專利名稱：一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示
>J-U ρ α裝直。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經(jīng)逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為外掛式觸摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內(nèi)嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開生產(chǎn),然 后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內(nèi)嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內(nèi)嵌在液晶顯示屏內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。為了能夠最大限度的提高觸摸顯示屏的開口率，在設(shè)計觸摸屏的TFT陣列基板中的像素結(jié)構(gòu)時可以采用圖I所示的結(jié)構(gòu)，該圖I中的第2、4行的像素單元可視為是將現(xiàn)有的一整行像素單元進(jìn)行上下翻轉(zhuǎn)；在該結(jié)構(gòu)中以TFT陣列基板中的每相鄰的兩行像素單元為一個像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號線分別為該兩行像素單元提供柵極掃描信號，例如圖I中的Gatel和Gate2、Gate3和Gate4。這樣可以將該相鄰兩行像素單元中的TFT開關(guān)設(shè)計在一起，相應(yīng)地可以減小用于遮擋TFT開關(guān)和柵線的黑矩陣的面積，有助于提高觸摸顯示屏的開口率。另外，在圖I所示的像素結(jié)構(gòu)中，通過變更相鄰兩行像素單元的柵極信號線和TFT開關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號線的位置。這樣，就可以在節(jié)省出的柵極信號線的位置設(shè)置與公共電極電性連接的公共電極線Vcoml、Vcom2、Vcom3，基于該結(jié)構(gòu)可以利用一根公共電極線為相鄰的兩行像素單元提供公共電壓，而且使公共電極所攜帶的公共電極信號更加穩(wěn)定。而目前還沒有基于如圖I所示的像素結(jié)構(gòu)的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示裝置，用以實現(xiàn)具有高開口率的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。本發(fā)明實施例提供了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層；所述電容式內(nèi)嵌觸摸屏內(nèi)形成有呈矩陣排列的多個像素單元；以每相鄰的兩行像素單元為一個像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號線分別為該兩行像素單元的一行提供柵極掃描信號；還包括所述彩膜基板具有沿像素單元的列方向延伸的多條觸控感應(yīng)電極；所述TFT陣列基板具有沿像素單元的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動線，各所述觸控驅(qū)動線位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；在一幀畫面的顯示時間內(nèi)，所述觸控驅(qū)動電極線用于分時地傳遞公共電極信號和觸控掃描信號。本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。本發(fā)明實施例提供了一種上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的驅(qū)動方法，包括將觸摸屏顯示每一幀的時間分成顯示時間段和觸控時間段；在顯示時間段，對所述觸摸屏中的每條柵極信號線依次施加?xùn)艗呙栊盘?，對?shù)據(jù)信號線施加灰階信號，控制液晶分子翻轉(zhuǎn)；同時對觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極施加低電平 目號;在觸控時間段，對與觸控驅(qū)動電極電性相連的觸控驅(qū)動線施加觸控掃描信號，觸控感應(yīng)電極耦合所述觸控掃描信號的電壓信號并輸出，同時，所述觸摸屏中的每條柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線無信號輸入。本發(fā)明實施例的有益效果包括本發(fā)明實施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示裝置，在TFT陣列基板上采用以相鄰的兩行像素單元為一個像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號線的像素結(jié)構(gòu)；通過變更相鄰兩行像素單元的柵極信號線和TFT開關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號線的位置，這樣，將實現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動線設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號線的位置，并將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板上且沿像素單元的列方向延伸，在保證具有較高開口率的情況下實現(xiàn)觸控功能。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的縱向剖面示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之圖4為本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的工作時序圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之-* ;圖6a和圖6b為本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏中觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極交疊處的分區(qū)域的示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的具有防靜電保護(hù)膜的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的示意圖。
具體實施例方式目前，能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角的液晶顯示技術(shù)主要有平面內(nèi)開關(guān)(IPS，In-PlaneSwitch)技術(shù)和高級超維場開關(guān)(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技術(shù)；其中，ADS技術(shù)通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生·的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。H-ADS (高開口率-高級超維場開關(guān))是ADS技術(shù)的一種重要實現(xiàn)方式。本發(fā)明實施例基于現(xiàn)有的ADS技術(shù)和H-ADS技術(shù)提出了一種新的電容式內(nèi)嵌觸摸屏結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示裝置的具體實施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說明。附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映TFT陣列基板或彩膜基板的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。圖2和圖3所示分別為本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的縱向剖面示意圖和觸摸屏中TFT陣列基板的俯視圖。如圖2和圖3所示，本發(fā)明實施例提供的電容式內(nèi)嵌觸摸屏具體包括彩膜基板1，TFT陣列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT陣列基板2之間的液晶層3，該電容式內(nèi)嵌觸摸屏內(nèi)形成有呈矩陣排列的多個像素單元4 ;以每相鄰的兩行像素單元4為一個像素單元組5，在該兩行像素單元4之間具有兩條柵極信號線6分別為該 兩行像素單元4的一行提供柵極掃描信號；還包括彩膜基板I具有沿像素單元4的列方向延伸的多條觸控感應(yīng)電極7 ；TFT陣列基板2具有沿像素單元4的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動線8 ;各觸控驅(qū)動線8位于相鄰的像素單元組6之間的間隙處；在一幀畫面的顯示時間內(nèi)，所述觸控驅(qū)動電極線用于分時地傳遞公共電極信號和觸控掃描信號。本發(fā)明實施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，通過變更相鄰兩行像素單元的柵極信號線和TFT開關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號線的位置。并且，由于觸摸屏的精度通常在毫米級，而液晶顯示屏的精度通常在微米級，可以看出顯示所需的精度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于觸控所需的精度，因此，將實現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動線設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號線的位置，既可以保證觸控所需的精度，又不會過多占用像素單元的開口區(qū)域，實現(xiàn)了具有較高開口率的觸摸屏。另外，本發(fā)明實施提供的上述觸摸屏實現(xiàn)方案同樣也適用于扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型。具體地,在基于圖I結(jié)構(gòu)的TN型TFT陣列基板上,可以以部分公共電極線作為觸控驅(qū)動電極線，并設(shè)置與ITO像素電極同層且相互絕緣的ITO觸控驅(qū)動電極；在彩膜基板上以條狀I(lǐng)TO公共電極作為觸控感應(yīng)電極；由于TN型屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不做贅述。進(jìn)一步地，為了減少觸摸屏的顯示信號和觸控信號之間相互干擾，在具體實施時可以采用觸控和顯示分時驅(qū)動的方式，以盡量避免顯示和觸控在工作過程中彼此之間相互影響。具體地，本發(fā)明實施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的驅(qū)動方法，如圖4所示的時序圖，具體包括首先，將觸摸屏顯示每一巾貞(Vsync)的時間分成顯示時間段(Display)和觸控時間段(Touch)，例如圖4所示的驅(qū)動時序圖中觸摸屏的顯示一幀的時間為16. 67ms，選取其中4ms作為觸控時間段，其他的12. 67ms作為顯示時間段，當(dāng)然也可以根據(jù)IC芯片的處理能力以及Panel本身的設(shè)計適當(dāng)?shù)恼{(diào)整兩者的時長，在此不做具體限定。在顯示時間段(Display),對觸控驅(qū)動電極Tx和觸控感應(yīng)電極Rx施加低電平信號，同時，對觸摸屏中的每條柵極信號線Gl，G2……Gn依次施加?xùn)艗呙栊盘枺瑢?shù)據(jù)信號線Data施加灰階信號，控制液晶分子翻轉(zhuǎn)；這段時間和正常的液晶面板工作原理無異。在觸控時間段(Touch)，對與觸控驅(qū)動電極Tx電性相連的觸控驅(qū)動線施加觸控掃描信號，觸控感應(yīng)電極Rx耦合觸控掃描信號的電壓信號并輸出。通過手指的觸摸，改變觸摸點位置兩電極之間的感應(yīng)電容，從而改變觸控感應(yīng)電極Rx的末端接收電壓信號的大小，實現(xiàn)觸控功能。在觸控時間段，觸摸屏中的每條柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線無信號輸入。下面對上述觸摸屏中TFT陣列基板中的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說明。在具體實施時，可以將各觸控驅(qū)動線與TFT陣列基板中的柵極信號線同層設(shè)置，這樣，在制備TFT陣列基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成柵極信號線和觸控驅(qū)動線的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。進(jìn)一步地，如圖2和圖3所示，在TFT陣列基板2還具有沿像素單元4的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動電極9 ;各觸控驅(qū)動電極9位于相鄰的像素單元4之間的間隙處，且與交·疊的觸控驅(qū)動線8通過至少一個過孔電性相連。具體地，由于各觸控驅(qū)動電極設(shè)置在相鄰的像素單元之間的間隙處，不會占用各像素單元的開口區(qū)域，因此，在具體實施時，可以將現(xiàn)有的HADS型液晶面板的陣列基板中的公共電極層進(jìn)行分割，在公共電極層形成位于像素單元間隙處的各觸控驅(qū)動電極以及位于像素單元內(nèi)的公共電極的圖形，即各觸控驅(qū)動電極與TFT陣列基板中的公共電極同層設(shè)置且相互絕緣。而在ADS型液晶面板中，則可以將觸控驅(qū)動電極與ITO像素電極同層設(shè)置并相互絕緣設(shè)計。這樣，在制備TFT陣列基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成各觸控驅(qū)動電極和公共電極的圖形。一般地，傳統(tǒng)ADS型液晶面板的陣列基板上，公共電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，像素電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設(shè)有絕緣層。而HADS型液晶面板的陣列基板上，像素電極作為板狀電極位于下層(更靠近襯底基板)，公共電極作為狹縫電極位于上層(更靠近液晶層)，在像素電極和公共電極之間設(shè)有絕緣層。具體地，根據(jù)上述觸摸屏具體應(yīng)用的液晶顯示面板的模式，組成公共電極層的公共電極在與像素單元的開口區(qū)域?qū)?yīng)的位置可以具有狹縫狀I(lǐng)TO電極結(jié)構(gòu)或板狀I(lǐng)TO電極結(jié)構(gòu)，即如圖5所示在HADS模式時各公共電極由狹縫狀I(lǐng)TO電極組成；具體地，所述狹縫狀I(lǐng)TO電極結(jié)構(gòu)為在像素的開口區(qū)域具有狹縫的ITO電極。在ADS模式時，位于各像素單元內(nèi)的公共電極由板狀I(lǐng)TO電極組成以滿足液晶顯示的需求。由于ADS模式和HADS模式的液晶面板的具體結(jié)構(gòu)屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。進(jìn)一步地，以HADS型液晶面板為例，由于觸控驅(qū)動電極與公共電極同層設(shè)置，兩者一般使用ITO材料制成，而ITO材料的電阻較高，為了最大限度的降低觸控驅(qū)動電極的電阻，提高各電極傳遞電信號的信噪比，可以將每個觸控驅(qū)動電極與交疊的觸控驅(qū)動線通過至少一個過孔電性相連，如圖3所示。相當(dāng)于將ITO電極和多個由觸控驅(qū)動線組成的金屬電阻并聯(lián)，這樣能最大限度的減少電極的電阻，從而提高電極傳遞信號時的信噪比。具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述觸控屏中，各觸控驅(qū)動電極在具體實施時根據(jù)實際需要，如圖6a和圖6b所示，可以由電性連接的至少一條橫向觸控驅(qū)動子電極a和至少一條縱向觸控驅(qū)動子電極b組成；其中，橫向觸控驅(qū)動子電極a位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；縱向觸控驅(qū)動子電極b位于相鄰列的像素單元之間的間隙處。
同理，各觸控感應(yīng)電極在具體實施時根據(jù)實際需要，如圖6a和圖6b所示，可以由電性連接的至少一條橫向觸控感應(yīng)子電極c和至少一條縱向觸控感應(yīng)子電極d組成；其中，橫向觸控感應(yīng)子電極c在TFT陣列基板上的投影覆蓋兩行像素單元之間的兩條柵極信號線5，與橫向觸控驅(qū)動子電極a在TFT陣列基板上的位置無交疊；縱向觸控驅(qū)動子電極d在TFT陣列基板上的投影覆蓋除所述縱向觸控驅(qū)動子電極之外的相鄰列的像素單元之間的間隙處，即縱向驅(qū)動子電極d和縱向感應(yīng)子電極b無交疊。上述這種觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極的具體設(shè)計中，從圖中可以看出觸控驅(qū)動子電極和觸控感應(yīng)電極中的子電極交錯設(shè)置，能適當(dāng)減少觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極之間的正對面積，從而減少在兩者的正對區(qū)域形成的正對電容，以減少觸控信號對顯示信號的干擾，提高觸控靈敏地。比較圖6a和圖6b可知，圖6b相對于圖6a的這種電極設(shè)計，不僅能進(jìn)一步減少觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極之間的正對面積，還可以減少相鄰的縱向觸控驅(qū)動子電極b與縱向觸控感應(yīng)子電極d之間的耦合電容，能進(jìn)一步減少觸控信號對顯示信號的干擾，以提高觸控靈敏度。
另外，為了進(jìn)一步降低觸控感應(yīng)電極與觸控驅(qū)動電極之間產(chǎn)生過大的正對電容和耦合電容，本發(fā)明實施例提供的觸摸屏中還將觸摸屏區(qū)域劃分為交錯排列的觸控驅(qū)動電極單獨設(shè)置區(qū)域、觸控感應(yīng)電極單獨設(shè)置區(qū)域以及公共區(qū)域；其中，在觸控驅(qū)動電極單獨設(shè)置區(qū)域，僅具有觸控驅(qū)動電極；在觸控感應(yīng)電極單獨設(shè)置區(qū)域，僅具有觸控感應(yīng)電極；在公共區(qū)域，同時具有觸控驅(qū)動電極以及觸控感應(yīng)電極。具體地，觸控驅(qū)動電極單獨設(shè)置區(qū)域、觸控感應(yīng)電極單獨設(shè)置區(qū)域以及公共區(qū)域的排布可以根據(jù)觸控精度的需要來進(jìn)行設(shè)置，此處不再詳述。例如圖7所示，在圖中細(xì)線表示沿著橫向箭頭方向延伸的觸控驅(qū)動電極，粗線表示沿著縱向箭頭方向延伸的觸控感應(yīng)電極，觸摸屏被劃分成9個區(qū)域，其中，公共區(qū)域為B、D和F，在此區(qū)域同時存在觸控感應(yīng)電極和觸控驅(qū)動電極的圖形，兩者之間能夠產(chǎn)生正對電容和耦合電容；觸控感應(yīng)電極單獨設(shè)置區(qū)域為G和J，在此區(qū)域僅存在觸控感應(yīng)電極的圖形，沒有觸控驅(qū)動電極的圖形，因此不會產(chǎn)生正對電容和耦合電容；觸控驅(qū)動電極單獨設(shè)置區(qū)域為A、C和E，在此區(qū)域僅存在觸控驅(qū)動電極的圖形，沒有觸控感應(yīng)電極的圖形，因此不會產(chǎn)生正對電容和耦合電容。在具體實施時，可以根據(jù)實際需要的正對電容值和耦合電容值，設(shè)計上述三種區(qū)域的大小和分布。在具體實施時，觸控感應(yīng)電極可以位于彩膜基板的襯底與彩色樹脂之間，也可以位于彩膜基板的彩色樹脂面向液晶層的一面。具體地，由于在彩膜基板上設(shè)置的觸控感應(yīng)電極不會遮擋像素單元，因此，觸控感應(yīng)電極的材料可以具體為透明導(dǎo)電氧化物例如ITO或ΙΖ0，也可以為金屬，當(dāng)采用金屬制作觸控感應(yīng)電極時可以有效的降低其電阻，并且，在使用金屬制作觸控感應(yīng)電極時，一般將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板的黑矩陣(BM)面向液晶層的一面。此外，還可以在位于彩膜基板背向液晶層一面設(shè)置接地的防靜電保護(hù)膜，該保護(hù)膜能夠起到防止靜電的作用，如圖8所示，為了使防靜電保護(hù)膜10不影響觸摸屏的觸控功能，一般將防靜電保護(hù)膜設(shè)置成網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)，使人體電場能夠穿過防靜電保護(hù)膜的網(wǎng)孔進(jìn)入到觸摸屏內(nèi)部。
基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏，該顯示裝置的實施可以參見上述電容式內(nèi)嵌觸摸屏的實施例，重復(fù)之處不再贅述。本發(fā)明實施例提供的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示裝置，在TFT陣列基板上采用以相鄰的兩行像素單元為一個像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號線的像素結(jié)構(gòu)；通過變更相鄰兩行像素單元的柵極信號線和TFT開關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號線的位置，這樣，將實現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動線設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號線的位置，并將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板上且沿像素單元的列方向延伸，在保證具有較高開口率的情況下實現(xiàn)觸控功能。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏，包括彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層；所述電容式內(nèi)嵌觸摸屏內(nèi)形成有呈矩陣排列的多個像素單元；以每相鄰的兩行像素單元為一個像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號線分別為該兩行像素單元的一行提供柵極掃描信號；其特征在于，還包括 所述彩膜基板具有沿像素單元的列方向延伸的多條觸控感應(yīng)電極； 所述TFT陣列基板具有沿像素單元的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動線，各所述觸控驅(qū)動線位于相鄰的像素單元組之間的間隙處；在一幀畫面的顯示時間內(nèi)，所述觸控驅(qū)動電極線用于分時地傳遞公共電極信號和觸控掃描信號。
2.如權(quán)利要求I所述的觸摸屏，其特征在于，所述TFT陣列基板還具有沿像素單元的行方向延伸的多條觸控驅(qū)動電極； 各觸控驅(qū)動電極位于相鄰的像素單元之間的間隙處，且與交疊的觸控驅(qū)動線通過至少一個過孔電性相連。
3.如權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動線與所述TFT陣列基板中的柵極信號線同層設(shè)置。
4.如權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動電極與所述TFT陣列基板中的公共電極或像素電極同層設(shè)置且相互絕緣。
5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控驅(qū)動電極由電性連接的至少一條橫向觸控驅(qū)動子電極和至少一條縱向觸控驅(qū)動子電極組成；其中， 所述橫向觸控驅(qū)動子電極位于相鄰的像素單元組之間的間隙處； 所述縱向觸控驅(qū)動子電極位于相鄰列的像素單元之間的間隙處。
6.如權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其特征在于，各所述觸控感應(yīng)電極由電性連接的至少一條橫向觸控感應(yīng)子電極和至少一條縱向觸控感應(yīng)子電極組成；其中， 所述橫向觸控感應(yīng)子電極在TFT陣列基板上的投影覆蓋兩行像素單元之間的兩條柵極信號線； 所述縱向觸控驅(qū)動子電極在TFT陣列基板上的投影覆蓋除所述縱向觸控驅(qū)動子電極之外的相鄰列的像素單元之間的間隙處。
7.如權(quán)利要求6所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏包括交錯排列的觸控驅(qū)動電極單獨設(shè)置區(qū)域、觸控感應(yīng)電極單獨設(shè)置區(qū)域以及公共區(qū)域；其中， 在所述觸控驅(qū)動電極單獨設(shè)置區(qū)域，僅具有所述觸控驅(qū)動電極； 在所述觸控感應(yīng)電極單獨設(shè)置區(qū)域，僅具有所述觸控感應(yīng)電極； 在所述公共區(qū)域，同時具有所述觸控驅(qū)動電極以及所述觸控感應(yīng)電極。
8.如權(quán)利要求I所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸控感應(yīng)電極位于所述彩膜基板的襯底與彩色樹脂之間，或位于所述彩膜基板的彩色樹脂面向所述液晶層的一面。
9.如權(quán)利要求I或8所述的觸摸屏，其特征在于，還包括位于所述彩膜基板背向所述液晶層一面且接地的防靜電保護(hù)膜，所述防靜電保護(hù)膜具有網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏。
11.一種如權(quán)利要求1-9任一項所述的電容式內(nèi)嵌觸摸屏的驅(qū)動方法，其特征在于，包括 將觸摸屏顯示每一幀的時間分成顯示時間段和觸控時間段； 在顯示時間段，對所述觸摸屏中的每條柵極信號線依次施加?xùn)艗呙栊盘?，對?shù)據(jù)信號線施加 灰階信號，控制液晶分子翻轉(zhuǎn)；同時對觸控驅(qū)動電極和觸控感應(yīng)電極施加低電平信號; 在觸控時間段，對與觸控驅(qū)動電極電性相連的觸控驅(qū)動線施加觸控掃描信號，觸控感應(yīng)電極耦合所述觸控掃描信號的電壓信號并輸出，同時，所述觸摸屏中的每條柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線無信號輸入。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏、其驅(qū)動方法及顯示裝置，在TFT陣列基板上采用以相鄰的兩行像素單元為一個像素單元組，在該兩行像素單元之間具有兩條柵極信號線的像素結(jié)構(gòu)；通過變更相鄰兩行像素單元的柵極信號線和TFT開關(guān)的位置，可以節(jié)省出相鄰的像素單元組之間柵極信號線的位置，這樣，將實現(xiàn)觸控功能的觸控驅(qū)動線設(shè)置在節(jié)省出的柵極信號線的位置上，并將觸控感應(yīng)電極設(shè)置在彩膜基板上且沿像素單元的列方向延伸，在保證具有較高開口率的情況下實現(xiàn)觸控功能。
文檔編號G02F1/1333GK102937853SQ20121040190
公開日2013年2月20日 申請日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者楊盛際, 董學(xué), 王海生, 趙衛(wèi)杰, 劉英明, 任濤, 丁小梁, 劉紅娟 申請人:北京京東方光電科技有限公司