基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制備方法，包括透光基底以及位于基底上的金屬層；金屬層由晶胞單元陣列組成；晶胞單元包括0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)、90°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)、45°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu)；手性結(jié)構(gòu)由Z型結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成；其中，線偏振片的透過率為85%以上，消光比50dB以上；右旋圓偏振光在1.6μm波長處透過率為60%，左旋圓偏振光的透過率為4%，圓二向色性可以達到56%，可以實現(xiàn)實時全偏振成像。本發(fā)明具有波段較寬，結(jié)構(gòu)簡單，易于制作的特點，在以后的光學(xué)傳感系統(tǒng)、先進的納米光子器件以及集成光學(xué)系統(tǒng)中，具有很大的應(yīng)用價值。
【專利說明】
基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)元件制備技術(shù)，具體涉及一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的設(shè)計與制作。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著偏振技術(shù)的不斷發(fā)展，其在目標識別與探測方面發(fā)揮著越來越重要的作用。有菲涅爾公式可知，當物體在發(fā)射、反射、散射以及透射電磁波的過程中，會產(chǎn)生與自身特性相關(guān)的特定偏振信息。不同物體，甚至不同狀態(tài)的相同物體的偏振信息都會存在差別。偏振探測可以提供比傳統(tǒng)強度探測和光譜探測更多的關(guān)于目標的信息。偏振成像技術(shù)成為傳統(tǒng)強度成像和光譜成像之外的第三種成像技術(shù)，逐漸引起各國研究者越來越多的關(guān)注。偏振成像技術(shù)是將偏振探測技術(shù)與成像技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物。偏振成像技術(shù)主要是在原有的成像系統(tǒng)上，增加偏振檢測裝置，配合相應(yīng)的偏振調(diào)制器件和偏振測量算法，通過測量光線的各個偏振分量，進而得到被測光線的部分或全部的偏振狀態(tài)信息，通常是Stokes矢量圖像或Mueller矩陣圖像，用以表征被測光線的偏振狀態(tài)。通過對這些偏振信息圖像的分析和計算，可以進一步得到更多的偏振參數(shù)圖像，如偏振度、偏振角、橢圓率角、偏振傳輸特性等圖像，其結(jié)果可用于分析被測物的形狀，粗糙度、介質(zhì)性質(zhì)甚至生物化學(xué)等各項特征?目息O
[0003]近幾十年來，偏振成像技術(shù)已經(jīng)成為國內(nèi)外眾多高校和科研機構(gòu)的研究對象，在天文探測、目標識別、醫(yī)療、軍事、測量等眾多方面具有重要的作用，發(fā)揮著巨大的潛力。例如:(I)在天文領(lǐng)域，偏振成像探測最早應(yīng)用于行星表面土壤、大氣探測和恒星、行星以及星云狀態(tài)等的探測。在許多天文觀測領(lǐng)域，偏振測量或者偏振成像都是非常重要的輔助手段。
(2)偏振信息圖像可以增強目標與背景的對比度，實現(xiàn)目標檢測或增強的作用。偏振相機不僅可以用于目標識別，還可以利用消除反射光提高信噪比，增強被測目標的分辨能力。由于偏振圖像特別適用于物體的邊緣形狀檢測，因此還可以利用測量得到的偏振圖像回復(fù)被測物體的幾何形狀，特別對透明物體的檢測和形狀恢復(fù)具有重要意義。(3)在醫(yī)療領(lǐng)域，可以通過偏振圖像進行無接觸、無痛和無損的病變檢測，尤其適用于皮膚和眼部的檢測。(4)在軍事方面，由于人造物體與自然背景的偏振特性差異比較大，即使是反射率相近的軍事偽裝物與自然環(huán)境之間，在偏振特征圖像上都會有比較明顯的差別，因此偏振成像技術(shù)是非常有效的軍事識別手段。
[0004]傳統(tǒng)的偏振成像技術(shù)一般是通過高速旋轉(zhuǎn)偏振片，來獲得物體不同偏振方向的信息，但是這種方法只能適用于靜態(tài)物體或者低速移動物體的探測，無法實時獲取目標在同一時刻的不同偏振方向的偏振信息，并且這種方法對成像系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求比較高。像素式微型偏振器陣列的出現(xiàn)解決了這個問題，它通過將不用取向的金屬光柵偏振器集合到一個陣列中，可以將此陣列與CCD相機相結(jié)合，陣列中的像素與CCD相機的像素一一對應(yīng)，因而可以同時獲得物體不同偏振方向上的偏振信息，實現(xiàn)實時偏振成像，并且無需旋轉(zhuǎn)偏振片，因而對成像系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求較低。這樣，同一目標場景的全Stokes矢量偏振信息就能一次性獲得，并且結(jié)構(gòu)簡單，可以實現(xiàn)實時全偏振成像。在此方案中，重點在于獲得性能良好，易于制備的全Stokes矢量偏振器陣列。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制備方法，能夠?qū)崿F(xiàn)可以實現(xiàn)實時全偏振成像，并具波段較寬，結(jié)構(gòu)簡單，易于制作的特點。
[0006]為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，包括透光基底以及位于基底上的金屬層;所述金屬層由晶胞單元陣列組成;所述晶胞單元包括三個不同趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu)；所述手性結(jié)構(gòu)由Z型結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成；所述金屬線柵結(jié)構(gòu)的周期為200-300nm，占空比為1/2-1/3;所述Z型結(jié)構(gòu)單元的縱向周期為340-430nm，橫向周期為200-260nm;所述金屬層的厚度為280-360nmo
[0007]本發(fā)明中，以Z型結(jié)構(gòu)單元兩條平行邊的方向為縱向，與縱向垂直的水平方向為橫向。三個不同趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)分別為0°、45°以及90°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu);金屬線柵結(jié)構(gòu)的趨向是指金屬線柵結(jié)構(gòu)中凹槽的朝向，三個角度是以縱向作為基準，即0°趨向則是與縱向平行，90°趨向與縱向垂直，45°趨向與縱向成45°夾角。
[0008]本發(fā)明三個不同趨向的線偏振片結(jié)合手性結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出斯托克斯三個不同的線偏振矢量與高偏振二色性的透射，滿足全斯托克斯成像需要三個不同趨向的線偏振分量和一個圓偏振分量，引入到像素式偏振器件之中，實現(xiàn)了像素式全斯托克斯矢量成像器件的設(shè)計，為實現(xiàn)像素式全斯托克斯成像奠定了基礎(chǔ)。解決了現(xiàn)有技術(shù)由于受限于金屬結(jié)構(gòu)圓偏振分量的區(qū)分度較低，像素式全斯托克斯成像未得到工業(yè)實現(xiàn)的問題。
[0009]本發(fā)明中，每個晶胞單元的周期尺寸由探測器的實際像素大小決定。優(yōu)選的，晶胞結(jié)構(gòu)單元中，所述金屬線柵的周期P為210-240nm，占空比為1/2;所述Z型結(jié)構(gòu)單元的縱向周期Pl為400-420nm，橫向周期P2為210-220nm;所述金屬層的厚度H為290-310nm。參見本發(fā)明實施例一，P=220nm，占空比=l/2，Wl=155nm，W2=85nm，Pl=415nm，P2=215nm，Ll=145nm，L2=135nm;進一步優(yōu)選這組參數(shù)，可以使結(jié)構(gòu)達到波段最寬，圓二色性較好的優(yōu)點;得到的基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器線偏振片的透過率為85%以上，消光比50dB以上；右旋圓偏振光在1.6μπι波長處透過率為60%，左旋圓偏振光的透過率為4%，圓二向色性可以達到56%，取得了意想不到的技術(shù)效果。
[0010]本發(fā)明中，所述透光基底為透光半導(dǎo)體基底;所述金屬為金、銀或者鋁;優(yōu)選的，所述金屬為金;所述透光基底為娃。娃的制作工藝較為成熟，而且價格便宜，金性質(zhì)較為穩(wěn)定，不易氧化;而且硅金體系的結(jié)合有利于結(jié)構(gòu)發(fā)揮全斯托克斯成像效果。
[0011]本發(fā)明中，Z型結(jié)構(gòu)單元厚度和金屬線柵厚度一致，能夠兼容線偏振和圓偏振片制作。所謂Z型結(jié)構(gòu)單元呈Z型結(jié)構(gòu)，即兩條平行邊與中間的一條垂直邊組成的結(jié)構(gòu);本發(fā)明優(yōu)選所述Z型結(jié)構(gòu)單元由第二方形結(jié)構(gòu)以及分別位于第二方形結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)組成;所述第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)平行;所述第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)都與第二方形結(jié)構(gòu)垂直。參見本發(fā)明實施例，第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)大小形狀一致，兩者端線的距離就是Z型結(jié)構(gòu)單元的縱向周期，即所述手性結(jié)構(gòu)中，在縱向方向上，相鄰Z型結(jié)構(gòu)單元接觸。
[0012]本發(fā)明公開的基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對應(yīng)的工作波段為通訊波段，可根據(jù)結(jié)構(gòu)參數(shù)的選取進行調(diào)制，獲得最佳效果，在光學(xué)成像系統(tǒng)具有很大的應(yīng)用價值。因此本發(fā)明還公開了上述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器在偏振成像中的應(yīng)用。
[0013]本發(fā)明進一步公開了上述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制備方法，包括以下步驟:在透光基底表面利用電子束蒸發(fā)鍍一層金屬，然后涂上一層光刻膠；然后利用電子束曝光顯影技術(shù)得到三個不同趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu);再使用反應(yīng)離子束工藝刻蝕;接著去除殘余光刻膠得到基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器。
[0014]本發(fā)明進一步公開了上述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制備方法，包括以下步驟:在透光基底表面涂上一層光刻膠，利用電子束曝光和顯影技術(shù)得到表面帶有光刻膠的透光基底;然后利用電子束蒸發(fā)在透光基底帶有光刻膠的表面鍍一層金屬;最后去除光刻膠以及光刻膠上的金屬，得到基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器。
[0015]本發(fā)明基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器由透明(硅)基底和金屬層組成;所述金屬層由晶胞單元陣列組成;所述晶胞單元包括三個不同趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu);所述手性結(jié)構(gòu)由Z型結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成;Z型結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成二維手性結(jié)構(gòu)，手形結(jié)構(gòu)是指自身的鏡像不能夠與自身重合。手形結(jié)構(gòu)能夠?qū)θ肷涞淖笥倚龍A偏振光有著不同的吸收、反射和透射作用，即圓二色性。
[0016]由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點:
1.本發(fā)明首次公開了基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，可以實現(xiàn)實時全偏振成像;其中線偏振片的透過率為85%以上，消光比50dB以上;右旋圓偏振光在1.6μπι波長處透過率為60%，左旋圓偏振光的透過率為4%，圓二向色性可以達到56%，取得了意想不到的技術(shù)效果。
[0017]2.本發(fā)明公開的基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器結(jié)構(gòu)合理、易于制作，結(jié)構(gòu)單元的尺寸參數(shù)可調(diào)，制備方法與現(xiàn)有的工藝完全兼容;克服了現(xiàn)有技術(shù)需要繁瑣的制備過程才能得到檢偏器的缺陷。
[0018]3.本發(fā)明公開的基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器原料來源廣、制備簡易，相比現(xiàn)有技術(shù)，財力、時間成本更低;并且性能優(yōu)異，在光學(xué)成像系統(tǒng)具有很大的應(yīng)用價值。
【附圖說明】
[0019]圖1為實施例一的基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器以及晶胞單元結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為實施例一的全斯托克斯矢量偏振器中0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為實施例一的全斯托克斯矢量偏振器中Z型結(jié)構(gòu)單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
其中:1、透光基底;2、0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu);3、90°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu);4、45°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu);5、手性結(jié)構(gòu);6、Ζ型結(jié)構(gòu)單元;7、第二方形結(jié)構(gòu);8、第一方形結(jié)構(gòu);9、第三方形結(jié)構(gòu)；
圖4為實施例一中周期Pl對左右旋圓偏振光由基底入射金屬層的透過率曲線的影響圖；
圖5為實施例一中周期Pl對左右旋圓偏振光由基底入射通過金屬層的圓二色性曲線的影響圖；
圖6為實施例一中周期P2對左右旋圓偏振光由基底入射通過金屬層的透過率曲線的影響圖；
圖7為實施例一中周期P2對左右旋圓偏振光由基底入射通過金屬層的圓二色性曲線的影響圖；
圖8為實施例一中左右旋圓偏振光入射基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的透過率曲線圖；
圖9為實施例一中左右旋圓偏振光入射基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的圓二色性曲線圖；
圖10為實施例一中線偏光通過基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的透過率和消光比曲線圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合實施例、附圖對本發(fā)明作進一步描述:
實施例一:參見附圖1所示，為基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器結(jié)構(gòu)示意圖(右圖)以及晶胞單元結(jié)構(gòu)示意圖(左圖)；基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，包括透光基底I以及位于基底上的金屬層;金屬層由晶胞單元陣列組成；晶胞單元包括0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)2、90°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)3、45°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)4和一個手性結(jié)構(gòu)5 ；手性結(jié)構(gòu)由Z型結(jié)構(gòu)單元6陣列構(gòu)成，在縱向方向上，相鄰Z型結(jié)構(gòu)單元接觸；多個晶胞單元陣列組合即得到基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器。
[0021]參見附圖2，為0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)示意圖，為了表示更清楚，附圖包括基底，其周期P為220nm，占空比為1/2;90°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)、45°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)的參數(shù)與0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)一致。金屬層的厚度H為300nm。
[0022]參見附圖3，Z型結(jié)構(gòu)單元由第二方形結(jié)構(gòu)7以及分別位于第二方形結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一方形結(jié)構(gòu)8、第三方形結(jié)構(gòu)9組成;第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)平行，大小形狀一致;第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)都與第二方形結(jié)構(gòu)垂直。Z型結(jié)構(gòu)單元的縱向周期Pl為415nm，橫向周期 P2 為 215m，Wl=155nm，W2=85nm，Ll=145nm，L2=135nm。
[0023]上述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制造方法，包括如下步驟:
(1)硅表面利用電子束蒸發(fā)鍍一層金，再用勻膠機涂上一層光刻膠；
(2)利用電子束曝光和顯影技術(shù)得到金屬線柵和Z型結(jié)構(gòu)單元光刻膠結(jié)構(gòu)；
(3)使用反應(yīng)離子束工藝刻蝕，接著去除殘余光刻膠。
[0024]附圖4為周期Pl對左右旋圓偏振光由基底入射金屬層的透過率曲線的影響；附圖5為周期Pl對左右旋圓偏振光由基底入射金屬層的圓二色性曲線的影響。由圖可見透過率的相應(yīng)峰值隨Pl的增大發(fā)生紅移。附圖6周期P2對左右旋圓偏振光由基底入射通過金屬層的透過率曲線的影響；附圖7為周期P2對左右旋圓偏振光由基底入射通過金屬層的圓二色性曲線的影響。由圖可見透過率的相應(yīng)峰值隨P2的增大發(fā)生藍移，但是移動的波段范圍較小。因此本發(fā)明基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器可以調(diào)整Pl適應(yīng)多種工作波段，提尚應(yīng)用性能。
[0025]以P=220nm，占空比為l/2;Wl=155nm，W2=85nm，Pl=415nm，P2=215nm，Ll=145nm，L2=135nm，H=300nm為結(jié)構(gòu)參數(shù);附圖8為左右旋圓偏振光入射基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的透過率曲線圖，在1.55μπι -1.65μπι波段，對左右旋圓偏振光的透過率較好。圖9為左右旋圓偏振光入射基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的圓二色性曲線圖；在1.60μπι波段圓二向色性可以達到56%。
[0026]附圖10為基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的透過率和消光比曲線，其中線偏振片的透過率為85%以上，消光比50dB以上。
[0027]實施例二:一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，包括透光基底以及位于基底上的金屬層;金屬層由晶胞單元陣列組成；晶胞單元包括0°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)、90°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)、45°趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu);手性結(jié)構(gòu)由Z型結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成;Z型結(jié)構(gòu)單元由第一方形結(jié)構(gòu)以及分別位于第一方形結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)組成;第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)平行，大小形狀一致;第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)都與第二方形結(jié)構(gòu)垂直，在縱向方向上，相鄰Z型結(jié)構(gòu)單元接觸。多個晶胞單元陣列組合即得到基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器。以P=220nm，占空比為l/2;Wl=155nm，W2=85nm，Pl=415nm，P2=210nm，Ll=145nm，L2=135nm，H=310nm 為結(jié)構(gòu)參數(shù)，制備方法如下:
(1)硅表面用勻膠機涂上一層光刻膠；
(2)利用電子束曝光和顯影技術(shù)得到光刻膠結(jié)構(gòu)；
(3)利用電子束蒸發(fā)在基底上鍍一層鋁；
(4)利用有機溶劑去除光刻膠以及光刻膠上的金屬層。
[0028]得到的基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器在1.60μπι波段圓二向色性可以達到52% ；透過率為83%以上，消光比50dB以上。
【主權(quán)項】
1.一種基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器包括透光基底以及位于透光基底上的金屬層;所述金屬層由晶胞單元陣列組成;所述晶胞單元包括三個不同趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu);所述手性結(jié)構(gòu)由Z型結(jié)構(gòu)單元陣列構(gòu)成;所述金屬線柵結(jié)構(gòu)的周期為200-300nm，占空比為1/2-1/3;所述Z型結(jié)構(gòu)單元的縱向周期為340-430nm，橫向周期為200-260nm;所述金屬層的厚度為280-360nmo2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述金屬線柵結(jié)構(gòu)的趨向為0°、45°以及90°。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述透光基底為透光半導(dǎo)體基底;所述金屬為金、銀或者鋁。4.根據(jù)權(quán)利要3所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述金屬為金;所述透光基底為娃。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述金屬線柵的周期為210-240nm，占空比為1/2;所述Z型結(jié)構(gòu)單元的縱向周期為400-420nm，橫向周期為210-220nm;所述金屬層的厚度為290-310nmo6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述Z型結(jié)構(gòu)單元由第二方形結(jié)構(gòu)以及分別位于第二方形結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)組成;所述第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)平行;所述第一方形結(jié)構(gòu)、第三方形結(jié)構(gòu)都與第二方形結(jié)構(gòu)垂直。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器，其特征在于:所述手性結(jié)構(gòu)中，在縱向方向上，相鄰Z型結(jié)構(gòu)單元接觸。8.權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器在偏振成像中的應(yīng)用。9.權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:在透光基底表面利用電子束蒸發(fā)鍍一層金屬，然后涂上一層光刻膠；然后利用電子束曝光顯影技術(shù)得到三個不同趨向的金屬線柵結(jié)構(gòu)和一個手性結(jié)構(gòu);再使用反應(yīng)離子束工藝刻蝕;接著去除殘余光刻膠得到基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器。10.權(quán)利要求1所述基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:在透光基底表面涂上一層光刻膠，利用電子束曝光和顯影技術(shù)得到表面帶有光刻膠的透光基底;然后利用電子束蒸發(fā)在透光基底帶有光刻膠的表面鍍一層金屬;最后去除光刻膠以及光刻膠上的金屬，得到基于表面等離子基元的全斯托克斯矢量偏振器。
【文檔編號】G02B27/28GK106019451SQ201610560622
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月17日
【發(fā)明人】胡敬佩, 王欽華, 趙效楠, 王長江, 林雨, 朱愛嬌, 曹冰
【申請人】蘇州大學(xué)