專利名稱：用于液晶顯示面板的顯示基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于具有改進開口率(opening ratio)的液晶顯示器的顯示基板。
背景技術(shù)：
通常，LCD面板包括顯示基板、相對基板和液晶層。顯示基板包括多個用做開關(guān)元件以驅(qū)動多個像素的薄膜晶體管(TFT)。相對基板包括公共電極。液晶層被置于顯示基板和相對基板之間。液晶層的光透射率響應(yīng)所施加的電場而變化，由此顯示圖像。
有兩種類型的LCD顯示器。垂直對準(VA)模式LCD面板和定模(pattern)垂直對準(PVA)模式。在VA模式LCD中，在缺少施加的電場從而顯示黑色的情況下，液晶以垂直方向?qū)?。在PVA模式中，公共電極和像素電極被定模以限定多個域，由此增加該LCD面板的視角。
PVA模式LCD包括在相對基板上形成的黑矩陣，用于抑制經(jīng)過所述顯示基板的每個像素電極的開口而泄露的光。為了補償所述顯示基板和所述黑矩陣之間的未對準，黑矩陣的大小增加。但是，當黑矩陣的大小增加時，所述像素的開口率降低了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有改進開口率的顯示基板，根據(jù)本發(fā)明一個方面的顯示基板包括第一像素部件、第二像素部件、第三像素部件、第一像素電極、第二像素電極和第三像素電極。第一像素部件包括電連接到第n柵極線和第m源極線的第一開關(guān)元件；第二像素部件包括電連接到第(n-1)柵極線和第m源極線的第二開關(guān)元件，所述第二像素部件與所述第一像素部件相鄰；第三像素部件包括電連接到第(n+1)柵極線和第m源極線上的第三開關(guān)元件，所述第三像素部件與所述第一像素部件相鄰；電連接到所述第一開關(guān)元件的第一像素電極，該第一像素電極形成于所述第一和第二像素部件上；電連接到所述第二開關(guān)元件的第二像素電極，該第二像素電極形成于所述第二像素部件的一部分上；和電連接到所述第三開關(guān)元件的第三像素電極，該第三像素電極形成于所述第一和第三像素部件上。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的LCD面板包括顯示基板和相對基板。所述顯示基板包括第一像素部件、第二像素部件、第三像素部件、第一像素電極、第二像素電極和第三像素電極。第一像素部件包括被電連接到第n柵極線和第m源極線的第一開關(guān)元件；第二像素部件包括被電連接到第(n-1)柵極線和第m源極線的第二開關(guān)元件；第三像素部件包括被電連接到第(n+1)柵極線和第m源極線的第三開關(guān)元件；被電連接到所述第一開關(guān)元件的第一像素電極，該第一像素電極形成于所述第一和第二像素部件上；被電連接到所述第二開關(guān)元件的第二像素電極，該第二像素電極形成于所述第二像素部件的一部分上；和被電連接到所述第三開關(guān)元件的第三像素電極，該第三像素電極形成于所述第一和第三像素部件上；以及相對基板與所述顯示基板相結(jié)合以放置液晶層，該相對基板包括與所述源極線相對應(yīng)的黑矩陣。
根據(jù)本發(fā)明再一個方面的LCD器件包括LCD面板和液晶源模塊。LCD面板包括第一像素部件、第二像素部件、第三像素部件、第一像素電極、第二像素電極和第三像素電極。第一像素部件包括電連接到第n柵極線和第m源極線的第一開關(guān)元件；第二像素部件包括電連接到第(n-1)柵極線和第m源極線的第二開關(guān)元件；第三像素部件包括電連接到第(n+1)柵極線和第m源極線的第三開關(guān)元件；被電連接到所述第一開關(guān)元件的第一像素電極，該第一像素電極形成于所述第一和第二像素部件上；被電連接到所述第二開關(guān)元件的第二像素電極，該第二像素電極形成于所述第二像素部件的一部分上；和被電連接到所述第三開關(guān)元件的第三像素電極，該第三像素電極形成于所述第一和第三像素部件上；以及光源模塊向所述液晶顯示面板提供光。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的液晶彩色顯示器包括多個像素、像素電極和用于驅(qū)動所述像素的薄膜晶體管。每個所述像素包括用于所述每種色彩的相應(yīng)的像素部件、像素電極和薄膜晶體管；所述第一像素電極部分地形成于所述第一和第二像素部件上；所述第二像素電極部分地形成于所述第二像素部件和所述第三像素部件上；和所述第三像素電極部分地形成于所述第三像素部件和與該像素部件相鄰的像素部件上。
顯示基板包括陣列基板、陣列相關(guān)色彩過濾(COA)基板、陣列相關(guān)黑矩陣(BOA)基板和有機發(fā)光顯示器(OLDE)基板等。根據(jù)本發(fā)明，像素的開口率增加，從而改進了LCD器件的圖像顯示質(zhì)量。所述開口率是顯示面板的有效顯示區(qū)域與總顯示區(qū)域的比率。光可以穿過有效顯示區(qū)域來顯示圖像。


通過結(jié)合附圖閱讀說明書，本發(fā)明的上述和其它目的和特性將會變得更加明顯，其中圖1的平面視圖示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的液晶顯示(LCD)器件；圖2的電路圖示出了圖1所示的LCD面板的像素；圖3的時序圖示出了圖1所示的LCD面板的操作；圖4的平面視圖示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LCD面板；圖5的剖面圖示出了沿圖4所示的線1-1’所取的剖面視圖；圖6A、7A和8A的剖面視圖示出了制造圖5所示顯示的基板的方法；和圖6B、7B和8B的平面視圖示出了制造圖5所示顯示的基板的方法。
具體實施例方式
下面將參照示出了本發(fā)明實施例的附圖詳細描述本發(fā)明。在附圖中，未清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可以被夸張。應(yīng)當理解，當元件或?qū)颖环Q作“在另一元件或?qū)又稀?、“連接到另一元件或?qū)印被颉榜詈系搅硪辉驅(qū)印睍r，它可能是直接地“在...”、“連接到”或“耦合到”另一元件或?qū)由?，也可能存在介入元件或介入層。相反，當一個元件被稱作“直接位于...之上”、“直接連接到...”或“直接耦合到...”時，則不存在介入元件或介入層。在整個附圖中，相同的數(shù)字指代相同的元件。應(yīng)當理解，這里所使用的諸如第一、第二、第三等的術(shù)語僅僅是為了便于使一個元件、構(gòu)成、區(qū)域、層或部件與其它的區(qū)域、層、或部件相互區(qū)別，這些術(shù)語不用于限制。這里所使用的諸如“在...之下”、“在...下面”、“較低”、“上面”和“較高”等空間相對術(shù)語是為了容易描述一個元件或特性與其他元件或特性之間的特性關(guān)系并試圖包含除了附圖所描述的取向以外該器件在使用和操作中的不同取向。這里，參照簡要示出了本發(fā)明理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的剖面視圖描述本發(fā)明的實施例。這樣，可以指望作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果所示形狀的變化。這樣，本發(fā)明的實施例將不被結(jié)構(gòu)為對這里所示區(qū)域的特定形狀的限制，而是要包括由例如制造所導致的形狀偏差。例如，被表示為矩形的注入?yún)^(qū)域通常都具有圓形或曲線特性和/或在其邊緣處的注入濃度的梯度而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域的二進制變化。類似的，通過注入所形成的埋入?yún)^(qū)域可以導致在埋入?yún)^(qū)域和經(jīng)其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。由此，在附圖中示出的區(qū)域在特性方面被簡化了，并且它們的形狀并不局限于器件區(qū)域的實際形狀，附圖中示出的形狀并不限制本發(fā)明的范圍。
參看圖1到3，LCD器件包括LCD面板100和用于驅(qū)動該LCD面板100的驅(qū)動單元200。LCD面板100包括顯示基板110、相對基板120和液晶層(未示出)。液晶層置于顯示基板110和相對基板120之間。顯示基板110包括顯示區(qū)域DA、第一外圍區(qū)域PA1和第二外圍區(qū)域PA2。
在顯示區(qū)域DA中形成多個柵極線GL1，...，GLN和多個源極線DL1，...，DLM。柵極線GL1，...，GLN沿著第一方向X延伸，源極線DL1，...，DLM沿著與第一方向X交叉的第二方向Y延伸。所述源極線和柵極線GL1，...，CLN，DL1，...，DLM限定了多個像素部件P1、P2和P3。在像素部件P1、P2和P3上分別形成多個開關(guān)元件TFT1、TFT2和TFT3。多個像素電極PE1、PE2和PE3被分別電連接到開關(guān)元件TFT1、TFT2和TFT3。
具體地說，第一開關(guān)元件TFT1形成于第一像素部件P1上。第一開關(guān)元件TFT1被電連接到第m源極線DLM和第n柵極線GLN。另外，第一開關(guān)元件TFT1被電連接到第一像素電極PE1和第一存儲電容器CST1。
第一像素電極PE1形成于第一像素部件P1和在第二方向Y上與該第一像素部件P1相鄰的第二像素部件上。第一像素電極PE1和相對基板120的公共電極形成第一液晶電容器CST1。
第二開關(guān)元件TFT2形成于第二像素部件P2上。第二開關(guān)元件TFT2被電連接到第m源極線DLm和第(n-1)柵極線GLn-1。另外，第二開關(guān)元件TFT2被電連接到第二像素電極PE2和第二存儲電容器SCT2。
第二像素電極PE2形成于第二像素部件P2和在第二方向Y上與第二像素部件P2相鄰的像素部件上。第二像素電極PE2和相對基板120的公共電極形成第二液晶電容器CST2。
第三開關(guān)元件TFT3形成于第三像素部件P3上。第三開關(guān)元件TFT3被電連接到第m源極線DLm和第(n+1)柵極線GLn+1。另外，第三開關(guān)元件TFT3被電連接到第三像素電極PE3和第三存儲電容器SCT3。
第三像素電極PE3形成于第三像素部件P3和在第二方向Y上與該第三像素部件P3相鄰的第一像素部件P1上。第三像素電極PE3和相對基板120的公共電極形成第三液晶電容器CST3。
驅(qū)動單元200包括源極驅(qū)動部件210和柵極驅(qū)動部件230。源極驅(qū)動部件210可以是安裝在第一外圍區(qū)域A1上的單個芯片。源極驅(qū)動部件210基于從外部經(jīng)過柔性印刷電路板230提供給LCD面板100的數(shù)據(jù)信號和控制信號將多個數(shù)據(jù)信號施加給源極線DL1，...，DLM。在圖3中，源極驅(qū)動部件210將紅、綠和藍數(shù)據(jù)信號R_d、G_d和B_d施加給源極線DL1，...，DLM。所述紅、綠和藍數(shù)據(jù)信號R_d、G_d和B_d被作為DATA_OUT示出在圖3的頂行。柵極驅(qū)動部件220可以被集成到第二外圍區(qū)域PA2上，以將多個柵極信號施加給柵極線GL1，...，GLN。
參看圖2和3，柵極驅(qū)動部件220在1H周期期間輸出三個柵極信號。具體地說，當紅色數(shù)據(jù)信號R_d被施加給源極線DLm-1和DLm時，柵極驅(qū)動部件220向第(n-1)柵極線GLn-1施加第(n-1)柵極信號。當綠色數(shù)據(jù)信號G_d被施加給源極線DLm-1和DLm時，柵極驅(qū)動部件220向第n柵極線GLn施加第n柵極信號。當藍色數(shù)據(jù)信號B_d被施加給源極線DLm和DLm時，柵極驅(qū)動部件220向第(n+1)柵極線GLn+1施加第(n+1)柵極信號。
參看圖4和5，LCD器件包括LCD面板300和光源模塊400。光源模塊400向LCD面板300提供光L。LCD面板300包括顯示基板110、相對基板120和液晶層LC。相對基板120面對顯示基板110。液晶層LC被置于顯示基板110和相對基板120之間。
顯示基板110包括第一基礎(chǔ)(base)基板101、多個柵極線GLn-2，...，GLn+1、多個源極線DLm-1和DLm以及第一、第二和第三像素部件P1、P2和P3。第一、第二和第三像素部件P1、P2和P3由柵極和源極線GLn-1，...，GLn+1，DLm-1和DLm定義。
第一開關(guān)元件TFT1和第一存儲電容器CST1形成于第一像素部件P1上。第一開關(guān)元件TFT1被電連接到第一像素電極PE1和第一存儲電容器CST1。
第一開關(guān)元件TFT1包括第一柵極131、第一源極151和第一漏極152。第一柵極131被電連接到第n柵極線GLn。第一源極151被電連接到第m源極線DLm。第一漏極152經(jīng)過第一接觸孔161電連接到第一像素電極PE1。半導體層形成于第一柵極131上第一源極151和第一漏極152之間。該半導體層包括有效(active)層141和N+非晶硅層142。鈍化層(passivation)103和有機絕緣層104形成于第一開關(guān)元件TFT1和第一像素電極PE1之間。
例如，第一開關(guān)元件TFT1和第一接觸孔161形成于第一像素部件P1的外圍部分上。即，第一開關(guān)元件TFT1和第一接觸孔161形成于其上沒有形成均勻電場的第一像素部件P1的外圍部分上。由此可以增加第一像素部件P1的打開口率。
第二開關(guān)元件TFT2和第二存儲電容器CST2形成于第二像素部件P2上。第二開關(guān)元件TFT2被電連接到第二像素電極PE2和第二存儲電容器CST2上。
第二開關(guān)元件TFT2包括第二柵極132、第二源級153和第二漏極154。第二柵極132被電連接到第(n-1)柵極線GLn-1。第二源極153被電連接到第m源極線DLm。第二漏極154經(jīng)過第二接觸孔162電連接到第二像素電極PE2。半導體層(未示出)形成于第二柵極132上、第二源極153和第二漏極154之間。鈍化層103和有機絕緣層104形成于第二開關(guān)元件TFT2和第二像素電極PE2之間。
例如，第二開關(guān)元件TFT2和第二接觸孔162形成于第二像素部件P2的外圍部分上。即，第二開關(guān)元件TFT2和第二接觸孔162形成于其上沒有形成均勻電場的第二像素部件P2的外圍部分上。由此，可以增加第二像素部件P2的開口率。
第三開關(guān)元件TFT3和第三存儲電容器CST3形成于第三像素部件P3上。第三開關(guān)元件TFT3被電連接到第三像素電極PE3和第三存儲電容器CST3。
第三開關(guān)元件TFT 3包括第三柵極133、第三源極155和第三漏極156。第三柵極133被電連接到第(n+1)柵極線GLn+1。第三源極155被電連接到第m源極線DLm，和第三漏極156經(jīng)過第三接觸孔163電連接到第三像素電極PE3。半導體層(未示出)形成于第三柵極133上、第三源極155和第三漏極156之間。鈍化層103和有機絕緣層104形成于第三開關(guān)元件TFT3和第三像素電極PE3之間。
例如，第三開關(guān)元件TFT3和第三接觸孔163形成于第三像素部件P3的外圍部分上。即，第三開關(guān)元件TFT3和第三接觸孔163形成于其上沒有形成均勻電場的第三像素部件P3的外圍部分上。由此，可以增加第三像素部件P3的開口率。
第一像素電極PE1形成于第一像素部件P1和與該第一像素部件P1相鄰的第二像素部件P2上。第一像素電極PE1與第(m-1)源極線DLm部分重疊。由此，可以增加第一像素部件P1的開口率。
在圖4和5中，第一像素電極PE1包括第一子電極S11、第二子電極S12和第三子電極S13。液晶層LC的液晶響應(yīng)施加到在第一、第二和第三子電極S11、S12和S13與相對基板120的公共電極之間的液晶上的電場來改變排列。在第一像素電極PE1的第一、第二和第三子電極S11、S12和S13上的液晶可以各種方向排列，由此可以增加該顯示面板的視角。
第二像素電極PE2形成于第二像素部件P2和與該第二像素部件P2相鄰像素部件上。第二像素電極PE2與第(m-1)源極線DLm-1部分重疊。由此可以增加第二像素部件P2的開口率。第二像素電極PE2可以包括第一子電極S21、第二子電極S22和第三子電極S23。在該第二像素電極PE2的第一子電極、第二子電極和第三子電極S21、S22和S23上的液晶可以在各個方向上排列，從而增加了所述顯示面板的視角。
第三像素電極PE3形成于第三像素部件P3和與該第三像素部件P3相鄰的第一像素部件P1上。第三像素電極PE3與第(m-1)源極線DLm-1部分重疊。由此，可以增加第三像素部件P3的開口率。第三像素電極PE3可以包括第一子電極S31、第二子電極S32和第三子電極S33。在第三像素電極PE3的第一子電極S31、第二子電極S32和第三子電極S33上的液晶可以在各個方向上排列，從而增加了所述顯示面板的視角。
第一存儲電容器CST1包括第一公共線134、第一金屬電極157和置于第一公共線134和第一金屬電極157之間的柵極絕緣層。
第一公共線134形成于第一和第三像素電極PE1和PE3之間的第一像素部件P1的部分上。即，第一公共線134形成于除第一和第三像素電極PE1和PE3以外的第一像素部件P1上。第一公共線134抑制由光源模塊300產(chǎn)生的光。第一公共線134被用做第一存儲電容器CST1的第一電極。具體地說，第一公共線134被置于第一和第三像素電極PE1和PE3之間的區(qū)域以及第一和第三像素電極PE1和PE3中每一個的子電極之間的區(qū)域。
第一金屬電極157從第一漏極152開始延伸，并被電連接到第一像素電極PE1。第一金屬電極157與第一公共線134重疊，并被用做第一存儲電容器CST1的第二電極。
第二存儲電容器CST2包括第二公共線135、第二金屬電極158和甚至在第二公共線135和第二金屬電極158之間的柵極絕緣層。
第二公共線135形成于第一和第二像素電極PE1和PE2之間的第二像素部件P2的一部分上。即，第二公共線135形成于除第一和第二像素電極PE1和PE2以外的第二像素部件P2上。第二公共線135抑制從光源模塊300產(chǎn)生的光。該第二公共線135被用做第二存儲電容器CST2的第一電極。具體地說，第二公共線135被置于第一和第二像素電極PE1和PE2之間的區(qū)域以及第一和第二像素電極PE1和PE2中每一個的子電極之間的區(qū)域。
第二金屬電極158從第二漏極154開始延伸，并被電連接到第二像素電極PE2。第二金屬電極158與第二公共線135重疊，并被用做第二存儲電容器CST2的第二電極。
第三存儲電容器CST3包括第三公共線136、第三金屬電極159以及置于第三公共線136和第三金屬電極159之間的柵極絕緣層。
第三公共線136形成于第三和第四像素電極PE3和PE4之間第三像素部件P3的一部分上。即，第三公共線136形成于除第三和第四像素電極PE3和PE4以外的第三像素電極P3上。第三公共線136抑制從光源模塊300產(chǎn)生的光。第三公共線136被用做第三存儲電容器CST3的第一電極。具體地說，第三公共線136被置于第三和第四像素電極PE3和PE4之間的區(qū)域以及第三和第四像素電極PE3和PE4中每一個的子電極之間的區(qū)域。
第三金屬電極159從第三漏極156開始延伸，并被電連接到第三像素電極PE3。第三金屬電極159與第三公共線136相互重疊，并被用作第三存儲電容器CST3的第二電極。
相對基板120包括第二基礎(chǔ)基板201；黑矩陣122；多個色彩過濾結(jié)構(gòu)(pattern)123a、123b和123c；多個凸出結(jié)構(gòu)(pattern)125和公共電極127。所述黑矩陣122、多個色彩過濾結(jié)構(gòu)123a、123b、123c和多個凸出結(jié)構(gòu)125以及公共電極127都形成于所述第二基礎(chǔ)基板201上。
黑矩陣122對應(yīng)于源極線DLm-1和DLm，且不形成于與柵極線GLn-2、GLn-1、GLn和GLn+1以及像素電極PE1、PE2、PE3和PE4對應(yīng)的區(qū)域上。
具體地說，存儲電容器CST1、CST2和CST3被形成于像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEk的子電極S1k、S2k和S 3k之間，其中，k是1、2或3。即，存儲電容器CST1、CST2和CST3被形成于像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEK的子電極S1k、S2k和S3k之間，這樣，入射到像素電極PE1、PE2和PE3所屬的空間的光被抑制。存儲電容器CST1、CST2和CST3也可以被用作黑矩陣122。
因此，存儲電容器CST1、CST2和CST3抑制入射到像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEk的子電極S1k、S2k和S 3k之間的空間的光，因此，黑矩陣122不可以形成于像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEk的子像素S1k、S2k和S3k之間。當黑矩陣122覆蓋像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEk的子電極S1k、S2k和S3k之間的空間時，黑矩陣122可以具有比像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEk的子電極S1k、S2k和S3k之間的空間較大的寬度，因此，減小了所述開口率。但是，在圖4和5中，與像素電極PE1、PE2和PE3之間以及像素電極PEk的子像素S1k、S2k和S3k之間的空間相對應(yīng)的黑矩陣122被省略掉了，因此，增加了所述開口率。
色彩過濾結(jié)構(gòu)123a、123b和123c分別對應(yīng)于像素電極PE1、PE2和PE3，并包括紅、綠和藍色過濾結(jié)構(gòu)。
具體地說，綠色過濾結(jié)構(gòu)123a對應(yīng)于第一像素電極PE1。紅色過濾結(jié)構(gòu)123b對應(yīng)于第二像素電極PE2。藍色過濾結(jié)構(gòu)123c對應(yīng)于第三像素電極PE3。
凸出結(jié)構(gòu)125分別對應(yīng)于像素電極PE1、PE2和PE3的子電極的中心。例如，凸出結(jié)構(gòu)125分別形成于第一像素電極PE1的第一、第二和第三子電極S11、S12和S13的中心上。即，凸出結(jié)構(gòu)125位于第n柵極線GLn上。
公共電極127形成于具有凸出結(jié)構(gòu)125的第二基礎(chǔ)基板121上。液晶層LC的液晶響應(yīng)公共電極127和像素電極PE1、PE1和PE3之間形成的電場而改變排列，由此改變液晶層LC的光透射率，由此顯示具有預(yù)定灰度級的圖像。
在圖4和5中，液晶層LC具有垂直對準(VA)模式。在VA模式中，當像素電極PE1、PE2和PE3與公共電極127之間的液晶層LC為等電勢時，所述液晶被垂直對準。液晶層LC的液晶環(huán)繞所述凸出結(jié)構(gòu)125。另外，像素電極PE1、PE2和PE3具有多個子電極。因此，液晶被分成多個域，從而增加了視角。
圖6A、7A和8A是剖面視圖，它們示出了制造圖5所示的顯示基板的方法。圖6B、7B和8B是平面視圖，它們示出了制造圖5所示的顯示基板的方法。
參看圖4、6A和6B，柵極金屬層被設(shè)置在第一基板101上。該柵極金屬層被定模(pattern)以形成多個柵極金屬結(jié)構(gòu)(pattern)。該柵極金屬結(jié)構(gòu)包括多個柵極線GLn-1，...，GLn+1、多個開關(guān)元件TFT1、TFT2和TFT3的多個柵極131、132和133以及多個存儲電容器CST1、CST2和CST3的多個公共線134、135和136。
具體地說，第一存儲電容器CST1的第一公共線134形成于由第(n-1)柵極線和第n柵極線GLn定義的第一像素部件P1上。第一存儲電容器CST1的第一公共線134在基本平行于柵極線GLn-1，...，GLn+1的方向上延伸。第一公共線134形成于對應(yīng)于第一像素部件P1的第一和第三像素電極PE1和PE3之間以及第一和第三像素電極PE1和PE3的子電極之間。因此，第一公共線134抑制入射到與第一像素部件P1對應(yīng)的第一和第三像素電極PE1和PE3之間以及第一和第三像素電極PE1和PE3的子電極之間的空間的光。
柵極絕緣層102形成于具有所述柵極金屬結(jié)構(gòu)的第一基礎(chǔ)基板101上。柵極絕緣層102包括絕緣材料?？捎糜跂艠O絕緣層102的絕緣材料的例子包括氮化硅、氧化硅等。例如，所述柵極絕緣層102的厚度可以約為 半導體層140形成于柵極絕緣層102上。
非晶硅層141和n+非晶硅層142可以依序形成于柵極絕緣層102上。例如，非晶硅薄膜被沉積在柵極絕緣層102上，而N+雜質(zhì)被注入到非晶硅薄膜的上面部分，以在非晶硅層141上形成N+非晶硅層142。非晶硅層141和N+非晶硅層142被定模，以便在第一柵極131上形成半導體層140。
參看圖4、7A和7B，源極金屬層形成于具有半導體層140的第一基礎(chǔ)基板101上。該源極金屬層被定模以形成多個源極金屬結(jié)構(gòu)。
所述源極金屬結(jié)構(gòu)包括多個源極線DLm-1和DLm、多個源極151、153和155、多個漏極152、154和156以及存儲電容器CST1、CST2和CST3的多個金屬電極。
具體地說，第一存儲電容器CST1的第一金屬電極157與第一公共線相互重疊。即，第一金屬電極157形成于與第一像素部件P1對應(yīng)的第一和第三像素電極PE1和PE3之間，以及第一和第三像素電極PE1和PE3的子電極之間。這樣，第一金屬電極157、第一公共線134和柵極絕緣層102形成第一存儲電容器CST1。第一存儲電容器CST1抑制入射到與第一像素部件P1對應(yīng)的第一和第三像素電極PE1和PE3之間以及該第一和第三像素電極PE1和PE3的子電極之間的空間的光。
參看圖4、8A和8B，鈍化層103形成于具有所述源極金屬結(jié)構(gòu)(pattern)的第一基礎(chǔ)基板101上。鈍化層103包括絕緣材料?？梢员挥米魉鲡g化層103的絕緣材料的例子包括氮化硅和氧化硅等。例如，鈍化層103的厚度布大于約 可以經(jīng)過旋轉(zhuǎn)涂敷法在鈍化層103上涂敷約2μm到4μm的有機光阻層，以便形成有機絕緣層104。
經(jīng)過光刻(photolithography)處理，可以在鈍化層103和有機絕緣層104中形成多個可以經(jīng)其使漏極被部分曝光的接觸孔。具體地說，所述接觸孔包括第一接觸孔161、第二接觸孔162和第三接觸孔163。從第一開關(guān)元件TFT1的第一漏極152開始延伸的第一金屬電極經(jīng)過第一接觸孔161被部分地曝光。從第二開關(guān)元件TFT2的第二漏極154開始延伸的第二金屬電極經(jīng)過第二接觸孔162被部分地曝光。從第三開關(guān)元件TFT3的第三漏極156開始延伸的第三金屬電極經(jīng)過第三接觸孔163被部分地曝光。
第一、第二和第三接觸孔161、162和163分別形成于第一、第二和第三像素部件P1、P2和P3的外圍部分上。在第一、第二和第三像素部件P1、P2和P3的外圍部分上不能可能對電場進行控制。具體地說，第一接觸孔161與定義第一像素部件P1的第m源極線DLm相鄰，并且位于第一開關(guān)元件TFT1的上部。
在具有第一、第二和第三接觸孔161、162和163的第一基礎(chǔ)基板101上形成透明傳導層。該透明傳導層被定模，以形成多個透明電極結(jié)構(gòu)(pattern)。所述透明傳導層包括透明傳導材料。能夠被用于該透明傳導層的透明傳導材料的例子包括氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(izo)，氧化銦錫鋅(itzo)等。這些材料可以被單獨或相互組合使用。
所述透明電極結(jié)構(gòu)包括第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3。所述第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3分別經(jīng)過第一、第二和第三接觸孔161、162和163電連接到第一、第二和第三開關(guān)元件TFT1、TFT2和TFT3。
具體地說，第一像素電極PE1經(jīng)過第一接觸孔161電連接到第一漏極152，并位于第一和第二像素部件P1和P2上。另外，第一像素電極PE1部分地與第(m-1)源極線DLm-1相互重疊，以及有機絕緣層104被置于第一像素電極PE1和第(m-1)源極線DLm-1之間。由此，增加了第一像素部件P1的開口率。
第一像素電極PE1包括第一子電極S11、第二子電極S12和第三子電極S13。第一、第二和第三子電極S11、S12和S13彼此相互電連接。因此，通過在第一、第二和第三子電極S11、S12和S13與相對基板120的公共電極127之間形成的電場劃分液晶層LC的液晶，借此以增加所述視角。
根據(jù)本發(fā)明，所述存儲電容器形成于像素電極之間，從而使得所述像素電極之間的部分黑矩陣可以被省略掉。另外，所述存儲電容器還可以被形成于所述像素電極的子電極之間。這樣，所述像素電極的開口率增加。
此外，經(jīng)其可以將所述開關(guān)元件電連接到像素電極上的接觸孔形成于電場不可控的像素電極的外圍部分上，因此，增加了像素電極的開口率。
已經(jīng)結(jié)合范例性實施例描述了本發(fā)明。但是很明顯，本領(lǐng)域的偶通技術(shù)人員可以根據(jù)前述做出很多可選擇的修改。因此，本發(fā)明包含落入所附權(quán)利要求精神和范圍內(nèi)的所有這種可選擇的修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括第一像素部件，其包括電連接到第n柵極線和第m源極線的第一開關(guān)元件；第二像素部件，其包括電連接到第(n-1)柵極線和第m源極線的第二開關(guān)元件，所述第二像素部件與所述第一像素部件相鄰；第三像素部件，其包括電連接到第(n+1)柵極線和第m源極線上的第三開關(guān)元件，所述第三像素部件與所述第一像素部件相鄰；電連接到所述第一開關(guān)元件的第一像素電極，該第一像素電極形成于所述第一和第二像素部件上；電連接到所述第二開關(guān)元件的第二像素電極，該第二像素電極形成于所述第二像素部件的一部分上；和電連接到所述第三開關(guān)元件的第三像素電極，該第三像素電極形成于所述第一和第三像素部件上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，在所述第一、第二和第三部件上分別形成電連接到第一像素電極的第一存儲電容器、電連接到第二像素電極的第二存儲電容器和電連接到第三像素電極的第三存儲電容器。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第一存儲電容器形成于所述第一和第三像素電極之間，所述第二存儲電容器形成于所述第一和第二像素電極之間，和所述第三存儲電容器形成于所述第二像素電極和與該第二像素電極相鄰的第四像素電極之間。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第一、第二和第三像素電極中的每一個都包括多個子電極。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中，所述第一、第二和第三存儲電容器延伸到所述第一像素電極的子電極之間的空間、所述第二像素電極的子電極之間的空間和所述第三像素電極的子電極之間的空間。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，還包括形成于所述第一、第二和第三開關(guān)元件與所述第一、第二和第三像素電極之間的有機絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示基板，其中，所述第一、第二和第三像素電極的末端部分與所述源極線部分重疊。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中，所述第一、第二和第三存儲電容器中的每一個都包括從與所述柵極線基本相同的金屬層形成的公共線；從與所述源極線基本相同的金屬層形成的金屬電極。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，還包括第一接觸部件，經(jīng)過該第一接觸部件可以將所述第一開關(guān)元件電連接到所述第一像素電極；第二接觸部件，經(jīng)過該第二接觸部件可以將所述第二開關(guān)元件電連接到所述第二像素電極；和第三接觸部件，經(jīng)過該第三接觸部件可以將所述第三開關(guān)元件電連接到所述第三像素電極。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示基板，其中，所述第一、第二和第三接觸部件分別形成于所述第一、第二和第三像素部件的外圍部分上。
11.一種液晶顯示面板，包括顯示基板，包括第一像素部件，其包括被電連接到第n柵極線和第m源極線的第一開關(guān)元件；第二像素部件，其包括被電連接到第(n-1)柵極線和第m源極線的第二開關(guān)元件；第三像素部件，其包括被電連接到第(n+1)柵極線和第m源極線的第三開關(guān)元件；被電連接到所述第一開關(guān)元件的第一像素電極，該第一像素電極形成于所述第一和第二像素部件上；被電連接到所述第二開關(guān)元件的第二像素電極，該第二像素電極形成于所述第二像素部件的一部分上；和被電連接到所述第三開關(guān)元件的第三像素電極，該第三像素電極形成于所述第一和第三像素部件上；和與所述顯示基板相結(jié)合以放置液晶層的相對基板，該相對基板包括與所述源極線相對應(yīng)的黑矩陣。
12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其中，分別在所述第一、第二和第三像素部件上形成基本上在與所述柵極線平行的方向上延伸并被電連接到所述第一像素電極的第一存儲電容器、基本上在與所述柵極線平行的方向上延伸并被電連接到所述第二像素電極的第二存儲電容器、以及基本上是在與所述柵極線平行的方向上延伸并被電連接到所述第三像素電極的第三存儲電容器。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示面板，其中所述相對基板還包括與所述第一像素電極對應(yīng)的第一色彩過濾結(jié)構(gòu)、與所述第二像素電極對應(yīng)的第二色彩過濾結(jié)構(gòu)、與所述第三像素電極對應(yīng)的第三色彩過濾結(jié)構(gòu)，和與所述第三色彩過濾結(jié)構(gòu)相鄰的第四色彩過濾結(jié)構(gòu)，所述第一存儲電容器被置于所述第一和第三色彩過濾結(jié)構(gòu)之間，所述第二存儲電容器被置于所述第一和第二色彩過濾結(jié)構(gòu)之間；和所述第三存儲電容器被置于所述第三和第四色彩過濾結(jié)構(gòu)之間。
14.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示面板，其中，所述第一、第二和第三像素電極中的每一個都包括多個子電極，并且所述相對基板還包括分別與所述子電極對應(yīng)的多個凸出結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示面板，其中，所述第一、第二和第三存儲電容器延伸到所述第一像素電極的所述子電極之間的空間、所述第二像素電極的所述子電極之間的空間和所述第三像素電極的所述子電極之間的空間。
16.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其中，所述顯示基板還包括第一接觸部件，經(jīng)過該第一接觸部件，所述第一開關(guān)元件被電連接到所述第一像素電極，該第一接觸部件位于所述第一像素部件的外圍部分上；第二接觸部件，經(jīng)過該第二接觸部件，所述第二開關(guān)元件被電連接到所述第二像素電極，該第二接觸部件位于所述第二像素部件的外圍部分上；和第三接觸部件，經(jīng)過該第三接觸部件，所述第三開關(guān)元件被電連接到所述第三像素電極，該第三接觸部件位于所述第三像素部件的外圍部分上。
17.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其中，所述顯示基板還包括置于所述第一、第二和第三開關(guān)元件與所述第一、第二和第三像素電極之間的有機絕緣層。
18.一種液晶顯示器件，包括液晶顯示面板，包括第一像素部件，包括電連接到第n柵極線和第m源極線的第一開關(guān)元件；第二像素部件，包括電連接到第(n-1)柵極線和第m源極線的第二開關(guān)元件；第三像素部件，包括電連接到第(n+1)柵極線和第m源極線的第三開關(guān)元件；被電連接到所述第一開關(guān)元件的第一像素電極，該第一像素電極形成于所述第一和第二像素部件上；被電連接到所述第二開關(guān)元件的第二像素電極，該第二像素電極形成于所述第二像素部件的一部分上；和被電連接到所述第三開關(guān)元件的第三像素電極，該第三像素電極形成于所述第一和第三像素部件上；和用于向所述液晶顯示面板提供光的光源模塊。
19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器件，其中，分別在所述第一、第二和第三像素部件上形成被電連接到所述第一像素電極的第一存儲電容器、被電連接到所述第二像素電極的第二存儲電容器和被電連接到所述第三像素電極的第三存儲電容器。
20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件，其中，所述第一存儲電容器抑制入射到所述第一和第三像素電極之間的空間的光；所述第二存儲電容器抑制入射到所述第一和第二像素電極之間的空間的光；和所述第三存儲電容器抑制入射到所述第三像素電極和與該第三像素電極相鄰的第四像素電極之間的空間的光。
21.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件，其中，所述第一、第二和第三像素電極中的每一個都包括多個子電極。
22.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示器件，其中，所述第一存儲電容器抑制入射到所述第一和第三像素電極的子電極之間的空間的光；所述第二存儲電容器抑制入射到所述第一和第二像素電極的子電極之間的空間的光；和所述第三存儲電容器抑制入射到所述第一和第四像素電極的子電極之間的空間的光。
23.一種具有多個像素、像素電極和用于驅(qū)動所述像素的薄膜晶體管的液晶彩色顯示器，其改進包括在每個所述像素處，包括用于所述每種色彩的相應(yīng)的像素部件、像素電極和薄膜晶體管；所述第一像素電極部分地形成于所述第一和第二像素部件上；所述第二像素電極部分地形成于所述第二像素部件和所述第三像素部件上；和所述第三像素電極部分地形成于所述第三像素部件和與該像素部件相鄰的像素部件上。
全文摘要
顯示基板包括具有第一開關(guān)元件的第一像素部件、具有第二開關(guān)元件的第二像素部件、具有第三開關(guān)元件的第三像素部件、第一像素電極、第二像素電極和第三像素電極。第三像素部件與第一像素部件相鄰。第一像素電極電連接到第一開關(guān)元件，并形成于第一和第二像素部件上。第二像素電極電連接到第二開關(guān)元件，并形成于第二像素部件的一部分上，第三像素電極電連接到第三開關(guān)元件，并形成于第一和第三像素部件上。因此，增加了開口率，借此改進了圖像顯示質(zhì)量。
文檔編號G02F1/133GK1959506SQ20061013178
公開日2007年5月9日 申請日期2006年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月3日
發(fā)明者崔晉榮, 全珍 申請人:三星電子株式會社