專利名稱：內(nèi)部磁屏蔽罩與陰極射線管的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及配置在陰極射線管內(nèi)的、用以減少電子束誤著屏(mislandings)的內(nèi)部磁屏蔽罩，以及配置該罩的陰極射線管。
目前使用的內(nèi)部磁屏蔽罩，一般包括兩種形式；一種如

圖12所示，由朝向相對的一對長側(cè)壁86和朝向相對的一對短側(cè)壁87構(gòu)成，中央有開口部88；另一種如圖13所示，在短側(cè)壁上帶V字形切口部89，這種形式的內(nèi)部磁屏蔽罩已在“特平開53-15061號公報”、“特平開7-192643號公報”、“特平開5-159713號公報”等專利文件中示出。
如上所述的短側(cè)壁87上不帶切口部或者帶V字形切口部的內(nèi)部磁屏蔽罩，在受到地磁等外磁場作用時，發(fā)生的誤著屏量，與圖像中央部分相比，有朝向圖像周邊部分增大的傾向。在最靠邊的圖像角部位置，誤著屏現(xiàn)象尤為明顯。所以，采用現(xiàn)有的內(nèi)部磁屏蔽罩，全畫面上有不均勻的誤著屏發(fā)生；特別對于高精細陰極射線管，有必要改善其圖像角部的誤著屏情況。
另外，人們不希望誤著屏量隨陰極射線管的擺放位置而變化，為此最好將管軸方向的地磁引起的誤著屏量同與管軸垂直的水平方向的地磁引起的誤著屏量作為大致相等的量來處理。但是，如果使這兩種誤著屏量平衡，就很難在全熒光屏上把誤著屏量抑制到很小。
為了達到上述目的，本發(fā)明采用了如下結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的第一種內(nèi)部磁屏蔽罩為由朝向相對的一對長側(cè)壁和朝向相對的一對短側(cè)壁構(gòu)成的，中央有開口的陰極射線管用的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述長側(cè)壁或所述短側(cè)壁中至少有一對側(cè)壁上開有大致如(棒球的)本壘板形狀的切口部。
另外，本發(fā)明的第二種內(nèi)部磁屏蔽罩為由朝向相對的一對長側(cè)壁和朝向相對的一對短側(cè)壁構(gòu)成，中央有開口的陰極射線管用的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述長側(cè)壁或所述短側(cè)壁中至少有一對側(cè)壁上開有切口部，所述切口部由方向相異的、至少兩對以上的、朝向相對的切邊形成。
通過上述的第一和第二內(nèi)部磁屏蔽罩，可以減少因地磁場等外部磁場造成的電子束軌道歪斜引起的誤著屏，并能在全熒光屏上防止圖像重合不良和色不勻的出現(xiàn)。此外，可以在減少全熒光屏上的誤著屏的同時，使得管軸方向的地磁引起的誤著屏量同與管軸垂直的水平方向的地磁引起的誤著屏量易于平衡。
本發(fā)明的陰極射線管，包括由上述玻屏和玻錐構(gòu)成的管殼、在上述玻屏的內(nèi)面形成的熒光屏、與上述熒光屏朝向相對地配置的選色電極、設在上述玻錐內(nèi)的電子槍、在上述選色電極與上述電子槍之間設置的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述內(nèi)部磁屏蔽罩為上述第一或第二內(nèi)部磁屏蔽罩。
按照這種陰極射線管結(jié)構(gòu)，可以提供在任何擺放方向均能減少全熒光屏上的圖像重合不良和色不勻現(xiàn)象的、具有良好圖像顯示的陰極射線管。
圖2為與本發(fā)明實施例1有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的短側(cè)壁方向的側(cè)視圖。
圖3為與本發(fā)明實施例1有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩中，平行切口部的深度與管軸方向地磁引起的誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖4為表示與本發(fā)明實施例1有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩中切口寬度改變狀態(tài)的短側(cè)壁方向的側(cè)視圖。
圖5為與本發(fā)明實施例1有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩中，切口寬度與誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖6為與本發(fā)明實施例1有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的短側(cè)壁方向的側(cè)視圖。
圖7為與本發(fā)明實施例2有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的示意透視圖。
圖8為與本發(fā)明實施例2有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的短側(cè)壁方向的側(cè)視圖。
圖9為與本發(fā)明實施例2有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的傾斜角度θ1與誤著屏量之間的關(guān)系圖。
圖10為表示本發(fā)明的彩色陰極射線管結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
圖11為現(xiàn)有陰極射線管示意剖面圖。
圖12為現(xiàn)有內(nèi)部磁屏蔽罩示意透視圖。
圖13為現(xiàn)有的另一種內(nèi)部磁屏蔽罩示意透視圖。
發(fā)明的最佳實施例以下用圖1～圖10對本發(fā)明進行說明。
(實施例1)圖1為與本發(fā)明實施例1有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的透視圖。
本實施例的內(nèi)部磁屏蔽罩，大致呈梯形狀的一對長側(cè)壁1和大致呈梯形狀的一對短側(cè)壁2，它們構(gòu)成四方錐面的一部分。在內(nèi)部磁屏蔽罩的中央，由長側(cè)壁1和短側(cè)壁2圍成開口部3。在內(nèi)部磁屏蔽罩中，以開口窄的一側(cè)(圖1中的上側(cè))為電子槍側(cè)、開口寬的一側(cè)(圖1中的下側(cè))為熒光屏側(cè)設置在陰極射線管內(nèi)，電子束在開口部3內(nèi)通過。在短側(cè)壁2上，從電子槍側(cè)的上端朝向熒光屏側(cè)形成切口部4。
圖2為圖1的內(nèi)部磁屏蔽罩的短側(cè)壁2方向的側(cè)視圖。圖2的上下方向與設置內(nèi)部磁屏蔽罩的陰極射線管的管軸方向一致。
切口部4在圖2中呈左右對稱的形狀，由朝向相對的一對第一切邊5和朝向相對的一對第二切邊6構(gòu)成。一對第一切邊5互相平行，并且，在圖2所示的側(cè)視圖(即當內(nèi)部磁屏蔽罩裝入陰極射線管后，跟矩形的熒光屏長邊平行的方向上的投影圖)中，這一對第二切邊5與管軸平行。一對第二切邊6大致成V字形交叉，形成切口部4的底部8。第二切邊6的與底部8相對的一端跟第一切邊5相接。由于第一切邊5和第二切邊6的方向不同，其連接部分形成彎曲部9。由以上所述可知，切口部4大體呈本壘板的形狀。這樣的切口部4在朝向相對的兩個短側(cè)壁2上以面對稱形狀設置。
這里，如圖2所示，切口部4的電子槍側(cè)的開口寬度(開口側(cè)端部7處的間隔)定義為L、切口寬度固定的平行切口部(第一切邊5的部分)的切口寬度為L1(本例中L1＝L)、內(nèi)部磁屏蔽罩的高度(即管軸方向的長度)為H、平行切口部的深度(即管軸方向的長度)為H1、切口部4的深度(即管軸方向的長度)為H2。
在圖3所示的在對角線尺寸為25英寸的陰極射線管用內(nèi)部磁屏蔽罩中，讓切口寬度L1和切口部4的深度H2保持不變、平行切口部的深度H1改變時管軸方向的地磁(以下稱管軸地磁)引起的圖像角部的誤著屏量。H1＝0時，切口部4的形狀成V字形。
由圖3所示可知，隨著切口部4的平行切口部的深度H1的增加，因管軸磁場引起的圖像角部的誤著屏量減少。這是因為，開口側(cè)端部7和第一切邊5將管軸地磁拉拽進來，該被拉拽進來的磁場在內(nèi)部磁屏蔽罩內(nèi)同電子束在其直至熒光屏軌道上受到的地磁等外部磁場的作用力相抵。但是，如H1＝H2，由于對與管軸成直角的水平方向的地磁(以下稱水平地磁)的屏蔽作用減少，于是會造成水平地磁引起的誤著屏量的增加。
另外，為了平衡管軸地磁引起的誤著屏量與水平地磁引起的誤著屏量，對于不同管型可以如圖4所示改變切口寬度L1。圖5給出了當平行切口部的深度H1和切口部4的深度H2保持不變時，切口寬度L1的改變對因管軸地磁和水平地磁造成的圖像角部誤著屏量的影響。切口寬度L1越小，對水平磁場的屏蔽效果就越強，從而使水平地磁引起的誤著屏量減少，而管軸地磁引起的誤著屏量增加。而且，管軸地磁引起的誤著屏量曲線同水平地磁引起的誤著屏量曲線相交，這表明管軸地磁引起的誤著屏量與水平地磁引起的誤著屏量可以取得平衡。
再有，切口部4的底部8可以不是僅由一對第二切邊6交叉形成的，而是如圖6所示，也可以采用中間有一段與熒光屏大體平行的切邊8a或大致圓弧狀的部分將一對第二切邊6連接而成。另外，開口側(cè)端部7和彎曲部9也可以采用圓弧形。
通過使用如上描述的內(nèi)部磁屏蔽罩，可以形成將電子束在其直至熒光屏的軌道上所受到的地磁等外磁場產(chǎn)生的作用力抵消的反磁場，結(jié)果，可使電子束受力減小、電子束軌道偏斜造成的誤著屏減少，從而能夠在全熒光屏上防止圖像重合不良和色不勻現(xiàn)象。再有，在減少全熒光屏上誤著屏的同時，容易使管軸地磁引起的誤著屏量同與管軸成直角的水平地磁引起的誤著屏量達到平衡。
(實施例2)圖7為與本發(fā)明實施例2有關(guān)的內(nèi)部磁屏蔽罩的透視圖。
本實施例的內(nèi)部磁屏蔽罩，包括大致呈梯形的朝向相對的一對長側(cè)壁1和大致呈梯形的朝向相對的一對短側(cè)壁11，它們結(jié)合構(gòu)成四方錐面的一部分。在內(nèi)部磁屏蔽罩的中央形成由長側(cè)壁1和短側(cè)壁11相圍而成的開口部3。在短側(cè)壁11上，形成從電子槍側(cè)朝向熒光屏側(cè)的開口部12。
本實施例2的短側(cè)壁11形成的切口部12的形狀不同于實施例1的切口部4的形狀。
圖8為圖7的內(nèi)部磁屏蔽罩的短側(cè)壁11方向的側(cè)視圖。圖8的上下方向與設置內(nèi)部磁屏蔽罩的陰極射線管的管軸方向一致。
切口部12在圖8中呈左右對稱的形狀，由朝向相對的一對第一切邊13和朝向相對的一對第二切邊14構(gòu)成。在圖8所示的側(cè)視圖(即當內(nèi)部磁屏蔽罩裝入陰極射線管后，跟矩形的熒光屏長邊平行的方向上的投影圖)中，一對傾斜的第一切邊13與管軸成θ1角，一對傾斜第二切邊14與管軸成θ2角。一對第二切邊14大致成V字形交叉，形成切口部12的底部16。第二切邊14的與底部16相對的一端跟第一切邊13相接。由于第一切邊13和第二切邊14的形成方向不同，其連接部分形成彎曲部17。這樣的切口部12在相對的兩個短側(cè)壁11上面對稱地設置。
如此，通過方向各異的兩對切邊13、14形成切口部12，與實施例1相同，開口側(cè)端部15和第一切邊13將管軸地磁拉拽進來，這樣被拉拽進來的磁場在內(nèi)部磁屏蔽罩內(nèi)，同電子束在其直至熒光屏的軌道上受到的地磁等外部磁場的作用力相抵。其結(jié)果，減少了誤著屏量。但是，如傾斜角度θ2與傾斜角度θ1相同，由于對水平地磁的屏蔽作用減少，于是會造成水平地磁引起的誤著屏量的增加。
圖9示出了在對角尺寸為25英寸的陰極射線管用內(nèi)部磁屏蔽罩中，使第一切邊13的管軸方向長度保持不變，傾斜角度θ1改變時管軸地磁和水平地磁引起的誤著屏量。關(guān)于角度θ1的符號，如圖8所示，將使彎曲部17之間的間隔小于開口側(cè)端部15之間的間隔的一對第一切邊13的傾斜角度θ1定義為正。由圖9可知，管軸地磁引起的誤著屏量曲線同水平地磁引起的誤著屏量曲線相交，這表明管軸地磁引起的誤著屏量與水平地磁引起的誤著屏量可以取得平衡。此外，如第一切斷變13的傾斜角度θ1為0°以下，就有可能在水平地磁引起的誤著屏量不太變化的條件下，減少管軸地磁引起的誤著屏量。
再有，同實施例1相同，切口部12的底部16可以不是僅由一對第二切邊14交叉形成，也可以采用中間有一段與熒光屏大體平行的切邊8a或大致圓弧狀的部分將一對第二切邊14連接而成。另外，開口側(cè)端部15和彎曲部17也可以采用圓弧形。而且，切口部12的電子槍側(cè)的開口寬度(開口側(cè)端部15處的間隔)L2可以按照不同的管型改變。
以上就由兩對方向各異的切邊13、14形成的切口部作了說明，但是為了取得誤著屏的平衡，不妨也可用三對以上的切邊形成切口部。
通過使用如上描述的內(nèi)部磁屏蔽罩，可以形成將電子束在其直至熒光屏的軌道上所受到的地磁等外磁場產(chǎn)生的作用力抵消的反磁場，結(jié)果，可使電子束受力減小、電子束軌道歪斜造成的誤著屏減少，從而能夠在全熒光屏上防止圖像重合不良和色不勻。再有，在減少全熒光屏上誤著屏的同時，容易使管軸地磁引起的誤著屏量同與管軸成直角的水平地磁引起的誤著屏量達到平衡。
(實施例3)圖10為本發(fā)明的彩色陰極射線管30通過管軸的上下方向的剖面圖。
由玻屏31和玻錐32合為一體構(gòu)成管殼33。在玻屏31的內(nèi)面形成大致為矩形的熒光屏34。在與熒光屏34隔開并相對的設置上，將選色電極(如蔭罩)35裝在框架36上。框架36，通過其外周邊上的片簧狀彈性支承件(圖中未示出)掛在設于玻屏31內(nèi)面的屏銷釘(圖中未示出)上，從而固定于玻屏31。電子槍37裝于玻錐32的管頸內(nèi)。內(nèi)部磁屏蔽罩40裝于框架36的電子槍37側(cè)的周邊。玻錐32的外面裝有偏轉(zhuǎn)線圈39，用以使電子槍發(fā)射的電子束38偏轉(zhuǎn)掃描。
在上述的本發(fā)明的彩色陰極射線管30中，使用了作為內(nèi)部磁屏蔽罩40的上述實施例1或2中所述的內(nèi)部磁屏蔽罩。
如上所述，通過使用以上描述的內(nèi)部磁屏蔽罩40，可以形成將電子束38在其直至熒光屏34的軌道上所受到的地磁等外磁場產(chǎn)生的作用力抵消的反磁場，結(jié)果，可使電子束38的受力減小、電子束軌道歪斜造成的誤著屏減少，從而在全熒光屏上防止圖像重合不良和色不勻。再有，在全熒光屏上減少誤著屏的同時，容易使管軸地磁引起的誤著屏量同與管軸成直角的水平地磁引起的誤著屏量達到平衡，即使擺放方向改變，也可顯示圖像重合不良和色不勻較少的圖像。
在上述實施例1～3的內(nèi)部磁屏蔽罩中，給出了在短側(cè)壁上設置切口部的示例，但是本發(fā)明的范圍并不受此結(jié)構(gòu)的限制。換言之，按照陰極射線管的使用目的等要求，也可將與上述形式相同的切口部設在長側(cè)壁上，而不設在短側(cè)壁上；或者既設在短側(cè)壁又設在長側(cè)壁上。
在上述實施例1～3的內(nèi)部磁屏蔽罩中，給出了以直線切邊形成的切口部的示例，但是本發(fā)明的范圍并不受此結(jié)構(gòu)的限制。換言之，只要能實現(xiàn)本發(fā)明的目的，各切邊可以全部或僅在其一部分(如端部)采用曲線形狀。
本發(fā)明的內(nèi)部磁屏蔽罩的材料不作特別限定，可以使用與現(xiàn)有的高導磁率的材料相同的材料，如鐵質(zhì)材料等。另外，制造方法也可采用與現(xiàn)有的沖壓等相同的方法。
以上描述的實施例，說到底都是為了明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，不能僅以上述的具體示例為限對本發(fā)明作出解釋，對本發(fā)明應作廣義的解釋，即本發(fā)明可以在其發(fā)明精神與權(quán)力要求書所述的范圍內(nèi)加以變更實施。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管用的內(nèi)部磁屏蔽罩，由朝向相對的一對長側(cè)壁和朝向相對的一對短側(cè)壁組成，中央有各側(cè)壁圍成的開口部；其特征在于在所述長側(cè)壁或所述短側(cè)壁中至少有一對上面形成大致為主壘板形狀的切口部。
2.一種陰極射線管用的內(nèi)部磁屏蔽罩，由朝向相對的一對長側(cè)壁和朝向相對的一對短側(cè)壁組成，中央有各側(cè)壁圍成的開口部；其特征在于在所述長側(cè)壁或所述短側(cè)壁中至少有一對上面形成切口部；所述切口部至少由方向相異的兩對以上朝向相對的切邊形成。
3.權(quán)利要求2的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述兩對以上的朝向相對的切邊中有一對相互平行。
4.權(quán)利要求2的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述兩對以上的朝向相對的切邊中有一對在自電子槍側(cè)朝熒光屏側(cè)的方向上以大的間隔寬度設置。
5.權(quán)利要求1或2的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述切口部的底部由與熒光屏大致平行的直線切邊形成。
6.一種陰極射線管，其中包括由玻屏和玻錐構(gòu)成的管殼、在所述玻屏的內(nèi)表面形成的熒光屏、面向所述熒光屏配置的選色電極、設在所述玻錐內(nèi)的電子槍、在所述選色電極與所述電子槍之間設置的內(nèi)部磁屏蔽罩，其特征在于所述內(nèi)部磁屏蔽罩為權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的內(nèi)部磁屏蔽罩。
全文摘要
一種內(nèi)部磁屏蔽罩包括:一對相對的長側(cè)壁(1);一對相對的短側(cè)壁(2),以及位于中央的由所述兩對側(cè)壁圍成的開口(3)。短側(cè)壁(2)具有一般本壘板形狀的缺口(4),后者在整個熒光屏上減小電子束的誤著屏。同時,容易使管軸方向的地磁引起的誤著屏量同與管軸成直角的水平方向的地磁引起的誤著屏量得到平衡。結(jié)果,可以提供能夠顯示沒有圖像重合不良和色不勻的圖像的陰極射線管。
文檔編號H01J29/06GK1346505SQ00806031
公開日2002年4月24日 申請日期2000年11月24日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月13日
發(fā)明者巖本洋, 八田真一郎, 村井隆一, 川崎正樹, 中寺茂夫, 三上智久 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社