專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)以及具有此畫素結(jié)構(gòu)的顯示面板，且特別是 有關(guān)于一種具有良好的反射率與產(chǎn)品良率的畫素結(jié)構(gòu)以及具有此畫素結(jié)構(gòu)的顯示面板。
背景技術(shù)：
一般而言，顯示面板所使用的畫素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可分為穿透式、反射式以及半穿透 半反射式等三大類，其中，具有半穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu)的顯示面板，可同時(shí)在光線充 足與光線不足的情形下使用，因此可應(yīng)用的范圍較為廣泛。圖1為習(xí)知的半穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu)，在光阻PR顯影時(shí)的示意圖。圖2A為 圖1的區(qū)域A的放大示意圖。圖2B為圖2A在顯影后的示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D1，此半 穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu)100具有穿透區(qū)102與反射區(qū)104，且此半穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu) 100包括主動(dòng)組件110、電容電極CS、保護(hù)層120、平坦層125、畫素電極圖案130以 及反射層140。主動(dòng)組件110與電容電極CS配置于基板101上。主動(dòng)組件110具有閘極112、 源極114、汲極116與通道層118。閘絕緣層GI覆蓋閘極112與電容電極CS。通道層 118位于閘極112上方的閘絕緣層GI上。源極114與汲極116位于通道層118的兩側(cè)。 保護(hù)層120覆蓋主動(dòng)組件110。平坦層125配置于保護(hù)層120上。主動(dòng)組件110上方的 保護(hù)層120與平坦層125具有接觸窗開(kāi)口 W。畫素電極圖案130配置于平坦層125上， 且畫素電極圖案130透過(guò)接觸窗開(kāi)口 W與主動(dòng)組件110電性連接。畫素電極圖案130的 材料采用銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)。反射層140配置于畫素電極圖案130上， 反射層140的材料一般是采用反射率較佳的金屬，如鋁或其合金。值得注意的是，在后續(xù)形成光阻PR來(lái)對(duì)反射層140進(jìn)行圖案化制程，于光阻PR 的顯影過(guò)程中，所使用的強(qiáng)堿性顯影液將腐蝕反射層140的鋁或其合金。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2Α與圖2Β，采用純鋁或其合金的反射層140容易會(huì)被強(qiáng)堿顯影液 所腐蝕，而露出位于反射層140下方的畫素電極圖案130，如區(qū)域B所示。此時(shí)，處于強(qiáng) 堿性顯影液中的畫素電極圖案130與反射層140正好產(chǎn)生下列式(1)的氧化還原反應(yīng) Ιη203+2Α1 ^=^ Α1203+2Ιη ...... (1)。如此一來(lái)，區(qū)域B處的畫素電極圖案130的邊緣部份容易剝落而造成產(chǎn)品的良率 損失。圖3為習(xí)知的另一種半穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，在此半穿 透半反射式畫素結(jié)構(gòu)IOOa中，先將反射層140的圖形定義完成后，再制作畫素電極圖案 130，如此一來(lái)，畫素電極圖案130不會(huì)被強(qiáng)堿顯影液所腐蝕。然而，因?yàn)閷嬎仉姌O圖 案130覆蓋于反射層140上，會(huì)使得反射層140無(wú)法直接反射光線，而使反射層140的反 射率降低。此外，亦有提出使用其它金屬，如鉻(Cr)來(lái)取代鋁的做法，藉以避免畫素電極 圖案130剝落的問(wèn)題。然而，由于其它金屬的反射率較鋁還低，所以以其它金屬取代鋁來(lái)制作反射層140，仍無(wú)法避免反射率降低的問(wèn)題。 發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種畫素結(jié)構(gòu)，具有良好的反射率以及產(chǎn)品良率。本實(shí)用新型提供一種顯示面板，具有上述的畫素結(jié)構(gòu)，可具有良好的反射率以 及產(chǎn)品良率。基于上述，本實(shí)用新型提出一種畫素結(jié)構(gòu)，配置于基板上，此畫素結(jié)構(gòu)具有穿 透區(qū)與反射區(qū)。畫素結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)組件、保護(hù)層、畫素電極圖案以及反射層。主動(dòng)組 件配置于基板上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件，其中主動(dòng)組件上方的保護(hù)層具有接觸窗開(kāi)口。 畫素電極圖案配置于保護(hù)層上方，其中畫素電極圖案藉由接觸窗開(kāi)口與主動(dòng)組件電性連 接。反射層配置于畫素電極圖案上且位于反射區(qū)內(nèi)，其中，反射層包括堆棧于畫素電極 圖案上的第一金屬層及金屬氮化層。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的畫素結(jié)構(gòu)更包括平坦層，覆蓋保護(hù)層，其 中，畫素電極圖案配置于平坦層上，且接觸窗開(kāi)口也形成于平坦層中。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述金屬氮化層配置于畫素電極圖案上，且第一 金屬層配置于金屬氮化層上。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述第一金屬層配置于畫素電極圖案上，且金屬 氮化層配置于第一金屬層上。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述反射層更包括第二金屬層，而第一金屬層、 金屬氮化層與第二金屬層依序堆棧于畫素電極圖案上。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)組件包括閘極、源極以及汲極，且接觸 窗開(kāi)口暴露出汲極。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述金屬氮化層的厚度介于100埃米到400埃米之 間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述第一金屬層的材質(zhì)包括鋁。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述第二金屬層的材質(zhì)包括鋁。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述畫素電極圖案位于穿透區(qū)與反射區(qū)中。在本 實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述畫素電極圖案的材質(zhì)包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化 物(IZO)。本實(shí)用新型又提出一種顯示面板，包括第一基板、第二基板以及顯示介質(zhì) 層。第一基板具有多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)，各畫素結(jié)構(gòu)配置于第一基板上，且各畫素結(jié)構(gòu)具有穿 透區(qū)與反射區(qū)。各畫素結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)組件、保護(hù)層、畫素電極圖案以及反射層。主動(dòng) 組件配置于第一基板上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件，其中主動(dòng)組件上方的保護(hù)層具有接觸窗 開(kāi)口。畫素電極圖案配置于保護(hù)層上方，其中畫素電極圖案藉由接觸窗開(kāi)口與主動(dòng)組件 電性連接。反射層配置于畫素電極圖案上且位于反射區(qū)內(nèi)，其中，反射層包括堆棧于畫 素電極圖案上的第一金屬層以及金屬氮化層。第二基板與第一基板對(duì)向設(shè)置。顯示介質(zhì) 層配置于第一基板以及第二基板之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述顯示介質(zhì)層包括液晶層。本實(shí)用新型的畫素結(jié)構(gòu)的反射層中設(shè)置有金屬氮化層，可保護(hù)畫素電極圖案不會(huì)受到顯影液的腐蝕而剝落。特別是，反射層可具有金屬層/金屬氮化層/金屬層的設(shè) 計(jì)，因此本實(shí)用新型的畫素結(jié)構(gòu)可同時(shí)具有高反射率以及較低的層間阻抗。此外，本 實(shí)用新型的顯示面板采用上述的畫素結(jié)構(gòu)，因此具有良好的顯示效果以及產(chǎn)品良率。為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所 附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。

圖式簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1為習(xí)知的半穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu)，在光阻PR顯影時(shí)的示意圖。圖2A為圖1的區(qū)域A的放大示意圖。圖2B為圖2A在顯影后的示意圖。圖3為習(xí)知的另一種半穿透半反射式畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的一種畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5為圖4的區(qū)域C的放大示意圖。圖6A為圖5的畫素結(jié)構(gòu)在光阻顯影時(shí)的局部示意圖。圖6B為圖5的畫素結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)顯影液腐蝕后的示意圖。圖7為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的另一種畫素結(jié)構(gòu)的局部示意圖，其對(duì)應(yīng)于圖4的 區(qū)域C。圖8A為圖7的畫素結(jié)構(gòu)在光阻顯影時(shí)的局部示意圖。圖8B為圖7的畫素結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)顯影液腐蝕后的示意圖。圖9為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的又一種畫素結(jié)構(gòu)局部示意圖，其對(duì)應(yīng)于圖4的區(qū) 域C。圖IOA為圖9的畫素結(jié)構(gòu)在光阻顯影時(shí)的局部示意圖。圖IOB為圖9的畫素結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)顯影液腐蝕后的示意圖。圖11為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的一種顯示面板的示意圖。圖12為具有不同畫素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)組件數(shù)組基板的反射率量測(cè)結(jié)果。主要組件符號(hào)說(shuō)明100、100a、200 畫素結(jié)構(gòu)101、201 基板102、202 穿透區(qū)104、204 反射區(qū)110、210 主動(dòng)組件112、212 閘極114、214 源極116: 216 汲極118、218 通道層120、220 保護(hù)層125、225 平坦層130、230 畫素電極圖案[0056]140、240 反射層242 第一金屬層244 金屬氮化層246 第二金屬層300 顯示面板301 第一基板302 第二基板303 顯示介質(zhì)層A、B、C、D 區(qū)域CS 電容電極GI:閘絕緣層PR光阻S 狹縫W:接觸窗開(kāi)口。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型主要是在畫素結(jié)構(gòu)的反射層中設(shè)置金屬氮化層，以防止強(qiáng)堿顯影液 腐蝕畫素電極圖案。以下將以數(shù)個(gè)實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。畫素結(jié)構(gòu)圖4為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的一種畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5為圖4的區(qū)域C 的放大示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4與圖5，此畫素結(jié)構(gòu)200配置于基板201上，且畫素結(jié)構(gòu) 200具有穿透區(qū)202與反射區(qū)204。如圖4所示的畫素結(jié)構(gòu)200包括主動(dòng)組件210、保護(hù)層220、畫素電極圖案230 以及反射層240。主動(dòng)組件210配置于基板201上。保護(hù)層220覆蓋主動(dòng)組件210，且 主動(dòng)組件210上方的保護(hù)層220具有接觸窗開(kāi)口 W。畫素電極圖案230配置于保護(hù)層220 上方，畫素電極圖案230藉由接觸窗開(kāi)口 W與主動(dòng)組件210電性連接。反射層240配置 于畫素電極圖案230上且位于反射區(qū)204內(nèi)，其中，反射層240包括堆棧于畫素電極圖案 230上的第一金屬層242及金屬氮化層244。在本實(shí)施例中，畫素結(jié)構(gòu)200更包括平坦層225，覆蓋保護(hù)層220，其中，畫素 電極圖案230配置于平坦層225上，且接觸窗開(kāi)口 W也形成于平坦層225中。形成平坦 層225的目的是可以較佳地形成平坦的畫素電極圖案230與反射層240。另外，反射區(qū) 204內(nèi)的平坦層225還可設(shè)計(jì)為不規(guī)則的凹凸表面，以提升反射層240散射光線的效果。 當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，也可不形成平坦層225，而是將畫素電極圖案230與反射層240 直接形成于保護(hù)層220上。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D4，主動(dòng)組件210包括閘極212、源極214以及汲極216，且接觸窗 開(kāi)口 W暴露出汲極216。詳細(xì)而言，畫素結(jié)構(gòu)200還可包括電容電極CS、閘絕緣層GI 與通道層218。電容電極CS設(shè)置于基板201上，且閘絕緣層GI覆蓋閘極212與電容電 極CS。通道層218位于閘極212上方的閘絕緣層GI上，且源極214與汲極216位于通 道層218的兩側(cè)。電容電極CS、閘絕緣層GI與部份汲極216可形成儲(chǔ)存電容。[0076]畫素電極圖案230可位于穿透區(qū)202與反射區(qū)204中。特別是，在穿透區(qū)202 中，畫素電極圖案230可具有多個(gè)狹縫S，以達(dá)成廣視角的顯示效果，此部份端視于設(shè)計(jì) 時(shí)的需求而定，本實(shí)用新型并不限制畫素電極圖案230的形狀或位置。另外，畫素電極 圖案230的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或其它適當(dāng)?shù)牟牧?。[0077]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D5，金屬氮化層244可配置于畫素電極圖案230上，且第一金屬層 242配置于金屬氮化層244上。第一金屬層242的材質(zhì)例如為鋁或鋁合金，或是其它反射 效果良好的金屬或合金。金屬氮化層M4的厚度例如介于100埃米到400埃米之間。[0078]由于畫素結(jié)構(gòu)200額外采用金屬氮化層M4的設(shè)計(jì)，所以，在進(jìn)行光阻PR的顯 影時(shí)(請(qǐng)參見(jiàn)后續(xù)圖6A 圖6C的說(shuō)明)，將可避免畫素電極圖案230受到強(qiáng)堿顯影液 的腐蝕而剝落。[0079]圖6A為圖5的畫素結(jié)構(gòu)在光阻顯影時(shí)的局部示意圖。圖6B為圖5的畫素結(jié)構(gòu) 經(jīng)過(guò)顯影液腐蝕后的示意圖。[0080]請(qǐng)先參照?qǐng)D6A，在將反射層240進(jìn)行圖案化定義之前，可先將反射層240進(jìn)行 底部氮化處理，使得金屬氮化層對(duì)4 (如氮化鋁(AlN))均勻地形成于第一金屬層M2、 以及畫素電極圖案230之間。[0081]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D6B，于反射區(qū)204會(huì)繼續(xù)形成光阻PR以圖案化反射層M0。值得 注意的是，在將光阻PR進(jìn)行顯影的過(guò)程中會(huì)使用強(qiáng)堿顯影液。然而，如圖6B的區(qū)域D 所示，由于已經(jīng)在第一金屬層242與畫素電極圖案230之間形成了金屬氮化層對(duì)4，此金 屬氮化層244可避免強(qiáng)堿顯影液接觸到畫素電極圖案230，如此一來(lái)，畫素電極圖案230 便不會(huì)與第一金屬層242產(chǎn)生上述式(1)所示的氧化還原反應(yīng)。在顯影過(guò)程結(jié)束后， 繼續(xù)對(duì)于反射層240進(jìn)行蝕刻，即可得到具有圖5的膜層堆棧的畫素結(jié)構(gòu)200。[0082]由上述可知，采用金屬氮化層244可避免畫素電極圖案230剝落，并且，由于反 射層240位于畫素電極圖案230的上方，所以畫素結(jié)構(gòu)200還可保持良好的反射效果。然 而，此處僅為舉例說(shuō)明，還可以采用其它的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。[0083]圖7為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的另一種畫素結(jié)構(gòu)的局部示意圖，其對(duì)應(yīng)于圖4的 區(qū)域C。圖8A為圖7的畫素結(jié)構(gòu)在光阻顯影時(shí)的局部示意圖。圖8B為圖7的畫素結(jié) 構(gòu)經(jīng)過(guò)顯影液腐蝕后的示意圖。[0084]請(qǐng)先參照?qǐng)D7，畫素結(jié)構(gòu)200也可以采用圖7所示的膜層結(jié)構(gòu)，亦即，第一金屬 層242是配置于畫素電極圖案230上，金屬氮化層244是配置于第一金屬層242上。[0085]請(qǐng)參照?qǐng)D8A，在將反射層240進(jìn)行圖案化定義之前，可先將反射層240進(jìn)行表 面氮化處理，使金屬氮化層M4 (如氮化鋁(AlN))均勻形成于第一金屬層242的表面 上。[0086]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D8B，于反射區(qū)204會(huì)繼續(xù)形成光阻PR以圖案化反射層M0。值得 注意的是，在將光阻PR進(jìn)行顯影的過(guò)程中會(huì)使用強(qiáng)堿顯影液。在顯影的過(guò)程中，由于 金屬氮化層244覆蓋在第一金屬層242上，所以金屬氮化層244可避免強(qiáng)堿顯影液接觸到 畫素電極圖案230。結(jié)果是，畫素電極圖案230不會(huì)與第一金屬層242產(chǎn)生式(1)所示 的氧化還原反應(yīng)。在顯影過(guò)程結(jié)束后，繼續(xù)對(duì)于反射層240進(jìn)行蝕刻，即可得到具有圖 7的膜層堆棧的畫素結(jié)構(gòu)200。[0087]圖9為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的又一種畫素結(jié)構(gòu)局部示意圖，其對(duì)應(yīng)于圖4的區(qū)域C。圖IOA為圖9的畫素結(jié)構(gòu)在光阻顯影時(shí)的局部示意圖。圖IOB為圖9的畫素結(jié) 構(gòu)經(jīng)過(guò)顯影液腐蝕后的示意圖。[0088]請(qǐng)參照?qǐng)D9，在此實(shí)施例中，反射層240更包括第二金屬層M6，而第一金屬層 242,金屬氮化層244與第二金屬層246依序堆棧于畫素電極圖案230上。換言之，金屬 氮化層244是位于第一金屬層242與第二金屬層246之間。[0089]請(qǐng)先參照?qǐng)D10A，在將反射層240進(jìn)行圖案化定義之前，可先將反射層240進(jìn)行 氮化處理，而使金屬氮化層244位于反射層240的中間部分，而形成鋁/氮化鋁/鋁的三 層膜層結(jié)構(gòu)；或者，也可用依序堆棧的方式來(lái)形鋁/氮化鋁/鋁的三層膜層結(jié)構(gòu)。[0090]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D10B，于反射區(qū)204會(huì)繼續(xù)形成光阻PR以圖案化反射層M0。值得 注意的是，在將光阻PR進(jìn)行顯影的過(guò)程中會(huì)使用強(qiáng)堿顯影液。在顯影的過(guò)程中，位于反 射層240中間部分的金屬氮化層244可阻擋顯影液腐蝕畫素電極圖案230。結(jié)果是，畫素 電極圖案230不會(huì)產(chǎn)生式(1)所示的氧化還原反應(yīng)。在顯影過(guò)程結(jié)束后，繼續(xù)對(duì)于反 射層240進(jìn)行蝕刻，即可得到具有圖9的膜層堆棧的畫素結(jié)構(gòu)200。[0091]值得一提的是，當(dāng)畫素結(jié)構(gòu)200具有圖9所示的膜層設(shè)計(jì)時(shí)，亦即，第一金屬層 242,金屬氮化層244與第二金屬層246是依序堆棧于畫素電極圖案230上，由于第一金 屬層242與畫素電極圖案230直接接觸，所以可降低層間阻抗；另外，第二金屬層246可 直接反射光線，而得到良好的反射率。[0092]顯示面板[0093]圖11為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的一種顯示面板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D11，顯示面 板300包括第一基板301、第二基板302以及顯示介質(zhì)層303。第一基板301具有多個(gè) 上述的畫素結(jié)構(gòu)200。顯示介質(zhì)層303可以是液晶層或其它類似性質(zhì)的顯示介質(zhì)。[0094]由于顯示面板300具有上述的畫素結(jié)構(gòu)200，因此顯示面板300具有上述畫素結(jié) 構(gòu)200所提及的所有技術(shù)功效。因此，顯示面板300具有良好的顯示效果與產(chǎn)品良率。[0095]圖12為具有不同畫素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)組件數(shù)組基板的反射率量測(cè)結(jié)果。使用的反射 率量測(cè)儀器為OTSUKA公司出產(chǎn)的OTSUKA LCD 7200。請(qǐng)參照?qǐng)D12，曲線群組410代 表具有上述鋁/氮化鋁/鋁的反射層240的畫素結(jié)構(gòu)(如圖9所示)的主動(dòng)組件數(shù)組基板 的反射率、曲線群組420代表具有上述具有鋁/氮化鋁的畫素結(jié)構(gòu)(如圖7所示)的主動(dòng) 組件數(shù)組基板的反射率、曲線群組430代表反射層的材質(zhì)采用鉻的主動(dòng)組件數(shù)組基板的 反射率、曲線群組440代表具有習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)IOOa(如圖3所示)的主動(dòng)組件數(shù)組基板 的反射率。[0096]量測(cè)方式如下首先，以不同角度對(duì)于待量測(cè)的主動(dòng)組件數(shù)組基板入射光線， 其中，主動(dòng)組件數(shù)組基板的正上方為0度；接著，使用主動(dòng)組件數(shù)組基板正上方的偵測(cè) 器量測(cè)反射光線的強(qiáng)度。[0097]由圖12的結(jié)果可以看出，曲線群組440的反射率最低，亦即，習(xí)知中先設(shè)置反 射層再設(shè)置畫素電極圖案的主動(dòng)組件數(shù)組基板的反射率最低；再來(lái)，曲線群組430的反 射率次高，亦即，使用鉻來(lái)取代鋁的主動(dòng)組件數(shù)組基板的反射率較曲線群組440稍高。[0098]值得注意的是，在曲線群組420中，亦即使用上述具有鋁/氮化鋁的畫素結(jié)構(gòu) (如圖7所示)的主動(dòng)組件數(shù)組基板的反射率明顯高于曲線群組430、440。特別是，在 曲線群組410中，使用具有上述鋁/氮化鋁/鋁的畫素結(jié)構(gòu)(如圖9所示)的主動(dòng)組件數(shù)組基板的反射率是最高的。[0099]綜上所述，本實(shí)用新型的畫素結(jié)構(gòu)及顯示面板至少具有以下優(yōu)點(diǎn)[0100]本實(shí)用新型的畫素結(jié)構(gòu)的反射層中設(shè)置有金屬氮化層，可防止強(qiáng)堿顯影液同時(shí) 接觸到畫素電極圖案與反射層，因此可避免畫素電極圖案與反射層發(fā)生氧化還原反應(yīng)。 金屬氮化層與反射層的堆棧方式可可不同。特別是，具有金屬層/金屬氮化層/金屬層設(shè) 計(jì)的畫素結(jié)構(gòu)不但具有高反射率，且畫素電極圖案與反射層之間的層間阻抗也較低。此 外，本實(shí)用新型的顯示面板采用上述畫素結(jié)構(gòu)，而具有良好的顯示效果與產(chǎn)品良率。[0101]雖然本實(shí)用新型已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更 動(dòng)與潤(rùn)飾，故本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種畫素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上，其特征在于該畫素結(jié)構(gòu)具有一穿透區(qū)與一反 射區(qū)，且該畫素結(jié)構(gòu)包括一主動(dòng)組件，配置于該基板上；一保護(hù)層，覆蓋該主動(dòng)組 件，其中該主動(dòng)組件上方的該保護(hù)層具有一接觸窗開(kāi)口； 一畫素電極圖案，配置于該保 護(hù)層上方，其中該畫素電極圖案藉由該接觸窗開(kāi)口與該主動(dòng)組件電性連接；以及一反射 層，配置于畫素電極圖案上且位于該反射區(qū)內(nèi)，其中，該反射層包括堆棧于該畫素電極 圖案上的一第一金屬層及一金屬氮化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中，該金屬氮化層配置于該畫 素電極圖案上，且該第一金屬層配置于該金屬氮化層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中，該第一金屬層配置于該畫 素電極圖案上，且該金屬氮化層配置于該第一金屬層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中，該反射層更包括一第二金 屬層，而該第一金屬層、該金屬氮化層與該第二金屬層依序堆棧于該畫素電極圖案上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一平坦層，覆蓋該保護(hù) 層，其中，該畫素電極圖案配置于該平坦層上，且該接觸窗開(kāi)口也形成于該平坦層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中，該主動(dòng)組件包括一閘極、 一源極以及一汲極，且該接觸窗開(kāi)口暴露出該汲極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中，該金屬氮化層的厚度介于 100埃米到400埃米之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中，該畫素電極圖案位于該 穿透區(qū)與該反射區(qū)中；該畫素電極圖案的材質(zhì)包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物 (IZO)。
9.一種顯示面板，其特征在于包括一第一基板，具有多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)，各該畫素 結(jié)構(gòu)配置于該第一基板上，且各該畫素結(jié)構(gòu)具有一穿透區(qū)與一反射區(qū)，各該畫素結(jié)構(gòu)包 括一主動(dòng)組件，配置于該第一基板上；一保護(hù)層，覆蓋該主動(dòng)組件，其中該主動(dòng)組件 上方的該保護(hù)層具有一接觸窗開(kāi)口； 一畫素電極圖案，配置于該保護(hù)層上方，其中該畫 素電極圖案藉由該接觸窗開(kāi)口與該主動(dòng)組件電性連接；一反射層，配置于畫素電極圖案 上且位于該反射區(qū)內(nèi)，其中，該反射層包括堆棧于該畫素電極圖案上的一第一金屬層以 及一金屬氮化層；一第二基板，與該第一基板對(duì)向設(shè)置；以及一顯示介質(zhì)層，配置于該 第一基板以及該第二基板之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該金屬氮化層配置于該畫 素電極圖案上，且該第一金屬層配置于該金屬氮化層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該第一金屬層配置于該畫 素電極圖案上，且該金屬氮化層配置于該第一金屬層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該反射層更包括一第二金 屬層，而該第一金屬層、該金屬氮化層與該第二金屬層依序堆棧于該畫素電極圖案上。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于更包括一平坦層，覆蓋該保護(hù) 層，其中，該畫素電極圖案配置于該平坦層上，且該接觸窗開(kāi)口也形成于該平坦層中。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該主動(dòng)組件包括一閘極、 一源極以及一汲極，且該接觸窗開(kāi)口暴露出該汲極。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該金屬氮化層的厚度介于 100埃米到400埃米之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該畫素電極圖案位于 該穿透區(qū)與該反射區(qū)中；該畫素電極圖案的材質(zhì)包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物 (IZO)。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于其中，該顯示介質(zhì)層包括一液晶層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種畫素結(jié)構(gòu)，配置于基板上，且畫素結(jié)構(gòu)具有穿透區(qū)與反射區(qū)。畫素結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)組件、保護(hù)層、畫素電極圖案以及反射層。主動(dòng)組件配置于基板上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件，且主動(dòng)組件上方的保護(hù)層具有接觸窗開(kāi)口。畫素電極圖案配置于保護(hù)層上方，且畫素電極圖案藉由接觸窗開(kāi)口與主動(dòng)組件電性連接。反射層配置于畫素電極圖案上且位于反射區(qū)內(nèi)，且反射層包括堆棧于畫素電極圖案上的第一金屬層及金屬氮化層。本實(shí)用新型不僅結(jié)構(gòu)新穎，成本低，而且具有良好的反射率以及產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK201804188SQ20092031486
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月16日
發(fā)明者葉錦龍, 王裕芳, 陳德譽(yù) 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 華映光電股份有限公司