液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種偏振器和包括該偏振器的液晶顯示器，所述偏振器包括：多條金屬線，沿著一個方向延伸并且以規(guī)則的間隔布置；以及多個下反射層，位于多條數(shù)據(jù)線上，所述多個下反射層接觸所述多條金屬線的相應(yīng)的上部并且具有與所述多條金屬線的間隔和寬度相同的間隔和寬度，其中，所述多條金屬線的間隔比可見光的波長小，并且從所述多個下反射層的上側(cè)入射的光以等于或小于10％的反射率被反射。
【專利說明】
液晶顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]實施例涉及偏振器以及包括該偏振器的液晶顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是被廣泛使用的平板顯示器，并且可以包括在其上形成電場生成電極(諸如像素電極和共電極)的兩個顯示面板以及插在所述兩個顯示面板之間的液晶層。液晶顯示器可以將電壓施加到電場生成電極以在液晶層中產(chǎn)生電場，可以確定液晶層的液晶分子的取向，并且可以控制入射光的偏振，從而通過產(chǎn)生的電場顯示圖像。
[0003]在本【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅用于增強對本發(fā)明的背景的理解，因此，本【背景技術(shù)】部分可能包括不構(gòu)成在本國對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實施例涉及偏振器以及包括該偏振器的液晶顯示器。
[0005]可以通過提供這樣的偏振器來實現(xiàn)實施例，所述偏振器包括:多條金屬線，沿著一個方向延伸并且以規(guī)則的間隔布置；以及多個下反射層，位于多條數(shù)據(jù)線上，所述多個下反射層接觸所述多條金屬線的相應(yīng)的上部并且具有與所述多條金屬線的間隔和寬度相同的間隔和寬度，其中，所述多條金屬線的間隔比可見光的波長小，并且從所述多個下反射層的上側(cè)入射的光以等于或小于10%的反射率被反射。
[0006]下反射層可以是單層，所述單層可以包括氮化物，所述氮化物包含A1NX、TiNx,SiNx, CuNx 或 MoNx 中的一種。
[0007]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約20納米的高度，并且下反射層可以具有大約40納米至大約70納米的高度。
[0008]下反射層可以是雙層，所述雙層可以包括接觸金屬線的上部的第一下反射層和接觸第一下反射層的上部的第二下反射層。
[0009]第一下反射層和第二下反射層均可以包括氮化物，所述氮化物包括A1NX、TiNx,SiNx, CuNx或MoNx,并且第一下反射層的氮化物與第二下反射層的氮化物可以不同。
[0010]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以包括TiNx并且可以具有大約40納米至大約70納米的高度，第二下反射層可以包括CuNx并且可以具有大約10納米至大約100納米的高度。
[0011]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以包括MoNx并且可以具有大約10納米至大約100納米的高度，第二下反射層可以包括CuNx并且可以具有大約80納米至大約100納米的高度。
[0012]第一下反射層可以包括透明導(dǎo)電材料，所述透明導(dǎo)電材料包括GZO、IZO、ITO或ΑΖ0,第二下反射層可以包括金屬，所述金屬包括Ti。
[0013]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以具有大約50納米至大約100納米的高度，第二下反射層可以具有大約10納米至大約40納米的高度。
[0014]第一下反射層可以包括氧化物，所述氧化物包括A10x、T1x, MoOx, CuOx或S1x，第二下反射層可以包括金屬，所述金屬包括Ti。
[0015]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以具有大約40納米至大約80納米的高度，第二下反射層可以具有大約20納米至大約40納米的高度。
[0016]實施例還可以通過提供這樣的液晶顯示器來實現(xiàn)，所述液晶顯示器包括:下顯示面板，包括下絕緣基底和附著到下絕緣基底的一側(cè)的下偏振器；上顯示面板，包括上絕緣基底和附著到上絕緣基底的一側(cè)的上偏振器；以及液晶層，在上顯示面板和下顯示面板之間，其中，上偏振器包括:多條金屬線，沿著一個方向延伸并且以規(guī)則的間隔布置；以及多個下反射層，位于多條數(shù)據(jù)線上，所述多個下反射層接觸所述多條金屬線的相應(yīng)的上部并且具有與所述多條金屬線的間隔和寬度相同的間隔和寬度，所述多條金屬線的間隔比可見光的波長小，從所述多個下反射層的上側(cè)入射的光以等于或小于10%的反射率被反射。
[0017]下反射層可以是單層，所述單層可以包括氮化物，所述氮化物包含A1NX、TiNx,SiNx, CuNx 或 MoNx 中的一種。
[0018]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約20納米的高度，并且下反射層可以具有大約40納米至大約70納米的高度。
[0019]下反射層可以是雙層，所述雙層可以包括接觸金屬線的上部的第一下反射層和接觸第一下反射層的上部的第二下反射層。
[0020]第一下反射層和第二下反射層均可以包括氮化物，所述氮化物包括A1NX、TiNx,SiNx、CuNx或MoNx，第一下反射層的氮化物與第二下反射層的氮化物可以不同。
[0021]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以包括TiNx并且可以具有大約40納米至大約70納米的高度，第二下反射層可以包括CuNx并且可以具有大約10納米至大約100納米的高度。
[0022]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以包括MoNx并且可以具有大約10納米至大約100納米的高度，第二下反射層可以包括CuNx并且可以具有大約80納米至大約100納米的高度。
[0023]第一下反射層可以包括透明導(dǎo)電材料，所述透明導(dǎo)電材料包括GZO、IZO、ITO或ΑΖ0,第二下反射層可以包括金屬，所述金屬包括Ti。
[0024]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以具有大約50納米至大約100納米的高度，第二下反射層可以具有大約10納米至大約40納米的高度。
[0025]第一下反射層可以包括氧化物，所述氧化物包括A10x、T1x, MoOx, CuOx或S1x,第二下反射層可以包括金屬，所述金屬包括Ti。
[0026]金屬線可以包括鋁并且可以具有大約150納米至大約200納米的高度，第一下反射層可以具有大約40納米至大約80納米的高度，第二下反射層可以具有大約20納米至大約40納米的高度。
[0027]下偏振器可以包括沿著一個方向延伸且以規(guī)則的間隔布置的多條金屬線。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實施例，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，特征將變得明顯，在附圖中:
[0029]圖1示出根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的剖視圖。
[0030]圖2示出根據(jù)示例性實施例的偏振器的放大剖視圖。
[0031]圖3至圖6示出的曲線圖和表格示出根據(jù)示例性實施例的顯示偏振器的特性。
[0032]圖7示出根據(jù)另一示例性實施例的偏振器的放大剖視圖。
[0033]圖8至圖26示出的曲線圖和表格示出根據(jù)示例性實施例的偏振器的特性。
[0034]圖27和圖28示出根據(jù)示例性實施例的用于形成偏振器的材料及其特性的示例。
[0035]圖29示出的曲線圖示出根據(jù)比較示例的反射率。
[0036]圖30示出根據(jù)另一示例性實施例的液晶顯示器的剖視圖。

【具體實施方式】
[0037]在下文中，現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，示例實施例可以以不同的形式實施，并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的實施例。而是，提供這些實施例使得本公開將是徹底的且完整的，并將把示例性實施方式充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0038]在附圖中，為了示出清楚起見，可能夸大了層和區(qū)域的尺寸。還將理解的是，當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時，該層或元件可直接在另一層或基底上，或者也可存在中間層。另外，將理解的是，當(dāng)層被稱作“在”另一層“下方”時，該層可直接在另一層下方，也可存在一個或更多個中間層。此外，還將理解的是，當(dāng)層被稱作“在”兩個層“之間”時，該層可以是這兩個層之間的唯一層，或者也可以存在一個或更多個中間層。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。
[0039]在下文中，將參照圖1詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器。圖1示出根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器的剖視圖。
[0040]根據(jù)示例性實施例的液晶顯示器可以包括背光單元500和液晶面板。
[0041]背光單元500可以包括在圖1中只整體示出的光源、導(dǎo)光板、反射器和光學(xué)片。光源提供的光可以通過導(dǎo)光板、反射器和光學(xué)片向上側(cè)引導(dǎo)至液晶面板。根據(jù)示例性實施例，光學(xué)片可以不包括通過沉積具有不同折射率的兩個層而產(chǎn)生的亮度改善膜。當(dāng)在液晶面板中使用的下偏振器11為反射偏振器(如圖1的示例性實施例)而不是吸收偏振器時，可以不包括亮度改善膜。
[0042]如圖1所示,液晶面板可以包括液晶層3、下顯示面板100以及上顯示面板200。
[0043]首先，將描述下顯示面板100。
[0044]下偏振器11可以形成在下絕緣基底110上。下絕緣基底110可以由透明玻璃或塑料制成。
[0045]下偏振器11可以是反射偏振器，并且可以包括多條金屬線111。
[0046]多條金屬線111可以沿著一個方向延伸并且可以以規(guī)則的間隔彼此分隔開或彼此分隔開規(guī)則的間隔。金屬線111的間隔或金屬線111之間的間隔可以小于可見光的波長，并且金屬線111可以具有幾十納米至幾百納米的寬度。在本示例性實施例中，金屬線ill的寬度可以變化并且可以與金屬線111之間的間隔對應(yīng)。金屬線111的高度可以根據(jù)形成金屬線111的材料而變化。金屬線111的高度可以是例如幾十納米至幾百納米。在實施方式中，金屬線111的高度可以是金屬線111的寬度的大約三倍。在實施方式中，金屬線111可以包括鋁(Al)或銀(Ag)。如上所述，當(dāng)多條金屬線111沿著一個方向布置時，金屬線111可以傳輸與布置方向垂直的光并且可以反射與布置方向平行的光。在實施方式中，金屬線111的寬度可以是50納米，間隔可以是50納米，并且金屬線111的高度可以是150納米。在實施方式中，金屬線111的高度可以等于或大于150納米并且等于或小于200納米，例如，可以是大約150納米至大約200納米。
[0047]根據(jù)示例性實施例，多條金屬線111之間的部分或區(qū)域可以填充有空氣，或可以填充有與空氣的折射率類似的透明材料。
[0048]對絕緣層115 (覆蓋多條金屬線111以及金屬線111之間的間隔)可以形成在下偏振器11上。對絕緣層115可以用作用于支撐在其上形成薄膜晶體管和布線的層。
[0049]多條金屬線111可以附著到對絕緣層111和下絕緣基底110而無需單獨的樹脂。
[0050]圖1示出下偏振器11以內(nèi)嵌式(in-cell type)形成在下絕緣基底110的上部上的示例性實施例。
[0051]在實施方式中，相對于圖1的下偏振器11，下偏振器11可以以外掛式(on-celltype)形成在下絕緣基底110下方。例如，下偏振器11可以形成在下絕緣基底110的外側(cè)，并且對絕緣層115可以形成在金屬線111下方以覆蓋和/或保護下偏振器111的多條金屬線 111。
[0052]在實施方式中，下偏振器11可以是在一側(cè)吸收偏振光的吸收偏振器，并且僅傳輸與下偏振器11垂直的偏振光。
[0053]返回參照圖1，薄膜晶體管和像素電極可以形成在下顯示面板100的對絕緣層115上。根據(jù)示例性實施例，薄膜晶體管和像素電極可以以各種結(jié)構(gòu)形成，下面將基于其簡單的結(jié)構(gòu)進行描述。
[0054]柵極線和柵電極124(從柵極線接收柵電壓)可以形成在對絕緣層115上。柵極線可以沿著水平方向延伸，并且柵電極124可以從柵極線突出。
[0055]由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成的柵極絕緣層140可以形成在柵極線和柵電極124上。
[0056]由氫化的非晶硅(也稱作a-Si)或多晶硅制成的半導(dǎo)體154可以形成在柵極絕緣層HO上。半導(dǎo)體154可以形成在柵電極124上并且可以形成薄膜晶體管的溝道。
[0057]多條數(shù)據(jù)線和多個漏電極175可以形成在半導(dǎo)體154和柵極絕緣層140上。
[0058]數(shù)據(jù)線可以傳輸數(shù)據(jù)電壓并且可以沿著垂直線或垂直方向延伸以與柵極線交叉。每條數(shù)據(jù)線可以包括延伸至柵電極124的多個源電極173。漏電極175可以基于柵電極124與數(shù)據(jù)線彼此分離并且可以面向源電極173。
[0059]—個柵電極124、一個源電極173和一個漏電極175可以與半導(dǎo)體154 —起形成一個薄膜晶體管(TFT)，并且薄膜晶體管的溝道可以形成在源電極173和漏電極175之間的半導(dǎo)體154上。
[0060]多個歐姆接觸件可以形成在半導(dǎo)體154上以及源電極173和漏電極175之間。
[0061]鈍化層180可以形成在數(shù)據(jù)線、漏電極175以及半導(dǎo)體154的暴露的部分上。鈍化層180可以由無機絕緣體或有機絕緣體制成，并且鈍化層的表面可以是平坦的。無機絕緣體的示例可以包括氮化硅和氧化硅。有機絕緣體可以具有感光性，并且其介電常數(shù)可以等于或小于大約4.0。另外，鈍化層180可以具有包括下無機層和上有機層的雙層結(jié)構(gòu)。
[0062]暴露漏電極175的一個端部的接觸孔可以形成在鈍化層180上。
[0063]多個像素電極190可以形成在鈍化層180上。像素電極190可以由透明導(dǎo)電材料(例如，ITO或ΙΖ0)制成。
[0064]像素電極190可以通過鈍化層180的接觸孔與漏電極175物理連接或電連接，并且可以接收來自漏電極175的數(shù)據(jù)電壓。像素電極190 (接收數(shù)據(jù)電壓)可以與共電極270 (接收共電壓)一起產(chǎn)生電場，以確定兩個電極190和270之間的液晶層3的液晶分子310的方向。根據(jù)如上所述確定的液晶分子的方向，可以改變穿過液晶層3的光的極性。像素電極190和共電極270可以形成電容器(在下文中，被稱作“液晶電容器”)以保持在薄膜晶體管截止之后接收的電壓。
[0065]取向?qū)涌梢孕纬稍谙袼仉姌O190上。
[0066]在下文中，將描述上顯示板200。
[0067]上偏振器21可以形成在上絕緣基底210的下方。上絕緣基底210可以由透明玻璃或塑料制成。
[0068]上偏振器21可以是反射偏振器，并且可以包括多條數(shù)據(jù)線211和沉積并且位于每條數(shù)據(jù)線211的上部上的多個下反射層212。
[0069]上偏振器21可以是反射由背光單元500提供的一些光的反射偏振器并且透射剩余的光。同時，可以使穿過上絕緣基底210以從外部入射的光的反射率降低至等于或小于10%的值。
[0070]多條金屬線211可以沿著一個方向延伸并且可以以規(guī)則的間隔彼此分隔開。金屬線211的間隔可以比可見光的波長小，并且可以具有幾十納米至幾百納米的寬度。在例如圖1所不的不例性實施例中，上偏振器21的多條金屬線211延伸的方向和下偏振器11的多條金屬線111延伸的方向可以相同。然而，在實施方式中，所述方向可以具有90度的角度或不同的角度。
[0071]在本示例性實施例中，金屬線211的寬度可以改變并且可以與金屬線211之間的間隔對應(yīng)。金屬線211的高度可以根據(jù)金屬線211的材料而改變。金屬線211的高度可以是例如幾十納米至幾百納米。在實施方式中，金屬線211的高度可以金屬線211的寬度的大約三倍。在實施方式中，金屬線211可以包括鋁(Al)。如上所述，當(dāng)多條金屬線211沿著一個方向布置時，金屬線211可以傳輸與布置方向垂直的光，并且可以反射與布置方向平行的光。在實施方式中，金屬線211的寬度可以是大約50納米，間隔可以是大約50納米，高度可以是大約150納米。在實施方式中，金屬線211的高度可以等于或大于150納米，并且等于或小于200納米，例如，可以是大約150納米至大約200納米。當(dāng)多條金屬線211沿著一個方向布置時，可以傳輸與該方向垂直的光并且可以反射與該方向平行的光。
[0072]下反射層212可以沉積在多條金屬線211的每條金屬線上。下反射層212可以接觸相應(yīng)的金屬線211的上部并且可以具有與這些金屬線211的寬度和間隔相同的寬度和間隔。下反射層212的高度可以根據(jù)下反射層212的材料而變化，這將參照圖5詳細(xì)描述。在實施方式中，下反射層212的寬度可以是大約50納米，并且間隔可以是大約50納米。下反射層212可以包括氮化物或金屬氮化物。氮化物或金屬氮化物的示例可以包括AlNx、TiNx、SiNx, CuNx, MoNx等。下反射層212可以僅接觸金屬線211的上部，并且可以不形成在金屬線211的側(cè)表面上，從而反射層212可以不覆蓋金屬線211的側(cè)表面和上部。這樣的布置可以有助于防止由金屬線211執(zhí)行的反射偏振的作用的劣化。
[0073]根據(jù)示例性實施例，在多條金屬線211之間以及多個下反射層212之間的部分和區(qū)域可以填充有空氣，或者可以填充有折射率與空氣的折射率類似的透明材料。
[0074]多條金屬線211和多個下反射層212可以直接接觸上絕緣基底210以及金屬線211和下反射層212下方的層。例如，多條金屬線211和多個下反射層212可以不通過使用單獨的樹脂來附著到相鄰的基底或?qū)?，從而降低了光學(xué)損失。
[0075]在實施方式中，在圖1中示出的上偏振器21可以以內(nèi)嵌式形成在上絕緣基底210的下部上。
[0076]在另一實施方式中，與圖1的上偏振器21不同，上偏振器21可以以外掛式形成在上絕緣基底210上，下面將參照圖30對此進行描述。
[0077]雖然圖1沒有示出，但是在多條金屬線211的下部中可以包括單獨的對絕緣層。對絕緣層可以有助于防止多條金屬線211直接接觸下面的層(光阻擋構(gòu)件220、濾色器230等)，因此在制造工藝期間可以有助于保護多條金屬線211。
[0078]光阻擋構(gòu)件220、濾色器230和共電極270可以形成在上偏振器21的下方。在實施方式中，光阻擋構(gòu)件220、濾色器230和共電極270中的至少一個可以形成在下顯示面板100上，并且它們均可以形成在下顯示面板100上。圖1的上顯示面板200的上偏振器21下方的結(jié)構(gòu)如下。
[0079]光阻擋構(gòu)件220可以形成在上偏振器21的下方。光阻擋構(gòu)件220也可以被稱為黑色矩陣并且可以有助于降低和/或防止光泄露。光阻擋構(gòu)件220可以面向像素電極190，并且可以形成在與柵極線和數(shù)據(jù)線對應(yīng)的部分或區(qū)域中以及與薄膜晶體管對應(yīng)的部分或區(qū)域中，以有助于降低和/或防止像素電極190之間的光泄露。光阻當(dāng)構(gòu)件220可以在與像素電極190對應(yīng)的部分或區(qū)域中具有開口(在圖1中示為TA)。
[0080]多個濾色器230可以形成在上偏振器21和光阻擋構(gòu)件220的下方。濾色器230可以覆蓋光阻擋構(gòu)件220的開口并且可以沿著豎直或水平方向延伸。每個濾色器230均可以表示原色中的一種，例如，原色包括紅色、綠色和藍(lán)色。
[0081]覆層250可以形成在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220的下方。覆層250可以由有機絕緣體制成，并且可以有助于防止濾色器230暴露并且可以提供平坦的表面。在實施方式中，可以省略覆層250。
[0082]共電極270可以形成在覆層250的下方。共電極270可以由例如ITO或IZO的透明導(dǎo)體制成。
[0083]取向?qū)涌梢孕纬稍诠搽姌O270的下方。
[0084]液晶層3可以形成在上顯示面板200和下顯示面板100之間。液晶層3可以包括具有介電各向異性的液晶分子310。在沒有電場的狀態(tài)中，液晶分子310的長軸可以與兩個顯示面板100和200的表面垂直或平行。液晶分子310的取向方向可以通過由像素電極190和共電極270產(chǎn)生的電場來改變。
[0085]在下文中，將參照圖2詳細(xì)描述根據(jù)示例性實施例的上偏振器21的結(jié)構(gòu)。
[0086]圖2示出根據(jù)示例性實施例的偏振器的放大剖視圖。例如，在圖2中示出了上偏振器21和上絕緣基底210。
[0087]上偏振器21可以設(shè)置在位于外側(cè)的上絕緣基底210的內(nèi)側(cè)中。
[0088]上偏振器21可以包括多條金屬線211并且可以由例如Al的金屬形成。由Al形成的多條金屬線211可以利用大約45%的反射率來反射從外側(cè)入射的光。如上所述，當(dāng)反射率大時，用戶由于外部環(huán)境可能難以觀看顯示裝置的圖像(見圖29)。因此，所述實施例通過添加下反射層212可以將上偏振器21的反射率減小至10%或更小。
[0089]圖1的示例性實施例中的下反射層212可以包括氮化物或金屬氮化物。氮化物或金屬氮化物的示例可以包括A1NX、TiNx, SiNx, CuNx, MoNx等。
[0090]金屬線211的寬度和間隔可以與下反射層212的寬度和間隔相等。雖然在金屬線211的下部中沒有示出，但是可以形成單獨的對絕緣層或膜以保護金屬線211。金屬線211和對絕緣層可以直接接觸而無需單獨的層(諸如樹脂)，從而有助于改善光學(xué)效率。
[0091]下反射層212可以直接接觸金屬線211的上部。下反射層212的上表面可以直接接觸上絕緣基底210 (無需諸如樹脂的單獨的層)，從而有助于改善光學(xué)效率。
[0092]在實施方式中，將參照圖3至圖6描述下反射層212的高度(以使上偏振器21的反射率為10%或更小)。
[0093]圖3至圖6示出的曲線圖和表格示出根據(jù)示例性實施例的偏振器的特性。
[0094]如在圖6所示，通過在以下條件下的實驗產(chǎn)生圖3至圖6中的值。
[0095]在金屬線211由Al形成并且下反射層212由TiNx形成的示例性實施例中，當(dāng)金屬線211和下反射層212的周期(寬度和間隔的總和)是100納米并且金屬線211的高度是150納米時，進行550納米波長的實驗。
[0096]圖3和圖4分別示出根據(jù)金屬線211的高度和下反射層212的高度的ER值。ER值指的是圖6的“穿過的偏振方向的光的透射率/阻擋的偏振方向的光的透射率”的值。
[0097]在實施方式中，為了使顯示裝置具有大約10000的ER值，ER可以等于或大于100000。為此，參照圖3，由Al形成的金屬線的高度可以具有等于或大于150納米并且等于或小于200納米的值，例如，可以是大約150納米至大約200納米。
[0098]在實施方式中，通過形成TiNx的下反射層，ER值可以等于或大于100000，并且可以確定出，ER值在圖4中的大多數(shù)高度下等于或大于100000。
[0099]同時，圖5示出根據(jù)TiNx的高度的反射率。
[0100]參照圖5，為了使反射率為10% (圖5的0.1)或更小，TiNx的高度可以等于或大于40納米并且等于或小于70納米,例如,可以是大約40納米至大約70納米。
[0101]因此，下反射層212的高度可以具有等于或大于40納米并且等于或小于70納米的值，例如，可以是大約40納米至大約70納米，以使上偏振器21具有低反射特性。
[0102]圖3至圖5的值通過圖6的表格中的值示出。
[0103]在圖6中，TE是由上偏振器21阻擋的偏振方向，TM是穿過的偏振方向，SumR是反射率，SumT是透射率。這里，ER是TM的SumT除以TE的SumT的值。
[0104]在下文中，將基于圖7描述根據(jù)另一示例性實施例的結(jié)構(gòu)。圖7示出根據(jù)另一示例性實施例的偏振器的放大剖視圖。
[0105]例如，圖7示出不同于圖2的結(jié)構(gòu)的包括兩個下反射層212和213的結(jié)構(gòu)。
[0106]上偏振器21可以形成在上絕緣基底210(由透明玻璃或塑料制成)的下方。
[0107]上偏振器21可以是反射偏振器，可以包括多條金屬線211和沉積并位于每條金屬線211上的兩個下反射層212和212，并且可以使穿過上絕緣基底210的光以及從外部入射的光的反射率降低至大約10%或更小。
[0108]多條金屬線211可以沿著一個方向延伸并且可以以規(guī)則的間隔彼此分隔開。金屬線211的間隔可以比可見光的波長小，例如，該間隔可以具有幾十納米至幾百納米的寬度。在本示例性實施例中，金屬線211的寬度可以改變，并且可以具有與金屬線211之間的間隔對應(yīng)的值。金屬線211的高度可以根據(jù)形成金屬線211的材料而改變。金屬線211的高度可以是例如幾十納米至幾百納米。在實施方式中，金屬線211的高度可以是金屬線211的寬度的大約三倍。金屬線211可以包括例如鋁(Al)。如上所述，當(dāng)多條金屬線211沿著一個方向布置時，金屬線211可以傳輸與布置方向垂直的光并且可以反射與布置方向平行的光。在實施方式中，金屬線211的寬度可以是大約50納米，間隔可以是大約50納米，并且高度可以是大約150納米。金屬線211的高度可以等于或大于150納米并且等于或小于200納米,例如,可以是大約150納米至大約200納米。當(dāng)多條金屬線211沿著一個方向布置時，金屬線211可以傳輸與該方向垂直的光并且可以反射與該方向平行的光。
[0109]兩個下反射層212和213可以沉積在多條金屬線211的每條金屬線上。兩個下反射層212和213接觸一條(例如，各條)金屬線211的上部并且具有與這些金屬線211的寬度和間隔相同的寬度和間隔。下反射層212和213的每個的高度可以根據(jù)用于形成下反射層212和213的材料而變化。根據(jù)示例性實施例的下反射層212和213的寬度可以是大約50納米，并且間隔可以是大約50納米。
[0110]兩個下反射層212和213可以僅接觸各條金屬線211的上部，并且可以不形成在金屬線211的側(cè)表面上。因此，兩個下反射層212和213的至少一個可以不覆蓋金屬線211的側(cè)表面和上部。因此，可以避免由金屬線211執(zhí)行的反射偏振的作用的劣化。
[0111]根據(jù)示例性實施例，在多條金屬線211之間和多個下反射層212和213之間的部分和區(qū)域可以填充有空氣，或者可以填充具折射率與空氣的折射率類似的透明材料。
[0112]多條金屬線211和多個下反射層212和213可以直接接觸上絕緣基底210以及金屬線211和下反射層212和213下方的層。例如，多條金屬線211和多個下反射層212和213可以不通過使用單獨的樹脂附著到相鄰的基底或?qū)?，從而減小光學(xué)損失。
[0113]第一下反射層212可以接觸多條金屬線211的上表面，并且第二下反射層213可以接觸第一下反射層212的上表面。
[0114]第一下反射層212和第二下反射層213可以具有與這些金屬線211的寬度和間隔相同的寬度和間隔。
[0115]第一下反射層212和第二下反射層213可以由各種材料形成。每層的高度可以根據(jù)各種材料而改變。在實施方式中，高度可以使上偏振器21的反射率為大約10%或更小。
[0116]在實施方式中，第一下反射層212和第二下反射層213可以包括不同的氮化物或金屬氮化物。氮化物或金屬氮化物的示例可以包括41隊、11隊、51隊、(^!^0隊等。
[0117]在下文中，將參照圖8至圖11描述下反射層213的高度，其中，將TiNx用于第一下反射層212并且將CuNx用于第二下反射層213。
[0118]當(dāng)將Al用于金屬線211時，上偏振器21具有大約45%的反射率。然而，通過形成具有氮化物或金屬氮化物的兩層的下反射層212和213，可以使上偏振器21的反射率降低至10%或更小(見圖29)。
[0119]圖8示出根據(jù)CuNx層的高度的ER值。ER具有等于或大于100000的值，并且可以確定出所有的高度具有對應(yīng)的ER值。
[0120]圖9示出的曲線圖示出根據(jù)CuNx層的高度的反射率?？梢钥吹剑捎谠谒袇^(qū)域中反射率等于或小于10% (圖9的0.1)，所以可以使用所有的高度。
[0121]如上所述的圖8和圖9的數(shù)據(jù)在與圖10的實驗條件相同的實驗條件下獲得，并且對應(yīng)的條件如下。
[0122]在金屬線211由Al形成、第一下反射層212由TiNx形成并且第二下反射層213由CuNx形成的示例性實施例中，當(dāng)金屬線211與下反射層212和213的周期(寬度和間隔的總和)是100納米，金屬線211的高度是150納米，并且TiNx的第一下反射層212的高度是40納米時，進行550納米波長的實驗。
[0123]如上所述，當(dāng)CuNx的第二下反射層213形成在其中TiNx的第一下反射層212形成在Al的金屬線211上的結(jié)構(gòu)上時，可以看到，CuNx(用于第二下反射層)具有等于或小于10%的反射率，而不管其高度如何。
[0124]在下文中，基于參照圖11確定為10納米的CuNx的第二下反射層213的高度，將描述TiNx的第一下反射層212的高度。
[0125]如圖10所示，可以看到，等于或小于10% (0.1)的反射率對應(yīng)于等于或大于40納米并且等于或小于70納米的值(例如，大約40納米至大約70納米的值)。第二下反射層213的高度可以變化(等于或大于10納米并且等于或小于100納米)，并且在一個示例性實施例中可以具有10納米的值。金屬線211的高度是150納米。在實施方式中，金屬線211的高度可以等于或大于150納米并且等于或小于200納米。例如，大約150納米至大約200納米。
[0126]圖12至圖14示出的曲線圖顯示出由金屬氮化物形成的兩個下反射層212和213的示例性實施例的實驗數(shù)據(jù)，其中，第二下反射層213包括CuNx并且第一下反射層212包括 MoNx。
[0127]首先，圖12示出關(guān)于MoNx的高度的ER曲線圖。在實施方式中，ER值可以等于或大于100000?？梢钥吹?，對于MoNx的所有高度，ER具有等于或大于100000的值。
[0128]圖13示出根據(jù)CuNx的高度的上偏振器的反射率?？梢钥吹?，具有等于或小于10%的反射率的CuNx的聞度具有等于或大于80納米的值。
[0129]圖14示出基于將MoNx的高度固定在50納米時根據(jù)CuNx的高度的值。圖14的實驗條件如下。
[0130]在金屬線211由Al形成、第一下反射層212由MoNx形成并且第二下反射層213由CuNx形成的示例性實施例中，當(dāng)金屬線211和下反射層212和213的周期(寬度和間隔的總和)是100納米，金屬線211的高度是150納米，并且MoNx的第一下反射層212的高度是50納米時，進行550納米波長的實驗。
[0131]在圖14中，等于或小于10%的反射率對應(yīng)于CuNx的第二下反射層213具有等于或大于80納米并且等于或小于100納米的高度(例如，大約80納米至大約100納米)的示例。雖然將上限確定為100納米，但是未對大于100納米的高度進行實驗。因此，大于100納米的高度可以具有等于或小于10%的反射率，并且第二下反射層213可以實際地形成為具有等于或大于100納米的聞度。
[0132]在圖14中可以看到，當(dāng)CuNx的第二下反射層213為80納米時，反射率具有大約10.5%的值。因此，反射率超過10%。然而，考慮到微小的誤差，當(dāng)形成上偏振器21時，將其確定為適合于大約10%的反射率的高度。
[0133]當(dāng)使用CuNx的第二下反射層213和MoNx的第一下反射層212時，CuNx可以具有等于或大于大約80納米并且等于或小于大約100納米的高度，MoNx可以具有等于或大于大約10納米并且等于或小于大約100納米(例如，大約30納米至大約50納米)的高度。Al的金屬線可以具有等于或大于150納米并且等于或小于200納米(例如，大約150納米至大約200納米)的高度。
[0134]在下文中，將參照圖15至圖20描述將透明導(dǎo)電材料用于第一下反射層212以及將金屬用于第二下反射層213的情況。
[0135]透明導(dǎo)電材料(例如，透明導(dǎo)電氧化物:TC0)的示例可以包括摻雜鎵的氧化鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)等。用于第二下反射層213的金屬可以包括例如鈦(Ti)等。
[0136]在實驗中，IZO被用于第一下反射層212，Ti被用于第二下反射層213。
[0137]參照圖15，示出了根據(jù)Ti的高度變化而變化的ER。等于或大于100000的ER值與Ti的所有高度對應(yīng)，可以看到，如果形成Ti，則不管高度如何，都可獲得足夠的ER。
[0138]圖16和圖17示出在下面條件下的實驗的結(jié)果(見圖17)。
[0139]在金屬線211由Al形成、第一下反射層212由IZO形成并且第二下反射層213由Ti形成的實驗中，當(dāng)金屬線211和下反射層212和213的周期(寬度和間隔的總和)是100納米，金屬線211的高度是150納米，并且Ti的第二下反射層213的高度是20納米時，進行550納米波長的實驗。
[0140]在圖16中示出根據(jù)IZO的高度的上偏振器21的反射率。
[0141]基于圖16和圖17，可以看到，當(dāng)IZO的高度具有等于或大于50納米并且等于或小于100納米(例如，大約50納米至大約100納米)的值時，上偏振器21具有等于或小于10%的反射率。
[0142]因此，在示例性實施例中，金屬線211的Al可以具有等于或大于150納米并且等于或小于200納米的高度，第一下反射層212的IZO可以具有等于或大于50納米并且等于或小于100納米的高度，并且第二下反射層213的Ti可以具有等于或大于10納米并且等于或小于40納米的高度。
[0143]在與圖15至圖17對應(yīng)的實驗中使用的IZO具有70%的銦含量。IZO的特性可以根據(jù)銦含量而改變。在下文中，在圖18至圖20中示出使用銦含量為10%的IZO的實驗的結(jié)果。
[0144]參照圖18，雖然與圖15不同，但是可以看到，對于Ti的各種高度，ER總體為100000或更大。
[0145]同時，圖19和圖20示出在以下條件下進行的實驗的結(jié)果(見圖20)。
[0146]在金屬線211由Al形成、第一下反射層212由IZO形成并且第二下反射層213由Ti形成的實驗中，當(dāng)金屬線211與下反射層212和213的周期(寬度和間隔的總和)是100納米，金屬線211的高度是150納米，并且Ti的第二下反射層213的高度是30納米時，進行550納米波長的實驗。
[0147]在圖19中示出的曲線圖顯示出根據(jù)IZO的高度的上偏振器21的反射率。
[0148]基于圖19和圖20，可以看到，當(dāng)IZO的高度等于或大于50納米并且等于或小于100納米(例如，從大約50納米至大約100納米)時，上偏振器21具有等于或小于10%的反射率。
[0149]參照圖15至圖20，雖然根據(jù)IZO的銦含量產(chǎn)生特性變化，但是可以看到?jīng)]有顯著差另1J。
[0150]因此，在示例性實施例中，金屬線211的Al可以具有等于或大于150納米并且等于或小于大約200納米的高度，第一下反射層212的IZO可以具有等于或大于大約50納米并且等于或小于大約100納米的高度，并且第二下反射層213的Ti可以具有等于或大于大約10納米并且等于或小于大約40納米的高度(例如，大約30納米)。
[0151]在下文中，將參照圖21至圖26描述將氧化物或金屬氧化物用于第一下反射層212以及將金屬用于第二下反射層213的示例。
[0152]氧化物或金屬氧化物的示例可以包括A10x、Ti0x、Mo0x、Cu0x、Si0x等。用于第二下反射層213的金屬可以包括例如鈦(Ti)等。
[0153]在實驗中，將T1x用于第一下反射層212，并且將Ti用于第二下反射層213。
[0154]參照圖21，示出了根據(jù)T1x的高度變化而變化的ER。等于或大于100000的ER值與等于或小于100納米的Ti的所有高度對應(yīng)，可以看到，當(dāng)形成T1x時，不管高度如何，都可獲得足夠的ER。
[0155]圖22和圖23示出在以下條件下的實驗結(jié)果(見圖23)。
[0156]在金屬線211由Al形成、第一下反射層212由T1x形成并且第二下反射層213由Ti形成的實驗中，當(dāng)金屬線211和下反射層212和213的周期(寬度和間隔的總和)是100納米，金屬線211的高度是150納米，并且Ti的第二下反射層213的高度是20納米時，進行550納米波長的實驗。
[0157]在圖21中示出的曲線圖顯示出根據(jù)T1x的高度的上偏振器21的反射率。
[0158]基于圖22和圖23，可以看到，當(dāng)T1x的高度等于或大于大約40納米并且等于或小于大約80納米(例如，大約40納米至大約80納米)的值時，上偏振器21具有等于或小于10%的反射率。
[0159]因此，在示例性實施例中，金屬線211的Al可以具有等于或大于大約150納米并且等于或小于大約200納米的高度，第一下反射層212的T1x可以具有等于或大于大約40納米并且等于或小于大約80納米的高度，并且第二下反射層213的Ti可以具有大約20納米的高度。
[0160]在下文中，將參照圖24至圖26描述Ti的高度是30納米的示例性實施例。
[0161]參照圖24，雖然材料不同，但是圖24與圖21幾乎相似。等于或大于100000的ER值與等于或小于100納米的Ti的所有高度對應(yīng)。因此，可以看到，當(dāng)形成T1x時，不管高度如何，都可獲得足夠的ER。
[0162]圖25和圖26示出在以下條件下實驗的結(jié)果(見圖26)。
[0163]在金屬線211由Al形成、第一下反射層212由T1x形成并且第二下反射層213由Ti形成的實驗中，當(dāng)金屬線211和下反射層212和213的周期(寬度和間隔的總和)是100納米，金屬線211的高度是150納米，并且Ti的第二下反射層213的高度是30納米時，進行550納米波長的實驗。
[0164]在圖25中示出的曲線圖顯示出根據(jù)T1x的高度的上偏振器21的反射率。
[0165]基于圖25和圖26，可以看到，當(dāng)T1x的高度具有等于或大于大約40納米并且等于或小于大約80納米的值時，上偏振器21具有等于或小于10%的反射率。
[0166]參照圖21至圖26，可以看到，當(dāng)T1x的高度等于或大于大約40納米并且等于或小于大約80納米時，不管T1x的高度如何，上偏振器21具有等于或小于10%的反射率。
[0167]因此，在示例性實施例中，金屬線211的Al可以具有等于或大于大約150納米并且等于或小于大約200納米的高度，第一下反射層212的T1x可以具有等于或大于大約40納米并且等于或小于大約80納米的高度，并且第二下反射層213的Ti可以具有等于或大于大約20納米并且等于或小于大約40納米的高度。
[0168]在以上描述中，基于使用各種下反射層的示例性實施例討論了實驗結(jié)果。
[0169]圖27和圖28示出可以被用于下反射層的材料和其特性。例如，圖27和圖28示出根據(jù)示例性實施例的可以被用于偏振器的材料及其特性的示例。
[0170]基于圖27，氧化物、金屬氧化物、氮化物、金屬氮化物、透明導(dǎo)電材料(透明導(dǎo)電氧化物TC0)和/或金屬可以被用于下反射層，并且還示出了與上述材料中的每種材料對應(yīng)的詳細(xì)的材料。
[0171]另外，圖28不出與每種材料的波長相關(guān)的折射率(n, k)的值。
[0172]參照圖27和圖28，根據(jù)示例性實施例，可以將各種材料用于下反射層?？梢钥吹?，可以包括一個反射層(如圖2所示)或可以包括兩個反射層(如圖7所示)。
[0173]在實施方式中，可以形成三個或更多個下反射層。
[0174]示例性實施例以包括以上描述的下反射層以及等于或小于10%的反射率的結(jié)構(gòu)為特征。
[0175]與圖29的比較示例進行比較將描述此特征。圖29示出的曲線圖顯示出比較示例的反射率。
[0176]圖29的曲線圖示出在由Al形成的金屬線中包含金屬Ti的結(jié)構(gòu)中根據(jù)Ti的高度的反射率。Ti的高度為O的部分僅由Al的金屬線形成并且反射率為大約45%。即使高度通過在Al的金屬線上形成Ti而改變，但是反射率集中在10%與20%之間的中間值。因此，不能獲得如示例性實施例的等于或小于10%的反射率。
[0177]在下文中，將參照圖30描述根據(jù)另一示例性實施例的液晶顯示器。圖30示出根據(jù)另一示例性實施例的液晶顯示的剖視圖。
[0178]與圖1中示出的實施例不同，圖30示出了上偏振器21位于上絕緣基底210的外側(cè)的外掛式的液晶顯示器。
[0179]下面將只描述上偏振器21與圖1的上偏振器21的差異。
[0180]上偏振器21可以形成在上絕緣基底210 (由透明玻璃或塑料制成)上。
[0181]上偏振器21可以是反射偏振器并且可以包括多條金屬線211和沉積并位于各條金屬線211上的多個下反射層212。
[0182]多條金屬線211可以沿著一個方向延伸并且可以以規(guī)則的間隔彼此分隔開或者彼此隔開規(guī)則的間隔。金屬線211的間隔可以小于可見光的波長，例如，可以具有幾十納米至幾百納米的尺寸或?qū)挾?。上偏振?1的多條金屬線211延伸的方向和下偏振器11的多條金屬線111延伸的方向可以與圖1的示例性實施例中的方向相同。然而，在實施方式中，該方向可以具有90度的角度或不同的角度。
[0183]在本示例性實施例中，金屬線211的寬度可以變化，并且可以具有與金屬線211之間的間隔對應(yīng)的值。金屬線211的高度可以隨著金屬線211的材料而變化，并可以是幾十納米至幾百納米。在實施方式中，金屬線211可以包含鋁(Al)。如上所述，當(dāng)多條金屬線211沿著一個方向布置時，金屬線211可以傳輸與布置方向垂直的光并且反射與布置方向平行的光。在實施方式中，金屬線211的寬度可以是大約50納米，間隔可以是大約50納米，并且高度可以是大約150納米。在實施方式中，金屬線211的高度可以等于或大于大約150納米并且等于或小于大約200納米，例如，大約150納米至大約200納米。當(dāng)多條金屬線211沿著一個方向布置時，與該方向垂直的光可以穿透，并且可以反射與該方向平行的光。
[0184]下反射層212可以沉積在多條金屬線211的每條金屬線上。下反射層212可以接觸一條(例如，各條)金屬線211的上部并且可以具有與這些金屬線211的寬度和間隔相同的寬度和間隔。下反射層212的高度可以根據(jù)用于形成下反射層212的材料而變化。下反射層212可以僅接觸金屬線211的上部，并且可以不形成在金屬線211的側(cè)表面上，從而反射層212可以不覆蓋金屬線211的側(cè)表面和上部。因此，可以避免由金屬線211執(zhí)行的反射偏振的作用的劣化。
[0185]對絕緣層215可以形成在多個下反射層212上。對絕緣層215可以是用于保護下反射層212免受外部影響并且支撐下反射層212的層，對絕緣層213可以由膜形成。
[0186]根據(jù)示例性實施例，多條金屬線211之間以及多個下反射層212之間的部分或區(qū)域可以填充有空氣，或者可以填充有折射率與空氣的折射率相同的透明材料。
[0187]多條金屬線211和多個下反射層212可以直接接觸上絕緣基底210和對絕緣層215。例如，多條金屬線211和多個下反射層212可以不通過使用單獨的樹脂而附著，因此減小了由樹脂層引起的光學(xué)損失。
[0188]在圖30的示例性實施例中使用的上偏振器21的下反射層212的數(shù)量也可以是兩個或更多個。
[0189]通過總結(jié)和回顧，液晶顯示器可以根據(jù)光源通過利用位于液晶單元的后表面處的背光來顯示圖像。當(dāng)外部光或環(huán)境光明亮?xí)r，用戶可能難以識別液晶顯示器顯示的圖像。例如，液晶顯示器可能反射外部光。
[0190]實施例提供了在液晶顯示器的上部使用的偏振器。
[0191]實施例提供了具有低反射特性的偏振器。
[0192]根據(jù)實施例，在包括金屬線的偏振器上，單個下反射層或者兩個或更多個下反射層可以額外地形成在接收外部光的金屬線的部分上，使得偏振器可以具有低反射特性。因此，可以通過金屬線使光反射并偏振來改善光效率，并且用戶可以由于低反射特性而容易地觀看圖像。
[0193]這里已經(jīng)公開了示例實施例，雖然使用了特定術(shù)語，但是它們僅以一般性和描述性的意義來使用和解釋，而不是出于限定的目的。在某些情況下，如對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將明顯的是，在提交本申請時，除非明確指出，否則結(jié)合特定的實施例描述的特征、特點和/或元件可以單獨使用，或者與結(jié)合其它實施例描述的特征、特點和/或元件組合使用。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如在權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括: 下顯示面板，包括下絕緣基底和附著到下絕緣基底的一側(cè)的下偏振器； 上顯示面板，包括上絕緣基底和附著到上絕緣基底的一側(cè)的上偏振器； 液晶層，位于上顯示面板和下顯示面板之間，其中， 上偏振器包括: 多條金屬線，沿著一個方向延伸并且以規(guī)則的間隔布置；以及多個下反射層，位于多條數(shù)據(jù)線上，所述多個下反射層接觸所述多條金屬線的相應(yīng)的上部并且具有與所述多條金屬線的間隔和寬度相同的間隔和寬度， 所述多條金屬線的間隔比可見光的波長小， 從所述多個下反射層的上側(cè)入射的光以等于或小于10%的反射率被反射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中: 下反射層是單層， 所述單層包括氮化物，所述氮化物包括A1NX、TiNx, SiNx, CuNx或MoNx。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中: 金屬線包括鋁并且具有150納米至200納米的高度， 下反射層具有40納米至70納米的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中: 下反射層是雙層， 所述雙層包括接觸金屬線的上部的第一下反射層和接觸第一下反射層的上部的第二下反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中: 第一下反射層和第二下反射層均包括氮化物，所述氮化物包括AlNx、TiNx、SiNx、CuNx*MoNx， 第一下反射層的氮化物與第二下反射層的氮化物不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中: 金屬線包括鋁并且具有150納米至200納米的高度， 第一下反射層包括TiNx并且具有40納米至70納米的高度， 第二下反射層包括CuNx并且具有10納米至100納米的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中: 金屬線包括鋁并且具有150納米至200納米的高度， 第一下反射層包括MoNx并且具有10納米至100納米的高度， 第二下反射層包括CuNx并且具有80納米至100納米的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中: 第一下反射層包括透明導(dǎo)電材料，所述透明導(dǎo)電材料包括GZO、IZO、ITO或ΑΖ0， 第二下反射層包括金屬，所述金屬包括Ti。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中: 金屬線包括鋁并且具有150納米至200納米的高度， 第一下反射層具有50納米至100納米的高度，以及 第二下反射層具有10納米至40納米的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中: 第一下反射層包括氧化物，所述氧化物包括A10x、Ti0x、Mo0x、Cu0x或S1x, 第二下反射層包括金屬，所述金屬包括Ti。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中: 金屬線包括鋁并且具有150納米至200納米的高度， 第一下反射層具有40納米至80納米的高度， 第二下反射層具有20納米至40納米的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，下偏振器包括沿著一個方向延伸且以規(guī)則的間隔布置的多條金屬線。
【文檔編號】G02F1/1335GK104181724SQ201410205797
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月28日
【發(fā)明者】李大榮, 樸俊龍, 金暻鍱, 南重建, 鄭敞午, 趙國來 申請人:三星顯示有限公司