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液晶顯示器件及其制造方法

文檔序號:2780576閱讀:101來源:國知局
專利名稱:液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件的透射反射式薄膜晶體管基板,尤其涉及一種透射反射式薄膜晶體管基板及制造該基板的簡化方法。
背景技術(shù)
通常液晶顯示器件分為兩種類型采用背光單元提供的光顯示圖像的透射型,和采用諸如自然光的外部光源反射的光顯示圖像的反射型。透射型液晶顯示器件存在背光單元功耗過高的問題,并且反射型液晶顯示器件依賴于外部光而不能在黑暗環(huán)境中顯示圖像。
為了解決這些問題,透射反射式液晶顯示器件的應(yīng)用正在增加,其中在使用背光單元的透射模式中或者在使用外部光的反射模式中可以選擇透射反射式液晶。如果外部光充足,透射反射式液晶顯示器件工作在反射模式下并且如果外部光不充足,則工作在透射模式下,因此其可以比透射式液晶顯示器件更能降低功耗,并且不受外部光的限制,這一點不同于反射式液晶顯示器件。
通常,如圖1所示,透射反射式液晶顯示板包括濾色片基板和與其粘結(jié)在一起的薄膜晶體管基板,在兩基板之間設(shè)有液晶層(未示出),以及設(shè)置在薄膜晶體管基板后面的背光單元。透射反射式液晶顯示板的各像素被分為有反射電極28形成的反射區(qū)域和沒有反射電極28形成的透射區(qū)域。
濾色片基板包括黑矩陣(未示出)和形成于上基板52上的濾色片54、公共電極56以及形成于其上的定向?qū)?未示出)。
薄膜晶體管基板包括形成在下基板上限定各像素區(qū)的柵線4和數(shù)據(jù)線(未示出)、連接到柵線4和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、形成在像素區(qū)并連接到薄膜晶體管的像素電極32以及形成于各像素的反射區(qū)域與像素電極32重疊的反射電極28。
薄膜晶體管包括連接到柵線4的柵極6、連接到數(shù)據(jù)線的源極16、與源極16相對的漏極18、與柵極重疊并在其中間設(shè)置有柵絕緣層8以形成源極16和漏極18之間溝道的有源層以及使有源層10與源極16和漏極18產(chǎn)生歐姆接觸的歐姆接觸層12。薄膜晶體管響應(yīng)柵線4的掃描信號使數(shù)據(jù)線上的視頻信號充入并保持在像素電極32中。
反射電極28將通過濾色片基板入射的外部光反射給濾色片基板。在反射電極28下方形成的有機(jī)膜24表面具有凹凸不平的或突起的形狀,因此形成在有機(jī)膜上的反射電極28也具有凹凸不平的形狀。因此,反射電極28的反射效率由于凹凸不平的表面的散射效果得到提高。
當(dāng)通過薄膜晶體管向像素電極32施加像素信號時,在公共電極56和像素電極28之間產(chǎn)生電位差。該電位差使得具有介電各向異性的液晶旋轉(zhuǎn),從而控制通過反射區(qū)域和透射區(qū)域的液晶層的光透射率,因此根據(jù)視頻信號改變其亮度。
在這種情況下,在傳輸區(qū)域相對較厚的有機(jī)膜24內(nèi)形成透射孔36使得在反射區(qū)域中通過液晶層的光路長度與在透射區(qū)域中的相同。因此,入射到反射區(qū)域的環(huán)境光的光路長度RL與來自背光單元60的透射光的光路長度TL相同,因此在反射模式和透射模式中的透射效率相同。
薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括連接到像素電極32的存儲電容以穩(wěn)定保持施加到像素電極32的視頻信號。存儲電容由與柵線4重疊的存儲上電極20形成并在其中間設(shè)有柵絕緣膜,其中存儲上電極20與像素電極32連接。此外,在該工藝中歐姆接觸層12和有源層10重疊于存儲上電極20的下方。
薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括薄膜晶體管和有機(jī)膜24之間的第一鈍化膜22、位于有機(jī)膜24和反射電極28之間的第二鈍化膜26、位于反射電極28和像素電極32之間的第三鈍化膜30。因此,像素電極32通過貫穿第一到第三鈍化膜22、26和30的各第一和第二接觸孔34和38與漏極18和存儲上電極20連接。
在該透射反射式液晶顯示板中,薄膜晶體管基板包括半導(dǎo)體工藝并需要多輪掩模工序,因此該顯示板復(fù)雜的制造工序使得其成為導(dǎo)致液晶顯示板制造成本增加的主要原因。以下將參照圖2A到圖2F描述透射反射式薄膜晶體管基板的制造方法。
參照圖2A,采用諸如濺射的沉積方法在下基板2上形成柵金屬層。其后,采用光刻工藝和刻蝕工藝通過第一掩模對柵金屬層構(gòu)圖,從而形成包括柵線4和柵極6的柵圖案。柵金屬層為單層或雙層諸如鋁、鉬、鉻之類的金屬。
接下來,在已形成柵圖案的基板2上形成柵絕緣膜8,并且采用如圖2B所示的第二掩模工序在其上形成源/漏圖案。該圖案包括數(shù)據(jù)線、源極16、漏極18和存儲上電極20。
在已形成柵圖案的下基板2上順序形成柵絕緣膜8、非晶硅層10、具有雜質(zhì)摻雜其中的非晶硅層12和源/漏金屬層。柵絕緣膜8是一種諸如氧化硅SiOX或氮化硅SiNX的無機(jī)絕緣材料,并且源/漏金屬層是單層或多層諸如鋁、鉬之類的金屬結(jié)構(gòu)。
采用第二掩模和光刻工藝在源/漏金屬層上形成光刻膠圖案。在該工序中,在薄膜晶體管溝道部分具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模用作第二掩模,因此,在溝道部分形成的光刻膠圖案的高度低于源/漏圖案部分的高度。
其后,采用光刻膠圖案通過濕法刻蝕對源/漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖以形成包括數(shù)據(jù)線、源極16、與源極16整合在一起的漏極18和存儲上電極20。
下面,采用同樣的光刻膠圖案通過干法刻蝕同時對具有雜質(zhì)摻雜的非晶硅層和非晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖,從而形成歐姆接觸層12和有源層10。
在通過灰化去除溝道部分高度相對較低的光刻膠后,對溝道部分的源/漏圖案和歐姆接觸層12進(jìn)行干法刻蝕。因此,暴露出溝道部分的有源部分10以將源極16從漏極18分隔開。其后,采用剝離工藝去除殘留在源/漏圖案上的光刻膠圖案。
參照圖2C,在已形成源/漏圖案的柵絕緣膜8上形成第一鈍化膜22,并且采用第三掩模工藝在第一鈍化膜22上形成有機(jī)膜24,使得有機(jī)膜24具有第一和第二初始接觸孔34和38以及具有凹凸不平的形狀(embossed shape)表面的透射孔36。
在已形成源/漏圖案的柵絕緣膜8上順序形成第一鈍化膜22和有機(jī)膜24。第一鈍化膜22由與柵絕緣膜8一樣的無機(jī)絕緣材料形成,并且有機(jī)膜24由諸如丙烯酸樹脂的光敏有機(jī)材料形成。
然后,采用第三掩模對有機(jī)膜24構(gòu)圖,從而形成對應(yīng)于第三掩模的透射部分并且貫穿有機(jī)膜24的第一和第二開孔35、37以及透射孔36。第三掩模具有在除了透射部分的其他區(qū)域重復(fù)出現(xiàn)的遮光部分和衍射曝光部分的結(jié)構(gòu)。對對應(yīng)于第三掩模的有機(jī)膜24剩余部分構(gòu)圖以使其具有重復(fù)的并具有階梯差異的遮光區(qū)域(凸出部分)和衍射曝光區(qū)域(凹槽部分)的結(jié)構(gòu)。隨后,對重復(fù)有凸出部分和凹槽部分的有機(jī)膜24進(jìn)行處理以使得有機(jī)膜24的表面具有凹凸不平的形狀。
參照圖2D,在有機(jī)膜24上形成第二鈍化膜26,并且采用第四掩模工序在第二鈍化膜上形成反射電極28。在具有凹凸不平的形狀的有機(jī)膜24上沉積第二鈍化膜26和反射金屬層以維持其具有同樣的凹凸不平的形狀。第二鈍化膜26為一種諸如第一鈍化膜22的無機(jī)絕緣材料,并且反射金屬層是諸如AlNd具有高反射率的金屬。
其后,采用第四掩模和刻蝕工藝對反射金屬層進(jìn)行構(gòu)圖,以形成反射電極28,其中反射電極28是獨立于各像素并在有機(jī)膜24的透射孔36和第一、第二開孔35、37處斷開。
參照圖2E,采用第五掩模工藝形成覆蓋反射電極28的第三鈍化膜30,并形成貫穿第一到第三鈍化膜22、26和30的第一和第二接觸孔34、38。采用光刻和刻蝕工藝通過第五掩模形成第三鈍化層30、反射電極28及第一和第二接觸孔34、38,使得第一和第二接觸孔34、38在有機(jī)膜24的第一、第二開孔35、37處貫穿第一到第三鈍化膜22、26和30。第一和第二接觸孔34、38分別暴露漏極18和存儲上電極20。第三鈍化膜30由與第二鈍化膜相同的無機(jī)絕緣材料形成。
參照圖2F,通過采用第六掩模工藝在第三鈍化膜30上形成像素電極32。具體地說,采用諸如濺射的沉積方法在第三鈍化膜30上形成透明導(dǎo)電層,并且采用第六掩模和蝕刻工藝對透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖以在各像素區(qū)形成像素電極。像素電極32通過第一和第二接觸孔34和38與漏極18和存儲上電極20連接。透明導(dǎo)電層為氧化銦錫ITO。
因此,采用6輪不同的掩模工藝形成現(xiàn)有技術(shù)的透射反射式薄膜晶體管基板,這樣則具有生產(chǎn)工藝過于復(fù)雜的缺點。而且,第一和第二接觸孔34、38的邊緣應(yīng)該充分固定使得像素電極32狀態(tài)良好的連接到現(xiàn)有技術(shù)的透射反射式薄膜晶體管基板的漏極18和存儲上電極20上。因為這些,會有降低透射區(qū)域孔徑比的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明提出了一種液晶顯示器件及其制造方法,其基本上可以克服由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點所帶來的一個或多個問題。
本發(fā)明的優(yōu)點在于提供了一種具有改進(jìn)的孔徑比及簡化的制造方法的透射反射式薄膜晶體管基板。
下面的描述闡明本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點,一部分可以通過描述明顯得到,或者通過實施本發(fā)明而得到。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可以通過說明書及其權(quán)利要求以及附圖指出的具體結(jié)構(gòu)實現(xiàn)和獲得。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點,并根據(jù)本發(fā)明的目的,作為概括和具體的描述,所提供的液晶顯示器件包括第一和第二基板、在第一基板上具有包括第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層雙層結(jié)構(gòu)的柵線、柵線上的第一絕緣層、與柵線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的像素區(qū)、連接到柵線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、由像素區(qū)的透明導(dǎo)電層形成的像素電極;上存儲電極,其與柵線重疊以形成存儲電容并在其中間設(shè)置有絕緣層;透射孔,從薄膜晶體管的第二絕緣層貫穿到第一絕緣層以暴露像素電極;反射電極,將通過透射孔邊緣暴露的漏極和上存儲電極與像素電極連接;柵焊盤,沿柵線的第一導(dǎo)電層延伸;數(shù)據(jù)焊盤,由第一導(dǎo)電層構(gòu)成并通過數(shù)據(jù)鏈連接到數(shù)據(jù)線;和位于第一和第二基板之間的液晶層;其中在柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤中去除了第一和第二絕緣層。
在本發(fā)明的另一方面中,所提供的液晶顯示器件的制造方法包括提供第一和第二基板;采用第一掩模形成具有包括第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層雙層結(jié)構(gòu)的柵線和柵極以及具有第一導(dǎo)電層的像素電極;在電極上形成第一絕緣層;采用第二掩模在第一絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案,具有上存儲電極、漏極、源極和數(shù)據(jù)線的源/漏圖案,該柵線和數(shù)據(jù)線限定具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的像素區(qū);采用第三掩模在源/漏圖案上形成第二絕緣層并在透射區(qū)域中形成貫穿第二絕緣層到第一絕緣層的透射孔;采用第四掩模在反射區(qū)域中形成反射電極,該反射電極通過透射孔將漏極和存儲電極連接到像素電極;在第一和第二基板之間形成液晶層。
應(yīng)該理解,上面的概括描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的,意欲對權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖包括在本發(fā)明中以提供對本發(fā)明進(jìn)行一步理解,并且作為說明書的一部分,說明了本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1所示為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的透射反射式液晶顯示板的一部分截面圖;圖2A到2F所示為圖1所示的透射反射式薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖;圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的透射反射式薄膜晶體管基板的部分平面圖;圖4所示為沿圖3中的II-II’、III-III’、IV-IV’線提取的透射反射式薄膜晶體管基板的截面圖;圖5A和5B所示分別為根據(jù)本發(fā)明實施方式透射反射式薄膜晶體管基板的制造中第一掩模工序的平面圖和截面圖;圖6A到圖6E所示為更詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第一掩模工序的截面圖;圖7A和7B所示分別為根據(jù)本發(fā)明實施方式透射反射式薄膜晶體管基板的制造中第二掩模工序的平面圖和截面圖;圖8A到圖8E所示為更詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第二掩模工序的截面圖;圖9A和9B所示分別為根據(jù)本發(fā)明實施方式透射反射式薄膜晶體管的制造中第三掩模工序的平面圖和截面圖;圖10A到圖10C所示為更詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第三掩模工序的截面圖;圖11A到11B所示分別為根據(jù)本發(fā)明實施方式透射反射式薄膜晶體管基板制造中的第四掩模工序的平面圖和截面圖;圖12所示為簡單示意根據(jù)本發(fā)明具有周圍部分的透射反射式薄膜晶體管基板的平面圖;圖13所示為圖12中所示數(shù)據(jù)鏈和數(shù)據(jù)線的防靜電區(qū)域和接觸區(qū)域的平面圖;
圖14所示為沿圖13中的V-V’和VI-VI’線提取的透射反射式薄膜晶體管基板的截面圖;圖15A和15B所示分別為在圖14的透射反射式薄膜晶體管制造中的第一掩模工序的平面圖和截面圖;圖16A到16B所示分別為在圖14的透射反射式薄膜晶體管的制造中的第二掩模工序的平面圖和截面圖;圖17A到17B所示分別為在圖14的透射反射式薄膜晶體管的制造中的第三掩模工序的平面圖和截面圖;以及圖18A到18B所示分別為在圖14的透射反射式薄膜晶體管的制造中的第四掩模工序的平面圖和截面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明實施方式的透射反射式薄膜晶體管的部分平面圖,而圖4所示為圖3中沿線II-II’,III-III’,IV-IV’的截面圖。
參照圖3和圖4,透射反射式薄膜晶體管基板包括在下基板142上彼此交叉以限定像素區(qū)的柵線102和數(shù)據(jù)線104,其間具有柵絕緣膜144;連接到柵線102和數(shù)據(jù)線104的薄膜晶體管106;在各像素區(qū)的反射區(qū)域中形成的反射電極152;以及在各像素區(qū)形成的像素電極118,其通過反射電極152連接到薄膜晶體管106。透射反射式薄膜晶體管基板還包括存儲電容120,其通過重疊前級柵線102和通過反射電極152連接到像素電極118的上存儲電極122形成;連接到柵線102的柵焊盤128;以及連接到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)焊盤138。各像素區(qū)被劃分為形成有反射電極152的反射區(qū)域和未形成有反射電極152的透射區(qū)域。
薄膜晶體管106包括連接到柵線102的柵極108;連接到數(shù)據(jù)線104的源極110;與源極110相面對的漏極112;與柵極108重疊的有源層114,其間具有柵絕緣膜114以在源極110和漏極112之間形成溝道;以及在除溝道部分之外的有源層114上形成的歐姆接觸層116,以與源極110和漏極112之間形成歐姆接觸。薄膜晶體管106響應(yīng)柵線102的掃描信號使數(shù)據(jù)線104上的視頻信號充入并保持在像素電極118中。
如圖4所示,柵線102和柵極108具有包括第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的雙層結(jié)構(gòu)。例如,第一導(dǎo)電層是透明導(dǎo)電層而第二導(dǎo)電層103是沉積在其上的金屬層。
另外,包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案115與數(shù)據(jù)線104重疊。
反射電極152形成在各像素區(qū)的反射區(qū)域內(nèi)以反射外部光。反射電極152具有與其下的有機(jī)膜148的形狀相對應(yīng)的凹凸不平的形狀,從而由于分散效應(yīng)其反射效率增加。反射電極152具有包括第一反射金屬層151和第二反射金屬層153的雙層結(jié)構(gòu)。第一反射金屬層151由諸如Mo等能夠減少反射電極和像素電極118之間接觸電阻的金屬構(gòu)成,其中該像素電極118是透明導(dǎo)電層形成。第二反射金屬層由諸如AlNd等具有高反射能力的金屬構(gòu)成。
像素電極118形成在各像素區(qū)中并且通過貫穿透射孔154邊緣部分的反射電極152連接到漏極112。像素電極118由與柵線102的第一導(dǎo)電層101相同的透明導(dǎo)電層形成并且通過透射區(qū)域中的透射孔154暴露。像素電極118根據(jù)通過薄膜晶體管施加的像素信號與濾色片基板(未示出)的公共電極產(chǎn)生電勢差。該電勢差使得具有介電各向異性的液晶旋轉(zhuǎn),從而控制通過液晶層的光透射率,因此根據(jù)視頻信號改變其亮度。
位于透射區(qū)域中的透射孔154貫穿位于部分像素電極118上方的柵絕緣膜144以及位于薄膜晶體管106上的鈍化膜146和有機(jī)膜148。因此,在反射區(qū)域和透射區(qū)域中,穿過液晶層的光路長度相同,從而反射模式的透射率和透射模式的透射率相同。
上存儲電極122與前級柵線102重疊,其間具有柵絕緣膜144,并且通過反射電極連接到像素電極118,從而形成存儲電容120。柵線102通過柵焊盤128連接到柵驅(qū)動器(未示出)。柵線102的第一導(dǎo)電層101從柵焊盤128延伸出。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤138連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)。與柵焊盤128類似,數(shù)據(jù)焊盤138由第一導(dǎo)電層101形成。數(shù)據(jù)焊盤138通過獨立的接觸電極(未示出)連接到數(shù)據(jù)線104。
在具有柵焊盤128和數(shù)據(jù)焊盤138的焊盤區(qū)中,去除柵絕緣膜144、鈍化膜146和有機(jī)膜148。
根據(jù)本發(fā)明實施方式的透射反射式薄膜晶體管基板具有通過反射電極152連接到漏極112和上存儲電極122的像素電極118,其中該反射電極152穿過透射孔154的邊緣部分。因此,不需要用于連接像素電極118與漏極112和上存儲電極122的單獨接觸孔,從而提高了透射區(qū)域的孔徑比。
另外,反射電極152的第一反射金屬層151連接到像素電極118,其中第一反射金屬層與透明導(dǎo)電層具有低接觸電阻。因此,當(dāng)Mo用作第一反射電極151,AlNd用作第二反射層153,而ITO用作像素電極118時,AlNd和ITO通過Mo連接在一起,從而可以減小由Al2O3的產(chǎn)生引起的AlNd和ITO的接觸電阻。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管可以采用四輪掩模工序形成,從而與現(xiàn)有技術(shù)的六輪掩模工序相比可以簡化制造工序。
圖5A和5B所示分別為用于制造根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板的第一掩模工序的平面圖和截面圖,而圖6A到6E所示為更詳細(xì)地描述本發(fā)明第一掩模工序的截面圖。
如圖5B所示,采用第一掩模工序,在下基板142上形成柵圖案和透明導(dǎo)電圖案。柵圖案包括柵線102、連接到柵線102的柵極108,而透明導(dǎo)電圖案包括柵焊盤128、數(shù)據(jù)焊盤138和像素電極118。柵圖案具有包括第一和第二導(dǎo)電層101和103的雙層結(jié)構(gòu)。透明導(dǎo)電圖案具有由與柵圖案的第一導(dǎo)電層101相同的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。采用半色調(diào)掩模或衍射掩模,利用一輪掩模工序形成具有雙層結(jié)構(gòu)的柵圖案和具有單層結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電圖案。以下,僅描述采用半色調(diào)掩模的例子。
如圖6A所示,采用諸如濺射的沉積法,在下基板142上沉積第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103,并且在第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103上形成光刻膠167。第一導(dǎo)電層101是由諸如ITO、TO、IZO等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的,而第二導(dǎo)電層103是由諸如Mo、Ti、Cu、Al(Nd)系等金屬材料構(gòu)成的。然后,用半色調(diào)掩260,利用光刻工序?qū)饪棠z167進(jìn)行曝光和顯影,以形成如圖6B所示具有階梯差的光刻膠圖案268。
半色調(diào)掩模260包括透明石英基板266,和在透明石英基板266上形成的遮擋層262和部分透光層264。這里,遮擋層262與位于形成有柵圖案的區(qū)域中的部分透光層重疊,以阻斷紫外線(UV),從而在顯影后留下第一光刻膠圖案268A。與遮擋層262不重疊的部分透射層264位于形成有透明導(dǎo)電圖案的區(qū)域中,以部分地透射UV,從而在顯影后留下比第一光刻膠圖案268A更薄的第二光刻膠圖案268B。遮擋層262由金屬如Cr、CrOx等構(gòu)成,而部分透射層264由MoSix等構(gòu)成。
如圖6C所示,采用具有階梯差的光刻膠圖案268A和268B,通過刻蝕導(dǎo)電層對第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103進(jìn)行構(gòu)圖,從而形成具有雙層結(jié)構(gòu)的柵圖案和其上留有第二導(dǎo)電層103的透明導(dǎo)電圖案。然后利用氧O2等離子體對光刻膠圖案進(jìn)行灰化。結(jié)果,如圖6D所示,第一光刻膠圖268A變得更薄,而第二光刻膠圖案268B被去除。采用灰化后的第一光刻膠圖案268A,利用刻蝕工序去除透明導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層103。此時,第二導(dǎo)電層103的兩側(cè)沿灰化后的第一光刻膠圖案268A被再次刻蝕,從而柵圖案的第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103具有臺階狀的固定階梯差。因此,當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的側(cè)表面具有高斜率時,可以防止在第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103產(chǎn)生源/漏極金屬層的開口缺陷。然后,如圖6E所示,利用剝離工序去除留在柵圖案上的第一光刻膠圖案268A。
圖7A和7B所示分別為用于制造根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板的第二掩模工序的平面圖和截面圖,而圖8A到8E所示為更詳細(xì)地描述本發(fā)明第二掩模工序的截面圖。
參照圖7B,在具有柵圖案和像素電極118的下基板142上形成柵絕緣膜144。另外,采用第二掩模工序在其上方形成源/漏圖案和包括有源層114和歐姆接觸層116的第二半導(dǎo)體圖案115,其中該第二半導(dǎo)體圖案沿源/漏圖案下表面與其重疊。源/漏圖案包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112和上存儲電極122。半導(dǎo)體圖案115和源/漏圖案是采用例如衍射曝光掩模,利用同一掩模工序形成的。
更具體地說,如圖8A所示,在形成有柵圖案的下基板142上依次形成柵絕緣膜144、非晶硅層105、摻雜有n+或p+雜質(zhì)的非晶硅層107、以及源/漏金屬層109。例如,柵絕緣膜144、非晶硅層105、摻雜有雜質(zhì)的非晶硅層107通過PECVD形成,而源/漏金屬層109由濺射形成。柵絕緣膜144是諸如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx的無機(jī)絕緣材料,而源/漏金屬層109是由Cr、Mo、MoW、Al/Cr、Cu、Al(Nd)、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti等構(gòu)成。對于Al/Cr情況的雙層結(jié)構(gòu)例子來說,在形成Cr層之后,形成Al層。
然后,在源/漏金屬層109上涂覆光刻膠219,并且采用衍射曝光掩模210利用光刻工序?qū)ζ溥M(jìn)行曝光和顯影,從而形成如圖8B所示具有臺階差的光刻膠圖案220。
衍射曝光掩模210包括透明石英基板212、其上由諸如Cr、CrOx等金屬層形成的遮擋層214以及衍射曝光狹縫216。遮擋層214位于形成半導(dǎo)體圖案和源/漏圖案的區(qū)域中以阻斷紫外線,從而在顯影后留下第一光刻膠圖案220A。衍射曝光狹縫216位于形成薄膜晶體管溝道的區(qū)域以衍射紫外線,從而在顯影后留下比第一光刻圖案220A更薄的第二光刻膠圖案220B。
接著,如圖8C所示,通過刻蝕具有階梯差的光刻膠圖案220對源/漏金屬層109進(jìn)行構(gòu)圖,從而形成源/漏圖案和位于其下方的半導(dǎo)體圖案115。在該工序的這個時間點上,源極110和漏極112是彼此連接在一起的。
然后,如圖8D所示,采用氧O2等離子體對光刻膠圖案220進(jìn)行灰化。結(jié)果,第一光刻膠圖220A變薄而第二光刻膠圖案220B被去除。另外,采用灰化后的第一光刻膠圖案220A,利用刻蝕工序,去除通過去除第二光刻膠圖案220B所暴露出的源/漏圖案以及位于其下方的歐姆接觸層116,從而使源極110和漏極112分離并暴露出有源層114。因此,有源層114的溝道位于源極110和漏極112之間。此時,源/漏圖案的兩側(cè)沿灰化后的第一光刻膠圖案220A再次被刻蝕,從而源/漏圖案和半導(dǎo)體圖案115具有臺階形狀的固定階梯差。如圖8E所示,采用剝離工序去除留在源/漏圖案上的第一光刻膠圖案220A。
圖9A和9B所示分別為用于制造根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板的第三掩模工序的平面圖和截面圖,而圖10A到10C所示為更詳細(xì)地描述本發(fā)明第三掩模工序的截面圖。
參照圖9B所示,采用第三掩模工序在具有源/漏圖案的柵絕緣膜144上形成具有位于透射區(qū)中的透射孔的鈍化膜146和有機(jī)膜148。
更具體地說,如圖10A所示,采用諸如PECVD的沉積法在具有源/漏圖案的柵絕緣膜144上形成鈍化膜146。鈍化膜146是與柵絕緣膜144類似的無機(jī)絕緣材料。然后,如圖10B所示,在鈍化膜146上形成有機(jī)膜148,該有機(jī)膜148在反射區(qū)具有凹凸不平的表面和位于透射區(qū)的透射孔154。
采用旋轉(zhuǎn)涂覆法,通過涂覆諸如丙烯酸樹脂的感光有機(jī)材料在鈍化膜146上形成有機(jī)膜148。然后采用第三掩模利用光刻工序?qū)τ袡C(jī)膜148進(jìn)行構(gòu)圖,從而形成與第三掩模的透射部分相對應(yīng)并貫穿有機(jī)膜148的透射孔154,并且去除具有數(shù)據(jù)焊盤138的焊盤區(qū)的有機(jī)膜148。此外,第三掩模具有除透射部分之外遮擋部分和衍射曝光部分(或透反射部分)重復(fù)的結(jié)構(gòu)。與上述重復(fù)部分相對應(yīng)的有機(jī)膜148被構(gòu)圖以具有一結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中重復(fù)具有階梯差的遮擋區(qū)(突出部分)和衍射曝光區(qū)(凹槽部分)。隨后,在重復(fù)突出部分和凹槽部分的有機(jī)膜148被拋光(fire),因此該有機(jī)膜148的表面具有凹凸不平的形狀。
參照圖10C,通過采用有機(jī)膜148作為掩模,對鈍化膜146和柵絕緣膜144進(jìn)行構(gòu)圖,因此透射孔154貫穿柵絕緣膜144,并且位于焊盤區(qū)中的鈍化膜146和柵絕緣膜144被去除。在這種情況下,刻蝕通過透射孔154所暴露出的漏極112、上存儲電極122以及位于上存儲電極122下方的半導(dǎo)體圖案。由于刻蝕速度不同,與漏極112、上存儲電極122和位于上存儲電極122下方的半導(dǎo)體圖案相比,柵絕緣膜144的邊緣部分具有突出的結(jié)構(gòu)。透射孔154暴露出像素電極118的第二導(dǎo)電層103,而透射孔154的側(cè)表面暴露出漏極112和上存儲電極122的側(cè)表面。
圖11A和11B所示分別為用于制造根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板的第四掩模工序的平面圖和截面圖。如圖11B所示,采用第四掩模工序,在各像素反射區(qū)中形成反射電極152。
具體地說,在有機(jī)膜148的凹凸不平的表面上形成反射金屬層,并且反射金屬層保持凹凸不平的形狀。反射金屬層具有包括第一反射金屬層151和第二反射金屬層152的雙層結(jié)構(gòu),其中第一反射金屬層151與像素電極具有低接觸電阻,例如,Mo,而第二反射金屬層153具有高反射能力,如AlNd。接著,利用采用第四掩模的光刻工序和刻蝕工序?qū)Φ谝环瓷浣饘賹?51和第二反射金屬層153進(jìn)行構(gòu)圖,從而形成位于各像素反射區(qū)的反射電極152。反射電極152通過透射孔154的邊緣部分連接漏極112和像素電極118,并且連接上存儲電極122和像素電極118。因此,不需要用于連接像素電極118和漏極112及上存儲電極122的單獨接觸孔,從而增加透射區(qū)的孔徑比。此外,反射電極152的第一反射金屬層151連接到像素電極118,即透明導(dǎo)電層,可以減少接觸電阻。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板及其制造方法,利用半色調(diào)或衍射曝光掩模形成與柵圖案類似的像素電極,并且采用反射電極152將像素電極118連接到漏極112和上存儲電極122,從而與現(xiàn)有技術(shù)相比,至少減少一輪掩模工序。
圖12所示為根據(jù)本發(fā)明透射反射式薄膜晶體管的周圍部分。如圖所示,透射反射式薄膜晶體管基板100包括將在與柵焊盤同一層所形成的數(shù)據(jù)焊盤138連接到數(shù)據(jù)線104的接觸電極160。也就是說,接觸電極160連接從數(shù)據(jù)焊盤138延伸出的數(shù)據(jù)鏈136與數(shù)據(jù)線104。接觸電極160是由與在有源區(qū)182中形成的反射電極152相同的金屬層AlNd、AlNd/Mo構(gòu)成的。接觸電極160存在的問題是當(dāng)其暴露到外部時由于氧化而受到侵蝕,因此其位于由密封劑180所密封的區(qū)域內(nèi),即密封劑180和有源區(qū)182之間。
此外,薄膜晶體管基板100包括靜電放電器件190,其用于阻斷流入有源區(qū)182中的靜電流。靜電放電器件190連接到數(shù)據(jù)線104或柵線102,并且包括彼此具有連接關(guān)系的多個薄膜晶體管300、310和320。靜電放電器件190通過在由靜電產(chǎn)生的高電壓區(qū)具有低阻抗而使過電流被放電,從而阻斷靜電流。另外,在正常驅(qū)動環(huán)境下具有高阻抗而不影響通過柵線或數(shù)據(jù)線所提供的驅(qū)動信號。靜電放電器件190需要用于相互連接薄膜晶體管300、310和320的多個接觸電極。接觸電極也是由與反射電極152相同的金屬層AlNd、AlNd/Mo構(gòu)成的。因此,靜電放電器件190也是位于由密封劑180所密封的區(qū)域中,即密封劑180和有源區(qū)182之間。
圖13所示為圖12所示的靜電放電器件190和連接到數(shù)據(jù)線104的接觸電極160的平面圖;而圖14所示為圖13中沿V-V’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
參照圖13和圖14,數(shù)據(jù)鏈136與從數(shù)據(jù)焊盤138延伸出并且位于密封劑180所密封的區(qū)域的數(shù)據(jù)線104的端部重疊。與數(shù)據(jù)焊盤138類似,數(shù)據(jù)鏈136具有透明導(dǎo)電層,即第一透明導(dǎo)電層108。
第一接觸電極160位于由數(shù)據(jù)鏈136和數(shù)據(jù)線104的重疊部分所形成的第一接觸孔162上方,以將數(shù)據(jù)線104連接到數(shù)據(jù)鏈136。第一接觸孔162貫穿有機(jī)膜148、鈍化膜146、數(shù)據(jù)線104、半導(dǎo)體圖案115和柵絕緣膜144,暴露出數(shù)據(jù)鏈136。因此,第一接觸電極160連接到通過第一接觸孔162所暴露出的數(shù)據(jù)線104的側(cè)表面,并且第一接觸電極160被連接到數(shù)據(jù)鏈136的表面。
連接到數(shù)據(jù)線104的靜電放電器件包括第二薄膜晶體管到第四薄膜晶體管300、310、320。第二薄膜晶體管300包括連接到數(shù)據(jù)線104的第二源極304、與第二源極304相對的第二漏極306,以及與第二源極304和第二漏極306重疊的第二柵極302,其間具有半導(dǎo)體圖案115和柵絕緣膜144。第二柵極302具有包括第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的雙層結(jié)構(gòu)。
第三薄膜晶體管310以二極管形式連接到第二薄膜晶體管的第二源極304和第二柵極302。為此,第三薄膜晶體管310包括連接到第二源極304的第三源極314、與第三源極314相對的第三漏極316,以及與第三源極314和第三漏極316重疊的第三柵級312,其間具有半導(dǎo)體圖案115和柵絕緣膜144。第三柵極312具有包括第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的雙層結(jié)構(gòu)。另外,第三柵極312通過在第二接觸孔340上方形成的第二接觸電極332連接到第三源極314。第二接觸孔340貫穿有機(jī)膜148、鈍化膜146、第三源極314、半導(dǎo)體圖案115、柵絕緣膜144以及第三柵極312的第二導(dǎo)電層103,暴露出第三柵極312的第一導(dǎo)電層101。
第四薄膜晶體管320以二極管形式連接到第二薄膜晶體管的第二漏極306和第二柵極302。為此,第四薄膜晶體管320包括連接到第二漏極306的第四源極324、與第四源極324相對的第四漏極326,以及與第四源極324和第四漏極326重疊的第四柵極322,其間具有半導(dǎo)體圖案115和柵絕緣膜144。第四柵極322具有包括第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103的雙層結(jié)構(gòu)。另外,第四漏極326連接到第三漏極316,并且其通過在第三接觸孔344上方形成的第三接觸電極334連接到第二柵極302。此外,第四柵極332通過在第四接觸孔348上方形成的第四接觸電極336連接到第四源極324。第三接觸孔344貫穿有機(jī)膜148、鈍化層146、第四漏極326、半導(dǎo)體圖案115、柵絕緣膜144、以及第二柵極302的第二導(dǎo)電層103。第四接觸孔348貫穿有機(jī)膜148、鈍化膜146、第四源極324、以及半導(dǎo)體圖案115、柵絕緣膜144以及第四柵極322的第二導(dǎo)電層103。
這里,第一接觸電極到第四接觸電極160、332、334、336是由雙層結(jié)構(gòu)形成的,該雙層結(jié)構(gòu)是由與上述反射電極152相同的金屬層沉積而成。因此,由于第一接觸電極到第四接觸電極160、332、334、336的第一反射金屬層151連接到第一導(dǎo)電層101,即透明導(dǎo)電層,因此可以減小接觸電阻。
具有該結(jié)構(gòu)的透射反射式薄膜晶體管可以由如上所述的四輪掩模工序形成。參照圖15A到圖18B對其進(jìn)行描述。
參照圖15A到圖15B,采用第一掩模工序在下基板142上形成柵圖案,其中柵圖案包括沿數(shù)據(jù)焊盤138的數(shù)據(jù)鏈136,以及第二柵極302、第三柵極312和第四柵極322。這里,數(shù)據(jù)焊盤138和數(shù)據(jù)鏈136僅由透明導(dǎo)電層,即第一導(dǎo)電層101形成,而且包括第二柵極302、第三柵極312和第四柵極322的柵圖案具有雙層結(jié)構(gòu),在該雙層結(jié)構(gòu)中沉積有第一導(dǎo)電層101和第二導(dǎo)電層103。如圖5A到圖6E中所述,第一掩模工序采用半色調(diào)掩模(或衍射掩模)。
參照圖16A和圖16B,采用第二掩模工序形成柵絕緣膜144、包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案115、以及包括數(shù)據(jù)線104、第二到第四源極304、314、324和第二到第四漏極306、316、326的源/漏圖案。第二掩模工序與在圖7A到圖8E中所述的相同。
參照圖17A到圖17B,利用第三掩模工序形成鈍化膜146和有機(jī)膜148,并且形成貫穿有機(jī)膜148到柵絕緣膜144的第一接觸孔、貫穿第二和第三柵極的第二導(dǎo)電層103的第二到第四接觸孔340、344、348。第三掩模工序與圖9A到圖10C所述相同。在這種情況下,去除柵焊盤區(qū)的有機(jī)膜148并且位于未形成有反射電極152的區(qū)域中的有機(jī)膜148不具有凹凸不平的表面。
參照圖18A到圖18B,采用第四掩模工序,形成具有與反射電極152相同的雙層結(jié)構(gòu)的第一到第四接觸電極160、332、334和336。第四掩模工序與圖11A和圖11B所述的相同。
如上所述,在根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板及其制造方法中,利用半色調(diào)掩模(或衍射掩模),通過一輪掩模工序形成雙層結(jié)構(gòu)的柵圖案和單層結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電圖案。因此,可能簡化制造工序。此外,由于雙層結(jié)構(gòu)的柵圖案的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層具有臺階狀的固定階梯差,因此可以防止由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的傾斜而引起的在源/漏圖案中的開口。
此外,在根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板及其制造方法中,暴露出像素電極的透射孔是通過構(gòu)圖有機(jī)膜所形成的,而貫穿透射孔邊緣的反射電極將漏極和上存儲電極連接到像素電極。因此,可能簡化制造工序,并且不再需要用于連接像素電極與漏極和上存儲電極的單獨接觸孔,從而增加透射區(qū)的孔徑比。
此外,在根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板及其制造方法中,與反射電極相同材料的接觸電極連接數(shù)據(jù)鏈和數(shù)據(jù)線,其中數(shù)據(jù)鏈和數(shù)據(jù)線是在彼此不同的層中形成的,并且防靜電器件的薄膜晶體管彼此連接在一起。因此,可以通過執(zhí)行四輪掩模工序而簡化工序。
而且,在根據(jù)本發(fā)明的透射反射式薄膜晶體管基板及其制造方法中,反射電極和接觸電極具有雙層結(jié)構(gòu)并且具有低接觸電阻的第一反射金屬層連接到透明導(dǎo)電層。因此,可能減小接觸電阻。
可以理解,對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下,可以對本發(fā)明做出多種變型和改進(jìn)。因此,本發(fā)明意欲覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等效物所限定的范圍內(nèi)的變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件,包括第一基板和第二基板;柵線,在第一基板上具有包括第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層的雙層結(jié)構(gòu);柵線上的第一絕緣層;數(shù)據(jù)線,與柵線交叉以限定像素區(qū),該像素區(qū)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域;薄膜晶體管,與柵線和數(shù)據(jù)線連接;像素電極,在像素區(qū)中由透明導(dǎo)電層形成;上存儲電極,其與柵線重疊以形成存儲電容并在其中間設(shè)有第一絕緣層;透射孔,從薄膜晶體管的第二絕緣層貫穿到第一絕緣層以暴露像素電極;反射電極,通過穿過透射孔的邊緣部分暴露的漏極和上存儲電極與像素電極連接;柵焊盤,沿柵線的第一導(dǎo)電層延伸;數(shù)據(jù)焊盤,由第一導(dǎo)電層形成并通過數(shù)據(jù)鏈連接到數(shù)據(jù)線;液晶層,位于第一和第二基板之間;其中在柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤中去除了第一和第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,在薄膜晶體管和第二絕緣層之間進(jìn)一步包括第三絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第三絕緣層為無機(jī)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述透射孔穿過第三絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第二絕緣層為有機(jī)材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,進(jìn)一步包括穿過第二絕緣層、數(shù)據(jù)線和第一絕緣層暴露數(shù)據(jù)鏈的的第一接觸孔,該數(shù)據(jù)鏈與數(shù)據(jù)線的端部重疊;并且,通過第一接觸孔橫向連接到數(shù)據(jù)線并與數(shù)據(jù)鏈表面連接的第一接觸電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一接觸電極由與反射電極相同的材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一接觸電極形成在密封劑區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述反射電極和第一接觸電極具有釹化鋁和鉬的雙層結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述器件進(jìn)一步包括連接到柵線和數(shù)據(jù)線之一的靜電放電器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述靜電放電器件包括第二薄膜晶體管,與柵線和數(shù)據(jù)線之一連接;第三薄膜晶體管,以二極管的形式連接在第二薄膜晶體管的柵極和源極之間;第四薄膜晶體管,以二極管的形式連接在第二薄膜晶體管的柵極和漏極之間;第二接觸電極,通過第二接觸孔連接到第三薄膜晶體管的源極和柵極;第三接觸電極,通過第三接觸孔連接到第三或第四薄膜晶體管的漏極和第二薄膜晶體管的柵極;第四接觸電極,通過第四接觸孔連接到第四薄膜晶體管的源極和柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第二、第三、第四薄膜晶體管的柵極具有雙層結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第二、第三、第四接觸電極由與反射電極相同的材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第二、第三、第四接觸孔從第二絕緣層開始貫穿源極或漏極、半導(dǎo)體圖案和柵極的第一絕緣層和第二導(dǎo)電層以暴露柵極的第一導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第二、第三和第四接觸電極形成在密封劑區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述反射電極和第二、第三、第四接觸電極具有釹化鋁和鉬的雙層結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第二絕緣層具有凸凹不平的表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述反射電極具有凸凹不平的表面。
19.一種制造液晶顯示器件的方法,包括提供第一和第二基板;使用第一掩模形成具有包括第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層雙層結(jié)構(gòu)的柵線和柵極以及具有第一導(dǎo)電層的像素電極;在電極上形成第一絕緣層;使用第二掩模在第一絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案,具有上存儲電極、漏極、源極和數(shù)據(jù)線的源/漏圖案,所述柵線和數(shù)據(jù)線限定具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的像素區(qū);使用第三掩模在源/漏圖案上形成第二絕緣層并在透射區(qū)域中形成貫穿第二絕緣層到第一絕緣層的透射孔;使用第四掩模在反射區(qū)域中形成反射電極,該反射電極通過透射孔將漏極和存儲電極連接到像素電極;和在第一和第二基板之間形成液晶層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,所述數(shù)據(jù)線與部分半導(dǎo)體圖案重疊。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,所述反射區(qū)域與部分像素電極重疊。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,所述形成透射孔包括在源/漏圖案上形成絕緣層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其特征在于,所述第三絕緣層為無機(jī)材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其特征在于,所述透射孔貫穿第三絕緣層。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,所述第二絕緣層為有機(jī)材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,進(jìn)一步包括使用第一掩模形成沿柵線的第一導(dǎo)電層延伸的柵焊盤和連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤;和使用第三掩模在具有柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的焊盤區(qū)域中去除第一和第二絕緣層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法,其特征在于,所述柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤具有相同的結(jié)構(gòu)。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法,進(jìn)一步包括使用第一掩模形成沿數(shù)據(jù)焊盤延伸并與數(shù)據(jù)線端部重疊的數(shù)據(jù)鏈;使用第三掩模形成經(jīng)由數(shù)據(jù)線從第二絕緣層貫穿到第一絕緣層的第一接觸孔以暴露該數(shù)據(jù)鏈;使用第四掩模形成通過第一接觸孔連接到暴露的數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)鏈的第一接觸電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法,其特征在于,所述第一接觸電極形成在密封劑區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法,其特征在于,所述反射電極和第一接觸電極具有釹化鋁和鉬的雙層結(jié)構(gòu)。
31.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,進(jìn)一步包括形成靜電放電器件,該靜電放電器件包括第二薄膜晶體管,與柵線和數(shù)據(jù)線之一連接;第三薄膜晶體管,以二極管的形式連接在第二薄膜晶體管的柵極和源極之間;第四薄膜晶體管,以二極管的形式連接在第二薄膜晶體管的柵極和漏極之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法,其特征在于,所述形成靜電放電器件的方法包括使用第一掩模形成第二、第三、第四薄膜晶體管的柵極,該柵極具有雙層結(jié)構(gòu);使用第二掩模在第一絕緣層上形成第二、第三、第四薄膜晶體管的漏極、源極和半導(dǎo)體圖案;使用第三掩模形成第二、第三、第四接觸孔;和使用第四掩模形成第二、第三、第四接觸電極。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第二接觸孔形成在第三薄膜晶體管的源極和柵極的重疊部分。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第三接觸孔形成在第三或第四薄膜晶體管的漏極和第二薄膜晶體管柵極的重疊部分。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第四接觸孔形成在第四薄膜晶體管的源極和柵極的重疊部分。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第二接觸電極通過第二接觸孔與第三薄膜晶體管的源極和柵極連接。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第三接觸電極通過第三接觸孔將第三或第四薄膜晶體管的漏極與第二薄膜晶體管的柵極連接。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第四接觸孔通過第四接觸孔暴露第四薄膜晶體管的源極和柵極。
39.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述第二、第三、第四接觸電極形成在密封劑區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法,其特征在于,所述反射電極和第二、第三、第四接觸電極具有釹化鋁和鉬的雙層結(jié)構(gòu)。
41.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,所述第二絕緣層具有凸凹不平的表面。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法,其特征在于,所述反射電極具有對應(yīng)于第二絕緣層的凸凹不平的表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器件,包括第一基板和第二基板;柵線,在第一基板上具有包括第一透明導(dǎo)電層和第二不透明導(dǎo)電層的雙層結(jié)構(gòu);柵線上的第一絕緣層;數(shù)據(jù)線,與柵線交叉以限定像素區(qū),該像素區(qū)具有透射區(qū)域和反射區(qū)域;薄膜晶體管;像素電極;上存儲電極,其與柵線重疊以形成存儲電容并在其中間設(shè)有第一絕緣層;透射孔,從薄膜晶體管的第二絕緣層貫穿到第一絕緣層以暴露像素電極;反射電極,通過透射孔的邊緣部分將像素電極與漏極和上存儲電極連接;柵焊盤,沿柵線的第一導(dǎo)電層延伸;數(shù)據(jù)焊盤,由第一導(dǎo)電層形成并通過數(shù)據(jù)鏈連接到數(shù)據(jù)線;液晶層,位于第一和第二基板之間;其中在柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤中去除了第一和第二絕緣層。
文檔編號G02F1/1368GK1707340SQ200510074819
公開日2005年12月14日 申請日期2005年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月5日
發(fā)明者安炳喆, 樸鐘佑 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社
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