專(zhuān)利名稱(chēng)：光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和一種用于制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進(jìn) 行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備 包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每 一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向("掃描"方向) 掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部 分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯 底上。 已經(jīng)有提議將光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒(méi)到具有相對(duì)高的折射率的液體(例如 水)中，以便充滿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。雖然可以應(yīng)用其他液體，但在一 實(shí)施例中液體是蒸餾水。本發(fā)明的實(shí)施例將參考液體進(jìn)行描述。然而，其他流體也可以是 合適的，尤其地是潤(rùn)濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，優(yōu)選 地具有比水高的折射率的流體。尤其優(yōu)選不含氣體的流體。選擇這樣的流體的出發(fā)點(diǎn)是能 夠獲得更小特征的成像，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中將會(huì)具有更短的波長(zhǎng)。(液體的這種效應(yīng) 也可以看作是提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)和增加焦深)。其他浸沒(méi)液體已經(jīng)被提出，包 括固體顆粒(例如，石英)懸浮其中的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如，具有最大尺寸達(dá) 10nm的顆粒)的液體。懸浮顆?？梢跃哂谢蚩梢圆痪哂信c它們懸浮所在的液體的折射率類(lèi) 似或相同的折射率。其他的可能合適的液體包括烴，例如芳基、氟代烴和/或水溶液。
將襯底或襯底和襯底臺(tái)浸沒(méi)到液體浴器中(例如見(jiàn)美國(guó)專(zhuān)利第4， 509， 852號(hào))意 味著在掃描曝光過(guò)程中必須加速大的液體主體。這需要附加的或更大功率的電動(dòng)機(jī)并且液 體中的湍流可能會(huì)導(dǎo)致不希望的和不能預(yù)期的效應(yīng)。 在浸沒(méi)設(shè)備中，浸沒(méi)流體通過(guò)流體處理系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)或設(shè)備進(jìn)行處理。在一實(shí)施例 中，流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒(méi)流體，因而是流體供給系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng) 可以至少部分地限制浸沒(méi)流體，因此是流體限制系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以形 成浸沒(méi)流體的阻擋件，因此可以是阻擋構(gòu)件，例如流體限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，流體處理 系統(tǒng)可以產(chǎn)生或采用氣流，例如用以幫助控制浸沒(méi)流體的流動(dòng)和/或位置。氣流可以形成 密封以限制浸沒(méi)流體，因而流體處理結(jié)構(gòu)可以稱(chēng)為密封構(gòu)件；這種密封構(gòu)件可以是流體限 制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，浸沒(méi)液體被用作浸沒(méi)流體。在那種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液 體處理系統(tǒng)。參照前面的描述，本段中相對(duì)于流體限定的特征的表述可以理解成包括相對(duì)于液體限定的特征。 所提出的布置中的一種是液體供給系統(tǒng)使用液體限制系統(tǒng)將液體僅提供在襯底 的局部區(qū)域上并且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間(襯底通常具有比投影系統(tǒng)的最終 元件大的表面面積)。已經(jīng)提出的布置這種結(jié)構(gòu)的一種方法在PCT專(zhuān)利申請(qǐng)出版物第WO 99/49504號(hào)中公開(kāi)。如圖2和3示出的，液體通過(guò)至少一個(gè)入口供給到襯底W上(如圖3 中的箭頭所示)，優(yōu)選地，沿著襯底W相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向，并且在通過(guò)投影系統(tǒng)PS 下面之后由至少一個(gè)出口去除(如圖3中的箭頭所示)。也就是說(shuō)，當(dāng)襯底W在所述元件下 面沿-X方向被掃描時(shí)，在所述元件的+X側(cè)處供給液體并且在-X側(cè)吸取液體。圖2示意地 示出這種布置，在這種布置中液體通過(guò)入口供給并且在所述元件的另一側(cè)通過(guò)連接到低壓 源的出口吸取。在圖2的例子中，液體沿著襯底W相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給，雖然這 不是必需的。可以在最終元件周?chē)O(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個(gè)實(shí) 例，其中在最終元件的周?chē)诿恳粋?cè)以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四個(gè)入口和出口。
圖4中示出另一具有液體局部供給系統(tǒng)的浸沒(méi)光刻方案。液體通過(guò)位于投影系統(tǒng) PS的每一側(cè)上的兩個(gè)凹槽入口進(jìn)行供給(如圖中箭頭所示)，由設(shè)置在入口沿徑向向外的 位置上的多個(gè)離散的出口去除(如圖中箭頭所示)。所述入口和出口可以布置在板上，所述 板在其中心有孔，投影束通過(guò)該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口 供給，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底 W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴(lài)于襯底W的移動(dòng)方向(另外 的入口和出口組合是不起作用的)。 在歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. EP 1420300和美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)出版物No. US 2004-0136494中，公開(kāi)了一種成對(duì)的或雙平臺(tái)浸沒(méi)式光刻設(shè)備的方案。這種設(shè)備具有兩個(gè) 臺(tái)用以支撐襯底。調(diào)平(leveling)測(cè)量在沒(méi)有浸沒(méi)液體的工作臺(tái)的第一位置進(jìn)行，曝光在 存在浸沒(méi)液體的工作臺(tái)的第二位置進(jìn)行?？蛇x的是，設(shè)備僅具有一個(gè)臺(tái)。
PCT專(zhuān)利申請(qǐng)出版物WO 2005/064405公開(kāi)一種全浸濕布置，其中浸沒(méi)液體是不受 限制的。在這種系統(tǒng)中，襯底的整個(gè)頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因?yàn)橐r底的 整個(gè)頂部表面基本上在相同條件下進(jìn)行曝光。這對(duì)于襯底的溫度控制和處理是有利的。在 WO 2005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙。允 許液體泄露到襯底的其他部分。襯底臺(tái)的邊緣處的阻擋件防止液體逸出，使得液體可以從 襯底臺(tái)的頂部表面上以受控制的方式去除。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處 理，但是浸沒(méi)液體的蒸發(fā)仍然可能出現(xiàn)。幫助緩解這個(gè)問(wèn)題的一種方法在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公 開(kāi)出版物No. US2006/0119809中有記載。其中設(shè)置構(gòu)件，所述構(gòu)件覆蓋襯底W的所有位置， 并且布置成使浸沒(méi)液體在所述構(gòu)件和襯底和/或保持襯底的襯底臺(tái)的頂部表面之間延伸。

發(fā)明內(nèi)容
襯底曝光之后留在襯底臺(tái)上的液體膜或液滴(之后所稱(chēng)的液滴包括薄膜)可能會(huì)
引起問(wèn)題。具體地，當(dāng)液滴蒸發(fā)時(shí)可能會(huì)局部地冷卻其蒸發(fā)處的表面。表面的局部冷卻可 能會(huì)導(dǎo)致其暫時(shí)的或永久的變形。附加地或可選地，干燥的液漬可能會(huì)留下來(lái)。如果留下 液滴的表面是傳感器的一部分、或是在干燥狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)量的傳感器的目標(biāo)(也就是在傳 感器和目標(biāo)之間沒(méi)有液體)，則這些問(wèn)題尤其尖銳。在這種情況下，如果在進(jìn)行測(cè)量時(shí)液滴仍然存在，則會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果。 在所謂的雙平臺(tái)光刻設(shè)備中，襯底首先裝載到襯底臺(tái)上，在測(cè)量站實(shí)施多種測(cè)量， 然后所述臺(tái)和襯底被移動(dòng)到曝光站進(jìn)行曝光。在襯底上的所有曝光完成之后，曝光過(guò)的襯 底被卸載并且新的襯底被裝載到所述臺(tái)上。前面的襯底曝光之后，留在襯底臺(tái)上的液滴因 此可能會(huì)由于液滴的存在或由于液滴的蒸發(fā)帶來(lái)的效應(yīng)負(fù)面地影響在隨后的襯底上實(shí)施 的測(cè)量。 期望地，例如提供一種光刻設(shè)備，其中例如在襯底曝光之后留在襯底臺(tái)上的液滴 的潛在的負(fù)面影響被減小。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括 臺(tái)，其配置用以支撐襯底、傳感器、或所述襯底和所述傳感器兩者，所述臺(tái)具有表
面和傳感器、用于所述表面上的傳感器的目標(biāo)、或所述傳感器和所述目標(biāo)兩者； 液體處理結(jié)構(gòu)，其用以提供液體到鄰近所述襯底和/或臺(tái)的空間；禾口 液體轉(zhuǎn)移裝置，所述液體轉(zhuǎn)移裝置包括氣體出口，所述氣體出口配置用以引導(dǎo)局
部氣流朝向所述傳感器和/或目標(biāo)，以便從所述傳感器和/或目標(biāo)轉(zhuǎn)移液體。 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟 將圖案的圖像通過(guò)浸沒(méi)液體投影到由具有目標(biāo)、傳感器或所述目標(biāo)和傳感器兩者
的襯底臺(tái)保持的第一襯底上； 將所述第一襯底從所述襯底臺(tái)上卸載； 將第二襯底裝載到所述襯底臺(tái)上； 在所述第二襯底由所述襯底臺(tái)保持時(shí)測(cè)量所述目標(biāo)的性質(zhì)或使用所述傳感器；和
使用局部氣流從所述目標(biāo)和/或所述傳感器轉(zhuǎn)移液體。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟 將圖案的圖像通過(guò)浸沒(méi)液體投影到由襯底臺(tái)保持的第一襯底上，所述浸沒(méi)液體通 過(guò)液體限制結(jié)構(gòu)被限制在投影系統(tǒng)和所述襯底之間； 將所述液體限制結(jié)構(gòu)移動(dòng)到具有目標(biāo)、傳感器或所述目標(biāo)和傳感器兩者的測(cè)量
臺(tái)，或者將所述測(cè)量臺(tái)移動(dòng)到所述液體限制結(jié)構(gòu)； 從所述襯底臺(tái)卸載所述第一襯底； 將第二襯底裝載到所述襯底臺(tái)上； 測(cè)量所述目標(biāo)的性質(zhì)或使用所述傳感器；禾口 使用局部氣流從所述目標(biāo)和/或傳感器轉(zhuǎn)移液體。


下面僅通過(guò)示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖
中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備； 圖2和3示出用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)； 圖4示出另一用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)； 圖5示出另一用在光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)； 圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括液體轉(zhuǎn)移裝置的液體處理系統(tǒng)的放大的剖視6
圖7是襯底臺(tái)的平面圖，其以虛線示出圖6中的液體處理系統(tǒng)； 圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置的示意圖； 圖9是圖8中的液體轉(zhuǎn)移裝置的操作示意圖； 圖10示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置； 圖11示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置； 圖12示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置； 圖13示出圖12中的液體轉(zhuǎn)移裝置的操作的實(shí)現(xiàn)； 圖14示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置；以及 圖15示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括
照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo) (例如，紫外(UV)輻射或深紫 外(DUV)輻射); 支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造成用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并
與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連； 襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造成用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，
并與配置成用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；禾口 投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦
予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 照射系統(tǒng)IL可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁
型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴(lài)于圖案形成裝置MA
的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的
方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其他夾持
技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成
為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例
如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位
的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"同義。 這里所使用的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案 包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中 的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。 圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可 編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸 如二元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的 掩模類(lèi)型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立 地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射
7鏡矩陣反射的輻射束。 應(yīng)該將這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括
折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所
使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。
這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"同義。 如這里所示的，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述
設(shè)備可以是反射型的(例如，采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或者采用反射式掩模)。 所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多個(gè)圖案
形成裝置臺(tái))的類(lèi)型。在這種"多臺(tái)"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或
更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。 參照?qǐng)Dl，所述照射器IL接收從輻射源S0發(fā)出的輻射束。該源S0和所述光刻設(shè) 備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源SO為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO 考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞 系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源S0 可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述 照射器IL、以及如果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱(chēng)作輻射系統(tǒng)。 所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可 以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍( 一般 分別稱(chēng)為o-外部和o-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件， 例如積分器IN和聚光器C0。所述照射器IL可以用來(lái)調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具 有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。類(lèi)似于源SO，照射器IL可以或不可以看成形成光刻設(shè)備的一 部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的組成部分，或可以是與光刻設(shè)備分立的實(shí)體。在 后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器IL安裝其上?？蛇x地，照射器IL是可分離 的并且可以單獨(dú)地提供(例如，通過(guò)光刻設(shè)備制造商或其他供應(yīng)商)。 所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置 MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目 標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電 容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所 述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所 述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(在圖1中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA 相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位。 通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短 行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定 位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的 情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的。 可以使用圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、 M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、 P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和 襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分C之間 的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)上。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。
可以將所述專(zhuān)用設(shè)備用于以下模式中的至少一種 1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所 述輻射束B(niǎo)的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底 臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的 最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。 2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所 述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu) MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在 掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分C的寬度(沿 非掃描方向)，而所述掃描移動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。
3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本 靜止?fàn)顟B(tài)，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影 到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移 動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種 操作模式可易于應(yīng)用在利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣 列)的無(wú)掩模光刻中。 也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成兩種主要類(lèi) 別。它們是浴器型(或浸沒(méi))布置和所謂的局部浸沒(méi)系統(tǒng)。在浸沒(méi)布置中，整個(gè)襯底W和 (任選地) 一部分襯底臺(tái)WT浸入到液體中(例如浴器中或液體薄膜下面)。局部浸沒(méi)系統(tǒng) 采用將液體提供到襯底的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng)。在后一種類(lèi)別中，液體填充的空間在 平面視圖中小于襯底的頂部表面。襯底W在所述空間下面移動(dòng)的同時(shí)，覆蓋襯底的所述空 間內(nèi)的液體體積相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。 本發(fā)明實(shí)施例涉及的另一種布置是全浸濕方案，其中液體是不受限制的。在這種 布置中，襯底的基本上整個(gè)頂部表面和襯底臺(tái)的全部或一部分被浸沒(méi)液體覆蓋。至少覆蓋 襯底的液體的深度小。所述液體可以是位于襯底上的液體膜，例如位于襯底上的液體薄膜。 圖2-5中的任何液體供給裝置都可以用于這種系統(tǒng)。然而，液體供給裝置中不存在密封特 征、密封特征不起作用、不如正常狀態(tài)有效、或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局 部區(qū)域。圖2-5中示出了四種不同類(lèi)型的液體局部供給系統(tǒng)。以上描述了圖2-4中公開(kāi)的 液體供給系統(tǒng)。 已經(jīng)提出的另一種布置是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，所述液體限制 結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了 這種布置。盡管可以在Z方向上(在光軸的方向上)存在一些相對(duì)移動(dòng)，但是液體限制結(jié) 構(gòu)相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底表面之間形成密 封。在一實(shí)施例中，在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底表面之間形成密封，并且可以是非接觸密封，例 如氣體密封。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物No. US2004-0207824中公開(kāi)了這種系統(tǒng)。
圖5示意地示出具有阻擋構(gòu)件或流體限制結(jié)構(gòu)12的液體局部供給系統(tǒng)或液體處 理結(jié)構(gòu)，阻擋構(gòu)件或流體限制結(jié)構(gòu)12沿投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間
9的空間11的邊界的至少一部分延伸。(需要說(shuō)明的是，下文中提到的襯底W的表面，如果沒(méi) 有其他說(shuō)明，還附加地或可選地指襯底臺(tái)WT的表面。)盡管可以在Z方向上(在光軸的方 向上)存在一些相對(duì)移動(dòng)，但是流體限制結(jié)構(gòu)12相對(duì)于投影系統(tǒng)PS在XY平面內(nèi)基本上是 靜止的。在一實(shí)施例中，在流體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W的表面之間形成密封，并且可以是非 接觸密封，例如氣體密封或流體密封。 流體限制結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體保持在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間 的空間ll內(nèi)。在投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)周?chē)梢孕纬蓪?duì)襯底W的非接觸密封16(例如氣體密 封)，使得液體被限制在襯底W的表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間11內(nèi)。所述空 間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面并圍繞投影系統(tǒng)PS的所述最終元件 的流體限制結(jié)構(gòu)12所形成。液體通過(guò)液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)PS下面和流體限制 結(jié)構(gòu)12內(nèi)的所述空間11。液體可以通過(guò)液體出口 13去除。流體限制結(jié)構(gòu)12可以延伸略 微超過(guò)投影系統(tǒng)PS的最終元件上方。液面高于最終元件，使得提供液體的緩沖。在一實(shí)施 例中，流體限制結(jié)構(gòu)12具有內(nèi)周，所述內(nèi)周在上端處與投影系統(tǒng)PS或其最終元件的形狀接 近一致，并且可以是例如圓形的。在底端，所述內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀接近一致，例如矩形，但這 不是必需的。 液體通過(guò)在使用過(guò)程中形成在流體限制結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間的氣 體密封16而被限制在空間11中。氣體密封16通過(guò)氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是 在一實(shí)施例中是通過(guò)氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w形成。氣體密封16中的氣體在壓力下通過(guò)入口 15提供到流體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。氣體通過(guò)出口14被抽取。在氣體入口 15上的過(guò)壓、出口 14上的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得存在向內(nèi)的、限制所述液 體的高速氣流。氣體作用在流體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空 間11中。入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣 流有效地將液體限制在空間11中。這樣的系統(tǒng)在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物No. US2004-0207824 中公開(kāi)。 圖5的例子是所謂的局部區(qū)域布置，其中在任何一個(gè)時(shí)刻液體僅提供到襯底W的 頂部表面的局部區(qū)域。其他布置是可以的，包括使用單相抽取器的(不管其是否以兩相模 式工作)流體處理系統(tǒng)，正如例如在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物第US 2006-0038968號(hào)中公開(kāi)的。 在一實(shí)施例中，單相抽取器可以包括覆蓋在多孔材料中的入口，所述多孔材料用作將液體 和氣體分開(kāi)、以允許單液相的液體抽取。多孔材料下游的室保持在輕微的負(fù)壓下，并充有液 體。室內(nèi)的負(fù)壓使得形成在多孔材料的孔內(nèi)的彎液面阻止周?chē)臍怏w被抽入所述室。然而， 當(dāng)多孔表面與液體接觸時(shí)，沒(méi)有彎液面限制流動(dòng)而液體可以自由地流入所述室。多孔材料 具有大量的小孔，例如直徑在5-50 ii m范圍的小孔。在一實(shí)施例中，多孔材料是至少部分親 液的(例如親水的)，即具有相對(duì)于浸沒(méi)液體(例如水)小于90°的接觸角。在一實(shí)施例 中，液體處理系統(tǒng)可以具有由多孔構(gòu)件覆蓋的開(kāi)口 ，例如出口 。 另一種可能的布置是，通過(guò)抽取兩相流體進(jìn)行工作的布置，其可以被稱(chēng)為氣體拖 曳原理(gas drag principle)。所謂的氣體拖曳原理已經(jīng)在例如2008年5月8日遞交的 美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第61/071， 621號(hào)和美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物第2008-0212046號(hào)中介紹。在那種 系統(tǒng)中，抽取孔布置成優(yōu)選具有角的形狀。所述角可以與步進(jìn)和掃描方向?qū)?zhǔn)。與兩個(gè)出 口垂直于掃描方向?qū)?zhǔn)的情況相比，對(duì)于沿步進(jìn)或掃描方向給定的速度，這減小了作用在
10流體處理結(jié)構(gòu)表面中的兩個(gè)開(kāi)口之間的彎液面上的力。 本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于用在全浸濕浸沒(méi)設(shè)備中的流體處理結(jié)構(gòu)。在全浸濕實(shí) 施例中，例如通過(guò)允許液體從將液體限制在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的限制結(jié)構(gòu)中 泄露出來(lái)，流體被允許覆蓋基本上整個(gè)襯底臺(tái)頂部表面。在2008年9月2日遞交的美國(guó)專(zhuān) 利申請(qǐng)第61/136,380中發(fā)現(xiàn)全浸濕實(shí)施例的流體處理結(jié)構(gòu)的例子。 在一浸沒(méi)光刻設(shè)備中，在完成襯底的曝光之后浸沒(méi)液體留在襯底臺(tái)上。這將幾乎 總是發(fā)生在非限制或全浸濕浸沒(méi)設(shè)備中，但是如果液滴從液體限制結(jié)構(gòu)中逃逸出，這也可 能發(fā)生在局部浸沒(méi)設(shè)備中。這種留在襯底臺(tái)上的液滴可能是不希望的。尤其是，也用來(lái)支 撐襯底的襯底臺(tái)通常在其表面中具有一個(gè)或更多個(gè)傳感器裝置或目標(biāo)。例如，在雙臺(tái)光刻 設(shè)備中，襯底臺(tái)可以設(shè)置有一個(gè)或更多個(gè)基準(zhǔn)(fiducials)。在襯底曝光之前預(yù)測(cè)量階段的 過(guò)程中使用基準(zhǔn)。尤其地，基準(zhǔn)可以被用作參照點(diǎn)以在襯底上建立標(biāo)記的位置?；鶞?zhǔn)可以 包括可通過(guò)對(duì)應(yīng)于襯底上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)傳感器探測(cè)的標(biāo)記，并且可以永久地形成在固 定板上。圖像傳感器，例如透射圖像傳感器(TIS)，可以設(shè)置于標(biāo)記的下面或相對(duì)于標(biāo)記以 固定關(guān)系設(shè)置?；鶞?zhǔn)還可以包括用作水平傳感器或高度傳感器的參考平面的平坦區(qū)域。包 括在襯底臺(tái)內(nèi)的其他傳感器或傳感器目標(biāo)包括用于位置編碼系統(tǒng)的格柵板、能量傳感器和 /或干涉像差傳感器。 存在于這些傳感器或傳感器目標(biāo)上的殘留浸沒(méi)液體(例如水)可能會(huì)引起問(wèn)題。 如果測(cè)量系統(tǒng)和工藝設(shè)計(jì)成在干燥狀態(tài)下測(cè)量，那么進(jìn)行測(cè)量時(shí)以液滴形式存在的殘留浸 沒(méi)液體可能會(huì)引起錯(cuò)誤的讀取。殘留浸沒(méi)液體液滴的蒸發(fā)可以留下干燥液漬。干燥液漬可 能會(huì)影響測(cè)量或者導(dǎo)致局部的冷卻。局部冷卻可能會(huì)引起(例如參考傳感器)傳感器的變 形。這樣就會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的傳感測(cè)量。傳感器或傳感器目標(biāo)可以具有親液的表面，即吸引液 體的表面，或在設(shè)備使用期間(例如通過(guò)輻射的曝光)變得親液的表面。因此，液體通?？?能會(huì)存在于傳感器或傳感器目標(biāo)上。 本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)提供液體轉(zhuǎn)移裝置解決一個(gè)或更多個(gè)這些(或其他)不希望 的問(wèn)題。液體轉(zhuǎn)移裝置布置成通過(guò)使用朝向傳感器和/或目標(biāo)引導(dǎo)的局部氣流而從傳感器 或傳感器目標(biāo)轉(zhuǎn)移液體。在一實(shí)施例中，氣體可以是空氣；干凈的干燥氣體，例如空氣；作 為人造空氣的氣體；和/或氮?dú)?N2)或者其他惰性氣體，例如稀有氣體。因?yàn)閭鞲衅骰蚰繕?biāo) 通常是襯底臺(tái)上的相對(duì)小的區(qū)域，所以可以充分地僅僅將傳感器或目標(biāo)上的任何液滴轉(zhuǎn)移 到液滴的存在不會(huì)引起損害或基本上沒(méi)有損害或損壞風(fēng)險(xiǎn)的襯底臺(tái)的鄰近區(qū)域。替代地， 可以從襯底臺(tái)上完全地去除液滴。 期望地，從襯底臺(tái)上去除液滴，或至少盡可能地從傳感器或目標(biāo)上去除液滴，以便
幫助最小化蒸發(fā)影響。根據(jù)圖6和7中示出的本發(fā)明實(shí)施例，所示出的液體轉(zhuǎn)移裝置20連
接到流體限制結(jié)構(gòu)12。在一實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移裝置可以是參考圖5所示的氣刀15。 在圖6和7中示出的實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置20包括氣刀裝置21，其通過(guò)致動(dòng)器
22連接到流體限制結(jié)構(gòu)12。致動(dòng)器22允許氣刀21升高或降低。例如氣刀被降低到操作
位置，用于從傳感器目標(biāo)的表面去除液滴。當(dāng)不需要的時(shí)候，氣刀21可以被升高到例如存
放位置。 適當(dāng)?shù)闹聞?dòng)器(例如螺線管或電動(dòng)機(jī)和凸輪)可以用來(lái)升高和降低氣刀21。致動(dòng) 器可以包括氣動(dòng)系統(tǒng)(pneumatic system)。在一實(shí)施例中，氣刀21被安裝成可以垂直地
11移位和偏置(例如通過(guò)如彈簧彈性偏置)到離開(kāi)襯底或襯底臺(tái)的位置。致動(dòng)器22可以設(shè) 置有風(fēng)箱或活塞，其在對(duì)氣刀的氣體供給被啟動(dòng)時(shí)被氣體填充。風(fēng)箱或活塞布置成使得當(dāng) 充有氣體時(shí)，其驅(qū)動(dòng)氣刀到操作位置。因而，當(dāng)被激活時(shí)氣刀21被自動(dòng)地移動(dòng)到操作位置。 當(dāng)氣刀處于激活狀態(tài)(也就是操作位置)時(shí)可以提供停止來(lái)限定氣刀的位置。在一實(shí)施例 中，氣體源的操作位置使得其下表面與襯底和/或襯底臺(tái)的相對(duì)表面的表面的距離比氣刀 徑向內(nèi)側(cè)的液體限制結(jié)構(gòu)的下表面與襯底和/或襯底臺(tái)的相對(duì)表面之間的距離更遠(yuǎn)。這是 因?yàn)樵跉獾兜膮^(qū)域中，液滴可以以其他的方式與下表面接觸并且分散散開(kāi)的污染物和浸沒(méi) 液體。 正如從圖7看到的，氣刀21在Y方向(例如基本上平行于襯底臺(tái)WT的邊緣)上 具有長(zhǎng)度d2。長(zhǎng)度d2至少稍微大于傳感器ST或目標(biāo)ST在該方向(即基本上平行于襯底 臺(tái)WT的邊緣的Y方向)上的尺寸(例如直徑)dl。因而，氣刀21產(chǎn)生局部氣流。在本發(fā)明 的一實(shí)施例中，d2不大于dl的115%，期望地不大于其110%。期望地，距離d2至少等于 長(zhǎng)度dl，使得整個(gè)傳感器可以在傳感器/目標(biāo)在氣刀下(或在傳感器/目標(biāo)上的氣刀)的 單次通過(guò)中被清掃干凈。在一實(shí)施例中，可以具有更小的局部氣刀，例如長(zhǎng)度小于傳感器/ 目標(biāo)ST的尺寸的局部氣刀。然后，局部氣刀可以在多次通過(guò)中清潔傳感器/目標(biāo)ST。雖然 所示的氣刀是直的，但是氣刀21可以是曲線的或彎曲的。在那種情形中，由氣刀經(jīng)過(guò)傳感 器/目標(biāo)ST清掃的區(qū)域的寬度應(yīng)該符合前面的條件。在本段中，所指的氣刀21或傳感器 /目標(biāo)ST的尺寸應(yīng)該看成在傳感器被清掃時(shí)相應(yīng)部件在垂直于襯底臺(tái)WT和氣刀的相對(duì)移 動(dòng)方向的方向上的尺寸。在已知的浸沒(méi)光刻設(shè)備中，液體限制結(jié)構(gòu)具有在作為用以將液體 限制在投影系統(tǒng)下方的空間的布置的一部分的液體限制結(jié)構(gòu)的整個(gè)外周(例如圓周)周?chē)?延伸的氣刀。如果襯底臺(tái)的移動(dòng)范圍允許，則這種氣刀可以被操作以清掃襯底臺(tái)上的傳感 器/目標(biāo)ST。然而，這種氣刀可能是缺陷的成因。因而，期望使用局部氣刀，并且期望僅在 需要的時(shí)候操作氣刀。 局部氣刀21應(yīng)該具有足以轉(zhuǎn)移可能存在于傳感器或目標(biāo)上的任何液滴的氣流。 如果氣流流量高并且氣體出口被布置成操作過(guò)程中在氣體出口正下方形成壓力峰值，則所 述裝置的效率被提高。在一實(shí)施例中，氣體可以是空氣；干凈的干燥氣體，例如空氣；人造 空氣；和/或氮?dú)?N2)或者其他惰性氣體。局部氣刀的操作可以從傳感器或目標(biāo)移除液滴。 該液滴可以留在離開(kāi)傳感器/目標(biāo)ST的襯底臺(tái)的表面上。局部氣刀21可以將液滴朝向浸 沒(méi)空間11中的液體引導(dǎo)。液滴可以與液體11結(jié)合和/或可以被抽取。
如圖7所示，期望地，局部氣刀21被設(shè)置在液體限制結(jié)構(gòu)12的一側(cè)，使得氣刀可 以以最小的附加掃描來(lái)清掃傳感器/目標(biāo)ST。期望地，不需要實(shí)施為曝光而進(jìn)行的掃描之 上的附加掃描。在襯底臺(tái)包含將要特別地清掃液體的多個(gè)區(qū)域(例如多個(gè)傳感器或目標(biāo)) 的情況下，可以設(shè)置相應(yīng)數(shù)目的合適放置的液體轉(zhuǎn)移裝置20。例如，如圖7所示，存在兩個(gè) 傳感器/目標(biāo)ST和兩個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置20。 圖8示出液體轉(zhuǎn)移裝置的另一形式。結(jié)合圖9，圖8還輔助示出其操作方式。液 體轉(zhuǎn)移裝置在2007年5月17日遞交的系列號(hào)為11/798， 928的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中有所描述， 這里以參考的方式全文并入。在圖8中，示出了處于在傳感器/目標(biāo)ST上掃描的開(kāi)始狀態(tài) 的液體轉(zhuǎn)移裝置20a(和/或示出處于在液體轉(zhuǎn)移裝置20a下面掃描的開(kāi)始狀態(tài)的傳感器 /目標(biāo)ST)。圖9示出了部分通過(guò)這種掃描的液體轉(zhuǎn)移裝置的操作。
正如圖8所示，液體轉(zhuǎn)移裝置20a包括氣刀21和兩相抽取口 23。氣刀21被布置 成，例如設(shè)定成與前面提到的掃描的方向(例如X方向)成一角度。兩相抽取口 23被定位 在氣刀21的一端的附近，例如鄰近氣刀21的一端。如圖9所示，當(dāng)液體轉(zhuǎn)移裝置20a掃描 通過(guò)傳感器/目標(biāo)ST時(shí)，留在傳感器/目標(biāo)ST上的液體L(例如以液滴形式)通過(guò)氣刀21 被清掃。氣刀21從傳感器/目標(biāo)ST上去除液滴。氣刀21移動(dòng)液滴朝向兩相抽取口 23。
液體轉(zhuǎn)移裝置20a中氣刀21在垂直于氣刀相對(duì)于傳感器/目標(biāo)ST的移動(dòng)方向的 方向上(例如Y方向)的寬度與上面參照?qǐng)D7描述的液體轉(zhuǎn)移裝置20的氣刀21的條件相 同。也就是說(shuō)，在氣刀21和傳感器/目標(biāo)ST之間相對(duì)移動(dòng)的方向上，氣刀21的寬度d2符 合前面提到的相對(duì)于傳感器/目標(biāo)ST的有效區(qū)域STa的寬度dl的條件。在一實(shí)施例中， 當(dāng)需要的時(shí)候，開(kāi)啟液體轉(zhuǎn)移裝置20a，當(dāng)不需要的時(shí)候關(guān)斷它。例如，當(dāng)液體轉(zhuǎn)移裝置20a 面對(duì)傳感器/目標(biāo)ST的表面時(shí)操作液體轉(zhuǎn)移裝置。 圖10中示出了本發(fā)明的一實(shí)施例，其中在雙臺(tái)光刻設(shè)備中將襯底臺(tái)從曝光站ES 傳遞到測(cè)量站MS的過(guò)程中，從傳感器/目標(biāo)ST轉(zhuǎn)移走殘留液體。曝光站ES具有投影系統(tǒng) PS。在曝光站ES處曝光襯底以形成所需圖案。測(cè)量站MS具有一個(gè)或更多個(gè)傳感器以測(cè)量 襯底性質(zhì)。在測(cè)量站MS處在實(shí)施曝光之前執(zhí)行特征化步驟。特征化步驟可以包括襯底W 的性質(zhì)的特征化。特征化可以包括襯底W的性質(zhì)的測(cè)量。在一個(gè)襯底已經(jīng)完全曝光并且另 一襯底完全特征化之后，承載著已經(jīng)曝光的襯底的襯底臺(tái)被移動(dòng)到測(cè)量站，而承載著特征 化的襯底的襯底臺(tái)被移動(dòng)到曝光站。這個(gè)過(guò)程被稱(chēng)為"交換"。 在這個(gè)實(shí)施例中，期望多于一個(gè)的液體轉(zhuǎn)移裝置20b被定位成與襯底臺(tái)從測(cè)量站 移動(dòng)到曝光站以及從曝光站移動(dòng)到測(cè)量站所經(jīng)過(guò)的一條或多條路徑鄰近。為了避免襯底臺(tái) 之間的碰撞，由襯底臺(tái)在所述兩個(gè)站之間移動(dòng)所經(jīng)過(guò)的路徑是固定的。因此，一個(gè)或更多個(gè) 液體轉(zhuǎn)移裝置20b可以設(shè)置在固定位置，以便在交換步驟中清潔位于襯底臺(tái)中的每個(gè)上的 傳感器/目標(biāo)ST。 在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置20b被安裝到固定裝置，該固定裝置能夠使液體轉(zhuǎn) 移裝置相對(duì)于襯底臺(tái)WT的表面移動(dòng)。在一實(shí)施例中，固定裝置可以允許液體轉(zhuǎn)移裝置相對(duì) 于投影系統(tǒng)PS移動(dòng)。在圖10中，所述固定裝置是軌道SR。在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置 20b可以沿軌道移動(dòng)，液體轉(zhuǎn)移裝置20b被安裝在所述軌道上。液體轉(zhuǎn)移裝置可以包括致動(dòng) 器(例如電動(dòng)機(jī))用以實(shí)現(xiàn)移動(dòng)。在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置可以連接到可致動(dòng)的臂。
正如圖10所示，可以存在多個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置20b。液體轉(zhuǎn)移裝置20b每一個(gè)被安 裝在軌道SR上。液體轉(zhuǎn)移裝置20b每一個(gè)被安裝在軌道上一個(gè)位置處，使得傳感器/目標(biāo) ST在液體轉(zhuǎn)移裝置20b下面移動(dòng)，即在襯底臺(tái)WTa、 WTb在軌道SR下面通過(guò)時(shí)。當(dāng)液體轉(zhuǎn) 移裝置操作時(shí)，傳感器/目標(biāo)ST通過(guò)液體轉(zhuǎn)移裝置20b被清掃。 在圖10中示出的實(shí)施例中，有兩個(gè)襯底臺(tái)WTa、 WTb，每一個(gè)具有兩個(gè)傳感器/目 標(biāo)ST。在這種情形中，由于每個(gè)襯底臺(tái)WTa、WTb在軌道SR下面遵循其自身路徑，所以提供 四個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置。如果使用不同數(shù)目的臺(tái)(例如在具有曝光臺(tái)和測(cè)量臺(tái)的系統(tǒng)中)，則存 在不同數(shù)目的傳感器目標(biāo)，或者多于一個(gè)臺(tái)在曝光站和測(cè)量站之間使用同一個(gè)路徑，液體 轉(zhuǎn)移裝置20b的布置可以是不同的。例如，可能需要不同數(shù)目的液體轉(zhuǎn)移裝置。在具有多 個(gè)測(cè)量站的設(shè)備中，一個(gè)或更多個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置可以設(shè)置在鄰近曝光站和測(cè)量站之間的每 個(gè)傳遞路徑的適當(dāng)位置處。在這個(gè)實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置20b可以是圖6和7中示出的液體轉(zhuǎn)移裝置20的類(lèi)型或可以是圖8和9中示出的液體轉(zhuǎn)移裝置20a的類(lèi)型。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在圖11中示出。在這個(gè)實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置20c位于光 刻設(shè)備的裝載/卸載站處。在裝載/卸載站處是可致動(dòng)的臂，其配置用以將襯底定位在襯 底臺(tái)WT上、從襯底臺(tái)WT上移除襯底或進(jìn)行定位和移除襯底兩者。襯底臺(tái)可以位于裝載位 置以通過(guò)可致動(dòng)的臂將襯底放置到襯底臺(tái)上，或位于卸載位置用以通過(guò)可致動(dòng)的臂移除襯 底。裝載和卸載位置可以是襯底臺(tái)上的相同位置?？芍聞?dòng)的臂可以是裝載機(jī)械手LR、卸載 機(jī)械手ULR，或者兩者。在襯底曝光之后，承載襯底的襯底臺(tái)移動(dòng)到鄰近卸載機(jī)械手的卸載 位置。卸載機(jī)械手ULR可以從襯底臺(tái)WT移除曝光后的襯底W。襯底臺(tái)WT可以移動(dòng)到鄰近 裝載機(jī)械手LR的裝載位置。然后，裝載機(jī)械手LR將一個(gè)新的、將要被曝光的襯底放置在襯 底臺(tái)WT上。應(yīng)該指出的是，除了液體轉(zhuǎn)移裝置20、20a和20b以及其位置可以是不同的，參 照?qǐng)D11所述的交換襯底的操作可以在圖6-10中示出的每一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備中進(jìn)行。
在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置20c被定位成使得當(dāng)襯底臺(tái)在液體轉(zhuǎn)移裝置20c的 下面移動(dòng)時(shí)所述裝置20c在安裝在襯底臺(tái)WT上的傳感器/目標(biāo)ST上清掃。液體轉(zhuǎn)移裝置 可以位于固定裝置上，例如軌道SR。液體轉(zhuǎn)移裝置20c功能可以與前面所述相同。當(dāng)液體 轉(zhuǎn)移裝置20c操作以供給氣流時(shí)，液體轉(zhuǎn)移裝置可以在傳感器/目標(biāo)ST上清掃。在一實(shí)施 例中，傳感器/目標(biāo)ST在襯底臺(tái)WT上的布置和襯底臺(tái)WT從卸載位置移動(dòng)到裝載位置所經(jīng) 過(guò)的路徑期望是使得單個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置20c可以從位于襯底臺(tái)上的所有傳感器/目標(biāo)ST 上轉(zhuǎn)移液體(可以是一個(gè)傳感器/目標(biāo)ST)。在圖11中示出的實(shí)施例中，可以有兩個(gè)或更 多個(gè)傳感器/目標(biāo)ST。然而，在襯底臺(tái)WT上的傳感器/目標(biāo)ST的位置或襯底臺(tái)WT的路徑 可以不允許所有傳感器/目標(biāo)ST通過(guò)單個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置進(jìn)行清掃的情形中，可以在合適的 位置設(shè)置附加的液體轉(zhuǎn)移裝置，使得可以針對(duì)所有傳感器/目標(biāo)ST清掃液體。例如，在一 實(shí)施例中，兩個(gè)傳感器/目標(biāo)ST位于每個(gè)襯底臺(tái)的沿對(duì)角相對(duì)的角上并且提供兩個(gè)液體轉(zhuǎn) 移裝置。如果光刻設(shè)備具有多個(gè)裝載/卸載站，則可以提供相應(yīng)數(shù)目的液體轉(zhuǎn)移裝置。
在這個(gè)實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置20c可以是圖6-10中任一個(gè)所示出并描述的液體 轉(zhuǎn)移裝置20、20a、20b的類(lèi)型。 在一實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的液體轉(zhuǎn)移裝置30如圖12和13所示。液 體轉(zhuǎn)移裝置30可以鄰近傳感器SE。傳感器SE可以用于測(cè)量襯底W或襯底臺(tái)WT的性質(zhì)。 傳感器通過(guò)測(cè)量襯底臺(tái)WT的小區(qū)域進(jìn)行操作。小區(qū)域是傳感器斑點(diǎn)SS。在一實(shí)施例中， 液體轉(zhuǎn)移裝置30包括其尺寸與傳感器斑點(diǎn)SS尺寸相似的氣體噴嘴31。氣體噴嘴31面對(duì) 襯底臺(tái)WT的表面。當(dāng)傳感器和/襯底臺(tái)相對(duì)于另一個(gè)進(jìn)行移動(dòng)(例如掃描)以測(cè)量時(shí)，液 體轉(zhuǎn)移裝置30布置成位于傳感器斑點(diǎn)SS的前面。當(dāng)測(cè)量掃描被執(zhí)行時(shí)，當(dāng)傳感器/目標(biāo) ST靠近時(shí)，液體轉(zhuǎn)移裝置30被激活。在激活之后，液體轉(zhuǎn)移裝置從噴嘴31發(fā)射大體積和 /或高速氣流。如圖13所示，這可以實(shí)現(xiàn)從傳感器/目標(biāo)ST的將要進(jìn)行測(cè)量的位置轉(zhuǎn)移 液體L。液滴可以覆蓋傳感器/目標(biāo)ST。被去除液滴的傳感器/目標(biāo)ST的區(qū)域可以被測(cè) 量。液體可以從所述區(qū)域轉(zhuǎn)移離開(kāi)，或者可以分離進(jìn)入分離的區(qū)域，而使將要被測(cè)量的區(qū)域 沒(méi)有液體。液體被移除所在的區(qū)域可以是傳感器/目標(biāo)ST的任何區(qū)域，區(qū)域范圍從被測(cè)量 的區(qū)域到整個(gè)傳感器/目標(biāo)ST。 在一實(shí)施例中，噴嘴31的形狀可以被形成為引導(dǎo)氣流以引導(dǎo)液體從傳感器/目標(biāo) ST離開(kāi)。噴嘴可以引導(dǎo)與襯底臺(tái)WT的表面成銳角的氣流，噴嘴可以與襯底臺(tái)成銳角。噴嘴
1431可以朝向其開(kāi)口加寬。與噴嘴相關(guān)的可以是流體抽取開(kāi)口 (未示出)，可以通過(guò)流體抽 取開(kāi)口移除液體。液體可以以兩相流體流的形式被抽取。液滴(未示出)可以從將要被測(cè) 量的區(qū)域被轉(zhuǎn)移離開(kāi)。 能夠充分轉(zhuǎn)移殘留液體的來(lái)自噴嘴的氣流體積依賴(lài)于幾個(gè)因素。這些因素可以包 括將要被清潔液體的區(qū)域的尺寸、將要被轉(zhuǎn)移的液體的厚度和/或?qū)⒁晦D(zhuǎn)移的液滴的尺 寸。在一實(shí)施例中，氣流可以在噴嘴橫截面的0.3-31/min/mm2范圍內(nèi)。在一實(shí)施例中，氣 體可以是空氣；干凈的干燥氣體，例如空氣；作為人造空氣的氣體；和/或氮?dú)?N2)或者 其他惰性氣體，例如稀有氣體。 在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置被連接到致動(dòng)器(未示出)以允許它在不操作的時(shí) 候升起，而在操作的時(shí)候下降。正如圖6和7中的實(shí)施例，這種致動(dòng)器可以是例如螺線管或 電動(dòng)機(jī)和凸輪或氣動(dòng)系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置30被安裝成以便可以相對(duì)于襯底 臺(tái)WT垂直地移位。噴嘴31可以具有操作位置和存放位置。在操作位置，噴嘴31被定位成 靠近襯底臺(tái)。在存放位置，噴嘴31從襯底臺(tái)WT移除。液體轉(zhuǎn)移裝置30可以通過(guò)例如彈簧 被(彈性地)偏壓到一位置陣列而離開(kāi)襯底或襯底臺(tái)。致動(dòng)器可以是風(fēng)箱或活塞，當(dāng)啟動(dòng) 氣體供給時(shí)，所述風(fēng)箱或活塞可以填充氣體。風(fēng)箱或活塞布置成使得當(dāng)充有氣體時(shí)其驅(qū)動(dòng) 噴嘴31到操作位置。 雖然所述的液體轉(zhuǎn)移裝置30鄰近傳感器SE，但是它可以定位成使得它在傳感器 SE鄰近傳感器/目標(biāo)ST之前掃描傳感器/目標(biāo)ST。傳感器/目標(biāo)ST可以具有首先通過(guò) 液體轉(zhuǎn)移裝置30下面、然后通過(guò)傳感器SE的路徑。傳感器SE可以是任何類(lèi)型的傳感器， 其與傳感器/目標(biāo)ST—起操作以測(cè)量襯底臺(tái)和/或襯底的性質(zhì)。這種性質(zhì)可以包括襯底 表面的點(diǎn)或區(qū)域相對(duì)于參考平面的高度、襯底的全部或一部分的表面輪廓、和/或襯底上 的標(biāo)記相對(duì)于襯底上的傳感器或參考物(reference)的位置。 在一實(shí)施例中，傳感器SE是氣(例如空氣)壓計(jì)。作為氣壓計(jì)，傳感器SE可以采 用氣流(例如空氣)測(cè)量襯底W的高度。在一實(shí)施例中，氣壓計(jì)傳感器SE和液體轉(zhuǎn)移裝置 30可以結(jié)合在單個(gè)裝置內(nèi)。在這種結(jié)合的裝置中設(shè)置有控制器?？刂破鬟B接到氣體供給或 氣體泵?？刂破髋渲贸墒垢吡髁繗怏w流過(guò)噴嘴，以在實(shí)施測(cè)量之前從目標(biāo)轉(zhuǎn)移液體。為穩(wěn) 定氣流，控制器可以在轉(zhuǎn)移液體的操作和測(cè)量高度的操作之間引起延遲。在一實(shí)施例中，液 體去除操作是在每一次測(cè)量之前進(jìn)行的。在一實(shí)施例中，如果探測(cè)到傳感器或目標(biāo)上的液 體，例如如果測(cè)量結(jié)果是錯(cuò)誤的或超出有效范圍，則執(zhí)行液體去除操作。根據(jù)液體去除和測(cè) 量的需要開(kāi)啟和關(guān)斷來(lái)自噴嘴的氣流，或者所述氣流是連續(xù)的，其中流量根據(jù)需要改變。
圖12和13中的液體轉(zhuǎn)移裝置30可以用在上述實(shí)施例中任一個(gè)中替換液體轉(zhuǎn)移 裝置20、20a、20b、20c。 在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備的每個(gè)臺(tái)(例如用以支撐襯底的襯底臺(tái)和用以測(cè)量光刻 設(shè)備和/或襯底的部件的參數(shù)的測(cè)量臺(tái)MT)具有定位裝置，用以至少沿兩個(gè)方向(例如X和 Y)對(duì)所述臺(tái)移位。所述方向可以平行于保持在襯底臺(tái)上的襯底的平面。液體轉(zhuǎn)移裝置20、 20a、20b、20c、30可以沿垂直方向(例如Z方向)被致動(dòng)。在一實(shí)施例中，液體轉(zhuǎn)移裝置可 以是固定的，而所述臺(tái)可以沿三個(gè)正交方向或更多方向由定位裝置移動(dòng)。在一實(shí)施例中，不 管光刻設(shè)備的至少一個(gè)臺(tái)是固定的還是可移動(dòng)的，液體轉(zhuǎn)移裝置可以通過(guò)定位裝置沿兩個(gè) 或更多個(gè)方向移位。
期望盡可能快地從液滴存在的表面(例如襯底臺(tái))去除液滴。液滴留在所述表面 上的時(shí)間越長(zhǎng)，可能施加到所述表面上的熱負(fù)載就越大。因此，期望在液滴在所述表面上形 成之后很快就操作液體轉(zhuǎn)移裝置。期望地，液體轉(zhuǎn)移裝置可以靠近液滴的源。例如，液體轉(zhuǎn) 移裝置20、20a、30可以靠近液體限制結(jié)構(gòu)12，甚至可以是液體限制結(jié)構(gòu)12的一部分。這 樣的液體轉(zhuǎn)移裝置20、20a、30可以在液滴形成之后很快就轉(zhuǎn)移該液滴。在襯底交換附近操 作的液體轉(zhuǎn)移裝置20b帶來(lái)例如大約三秒的延遲。在襯底裝載和/或卸載過(guò)程中操作的液 體轉(zhuǎn)移裝置20c可以在液滴形成之后操作更長(zhǎng)的時(shí)間，例如在液滴形成之后操作大約5到 6秒。在測(cè)量過(guò)程中去除液滴的液體轉(zhuǎn)移裝置30可以是相對(duì)慢的系統(tǒng)，但是期望其去除液 滴。 圖14示出的液體轉(zhuǎn)移裝置40配置成與上述實(shí)施例中任一個(gè)所述的一樣，除了下 面所述例外。在一實(shí)施例中，與襯底臺(tái)WT和液體轉(zhuǎn)移裝置40之間的相對(duì)移動(dòng)相垂直的液 體轉(zhuǎn)移裝置的尺寸(例如液體轉(zhuǎn)移裝置的長(zhǎng)度)至少等于襯底臺(tái)WT的寬度(例如襯底臺(tái) WT的邊緣45的長(zhǎng)度)。當(dāng)襯底臺(tái)在液體轉(zhuǎn)移裝置40下面移動(dòng)時(shí)，例如液滴形式的液體將 會(huì)在一次通過(guò)中從襯底臺(tái)上的任何地方被去除，如箭頭44所示。 襯底臺(tái)可以在它從曝光位置朝向發(fā)生襯底交換的位置移動(dòng)的過(guò)程中被干燥。在一 實(shí)施例中，在移除曝光后的襯底之后、另一襯底被放置到襯底臺(tái)WT上之前操作液體去除裝 置。在一實(shí)施例中，在襯底交換之前襯底W仍然處于襯底臺(tái)上的位置時(shí)，操作液體轉(zhuǎn)移裝 置。那么，襯底臺(tái)上的襯底的曝光過(guò)的表面在襯底從襯底臺(tái)WT上移除之前將是干燥的。這 是期望的，因?yàn)檫@避免在移除襯底之后干燥襯底。同時(shí)，襯底臺(tái)表面和襯底臺(tái)上存在的傳感 器ST或目標(biāo)ST是干燥的。在移除之前干燥襯底W可能是有幫助的，因?yàn)橐r底下面的襯底 臺(tái)的表面的干燥可以不是必需的，因?yàn)槟抢餂](méi)有液體；然而，濕襯底的移除可能會(huì)讓液體流 到襯底臺(tái)的之前被覆蓋的表面上，這是不希望的。 在一實(shí)施例中，液體去除裝置的尺寸至少是襯底臺(tái)的寬度的一分?jǐn)?shù)比，例如是側(cè) 邊45的長(zhǎng)度的一半，如虛線42所示，示出在前面段中所述的具有一半所述長(zhǎng)度的液體去除 裝置。液體去除裝置的長(zhǎng)度用箭頭43表示。這種液體去除裝置40可以相對(duì)于襯底臺(tái)表面 掃描兩次，如圖15中箭頭46、48所示。襯底臺(tái)的整個(gè)表面可以采用尺寸被限定的液體去除 裝置40通過(guò)液體去除裝置干燥。液體去除裝置40可以是襯底臺(tái)的寬度的不同(例如更小 的)分?jǐn)?shù)比，例如是三分之一、四分之一、五分之一或任何分?jǐn)?shù)比，只要能允許有限次掃描 襯底臺(tái)表面。更少次掃描是期望的，因?yàn)檫@可以提高產(chǎn)量。在一實(shí)施例中，期望液體去除裝 置40的長(zhǎng)度比與用于掃描整個(gè)襯底臺(tái)的掃描相對(duì)應(yīng)的襯底臺(tái)的邊緣長(zhǎng)度的分?jǐn)?shù)比長(zhǎng)一點(diǎn) (例如比采用兩次掃描的1/2長(zhǎng)一點(diǎn)，比采用三次掃描的1/3長(zhǎng)一點(diǎn))。這可以是因?yàn)橄Ｍ?掃描的寬度重疊以有助于確?；旧弦r底臺(tái)的整個(gè)表面被干燥。 圖15示出在襯底臺(tái)WT上掃描時(shí)的液體去除裝置40。實(shí)線箭頭是已完成的掃描 路徑46。虛線箭頭表示液體去除裝置40相對(duì)于襯底臺(tái)的表面的剩余掃描路徑48。襯底臺(tái) 顯現(xiàn)目標(biāo)ST或傳感器ST。襯底臺(tái)具有傳感器和/或目標(biāo)ST'、 ST"，其沿襯底臺(tái)WT的一個(gè) 或更多個(gè)邊緣45的長(zhǎng)度延伸。在圖15中，一個(gè)傳感器目標(biāo)ST'沿著垂直于液體去除裝置 40的掃描路徑46、48的襯底臺(tái)WT的邊緣。 一個(gè)傳感器目標(biāo)ST'沿著平行于掃描路徑46、 48的襯底臺(tái)WT的邊緣。傳感器和/或目標(biāo)ST'、 ST"可以是例如編碼器格柵，其可以用于 測(cè)量襯底臺(tái)相對(duì)于投影系統(tǒng)的位置。
具有沿襯底臺(tái)WT的整個(gè)長(zhǎng)度45掃描(垂直于液體去除裝置的長(zhǎng)度)的液體去除 裝置40是期望的，因?yàn)檫@能夠在一次掃描移動(dòng)中干燥傳感器/目標(biāo)ST"的整個(gè)長(zhǎng)度。然 而，在液體去除裝置的長(zhǎng)度為襯底臺(tái)WT的邊緣的長(zhǎng)度的分?jǐn)?shù)比的情況中，掃描路徑可以與 前面已經(jīng)掃描的表面49重疊。液體去除裝置的掃描路徑的重疊對(duì)于液滴和它們相關(guān)的問(wèn) 題可能會(huì)存在風(fēng)險(xiǎn)。基于這種原因，期望具有盡可能長(zhǎng)的液體去除裝置，并且因此可以盡可 能少地發(fā)生掃描移動(dòng)。 在一實(shí)施例中，所考慮的尺寸是沿掃描或步進(jìn)方向的液體去除裝置40的長(zhǎng)度，而 不是就指液體去除裝置40的長(zhǎng)度。掃描方向、步進(jìn)方向或這兩個(gè)方向可以平行于襯底臺(tái)WT 的邊緣45。在這種布置中，所考慮的液體去除裝置40的尺寸可以垂直于襯底臺(tái)和液體去除 裝置40的相對(duì)移動(dòng)。則液體去除裝置40的長(zhǎng)度可以在襯底臺(tái)的平面內(nèi)相對(duì)于掃描方向或 步進(jìn)方向成角度。 前面提到的布置的實(shí)施例可以是在襯底W存在于襯底臺(tái)WT上的情況下操作或可 以是在襯底W不在襯底臺(tái)WT上的情況下操作。 正如所認(rèn)識(shí)到的，上述特征中的任一個(gè)可以與任何其他特征一起使用，并且不僅 僅是本申請(qǐng)中所覆蓋的已經(jīng)明確描述過(guò)的組合。 雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所 述的光刻設(shè)備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應(yīng)用，例如制 造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁 頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ) "晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯 底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并 且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下， 可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以 上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理 層的襯底。 這里使用的術(shù)語(yǔ)"輻射"和"束"包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)"透鏡"可以指 的是不同類(lèi)型的光學(xué)部件的任何一個(gè)或組合，包括折射式的和反射式的光學(xué)部件。
盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述 不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以采用包含用于描述一種如上面公開(kāi)的方法 的至少一個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的所述計(jì)算機(jī)程序的 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))的形式。此外，機(jī)器可讀指令可以嵌入在 兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序中。所述兩個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)在一個(gè)或更多個(gè)不同 的存儲(chǔ)器和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中。 當(dāng)所述一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序通過(guò)位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件內(nèi)部的一個(gè) 或更多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器讀取時(shí)，這里所述的控制器可以單獨(dú)一個(gè)或以組合的方式操作。所 述控制器可以單獨(dú)一個(gè)或以組合的方式具有任何合適的用于接收、處理和發(fā)送信號(hào)的配 置。 一個(gè)或更多個(gè)處理器配置成與所述至少一個(gè)控制器通信。例如，每個(gè)控制器可以包括 用于執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序的一個(gè)或更多個(gè)處理器，所述計(jì)算機(jī)程序包括用于上述方法的機(jī)器可
17讀指令。所述控制器可以包括用于存儲(chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，和/或用以容納 這種介質(zhì)的硬件。因而控制器可以根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令來(lái)操作。
本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用到任何浸沒(méi)光刻設(shè)備，尤其地但不排他 地，應(yīng)用到那些上面提到的類(lèi)型中以及那些浸沒(méi)液體是以浴器的形式僅提供到襯底的局部 表面區(qū)域或浸沒(méi)液體不受限制的類(lèi)型中。在非限制的布置中，浸沒(méi)液體可以流到襯底和/ 或襯底臺(tái)的表面上，使得基本上襯底臺(tái)和/或襯底的整個(gè)未覆蓋表面都被浸濕。在這種非 限制的浸沒(méi)系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒(méi)流體，或者其可以提供一定比例的浸沒(méi) 液體限制，而不是基本上完全限制浸沒(méi)液體。 本文中的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該廣義地理解。在特定的實(shí)施例中，所述液體供給系統(tǒng) 可以是提供液體到投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間的一機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合。所述 液體供給系統(tǒng)可以包括一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)、一個(gè)或更多個(gè)流體開(kāi)口的組合、所述一個(gè)或更 多個(gè)流體開(kāi)口包括一個(gè)或更多個(gè)液體開(kāi)口 、一個(gè)或更多個(gè)氣體開(kāi)口或一個(gè)或更多個(gè)用于兩 相流動(dòng)的開(kāi)口。每一個(gè)開(kāi)口可以是進(jìn)入浸沒(méi)空間的入口 (或流出流體處理結(jié)構(gòu)的出口)或 是流出浸沒(méi)空間的出口 (或進(jìn)入流體處理結(jié)構(gòu)的入口 )。在一實(shí)施例中，所述空間的表面可 以是襯底和/或襯底臺(tái)的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的 表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺(tái)。所述液體供給系統(tǒng)可以可選地進(jìn)一步包 括一個(gè)或更多個(gè)用以控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流量或任何其他特征的元件。
在一實(shí)施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括臺(tái)，液體處理結(jié)構(gòu)和液體轉(zhuǎn)移裝置。所述 臺(tái)配置用以支撐襯底、傳感器或所述襯底和所述傳感器。所述臺(tái)具有表面和傳感器、用于所 述表面上的傳感器的目標(biāo)、或所述傳感器和所述目標(biāo)兩者。所述液體處理結(jié)構(gòu)提供液體到 鄰近所述襯底和/或臺(tái)的空間。液體轉(zhuǎn)移裝置包括氣體出口。氣體出口配置用以引導(dǎo)局部 氣流朝向傳感器和/或目標(biāo)，以便從所述傳感器和/或目標(biāo)轉(zhuǎn)移液體。 光刻設(shè)備可以包括對(duì)準(zhǔn)傳感器。所述目標(biāo)可以包括能夠由所述對(duì)準(zhǔn)傳感器探測(cè)的 標(biāo)記。 光刻設(shè)備可以包括高度傳感器。所述目標(biāo)可以包括用于所述高度傳感器的參考平 面。所述高度傳感器可以是氣壓計(jì)。 所述目標(biāo)可以包括安裝在所述臺(tái)的表面上的格柵。所述設(shè)備可以包括編碼器，所 述編碼器配置用以與所述格柵協(xié)作測(cè)量所述臺(tái)的移位。 所述光刻設(shè)備可以包括定位裝置。所述定位裝置可以布置用以相對(duì)于液體轉(zhuǎn)移裝 置對(duì)所述臺(tái)進(jìn)行移位。所述定位裝置可以布置用以掃描通過(guò)所述液體轉(zhuǎn)移裝置的所述臺(tái)的 表面的一部分。 在一實(shí)施例中，氣流是氣刀。液體轉(zhuǎn)移裝置可以包括開(kāi)口。所述開(kāi)口可以配置用 以移除液體。所述開(kāi)口可以連接到負(fù)壓源。 所述光刻設(shè)備可以包括測(cè)量站、曝光站以及臺(tái)傳遞裝置。測(cè)量站可以具有配置用 以測(cè)量所述臺(tái)的性質(zhì)的傳感器。曝光站可以具有配置以將圖像投影到由所述臺(tái)支撐的襯底 上的投影系統(tǒng)。所述臺(tái)傳遞裝置可以配置用以在所述測(cè)量站和曝光站之間沿傳遞路徑傳遞 所述臺(tái)。液體轉(zhuǎn)移裝置可以定位成鄰近所述傳遞路徑。所述液體轉(zhuǎn)移裝置定位成不鄰接所 述傳遞路徑。 光刻設(shè)備可以包括測(cè)量站。所述測(cè)量站可以具有配置用以測(cè)量所述臺(tái)的性質(zhì)的傳感器。所述液體轉(zhuǎn)移裝置可以定位于測(cè)量站中。 光刻設(shè)備可以包括裝載裝置。裝載裝置可以配置用以將襯底裝載到所述臺(tái)上。液 體轉(zhuǎn)移裝置可以定位成鄰近所述裝載裝置。 液體轉(zhuǎn)移裝置可以安裝到液體處理結(jié)構(gòu)。在平行于所述表面的平面的方向上氣流 的最大尺寸可以不超過(guò)在所述方向上的傳感器和/或目標(biāo)的最大尺寸的115%，期望地不 超過(guò)其110%。在一實(shí)施例中，液體處理結(jié)構(gòu)不包括氣刀。 光刻設(shè)備可以包括致動(dòng)器。所述致動(dòng)器可以沿垂直于所述表面的平面的方向?qū)σ?體轉(zhuǎn)移裝置進(jìn)行移位。所述目標(biāo)和/或傳感器可以包括多個(gè)目標(biāo)和/或傳感器，其彼此間 隔分開(kāi)。所述設(shè)備可以包括多個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置，每一個(gè)液體轉(zhuǎn)移裝置與一個(gè)或更多個(gè)目標(biāo) 和/或傳感器相關(guān)聯(lián)。 在一實(shí)施例中，提供一種器件制造方法，包括投影、卸載、裝載、測(cè)量和轉(zhuǎn)移步驟。 在投影步驟中，圖案的圖像通過(guò)浸沒(méi)液體被投影到由具有目標(biāo)、傳感器或目標(biāo)和傳感器兩 者的襯底臺(tái)所保持的第一襯底上。在卸載步驟中，所述第一襯底從襯底臺(tái)上卸載。在裝載 步驟中，第二襯底被裝載到所述襯底臺(tái)上。在測(cè)量步驟中，所述目標(biāo)的性質(zhì)被測(cè)量或使用所 述傳感器進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)所述第二襯底由所述襯底臺(tái)保持。在轉(zhuǎn)移步驟中，采用局部氣流從 所述目標(biāo)和/或所述傳感器轉(zhuǎn)移液體。 所述轉(zhuǎn)移步驟可以在所述投影步驟之后、所述卸載步驟之前實(shí)施。所述方法可以 包括在所述投影步驟之后、所述卸載步驟之前將所述襯底臺(tái)從曝光站傳遞到裝載站。所述 轉(zhuǎn)移步驟可以與所述傳遞步驟并行地實(shí)施。 所述方法可以包括在所述投影步驟之后、卸載步驟之前將襯底臺(tái)從曝光站傳遞到 卸載站。所述轉(zhuǎn)移步驟可以在所述傳遞步驟之前執(zhí)行。 所述轉(zhuǎn)移步驟可以在所述卸載步驟之后、所述裝載步驟之前實(shí)施。所述轉(zhuǎn)移步驟 可以與所述卸載步驟并行地實(shí)施。所述轉(zhuǎn)移步驟可以與所述裝載步驟并行地實(shí)施。所述轉(zhuǎn) 移步驟可以在所述裝載步驟之后、所述卸載步驟之前實(shí)施。 所述方法可以包括探測(cè)所述測(cè)量步驟是否已經(jīng)正確地執(zhí)行；以及如果所述測(cè)量 步驟沒(méi)有正確地執(zhí)行，則重復(fù)所述轉(zhuǎn)移步驟和測(cè)量步驟。測(cè)量所述目標(biāo)的性質(zhì)包括測(cè)量所 述目標(biāo)相對(duì)于傳感器的位置。 在一實(shí)施例中，提供一種器件制造方法，包括投影、移動(dòng)、卸載、測(cè)量和轉(zhuǎn)移步驟。 在投影步驟中，圖案的圖像通過(guò)浸沒(méi)液體被投影到由襯底臺(tái)保持的第一襯底上，浸沒(méi)液體 通過(guò)液體限制結(jié)構(gòu)被限制在投影系統(tǒng)和襯底之間。在移動(dòng)步驟中，液體限制結(jié)構(gòu)被移動(dòng)到 具有目標(biāo)、傳感器或目標(biāo)和傳感器兩者的測(cè)量臺(tái)，或者所述測(cè)量臺(tái)被移動(dòng)到所述液體限制 結(jié)構(gòu)。在卸載步驟中，所述第一襯底從襯底臺(tái)上卸載。在裝載步驟中，第二襯底被裝載到所 述襯底臺(tái)上。在測(cè)量步驟中，所述目標(biāo)的性質(zhì)被測(cè)量或使用所述傳感器進(jìn)行測(cè)量。在轉(zhuǎn)移 步驟中，采用局部氣流從所述目標(biāo)和/或所述傳感器轉(zhuǎn)移液體。 以上描述旨在進(jìn)行解釋?zhuān)皇窍拗菩缘摹Ｒ蚨?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解， 在不脫離下述權(quán)利要求的保護(hù)范圍的前提下可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行變更。
權(quán)利要求
一種光刻設(shè)備，包括臺(tái)，其配置用以支撐襯底、傳感器、或所述襯底和所述傳感器兩者，所述臺(tái)具有表面和傳感器、用于所述表面上的傳感器的目標(biāo)、或所述傳感器和所述目標(biāo)兩者；液體處理結(jié)構(gòu)，其用以提供液體到鄰近所述襯底和/或臺(tái)的空間；和液體轉(zhuǎn)移裝置，所述液體轉(zhuǎn)移裝置包括氣體出口，所述氣體出口配置用以朝向所述傳感器和/或目標(biāo)引導(dǎo)局部氣流，以便從所述傳感器和/或目標(biāo)轉(zhuǎn)移液體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，還包括對(duì)準(zhǔn)傳感器，并且其中所述目標(biāo)包括能夠 由所述對(duì)準(zhǔn)傳感器探測(cè)的標(biāo)記。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻設(shè)備，還包括高度傳感器，并且其中所述目標(biāo)包括用 于所述高度傳感器的參考平面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻設(shè)備，其中，所述高度傳感器是氣壓計(jì)。
5. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述目標(biāo)包括安裝在所述臺(tái) 的所述表面的格柵，并且所述設(shè)備還包括編碼器，所述編碼器配置成與所述格柵協(xié)作以測(cè) 量所述臺(tái)的移位。
6. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括定位裝置，所述定位裝置布 置用以相對(duì)于所述液體轉(zhuǎn)移裝置對(duì)所述臺(tái)進(jìn)行移位。
7. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述氣流是氣刀。
8. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，其中，所述液體轉(zhuǎn)移裝置還包括開(kāi) 口 ，所述開(kāi)口配置用以去除液體，所述開(kāi)口可選地連接到負(fù)壓源。
9. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括 測(cè)量站，所述測(cè)量站具有配置用以測(cè)量所述臺(tái)的性質(zhì)的傳感器；曝光站，所述曝光站具有配置用以將圖像投影到由所述臺(tái)支撐的襯底上的投影系統(tǒng)；和臺(tái)傳遞裝置，所述臺(tái)傳遞裝置配置用以在所述測(cè)量站和所述曝光站之間沿傳遞路徑傳 遞所述臺(tái)，其中所述液體轉(zhuǎn)移裝置定位成鄰近所述傳遞路徑。
10. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括測(cè)量站，所述測(cè)量站具有配 置用以測(cè)量所述臺(tái)的性質(zhì)的傳感器，其中所述液體轉(zhuǎn)移裝置定位在所述測(cè)量站中。
11. 根據(jù)前面的權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備，還包括裝載裝置，所述裝載裝置配 置用以將襯底裝載到所述臺(tái)上，其中所述液體轉(zhuǎn)移裝置定位成鄰近所述裝載裝置。
12. —種器件制造方法，包括步驟將圖案的圖像通過(guò)浸沒(méi)液體投影到由具有目標(biāo)、傳感器或所述目標(biāo)和傳感器兩者的襯 底臺(tái)所保持的第一襯底上；將所述第一襯底從所述襯底臺(tái)上卸載； 將第二襯底裝載到所述襯底臺(tái)上；測(cè)量所述目標(biāo)的性質(zhì)或使用所述傳感器，同時(shí)所述第二襯底由所述襯底臺(tái)保持；禾口 使用局部氣流從所述目標(biāo)和/或所述傳感器轉(zhuǎn)移液體。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在以下一個(gè)或更多個(gè)條件下執(zhí)行所述轉(zhuǎn)移步驟在所述卸載步驟之后和所述裝載步驟之前； 與所述卸載步驟并行； 與所述裝載步驟并行；在所述裝載步驟之后和所述卸載步驟之前；禾口 在所述投影步驟之后和所述卸載步驟之前。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)移步驟是在所述投影步驟之后和所述 卸載步驟之后執(zhí)行的，并且所述方法還包括步驟在所述投影步驟之后和所述卸載步驟之 前將所述襯底臺(tái)從曝光站傳遞到裝載站，其中所述轉(zhuǎn)移步驟與所述傳遞步驟并行地執(zhí)行， 或者所述轉(zhuǎn)移步驟在所述傳遞步驟之前執(zhí)行，或所述轉(zhuǎn)移步驟與所述傳遞步驟并行地執(zhí)行 且在所述傳遞步驟之前執(zhí)行。
15. —種器件制造方法，包括步驟將圖案的圖像通過(guò)浸沒(méi)液體投影到由襯底臺(tái)保持的第一襯底上，所述浸沒(méi)液體通過(guò)液 體限制結(jié)構(gòu)被限制在投影系統(tǒng)和所述襯底之間；將所述液體限制結(jié)構(gòu)移動(dòng)到具有目標(biāo)、傳感器或所述目標(biāo)和傳感器兩者的測(cè)量臺(tái)，或 者將所述測(cè)量臺(tái)移動(dòng)到所述液體限制結(jié)構(gòu)；從所述襯底臺(tái)卸載所述第一襯底；將第二襯底裝載到所述襯底臺(tái)上；測(cè)量所述目標(biāo)的性質(zhì)或使用所述傳感器；禾口使用局部氣流從所述目標(biāo)和/或傳感器轉(zhuǎn)移液體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光刻設(shè)備和器件制造方法。所述光刻設(shè)備具有包括目標(biāo)和/或傳感器的臺(tái)，和用以采用局部氣流從目標(biāo)和/或傳感器轉(zhuǎn)移液體的液體轉(zhuǎn)移裝置。液體轉(zhuǎn)移裝置可以定位在多個(gè)位置處，例如安裝在曝光站處的液體處理裝置、鄰近曝光站和測(cè)量站之間的傳遞路徑或位于曝光站和測(cè)量站之間的移動(dòng)路徑中、以及位于裝載/卸載站處或鄰近傳感器。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101794079SQ20091025382
公開(kāi)日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2009年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月8日
發(fā)明者C·C·W·沃斯帕蓋特, C·R·德格魯特, D·L·恩斯陶特茲, G-J·G·J·T·布朗德斯, J·C·范德豪文, J·H·W·雅克布斯, M·H·卡姆普斯, M·J·范德贊登, M·K·斯塔文卡, P·M·M·利布瑞格特斯, R·A·J·馬斯, R·J·M·皮倫斯, R·J·布魯斯, T·E·J·克娜蓬, V·K·巴達(dá)姆, Y·J·L·M·范多麥倫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司