。電壓Vaw約為Vw/2，由于A-X電極間和A-Y電極間的相位彼此相反的電壓的絕對(duì)值幾乎彼此相等，因而由于放電使得在磷光體中剩余的平均墻電荷近似為零。
當(dāng)消隱脈沖在t＝b下降時(shí)，即消除施加的與墻電荷具有反相極性的電壓時(shí)，X-Y電極間的墻電壓Vwall變得比放電開始電壓Vfxy大，從而引起全屏自消除放電E。此時(shí)，由于X電極，Y電極和地址電極全為0，因而該放電幾乎未產(chǎn)生墻電荷，放電空間中的離子和電子再結(jié)合，從而在空間中幾乎完全中和。可能還殘留一些剩余的浮動(dòng)電荷，但這些浮動(dòng)空間電荷能起到導(dǎo)火索的作用，使下一地址放電過程中放電更為容易。這種現(xiàn)象稱為起動(dòng)效應(yīng)(priming effect)。
(2)地址放電周期在一個(gè)地址放電周期中，供給奇數(shù)X電極的電壓波形彼此相同，供給偶數(shù)X電極的電壓波形彼此也相同，同時(shí)供給未選擇Y電極的電壓波形彼此相同且電壓值為-Vc。Y電極依Y1～Y4的順序選擇，將電壓為-Vy的掃描脈沖提供給已選電極，同時(shí)將未選擇電極的電壓設(shè)為-Vc。例如，Vc＝Va＝50V，Vy＝150V。
(c≤t≤d)將電壓為-Vy的掃描脈沖供給電極Y1，電壓為Va的寫入脈沖供給每一用于將發(fā)光的像素的地址電極。
滿足以下關(guān)系Va+Vy＞Vfay，且地址放電僅對(duì)將發(fā)光的像素產(chǎn)生，通過產(chǎn)生具有相反極性的墻電荷后，放電即終止。在這一地址放電過程中，電壓為Vx的脈沖僅供給與電極Y1相鄰的電極X1和X2中的電極X1。如果在X-Y電極間的由這一地址放電所觸發(fā)的放電開始電壓用Vxyt表示，則滿足以下關(guān)系Vx+Vc＜Vxyt＜Vx+Vy＜Vfxy，并且在顯示行L1的X1-Y1電極間發(fā)生寫入放電。然后，通過在X1-Y1電極間產(chǎn)生的具反相極性的不足以引起自放電的墻電荷后，放電便終止。另一方面，寫入放電不會(huì)在顯示行L2的X2-Y1電極間發(fā)生。
(d≤t≤e)將電壓為-Vy的掃描脈沖供給電極Y2，電壓為Vx的脈沖提供給偶數(shù)X電極，電壓為Va的寫入脈沖提供給用于將發(fā)光的像素的地址電極。這樣，以與上述同樣的方式，在顯示行L3的電極X2-Y2之間寫入放電發(fā)生，產(chǎn)生出具有相反電荷的墻電荷，但在顯示行L4的X3-Y2電極間無放電發(fā)生。
隨后的工作與上述e≤t≤g時(shí)間段中進(jìn)行的描述相同。
這樣，顯示數(shù)據(jù)的寫入放電以顯示行L1、L3、L5和L7的順序發(fā)生而用于即將發(fā)光的像素，在Y電極一側(cè)產(chǎn)生正的墻電荷，在X電極一側(cè)產(chǎn)生負(fù)的墻電荷。
(3)維持周期在一個(gè)維持周期中，將具有相同相位和相同電壓Vs的維持脈沖周期地、或者將第一維持脈沖序列提供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極，所產(chǎn)生的相位與第一維持脈沖序列相位差180°(1/2周期)的第二維持脈沖序列則提供給偶數(shù)X電極和奇數(shù)Y電極。而且，與第一維持脈沖的上升同步，電壓Ve提供給地址電極并保持到維持周期結(jié)束。
(h≤t≤p)將電壓為Vs的維持脈沖提供給奇數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極。奇數(shù)Y電極和奇數(shù)X電極間一個(gè)像素的有效電壓為Vs+Vwall，偶數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極間一個(gè)像素的有效電壓為Vs-Vwall，奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極間以及偶數(shù)X電極和奇數(shù)Y電極間的一個(gè)像素有效電壓為 2Vwall。滿足下述關(guān)系，即Vs＜Vfxy＜Vs+Vwall，2Vwall＜Vfxy，在奇數(shù)Y電極和奇數(shù)X電極間發(fā)生了持續(xù)放電，產(chǎn)生出具有反相極性的墻電荷而結(jié)束了放電。在其他電極間不發(fā)生持續(xù)放電。結(jié)果，只是在奇數(shù)區(qū)內(nèi)的奇數(shù)顯示行L1和L5中顯示有效。只在此時(shí)，偶數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極之間不會(huì)發(fā)生持續(xù)放電。
(q≤t≤r)將電壓為Vs的持續(xù)脈沖供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極。奇數(shù)X電極和奇數(shù)Y電極之間的以及偶數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極之間的一個(gè)像素的有效電壓都為Vs+Vwall，但奇數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極以及奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極之間的一個(gè)像素的有效電壓為零。因此，在奇數(shù)X電極和奇數(shù)Y電極之間以及偶數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極之間發(fā)生了持續(xù)放電，產(chǎn)生具有相反極性的墻電荷后而終止放電。持續(xù)放電不在其他電極間發(fā)生。因此，奇數(shù)區(qū)中所有顯示奇數(shù)行L1、L3、L5和L7的顯示立刻有效。
隨后的持續(xù)放電則以上述同樣方式重復(fù)進(jìn)行。在這一過程中，從圖7所示墻電荷可明顯看出，未顯示行中的奇數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極以及奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極之間的一個(gè)像素的有效電壓為零。維持周期中的最后持續(xù)放電方式使得墻電荷的極性回到前述消隱周期過程中的初始狀態(tài)。
下面，對(duì)偶數(shù)區(qū)中的工作加以說明。
圖1中，如上所述，由成對(duì)電極，即圖1中的電極Y1～Y4和其頂部一側(cè)的與其相鄰的電極X1～X4構(gòu)成的顯示行L1、L3、L5和L7在奇數(shù)區(qū)中是有效。在偶數(shù)區(qū)中，由電極Y1～Y4和其下部一側(cè)的與其相鄰的電極X2～X5構(gòu)成的顯示行L2、L4、L6和L8的顯示必須使之成為有效。這可通過交換電極X1和X2相對(duì)于電極Y1的作用，交換電極X2和X3相對(duì)于電極Y2的作用等等來實(shí)現(xiàn)。換句話說，可通過交換成組的提供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的電壓流形來實(shí)現(xiàn)。圖8示出了提供給偶數(shù)區(qū)中那些電極的電壓波形。
根據(jù)迄今所進(jìn)行的描述同時(shí)參照?qǐng)D8，偶數(shù)區(qū)中進(jìn)行的工作是顯而易見的。概括來說，在消隱周期中，進(jìn)行全屏寫入放電W和全屏自擦除放電E，在尋址周期中，依序選擇電極Y1～Y4，以顯示行L2、L4、L6和L8的順序進(jìn)行顯示數(shù)據(jù)的寫入放電，在維持周期中，重復(fù)在這些顯示行L2、L4、L6和L8中同時(shí)進(jìn)行持續(xù)放電。
依據(jù)前述第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法，由于奇數(shù)區(qū)的顯示行和偶數(shù)區(qū)的顯示行就放電而論不會(huì)彼此影響，PDP可以通過去掉圖31中PDP10Q的隔墻191～199來構(gòu)造，這樣能簡(jiǎn)化PDP 10的生產(chǎn)，并可通過減小像素間距而獲得更高分辨率。
第二實(shí)施例如果圖7和圖8中的脈沖數(shù)可以減少，則功率損耗也可降低。在一個(gè)尋址周期中，如果提供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的脈沖被取連續(xù)形式，則脈沖數(shù)可以減少。這可由按圖6(B)所示的順序進(jìn)行掃描來實(shí)現(xiàn)。更具體地說，奇數(shù)區(qū)中的顯示行L1、L3、L5和L7應(yīng)進(jìn)一步劃分為奇數(shù)行和偶數(shù)行，順序掃描完一組后，應(yīng)對(duì)其他組順序掃描。對(duì)偶數(shù)區(qū)可進(jìn)行同樣的操作過程。
圖9示意性地給出了用于實(shí)現(xiàn)這種方法的第二實(shí)施例中等離子體顯示設(shè)備20A的結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)尋址周期中，為以電極Y1、Y3、Y2和Y4的順序進(jìn)行掃描，將驅(qū)動(dòng)器232(2)的輸出連接到電極Y3上，同時(shí)將驅(qū)動(dòng)器232(3)的輸出連接到電極Y2上。掃描電路23A與圖4所示的掃描電路23不同，在掃描電極23A中，奇數(shù)Y維持電路24的輸出與驅(qū)動(dòng)器232(1)和驅(qū)動(dòng)器232(2)的輸入相連接，偶數(shù)Y維持電路25與驅(qū)動(dòng)器232(3)和驅(qū)動(dòng)器232(4)的輸入相連接。與此相對(duì)應(yīng)，奇數(shù)X維持電路26A和偶數(shù)X維持電路27A則輸出信號(hào)以確保獲得施加于圖10和圖11所示奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的電壓波形。
在奇數(shù)區(qū)或偶數(shù)區(qū)的每一尋址周期中，只需提供一個(gè)具有很大寬度的脈沖給每一奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極，結(jié)果與圖4所示結(jié)構(gòu)相比，降低了功率消耗。而且，與圖4所示奇數(shù)X維持電路26和偶數(shù)X維持電路27的結(jié)構(gòu)相比，奇數(shù)X維持電路26A和偶數(shù)X維持電路27A的結(jié)構(gòu)得到了簡(jiǎn)化。
第二實(shí)施例的其他特性與第一實(shí)施例相同。
第三實(shí)施例在圖7中，將電壓為Vx的共用脈沖提供給電極X1、X3和X5，同時(shí)將電壓為Vx的共用脈沖提供給電極X2和X4。但當(dāng)電極Y1～Y4是依序選擇時(shí)，只需將一個(gè)電壓為Vx的脈沖順序選擇地提供給電極X1～X4即可。由此可見，提供給電極的脈沖數(shù)量減少了，功率消耗也降低了。
為達(dá)到上述目的，在第三實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備20B中，也為X電極提供了掃描電路30，如圖12所示。掃描電路30與掃描電路23的不同之處僅在于元件數(shù)多了相當(dāng)于一個(gè)電極的數(shù)量。
在一個(gè)尋址周期中，來自控制電路21A的“1”被提供給移位寄存器301的奇數(shù)區(qū)中位301(1)和偶數(shù)區(qū)中位301(2)的數(shù)據(jù)輸入。在消隱周期和維持周期中，來自移位寄存器的輸出設(shè)定為零。
此第三實(shí)施例的其他特性與第一實(shí)施例相同。
對(duì)于本發(fā)明的第三實(shí)施例，在一個(gè)尋地周期中，只是將必需的脈沖提供給X電極，與第一實(shí)施例相比，降低了功率消耗。
第四實(shí)施例由于圖7和圖8所示的某些驅(qū)動(dòng)電壓波形是相同的，因而，如果可從一個(gè)共用電路中輸出用于獲得相同電壓波形的控制信號(hào)，則電路結(jié)構(gòu)可得到簡(jiǎn)化。
為達(dá)到這一目的，在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，等離子體顯示設(shè)備20C取如圖13所示的結(jié)構(gòu)。在這一設(shè)備中，圖4中的奇數(shù)Y維持電路24、偶數(shù)Y維持電路25、奇數(shù)X維持電路26和偶數(shù)X維持電路27為維持電路31和32以及開關(guān)電路33所替代。如圖14所示，來自維持電路31和32的輸出電壓波形S1和S2與圖7所示的施加到奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的電壓波形相同。在圖13中，開關(guān)電路33配備有彼此聯(lián)動(dòng)的換向開關(guān)元件331和332、彼此聯(lián)動(dòng)的換向開關(guān)元件333和334以及彼此聯(lián)動(dòng)的換向開關(guān)元件335和336。這些換向開關(guān)元件例如可由如FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)來構(gòu)造。開關(guān)電路33的開關(guān)控制可由控制電路21B來實(shí)現(xiàn)。
在圖13所示狀態(tài)中，給驅(qū)動(dòng)器232(1)～232(4)的輸入提供。電壓波形S1和S2分別提供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極。這同圖7中的消隱周期和尋址周期相對(duì)應(yīng)。在尋址周期中，掃描電路23A決定了提供給Y電極的電壓波形。如果開關(guān)元件335和336換向，這將與圖8中的消隱周期和尋址周期相對(duì)應(yīng)。
接著，換向開關(guān)元件331和332從圖13所示狀態(tài)換向，電壓波形S2和S1分別提供給驅(qū)動(dòng)器232的奇數(shù)元件和驅(qū)動(dòng)器232的偶數(shù)元件的輸入，這對(duì)應(yīng)于圖7所示的維持周期。
當(dāng)換向開關(guān)元件335和336換向?yàn)檫@一狀態(tài)時(shí)，電壓波形S2和S1提供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極，這與圖8所示維持周期對(duì)應(yīng)。
將該第四實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備20C，與圖4所示設(shè)備相比，可以用更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)圖4所示設(shè)備進(jìn)行的同樣的工作。
第五實(shí)施例圖12所示的等離子體顯示設(shè)備中可使用圖13中所示機(jī)構(gòu)的元件。圖15示出了采用了這些元件的等離子體顯示設(shè)備20D的依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例。
基于來自控制電路21B的控制信號(hào)，維持電路31和32以及開關(guān)電路33所進(jìn)行的工作與圖13所示相同。
在第五實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備20D中，與圖12所示機(jī)構(gòu)進(jìn)行的工作相同的工作可以用一個(gè)比圖12所示機(jī)構(gòu)更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
第六實(shí)施例在迄今所述的實(shí)施例中，雖然偶數(shù)區(qū)不會(huì)對(duì)圖5所示奇數(shù)區(qū)的每一子域都發(fā)光，但在消隱周期中仍將進(jìn)行全屏寫入放電W和全屏自擦除放電E。這樣就有可能因有害的光發(fā)射而導(dǎo)致黑色顯示質(zhì)量的下降。對(duì)于偶數(shù)區(qū)也會(huì)如此。在第六實(shí)施例中，為減少這種有害的光發(fā)射，將具有圖16和17所示波形的電壓提供給電極。
圖16的第一子域與圖7相同，在消隱周期中，對(duì)非顯示行也會(huì)發(fā)生因全屏寫入放電W和全屏自擦除放電E引起的光發(fā)射。這是必要的，因?yàn)樵谇懊媾紨?shù)區(qū)中所用的墻電荷必須除去。然而，由于在尋址周期和維持周期過程中非顯示行中無放電發(fā)生，因而在消除周期中不需引起奇數(shù)區(qū)的第二及隨后子域的非顯示行中寫入放電W及自擦除放電E的發(fā)生。
因此，在消隱周期中，對(duì)于奇數(shù)區(qū)的第二及隨后的子域，通過將一個(gè)值為Vs的取消脈沖PC提供給與奇數(shù)X電極相鄰的偶數(shù)Y電極，則奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極之間的電壓將保持在低于Vfxy-Vwall的水平以阻止放電。此時(shí)，如果將電壓為Vw的寫入脈沖提供給偶數(shù)X電極，在構(gòu)成顯示行的偶數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極之間就不會(huì)發(fā)生放電。因此，寫入脈沖的使用時(shí)間從a≤t≤b轉(zhuǎn)移到了c≤t≤d。這樣，在構(gòu)成未顯示行的奇數(shù)Y電極和偶數(shù)X電極之間就發(fā)生了放電。因此，電壓為Vs取消脈沖PC進(jìn)一步供給了奇數(shù)Y電極。由于該取消脈沖PC與供給奇數(shù)X電極的寫入脈沖有所偏移，因而不會(huì)影響奇數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極之間發(fā)生的寫入放電。
當(dāng)t＝a～b和t＝c～d時(shí)，作為對(duì)供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的寫入電壓的響應(yīng)，電壓值為Vaw的脈沖被提供給地址電極。t＝d之后的工作與上述未提供取消脈沖PC時(shí)所進(jìn)行的相同。奇數(shù)區(qū)中第三或隨后子域中的消隱周期也和第二子域中的消隱周期相同。
偶數(shù)區(qū)的情況與奇數(shù)區(qū)相同，如圖17所示，在偶數(shù)區(qū)的情形下，由于與先前第一實(shí)施例所述同樣的原因，只需將提供給圖16中奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的電壓波形換為彼此相反的狀態(tài)即可。
第七實(shí)施例圖18示出了依據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備20E。
PDP 10A的示意性結(jié)構(gòu)與圖1所示的PDP 10相同。然而，電極的使用方式與圖4所示不同。即，電極Y1、Y2和Y3不劃分成奇數(shù)組和偶數(shù)組，但是將與電極Y1～Y3一側(cè)相鄰的電極X1、X3和X5來表示奇數(shù)X電極，同時(shí)把與電極Y1～Y3另一側(cè)相鄰的電極X2、X4和X6表示偶數(shù)X電極。用成對(duì)電極(Y1，X1)、(Y2，X3)和(Y3，X5)構(gòu)成的奇數(shù)顯示行和成對(duì)電極(Y1，X2)、(Y2，X4)和(Y3，X6)構(gòu)成的偶數(shù)顯示行來實(shí)現(xiàn)隔行顯示。
雖然在偶數(shù)X電極和奇數(shù)X電極間的行都是非顯示行，但由于兩個(gè)顯示行由三個(gè)平行電極形成并且未提供平行于用于表面放電的電極的隔墻，與圖30所示結(jié)構(gòu)相比，仍可減小像素間距，使更高分辨率成為可能。在圖30所示結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)顯示行由四個(gè)平行電極形成并且提供了平行于用于表面放電的隔墻。而且，由于電極Y1～Y3未被劃分為奇數(shù)組和偶數(shù)組，因而與第一實(shí)施例相比，結(jié)構(gòu)可得到簡(jiǎn)化。
圖19示出了圖18所示PDP 10A沿地址電極的縱剖面圖。
這一結(jié)構(gòu)與圖2所示結(jié)構(gòu)不同之處在于對(duì)電極Y1兩側(cè)的電極X1和X2，金屬電極131和133分別是在透明電極121和123上最遠(yuǎn)離電極Y1的一側(cè)上形成。這一結(jié)構(gòu)特性被每一Y電極的兩側(cè)所采用。使得當(dāng)有電壓提供于X1-Y1電極時(shí)，在金屬電極131側(cè)電極X1上的電場(chǎng)更強(qiáng)，因此，即使為獲得更高分辨率而減小了電極間距，與金屬電極131沿著透明電極121的中心線形成的結(jié)構(gòu)相比，卻顯著地增大了像素面積。由于電極X1和X2與電極Y1的相對(duì)側(cè)的行為非顯示行，因此這不會(huì)帶來任何問題，而且這又是人們所期望的，因?yàn)榉秋@示行實(shí)質(zhì)上是變窄了。圖19中，雖然透明電極122的寬度被作成與透明電極121和123的寬度相同，但提供有掃描脈沖的電極Y1的寬度則可以變窄以減小功率損耗。
圖18中，掃描電路23B、奇數(shù)維持電路26B和偶數(shù)維持電路27B分別與圖4所示的掃描電路23，奇數(shù)X維持電路26和偶數(shù)X維持電路27對(duì)應(yīng)。與圖4所示結(jié)構(gòu)相比，為簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，可用單個(gè)Y維持電路24A來代替奇數(shù)Y維持電路24和偶數(shù)Y維持電路25。
圖20示出了尋址周期中顯示行掃描的順序。由于偶數(shù)X電極和奇數(shù)X電極之間的行全為非顯示行，如果一幀被劃分為圖6(A)所示的奇數(shù)區(qū)和偶數(shù)區(qū)，則每一區(qū)中的顯示行將以1/3的比率變薄，從保持顯示持量的觀點(diǎn)來看，這是不期望的。這一問題可通過只寫入奇數(shù)區(qū)的顯示數(shù)據(jù)到奇數(shù)幀來順序掃描顯示行L1、L3和L5，以及通過只寫入偶數(shù)區(qū)的顯示數(shù)據(jù)到偶數(shù)幀來順序掃描顯示行L2、L4和L6加以解決。在這一情況下，與圖5相對(duì)應(yīng)的幀的結(jié)構(gòu)如圖21所示。
圖22示出了Y電極數(shù)為4個(gè)的情況下施加到奇數(shù)幀中電極的電壓波形。
在消隱周期過程中，圖20所示顯示行L1～L6中發(fā)生了全屏寫入放電W和全屏自擦除放電E。然而，由于在偶數(shù)X電極和奇數(shù)X電極之間的電壓為零。在所有的非顯示行中都沒有放電發(fā)生。這與圖7所表示的情形不同。
在尋址周期中，由于電極Y1～Y4為順序掃描，有一個(gè)大寬度的脈沖被提供給奇數(shù)X電極，使得與圖7所示情形相比，有可能降低功率消耗。
在維持周期中，脈沖值為Vs的維持電壓周期地提供給Y電極，而將通過改變提供給Y電極的脈沖序列的相位180°所獲得的脈沖序列提供給奇數(shù)X電極。因此，有AC維持脈沖提供于奇數(shù)X電極和Y電極之間，而以與第一實(shí)施例中相同的方式發(fā)生了持續(xù)放電。由于將偶數(shù)X電極設(shè)定到0，不會(huì)有AC電壓供給到偶數(shù)X電極和Y電極以及偶數(shù)X電極和奇數(shù)X電極之間，因而在這些電極之間不會(huì)有放電發(fā)生。
圖23示出了提供給偶數(shù)幀中電極的電壓波形。些波形可通過相互轉(zhuǎn)換圖22中提供給奇數(shù)X電極和偶數(shù)X電極的電壓得到。
在第七實(shí)施例中，由于同時(shí)進(jìn)行了顯示奇數(shù)幀和偶數(shù)幀的隔行掃描，這與不帶有隔行掃描的情形相比，尋址周期減小了一半而持續(xù)放電周期則變長了，于是，通過增加子幀的數(shù)量，就有可能獲得更多的灰度等級(jí)或者通過增加進(jìn)行持續(xù)放電的次數(shù)而有可能獲得更高亮度。
第八實(shí)施例圖24示出了本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP 10B的一部分沿地址電極的縱剖面。
與圖19所示結(jié)構(gòu)不同之處在于只用金屬電極132構(gòu)成電極Y1，而去掉了透明電極122。這對(duì)于所有其他的Y電極也同樣如此。于是，如先前所述，當(dāng)把掃描脈沖提供給Y電極時(shí)，可降低功率消耗。而且有可能進(jìn)一步減小像素間距。
第九實(shí)施例通過利用消隱周期中為消除墻電荷而進(jìn)行放電的起動(dòng)效應(yīng)，地址放電變得更容易，使得有可能降低地址放電電壓。但由于在整個(gè)表面上發(fā)生放電光發(fā)射，就會(huì)使得黑色顯示區(qū)的質(zhì)量下降。為此，在第九實(shí)施例中使用如圖25所示的一種PDP 10C，以減小有害的光發(fā)射。
在PDP 10C中，圖1的PDP 10電極間的間隔行為盲行(blindline)B1～B3。由于盲行B1～B3全為非顯示行，顯示行L1～L4實(shí)現(xiàn)了非隔行掃描。
可以形成盲膜(擋光屏掩膜)41～43來確保盲行B1～B3中的有害光發(fā)射不會(huì)泄露向觀察者眼中，這些盲膜例如可以形成于圖2中的透明電極121和透明電極122之間，或者形成于與該處相對(duì)應(yīng)的玻璃基片11的表面上。
圖26給出了消隱周期和維持周期中施加于電極上的電壓波形，同時(shí)略去了尋址周期。圖中，PE表示擦除脈沖，PW表示寫入脈沖，PS表示維持脈沖。
在消隱周期中，首先將電壓低于維持脈沖電壓的擦除脈沖PE施加到奇數(shù)X電極和奇數(shù)Y電極上，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有盲行B1～B3的墻電荷的擦除放電。然后，將電壓高于維持脈沖的寫入脈沖PW施加于偶數(shù)X電極和偶數(shù)Y電極，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有盲行B1～B2的寫入放電，而所有盲行B1～B3上的墻電荷則幾乎成為常數(shù)。寫入脈沖PW的電壓等于或高于放電開始電壓但低于圖7中的電壓Vw，在寫入脈沖PW下降后，不會(huì)發(fā)生自擦除放電。因此，有擦除脈沖PE再次供給于奇數(shù)X電極和奇數(shù)Y電極，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所有盲行B1～B3墻電荷的擦除放電。在消隱周期中使用這種放電，可使任何尚未再結(jié)合的浮動(dòng)空間電荷流入顯示行L1～L4，使尋址周期中的地址放電更容易發(fā)生。在消隱周期中，由于所有顯示行L1～L4的X-Y電極間的電壓都為0，因而不會(huì)發(fā)生放電并且避免了因有害的光發(fā)射而導(dǎo)致的黑色顯示區(qū)域質(zhì)量的下降。
尋址周期過程中施加于電極上的電壓波形與現(xiàn)有技術(shù)中用于顯示行L1～L4中的電壓波形相同，或者與當(dāng)圖7中的奇數(shù)區(qū)認(rèn)為是一幀時(shí)的電壓波形相同。
維持周期與圖7所示情形相同。
由于盲行B1～B3的存在，雖然與圖30所示的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，無法獲得比第一實(shí)施例更高的分辨率，但卻便于生產(chǎn)且像素間距可進(jìn)一步減小，這是因?yàn)闊o需形成隔墻191～196。
在消隱周期中同樣容易實(shí)現(xiàn)圖7所示消隱周期的全屏寫入放電和全屏自擦除放電。應(yīng)該指出，盡管PDP使用了在盲行B1～B3不放電的一種驅(qū)動(dòng)類型，但為了吸收從外部入射到盲行B1～B3的入射光，通過使盲膜41～43的觀察者一側(cè)表面具有比磷光體更深的顏色且最好是黑色時(shí)，與從外界入射到盲行B1～B3的磷光體上的入射光反射并進(jìn)入觀察者眼中的情形相比，PDP亮區(qū)中圖像的對(duì)比度提高了。
第十實(shí)施例圖27(A)～27(E)示出了依據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的地址電極。圖27(A)為平面圖，而圖27(B)～27(E)分別為圖27(A)沿線B-B、C-C、D-D和E-E的剖面圖。圖28(B)和28(E)中，示出了環(huán)繞地址電極的結(jié)構(gòu)，便于理解與圖2相關(guān)的其他部分的結(jié)構(gòu)。
與圖2中的地址電極A1相對(duì)應(yīng)，也即與一個(gè)單色像素行相對(duì)應(yīng)，有一對(duì)地址電極A11和A12形成于玻璃基片16上。在玻璃基片16上方的磷光體內(nèi)，與單個(gè)的單色像素對(duì)應(yīng)形成有焊盤B11、B21和B31。地址電極A11通過接頭C21與焊盤B21相連，地址電極A21則通過焊盤C11和C31分別與焊盤B11和B31相連。換句話說，在一行之中分布的焊盤交替地與地址電極A11和地址電極A21相連。這種情況同樣適用于其他的地址電極Akj、焊盤Bij和接頭Cij，這里，k＝1，2，i＝1～3，j＝1，3。
在上述結(jié)構(gòu)中，所給奇數(shù)行和所給偶數(shù)行，即例如由焊盤B11～B13所構(gòu)成的行和由焊盤B21～B23所構(gòu)成的行，可同時(shí)加以選擇，可將用于焊盤B21～B23所構(gòu)成的行的地址脈沖提供給地址電極A11～A13，同時(shí)可將用于由焊盤B11～B13所構(gòu)成的行的地址脈沖提供給地址電極A21～A23。
因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，尋址周期可減少一半。從而增加了持續(xù)放電周期。這樣就能增加子幀數(shù)目來獲得更多的灰度等級(jí)，或者增加進(jìn)行持續(xù)放電的次數(shù)來獲得更高亮度。
本發(fā)明的第十實(shí)施例可用于不同類型的PDP。
第十一實(shí)施例圖28示出了依據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的地址電極。圖28(A)為平面圖，圖28(B)～28(E)分別為圖28(A)沿線B-B、C-C、D-D和E-E的剖面圖。圖28(B)也示了了地址電極周圍區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
在此實(shí)施例中，有四個(gè)地址電極形成于隔墻和地址電極上方之間的每一區(qū)域內(nèi)，同時(shí)有焊盤形成于磷光體內(nèi)，一列焊盤順序與四個(gè)電極線相連。圖28中，標(biāo)號(hào)A11～A43代表地址電極，標(biāo)號(hào)B11～B43代表焊盤，標(biāo)號(hào)C11～C43代表接頭。
對(duì)以上述方式構(gòu)造成的地址電極，可同時(shí)選擇任何兩個(gè)奇數(shù)行和任何兩個(gè)偶數(shù)行用于提供地址脈沖。
第十二實(shí)施例圖29示出了依據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的地址電極的示意性結(jié)構(gòu)。
在此實(shí)施例中，顯示表面劃分為兩個(gè)部分，即區(qū)域51和區(qū)域52，地址電極A11與區(qū)域51中的焊盤連接而地址電極A21與區(qū)域52中的焊盤連接。這一情形同樣適用于所有其他的地址電極和焊盤。
在上述結(jié)構(gòu)中，可同時(shí)選擇區(qū)域51中的任何顯示行和區(qū)域52中的任何顯示行來提供地址脈沖。
上面雖然已對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施例，而是可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)作出各種變化及改進(jìn)。
例如，雖然在迄今所述的實(shí)施例中，地址電極和X電極及Y電極是穿過放電空間形成于彼此面對(duì)的玻璃基片上，但本發(fā)明也可應(yīng)用于它們都形成于同一塊玻璃基片上的結(jié)構(gòu)。
而且，雖然在迄今所述的實(shí)施例中，在消隱周期中進(jìn)行了墻電荷的全屏擦除，并在尋址周期中對(duì)將發(fā)光的像素進(jìn)行了墻電荷的寫入操作，但本發(fā)明也可應(yīng)用于下述結(jié)構(gòu)中，即在消隱周期中對(duì)墻電荷進(jìn)行全屏寫入操作，而在尋址周期中則擦除將關(guān)閉的像素的墻電荷。
另外，圖1中，金屬電極131可以形成于透明電極121的反面或它的兩個(gè)表面上，或者形成于透明電極121中。這一情形同樣適用于圖1、9和24中的所有其他的金屬電極。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括基片、在所述基片上相互間同時(shí)形成的地址電極束以及與所述地址電極束交叉并以一定距離形成的掃描電極用于放電，其中每一個(gè)所述地址電極束包括在所述基片上相互間同時(shí)形成的、對(duì)應(yīng)于一個(gè)單色像素列的m(m≥2)個(gè)地址電極；沿所述m個(gè)地址電極縱向放置的焊盤，所述焊盤對(duì)應(yīng)于各自的單色像素，所述焊盤相對(duì)于所述基片位于所述m個(gè)地址電極之上；以及電接頭，每一個(gè)電接頭沿所述m個(gè)地址電極的所述縱向以某種模式將一個(gè)所述焊盤電連接到一個(gè)所述地址電極。
2.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，所述等離子體顯示板包括基片；在所述基片上相互間同時(shí)形成的地址電極束；以及與所述地址電極束交叉并以一定距離形成的掃描電極用于放電，其中每一個(gè)所述地址電極束包括在所述基片上相互間同時(shí)形成的、對(duì)應(yīng)于一個(gè)單色像素列的m(m≥2)個(gè)地址電極；沿所述m個(gè)地址電極的縱向放置的焊盤，所述焊盤對(duì)應(yīng)于各自的單色像素，所述焊盤相對(duì)于所述基片位于所述m個(gè)地址電極之上；以及電接頭，每一個(gè)電接頭沿所述m個(gè)地址電極的縱向以某種規(guī)則方式將一個(gè)所述焊盤電連接到一個(gè)所述地址電極，所述方法包括以下步驟同時(shí)選擇面對(duì)與所述m個(gè)地址電極相連的m個(gè)所述焊盤的m個(gè)所述掃描電極；以及響應(yīng)顯示數(shù)據(jù)，同時(shí)將電壓施加在所述m個(gè)地址電極上；從而以m行為單位執(zhí)行對(duì)所述掃描電極的掃描。
3.一種等離子體顯示板，包括M×N個(gè)彩色像素，每一個(gè)彩色像素包括三個(gè)原色像素，每一個(gè)彩色像素行包括一個(gè)掃描電極，每一個(gè)原色像素列包括K個(gè)地址電極，所述地址電極沿所述原色像素列形成并且彼此絕緣，K是M的約數(shù)；以及M個(gè)導(dǎo)電焊盤，每一個(gè)所述導(dǎo)電焊盤對(duì)應(yīng)于一個(gè)原色像素，所述導(dǎo)電焊盤沿所述原色像素列放置，位于所述K個(gè)地址電極和所述掃描電極之間，所述導(dǎo)電焊盤彼此隔開；其中每一個(gè)地址電極電連接到M/K個(gè)導(dǎo)電焊盤上。
4.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括M×N個(gè)彩色像素，每一個(gè)彩色像素包括三個(gè)原色像素，每一個(gè)彩色像素行包括一個(gè)掃描電極，每一個(gè)原色像素列包括沿所述原色像素列形成并且彼此絕緣的K個(gè)地址電極，K是M的約數(shù)，以及M個(gè)導(dǎo)電焊盤，每一個(gè)所述導(dǎo)電焊盤對(duì)應(yīng)于一個(gè)原色像素，所述導(dǎo)電焊盤沿所述原色像素列放置，位于K個(gè)地址電極和掃描電極之間并且彼此隔開，每一個(gè)地址電極電連接到M/K個(gè)導(dǎo)電焊盤上，該方法包括以下步驟同時(shí)選擇面對(duì)與所述K個(gè)地址電極相連的K個(gè)所述焊盤的K個(gè)所述掃描電極；以及根據(jù)顯示數(shù)據(jù)，同時(shí)將電壓施加在所述K個(gè)地址電極上；從而以K行為單位執(zhí)行對(duì)所述掃描電極的掃描。
全文摘要
確保表面放電電極的奇偶行維持脈沖的相位相反，以一種電極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)隔行掃描。當(dāng)奇行或偶行顯示時(shí)，未顯示行電極間的電壓為零，不必在表面放電電極上使用隔墻。將X電極設(shè)于Y電極的兩側(cè)，Y電極和一側(cè)X電極分配奇數(shù)幀顯示行，和另一側(cè)X電極分配偶數(shù)幀顯示行。表面放電電極間隔區(qū)構(gòu)成盲行，盲行的放電光發(fā)射被阻擋或者說射入盲行的入射光被吸收。為每一單色像素提供地址電極并可選地與其上方的焊盤相連，以對(duì)行同時(shí)選擇。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1444245SQ0213221
公開日2003年9月24日 申請(qǐng)日期1996年8月2日 優(yōu)先權(quán)日1995年8月3日
發(fā)明者石井智之, 広瀨忠繼, 金沢義一, 上田嘉男, 岸智勝, 富尾重壽, 淺見文孝 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社