專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及液晶顯示器(LCD)及其制造方法。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)在平板顯示器中應用廣泛。LCD包括兩個具有場發(fā)生電極(即像素電極和公共電極)的屏板或基板，以及插置其間的液晶(LC)層。LCD通過向電極施加電壓，以便在LC層內產生電場而顯示圖像，所述電場決定LC層中LC分子的取向，以調整入射光的極化和LCD的亮度。
LC具有介電各向異性和折射各相異性。介電各向異性使LC層內的電場控制LC分子的取向，折射各相異性引起入射光的相位延遲，以調整LCD的亮度。
常規(guī)LCD的一個缺點在于其具有窄視角。人們已經提出了各種拓寬視角的技術。其中一項此類技術利用垂直配向LC，其借助了諸如像素電極和公共電極的場發(fā)生電極上的切口或突起。所述突起或切口使最初的電場發(fā)生扭曲，并使像素被劃分為多個區(qū)域(region)或域(domain)，使得每一區(qū)域能夠具有LC分子的不同傾斜方向。但是，像素邊緣處的邊界條件防礙了處于像素邊緣處的LC分子發(fā)生預期傾斜，從而降低了諸如亮度和透光率的工作特性。
因此，需要一種不存在上述常規(guī)LCD的缺點的LCD裝置。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種LCD裝置及其制造方法，其能夠提高LCD裝置的亮度和透光率。在根據(jù)本發(fā)明的示范性LCD裝置中，所述LCD裝置包括顯示圖像的多個像素；形成于每一像素上的透明導體；設置于所述透明導體上的突起，所述突起具有取決于其在所述像素上所處的位置的不同尺寸；以及在所述像素中配向的液晶層。
在一個實施例中，所述突起包括第一部分和第二部分，所述第一部分連接至所述第二部分，并且所述第二部分的尺寸小于所述第一部分。所述第一部分相對于所述像素的邊緣傾斜，所述第二部分平行于所述像素的邊緣。所述LCD裝置還可以包括第三部分，其位于所述第一部分的中央并且尺寸小于所述第一部分。所述第三部分可以大于等于所述第二部分。
在根據(jù)本發(fā)明的另一示范性LCD裝置中，所述LCD顯示裝置包括第一基板和面對所述第一基板的第二基板；插置在第一基板和第二基板之間的液晶層；形成于所述第一基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線，它們相互交叉以界定像素；形成于每一像素上的，并具有切口部分的像素電極；形成于所述第二基板上并面對所述像素電極的公共電極；以及形成于所述像素上的突起，其在所述像素的不同區(qū)域上具有不同的尺寸。
所述切口和所述突起彼此間隔，并且相互作用以形成多個區(qū)域或域。在另一個實施例中，在所述第一基板和所述第二基板之間插置間隔體，所述間隔體由與所述突起相同的材料形成并高于所述突起?？梢酝ㄟ^對同一光致抗蝕劑膜構圖同時形成所述間隔體和所述突起。由于所形成的間隔體的高度大于所述突起，因此，以大于所述突起的高度的厚度形成所述光致抗蝕劑膜。這使得控制用于形成具有不同尺寸的突起的光致抗蝕劑膜的去除更加容易。所述突起包括相對于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線傾斜的第一部分和平行于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線的第二部分，所述第二部分具有小于所述第一部分的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造LCD的方法包括在第一基板上形成柵極線以及與所述柵極線交叉以界定像素的數(shù)據(jù)線；在所述像素上形成具有切口的像素電極；在所述第二基板上形成面對所述像素電極的公共電極；在所述公共電極的對應于所述像素的區(qū)域上形成突起，其中，所述突起的尺寸在像素的不同區(qū)域上是不同的；以及組裝所述第一基板和所述第二基板。
考慮下文中對本發(fā)明的示范性實施例的詳細說明，尤其是結合附圖中的一些圖示來考慮，將更好地理解本發(fā)明的改進的LCD的上述和很多其他特征和優(yōu)點，其中，采用類似的附圖標記標識在一幅或幾幅附圖中示出的類似的元件。


對于本領域的普通技術人員而言，通過參考附圖對其示范性實施例的詳細描述，本發(fā)明的特征將變得更加顯見，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD裝置的基板的示意平面圖；圖2A和圖2B分別是以深灰色示出了作為突起高度的函數(shù)的亮度和對比率的曲線圖；圖3A和圖3B是示出了針對不同突起寬度的作為灰度級函數(shù)的光透射效率的曲線圖；圖4是具有各種突起寬度的像素的顯微照片；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD裝置的平面圖；圖5B是沿圖5A的I-I′線得到的橫截面圖；以及圖6到圖12是說明根據(jù)本發(fā)明實施例形成圖5A和圖5B所示的LCD裝置的各個處理步驟的截面圖。
具體實施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD裝置的基板的示意平面圖?；?包括透明電極10、向上突出的突起20和設置在基板1上的液晶(LC)30。在透明電極10上形成一個或多個突起20，通過施加電壓使LC分子30按某一傾斜角配向。LCD裝置包括上部和下部基板?；?可以是二者中的任意一個。如果基板1為下部基板，那么透明電極10為像素電極，下部基板包括界定像素(虛線)的柵極線GL和交叉的數(shù)據(jù)線DL。如果基板1為上部基板，那么透明電極10為形成于整個基板上的在像素區(qū)之間不存在分隔的公共電極。
通常，出于制造的便利性，通過光致抗蝕劑構圖在上部基板上形成突起20，在下文中將對其予以詳細說明。也就是說，下部基板包括切口，所述切口具有與突起相同的功能，并且其可以在形成像素電極的同時，在不需要額外處理的情況下，形成于像素電極上。因此，在下部基板上形成切口而不是突起是有利的。因而，應當在上部基板上形成突起。
LC分子30基于通過在上部和下部基板的透明電極之間施加的電壓差而產生的電場發(fā)生傾斜。突起20扭曲或改變原始(primary)電場，引起分子沿相對于(against)突起20的對稱方向傾斜。
常規(guī)地，不管在像素中所處的位置如何，突起都具有相同的尺寸，但是根據(jù)本發(fā)明的一個方面，突起20具有取決于其位置的不同尺寸。突起的“尺寸(size)”是指由突起的面積和高度決定的突起的體積。
圖2A和圖2B分別是以深灰色示出了作為突起高度的函數(shù)的LCD裝置的亮度和對比率的曲線圖，其中突起的寬度為常數(shù)。
參考圖2A，以深灰色表示的亮度隨著突起高度的增大而增強。在不存在電場時，LC分子與基板表面垂直配向，這時由于不透過光而顯示黑色。在產生電場之后，分子水平傾斜，由此提高了透光率。隨著分子的傾斜方向接近水平方向，顯示顏色接近白色。原則上，黑色的亮度為“0”。但是，當采用突起后，由于某些LC分子的傾斜方向是沿突起表面的非垂直方向，因此存在光泄漏。隨著突起高度的增大，光泄漏增強，如圖2A所示。也就是說，隨著突起高度的增大，LC分子將沿更為水平的方向傾斜。
將圖2B與圖2A相比，隨著黑色亮度增大，對比率(CR，即，白色狀態(tài)與黑色狀態(tài)的亮度比或光透射率比)在降低。如圖2B所示，隨著突起高度從1.13μm增大至1.5μm，對比率降低了大約5倍。
圖3A和圖3B是示出了針對不同突起寬度的作為灰度級函數(shù)的光透射效率的曲線圖。圖3A和圖3B分別示出了二級效率和三級效率。很多因素都會對透光率造成影響?！耙患壭省笔侵钢T如有源(active)顯示面積或開口率的結構因素作用下的透射率，“二級效率”受施加到LC上的電壓電平的作用，“三級效率”受LC分子的配向均勻性的作用。圖3A和圖3B上的數(shù)值表示用于形成突起的掩模圖案的寬度，而不是實際的突起寬度。掩模圖案寬度和突起寬度之間的差值大約為2μm，隨著掩模圖案寬度增大，突起寬度也變大。
參考圖3A和3B，二級效率隨著突起寬度的降低而增大，三級效率與突起寬度成正比增大。這些結果能夠做如下解釋。
在透明電極上由絕緣材料形成突起，由此在設置突起的區(qū)域內阻擋并減弱LC層中的電場。因此，突起尺寸的增大引起了電場的減弱。因而，二級效率隨著突起寬度的降低而增大。
三級效率由“紋理(texture)”效應決定?！凹y理”是指LC不被突起充分控制的區(qū)域。例如，在突起所在區(qū)域內，LC分子與其他區(qū)域不規(guī)則配向，從而導致了即使在白色狀態(tài)下，該區(qū)域的顯示也會較其他區(qū)域暗。但是，如果突起寬度增大，那么突起將對更多的LC區(qū)域起作用，從而更好地控制配向，并降低不規(guī)則配向。因此，如圖3B所示，隨著突起寬度增大，紋理減少，三級效率增大。也就是說，隨著突起尺寸增大，突起對LC的控制力增強。
于是，從圖2A到圖3B可以看到，突起的尺寸，即高度和寬度根據(jù)突起的位置為LCD裝置的運行提供了優(yōu)點或缺點。因此，本發(fā)明在像素的不同位置上提供了具有不同尺寸的突起。
參考圖1，突起20包括相對于柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL以某一角度傾斜的第一部分21和平行于柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL的第二部分22。如圖1的箭頭所示，隨著第一部分21的尺寸的增大，第二部分22的尺寸降低。在一個實施例中，第一部分21具有與第二部分22相同的寬度和比第二部分22更高的高度。在另一個實施例中，第一部分21還具有比第二部分22寬的寬度。第一部分21和第二部分22之間的尺寸差由諸如像素尺寸或顯示分辨率的設計規(guī)則決定。當?shù)谝缓偷诙糠种g的尺寸差異大時，在銳利的傾斜面的作用下，光泄漏可能增強。因此，當?shù)谝缓偷诙糠种g具有大尺寸差時，應當使第一部分21和第二部分22的寬度與高度的比率保持近乎恒定，以防止過多的光泄漏。
在像素邊緣，LC層內所產生的電場與像素內部不同，因為每一像素均由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL隔離并與之鄰接。這些線承載諸如柵極開啟電壓和數(shù)據(jù)電壓的電信號，從而使LC分子不規(guī)則配向。為了減輕這一問題并在像素內部和邊界處都獲得均勻配向，應當增強突起對LC的控制力。因此，提高像素邊緣處的第一部分21的尺寸增強了對LC的控制力，從而使分子規(guī)則配向。
第二部分22與第一部分21的一端相連接，并與柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL平行。與第一部分21相比，第二部分22沿不同方向影響LC，從而遏制LC在像素邊界處不規(guī)則排列。如果第二部分22的尺寸比第一部分21大，那么與第二部分22鄰接的分子可能以和像素內部的分子不同的方式配向。因此，第二部分22的尺寸小于第一部分21。
圖4示出了具有不同突起寬度的像素的顯微照片。如圖3A和圖3B所示，寬度數(shù)值是指用于形成突起的掩模圖案的寬度。
如圖4所示，隨著突起寬度增大，區(qū)域“A”變暗，區(qū)域“B”變亮。圖4的區(qū)域“A”和“B”分別對應于圖1的區(qū)域A和B。所述顯微照片分別是在附著于基板的兩個偏振器的透射軸從0°變?yōu)?5°，以及從90°變?yōu)?35°后，由處于白色狀態(tài)的像素得到的。在白色狀態(tài)下，難以確定LC分子是否規(guī)則配向。但是，當透射軸變?yōu)?0°和145°時，即使分子的配向保持恒定，白色狀態(tài)也將轉換為黑色狀態(tài)，由此表現(xiàn)分子不規(guī)則配向的區(qū)域是較亮的。
如圖4所示，隨著突起寬度增大，區(qū)域“A”變暗。這意味著“A”內的分子的配向隨著突起寬度的增大而變得更為均勻。因此，希望使影響區(qū)域“A”的突起的，即第一部分21的尺寸變大。隨著突起寬度增大區(qū)域“B”變亮，這表明隨著突起寬度增大，區(qū)域“B”內的分子配向變得均勻性更差。因此，希望使影響區(qū)域“B”的突起的，即第二部分22的尺寸變小。
參考圖1，第一部分21還可以包括位于該區(qū)域內的相對于像素邊緣(即柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL)傾斜的第三部分23。由于要求在鄰接像素邊緣的位置增強突起對LC的控制力，因此，不需要增加與像素的中央部分鄰接的突起。因此，第三部分23應當具有比第一部分21小的尺寸，從而使由大突起引起的光泄漏降至最低。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的LCD裝置的平面圖，圖5B是沿圖5A的I-I′線得到的橫截面圖。
LCD裝置包括下部基板100(即第一基板)、上部基板200(即第二基板)和插置其間的液晶300。
柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL形成于第一基板100上。柵極線GL承載柵極信號，并基本沿水平方向相互平行延伸。數(shù)據(jù)線DL承載數(shù)據(jù)信號，并基本沿垂直方向相互平行延伸。柵電極110從柵極線GL開始延伸，源電極121從數(shù)據(jù)線DL開始延伸。漏電極122與源電極121隔開。像素240由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL界定，并且包括薄膜晶體管T和像素電極130。柵電極110、源電極121和漏電極122形成了薄膜晶體管T。源電極121和漏電極122通過柵極絕緣層111與柵電極110絕緣，通過鈍化層125與像素電極絕緣。鈍化層125具有將漏電極122連接至具有切口135的像素電極130的接觸孔。
在第二基板200上形成防止光泄漏的黑矩陣201以及表現(xiàn)紅色、藍色和綠色的濾色器202。在黑矩陣201和濾色器202上形成覆層(ovrecoat)203，從而使第二基板200的上表面變平。在面對像素電極130的覆層203上形成公共電極210。在公共電極210上形成突起220，突起220與像素電極130的切口135交替設置，而不與切口135重疊。突起220和切口135改變LC層中的原始電場，由此使LC分子沿不同方向傾斜，從而針對每一像素形成多域。這些多域提高了LCD裝置的視角。在公共電極210上形成分隔體230，從而在第一基板100和第二基板200之間保持恒定間隙，分隔體230形成于對應于黑矩陣201的區(qū)域內，從而使開口率不會降低。
突起220包括相對于像素240的邊緣(即柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL)傾斜的第一部分221，所述的像素240的邊緣處于所述傾斜部分的兩端，突起220還包括設置在第一部分221的末端并與像素240的邊緣平行的第二部分222和設置于第一部分之間的第三部分223。第一部分221具有比第二部分222和第三部分223大的尺寸，以增強像素邊界部分處的控制力。第二部分222具有比第一部分221小的尺寸，以減小紋理效應。第三部分223具有大于等于第二部分222的尺寸，以減少由突起尺寸的增大而導致的不必要的光泄漏?？梢愿鶕?jù)各種因素調整突起的長度、高度和寬度，例如，那些影響LC的分子配向或顯示裝置的尺寸的因素。在一個實施例中，第一部分221的長度a1和a2與第三突起223的長度b相同(參見圖5A)。在另一個實施例中，長度a1和a2可以是長度b的一半。
也可以調整突起220和切口135的圖案。在要求提高突起對LC的控制力的區(qū)域內增大突起的尺寸，在降低控制力的區(qū)域內降低所述尺寸。相應地，突起220不限于三個部分(即第一部分221、第二部分222和第三部分223)。突起220可以包括具有不同尺寸的額外部分，其取決于影響LC分子配向的各種因素。
在下文中，將參考圖6到圖12詳細描述據(jù)本發(fā)明實施例的顯示屏板的制造方法。
參考圖6，在第一基板100上形成柵電極110和柵極絕緣層111。通過淀積(例如濺射)諸如鉻、鋁或鋁合金的金屬并對其構圖形成柵電極110。柵極絕緣層111是利用等離子體增強化學氣相淀積由氮化硅形成的，用于對柵電極110絕緣。
參考圖7，在柵極絕緣層111上形成包括有源圖案112和歐姆接觸113的半導體圖案。分別通過淀積非晶硅和摻有諸如磷的負離子的n+非晶硅在對應于柵電極110的區(qū)域內形成有源圖案112和歐姆接觸113。在半導體圖案上形成源電極121和漏電極122。
參考圖8，在第一基板100之上形成鈍化層125。鈍化層125具有暴露一部分漏電極122的接觸孔h。在鈍化層125上和接觸孔h內形成像素電極130。像素電極130由諸如氧化銦錫或氧化銦鋅的透明導體形成。像素電極130與相鄰的像素電極隔開，并且具有形成于每一像素區(qū)域內的切口135。
參考圖9，在第二基板200上形成黑矩陣201或遮光圖案以及濾色器202。通過淀積諸如鉻的金屬層或基于碳的有機材料并對其構圖形成黑矩陣201。通過彩色光致抗蝕劑光刻在黑矩陣上對應于像素的區(qū)域內形成濾色器202。濾色器202能夠表現(xiàn)諸如紅色、綠色或藍色的原色中的至少一種。
參考圖10，在濾色器202上形成覆層203和公共電極210。覆層203使第二基板200的上表面變平，并保護濾色器202不受后續(xù)處理的影響。例如，覆層203防止在后續(xù)處理中采用的蝕刻溶液損壞濾色器202。通過例如淀積，由諸如氧化銦錫或氧化銦鋅的透明導體形成公共電極210。
參考圖11，在公共電極210上淀積正類型光致抗蝕劑220’，并通過光掩模400對其曝光。采用光致抗蝕劑220′形成突起，光致抗蝕劑220′具有至少為預期突起高度的兩倍的厚度。如果光致抗蝕劑220′的厚度與突起的高度相似，則難以形成帶有尺寸不同的部分的突起。例如，如果如圖5所示的第一部分、第二部分和第三部分的寬度和高度分別為14μm、1.3μm/10μm、1μm/9μm、0.9μm，光致抗蝕劑的厚度為1.5μm，那么將從光致抗蝕劑去除以形成突起的厚度為大約0.2μm到大約0.6μm。因此，難以形成帶有具有不同的預期高度的部分的突起。
光掩模400具有透明區(qū)域410和不透明區(qū)域430、422、421和423，它們具有分別對應于如圖5所示的間隔體以及突起的第一部分、第二部分和第三部分的不同寬度。根據(jù)突起的寬度調整不透明區(qū)域的寬度。如果有更多的具有不同尺寸的部分，那么光掩模400可以具有對應于所述額外部分的更多的不透明區(qū)域。不透明區(qū)域的寬度限制曝光光致抗蝕劑220′的量，以形成具有預期尺寸的間隔體和突起的部分。也就是說，隨著不透明區(qū)域的寬度的降低，光致抗蝕劑220′的相應區(qū)域也減小。在其他實施例中，也可以采用狹縫圖案或半色調(half-tone)掩模來控制每一區(qū)域的光的量。
參考圖12，通過掩模對光致抗蝕劑曝光并顯影(即光刻)，由此形成間隔體230和包括第一部分221、第二部分222和第三部分223的突起220。不透明區(qū)域的寬度決定了間隔體230和突起220的尺寸。在一個實施例中，形成順序為間隔體230、第一部分221、第三部分223和第二部分222。
通過后續(xù)處理完成LCD裝置，例如，在沒有在切口上疊置突起的情況下組裝第一基板和第二基板，并在其間注入和密封LC。
因此，本發(fā)明的實施例提供了取決于像素內的區(qū)域的具有不同尺寸的突起，由此控制了LC分子的配向，并提高了亮度和對比率。而且，采用光致抗蝕劑同時形成了間隔體和突起，由此降低了制造成本和減少了制造時間。本領域技術人員應當承認，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明的材料、設備、構造和方法做出各種替換和改變?？紤]到這一點，不應將本發(fā)明的范圍限定為文中所圖示和描述的具體實施例，因為它們在本質上僅僅是解說性的，相反，本發(fā)明的范圍應當與權利要求所限定的范圍充分相符。
本申請要求于2005年10月5日提交的韓國專利申請No.2005-0093565的優(yōu)先權，在此將其全文引入以供參考。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，其包括顯示圖像的多個像素；形成于每一像素中的透明導體；設置于所述透明導體上的突起，所述突起具有取決于所述突起所處的像素的區(qū)域的不同尺寸；以及在所述像素中配向的液晶層。
2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述突起包括第一部分和尺寸小于所述第一部分的第二部分。
3.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一部分相對于所述像素的邊緣傾斜。
4.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二部分連接至所述第一部分，并與所述像素的邊緣平行。
5.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示裝置，還包括位于所述第一部分的中央并且尺寸小于所述第一部分的第三部分。
6.根據(jù)權利要求5所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三部分的尺寸大于等于所述第二部分。
7.一種液晶顯示裝置，其包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板；插置在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層；柵極線；與所述柵極線交叉以界定顯示圖像的像素的數(shù)據(jù)線；形成于每一像素中并具有切口的像素電極；形成于所述第二基板上并面對所述像素電極的公共電極；以及形成于所述像素中的突起，其中，所述突起具有取決于所述突起在所述像素中的位置的不同尺寸。
8.根據(jù)權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中，交替設置所述切口和所述突起。
9.根據(jù)權利要求8所述的液晶顯示裝置，還包括插置在所述第一基板和所述第二基板之間的間隔體，其中，所述間隔體由與所述突起相同的材料形成。
10.根據(jù)權利要求9所述的液晶顯示裝置，其中，所述突起包括相對于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線傾斜的第一部分和連接至所述第一部分的第二部分，所述第二部分平行于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線，并且尺寸小于所述第一部分。
11.根據(jù)權利要求10所述的液晶顯示裝置，還包括形成于所述第一部分的中央部分并且尺寸小于所述第一部分的第三部分。
12.根據(jù)權利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述第三部分的尺寸大于等于所述第二部分。
13.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在第一基板上形成柵極線以及與所述柵極線交叉以界定像素的數(shù)據(jù)線；在所述像素中形成像素電極，其中，所述像素電極具有切口；在第二基板上形成公共電極，其中，所述公共電極面對所述像素電極；在所述公共電極的區(qū)域上形成突起，其中，所述突起的尺寸取決于所述突起在所述像素上的位置；以及組裝所述第一基板和所述第二基板。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，交替設置所述切口和所述突起。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，還包括在所述第二基板上形成插置于所述第一基板和所述第二基板之間的間隔體，其中，在形成所述突起的同時形成所述間隔體。
16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，所述突起包括相對于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線傾斜的第一部分，以及連接至所述第一部分的第二部分，其中，所述第二部分平行于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線，并且具有小于所述第一部分的尺寸。
17.如權利要求16所述的方法，其中，所述突起還包括第三部分，其設置于所述第一部分的中央?yún)^(qū)域并且尺寸小于所述第一部分。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述第三部分的尺寸大于等于所述第二部分。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，其中，形成所述突起和所述間隔體包括在所述公共電極上淀積光致抗蝕劑；以及采用光掩模對所述光致抗蝕劑曝光，其中，所述光掩模向分別對應于形成所述間隔體、所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的區(qū)域的光致抗蝕劑區(qū)域透射不同量的光。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括基板；設置于所述基板上的液晶；以及影響液晶分子的配向以提高視角的突起。所述突起包括具有不同的尺寸的部分，所述尺寸取決于突起對分子配向的預期控制力。也就是說，所述部分的尺寸在希望取得更大的控制力的區(qū)域內增大，所述部分的尺寸在希望取得更小的控制力的區(qū)域內降低。通過淀積厚光致抗蝕劑并對其構圖形成所述突起。可以同時形成間隔體。
文檔編號G02F1/1333GK1945407SQ20061013171
公開日2007年4月11日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權日2005年10月5日
發(fā)明者丁閔湜, 張潤 申請人:三星電子株式會社