專利名稱:有源矩陣型電-光器件及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種有源矩陣型顯示器件及其顯示方法。有源矩陣型顯示器件是指這樣一種顯示器件,其中的象素設(shè)置在一個矩陣的相應(yīng)的交叉點上,每個象素配備一個開關(guān)元件,并且通過開關(guān)元件的開/關(guān)轉(zhuǎn)換來控制圖象信息。用于有源矩陣型顯示器件的顯示介質(zhì)的實例有液晶、等離子體和其它物質(zhì)及狀態(tài),它們的光學(xué)特性(反射率、折射率、透射率、光發(fā)射強度等等)可以進行電致改變。本發(fā)明尤其涉及一種有源矩陣型顯示器件,該顯示器件采用一個三端子元件(即一個具有柵極、源極和漏極的場效應(yīng)晶體管)作為開關(guān)元件。
在本發(fā)明的描述中, 術(shù)語一個矩陣的“行”是指這樣一個結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中與一個相關(guān)行平行設(shè)置的一個信號線(柵極線)與屬于該行的晶體管的柵極相連。術(shù)語“列”是指這樣一個結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中與一個相關(guān)列平行設(shè)置的一個信號線(源極線)與屬于該列的晶體管的源極(或漏極)相連。用于驅(qū)動?xùn)艠O線的電路和用于驅(qū)動源極線的電路分別稱作柵極驅(qū)動器和源極驅(qū)動器。
在該顯示器中,顯示介質(zhì)是TN液晶,圖象信息是象素電壓。即用由每個象素維持的電壓控制TN液晶(顯示介質(zhì))的透射率。常規(guī)地,在這種有源矩陣型顯示器中,通過采用自上而下逐行掃描來更新所有象素的顯示內(nèi)容以重寫一個圖象。以這樣的幀頻即每秒30-60次(30-60Hz)進行圖象重寫。
然而,對于某些類型的顯示內(nèi)容,并不總是需要這樣的頻率來重寫圖象。例如,不必重寫一個靜止的圖象,直到由象素維持的電壓降低到這樣低的電壓值使得不足以保證顯示質(zhì)量為止。即使在運動圖象的情況下,每次并非所有象素顯示不同的圖像信息。
圖象重寫需要信號輸出,這就是功耗增加的一個因素,并且因而有礙于便攜式應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是根據(jù)上述情況而作出,并且本發(fā)明的一個目的是通過在一個有源矩陣型電—光器件中使圖象重寫的頻率盡可能低來降低能耗。
為獲得此目的,本發(fā)明的特征在于以下步驟首先,把施加于某一行象素上的信號與前一幀相應(yīng)的信號比較。只有當(dāng)對于有關(guān)行來說至少一個象素上的兩個信號不同,才會輸出一個表明有必要重寫的信號(刷新脈沖)。兩個信號(例如,延遲電路的一個輸入信號和一個輸出信號)之間的差別可以通過在延遲電路中比較這兩個信號而測得。
可以通過采用刷新脈沖來向有關(guān)行的柵極線施加?xùn)艠O脈沖以進行重寫,從而使有關(guān)行的有源矩陣晶體管的柵極處于接通狀態(tài)。
如果要施加于有關(guān)行的所有象素上的信號與前一幀的對應(yīng)的信號相同,作為一個總的規(guī)則,不發(fā)出刷新脈沖。然而,如果圖象信息保持不變的狀態(tài)持續(xù)許多幀,這樣長時間不執(zhí)行重寫會造成各種問題。例如,在采用TN液晶作為顯示介質(zhì)的情況下,長時間施加同一極性的電壓會造成電蝕,導(dǎo)致其性能變差。因此,需要定時地進行極性轉(zhuǎn)變。當(dāng)只采用一個單獨的晶體管作為有源矩陣開關(guān)元件時,源極-漏極漏電流等等會改變存儲在一個象素中的圖象信息(例如,電壓)。
考慮到以上情況,在本發(fā)明中,即使圖象信息沒有發(fā)生改變,每隔幾幀對象素強制執(zhí)行一次重寫。當(dāng)采用液晶材料作為顯示介質(zhì)時,有利的是在強制進行對象素的重寫的過程中施加于液晶上的電壓的極性被顛倒(施加交流電壓)。
以上述方式,通過只對需要重寫的象素或行進行重寫而從總體上降低圖象重寫頻率,可以降低功耗。為了避免顯示特性變差,以下列方式定時進行重寫是行之有效的。
假定一個矩陣包括20行,即第1行,第2行,第3行,……,第19行和第20行。還假設(shè)由該矩陣連續(xù)顯示完全相同的圖象,并且每5幀執(zhí)行一次強制重寫。
最簡單的型式是在第1幀中對所有行進行重寫,并且在第2至第5幀不進行重寫。然而在該型式中,在第2至第5幀過程中,由于象素電壓降低,亮度會變化。通過在第6幀中重寫,亮度會恢復(fù)至與第1幀中相同的亮度。
如果一幀周期是30毫秒,在兩個重寫操作之間的間隔是150毫秒。因此,由于在第6幀的重寫而產(chǎn)生的亮度變化足以察覺到,肉眼會感覺到閃爍。
可以通過把重寫操作分配到第1至第5幀而不是只有第1幀中進行重寫來解決這個問題。尤其是4行在一幀中進行重寫。例如,在第1幀中,只有第1行,第6行,第11行和第16行強制進行重寫。在第2幀中,在第2行,第7行,第12行和第17行進行重寫。在第3幀中,在第3行,第8行,第13行和第18行進行重寫。在第4幀中,在第4行,第9行,第14行和第19行進行重寫。在第5幀中,在第5行,第10行,第15行和第20行進行重寫。在第6幀進行相似的操作。重寫操作可以按相同的原則以不同的方式分配。
通常來說,在整個矩陣分成N組,每組包括m行的情況下,在一幀中N行經(jīng)受強制重寫,并且在m幀中完成對所有行的重寫。
在這種情況下,例如,上述第1行可稱為第1組,第1行;上述第7行稱為第2組,第2行;上述第14行稱為第3組,第4行;并且上述第20行稱為第4組,第5行。另外,可以不同的方式給出組和行號碼。
通過按上述方式分配重寫操作有可能使閃爍不被察覺。作為一個典型例子,有這樣一個規(guī)則在某一幀(被稱為第一幀)中,對其中每一組的第一行進行強制重寫,則由此幀后的一幀起算的第(K-1)幀,即,在第K幀中(K=1,2,3,…,m),第K行將予強制改寫。上面描述的實例滿足這個規(guī)則。
然而,并不要求滿足這樣的規(guī)則性。滿足這樣一個規(guī)則是足夠的,即在m個連續(xù)幀中,應(yīng)當(dāng)在一幀在由m個任選行構(gòu)成的柵極線組的一行上進行強制重寫,并且在該組的所有行上造行重寫。
如果從另一角度看本發(fā)明可以理解到 滿足這樣一個規(guī)則就足夠了,即在某幀(稱為第1幀)中,某一行接受強制重寫,則自其后一幀起算的第m幀,即在第(m+1)幀中,相同的行再接受重寫。
另外,在采用液晶材料作為顯示介質(zhì)的情況下,這一點是有利的,即施加在第(m+1)幀中的有關(guān)行的象素上的電壓的極性與施加在第1幀和第(2m+1)幀中的相同象素上的電壓極性相反。這是因為可以為強制重寫液晶材料提供必不可少的交流電壓。
圖1是一個表示第一實施例的電路結(jié)構(gòu)的方框圖;圖2表示在第一實施例中的一個數(shù)據(jù)比較電路;圖3表示一個在第一實施例中的刷新脈沖發(fā)生電路;圖4是一個表示怎樣通過圖3的電路產(chǎn)生刷新脈沖的時間圖;圖5表示一個在第一實施例中的一個門驅(qū)動器的啟動脈沖發(fā)生電路;圖6表示另一個在第一實施例中的一個門驅(qū)動器的啟動脈沖發(fā)生電路;圖7是一個表示怎樣通過圖5或6的電路產(chǎn)生啟動脈沖的時間圖;圖8表示在第一實施例中的柵極驅(qū)動器及其輔助電路;圖9表示在第一實施例中的柵極驅(qū)動器的輸出;圖10是一個表示如何輸出柵極脈沖的時間圖;圖11是一個表示第二實施例的電路結(jié)構(gòu)的方框圖;圖12表示一個在第二實施例中的刷新脈沖發(fā)生電路;圖13是一個表示如何通過12的電路產(chǎn)生刷新脈沖的時間圖;和圖14是一個表示如何輸出柵極脈沖的時間圖。
具體實施例方式
第一實施例參照圖1-10描述本發(fā)明的第一實施例。圖1表示該實施例的電路結(jié)構(gòu)。一個有源矩陣采用場效應(yīng)晶體管(例如,薄膜晶體管)作為開關(guān)元件,并且該有源矩陣的尺寸是N×m行和M列。這些行分為N組,每組包括m柵極線。把第i組、第j行柵極線寫作(i,j)。
把一個模擬圖象信號通過一個A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)變成一個數(shù)字信號,把該數(shù)字信號傳送到一個存儲器。另外,用一個同步信號分離電路從圖象信號中分離出同步信號,并且把該同步信號輸送給一個時鐘發(fā)生器。
設(shè)置兩個存儲器,即存儲器1和存儲器2。(也可以選擇設(shè)置三個或更多個存儲器)。開關(guān)S1將數(shù)據(jù)送至存儲器1或存儲器2。通過開關(guān)S2立即把存進存儲器中的數(shù)據(jù)讀出。也就是,開關(guān)S2運作以讀出來自存儲器1和存儲器2之一的未被開關(guān)S1選擇的數(shù)據(jù)。
采用兩個或更多個存儲器以進行寫和讀操作的原因是需要轉(zhuǎn)變數(shù)據(jù)順序。在一個普通圖象信號中,按以下列順序安排數(shù)據(jù)(1,1),(1,2),(1,3),(1,4),…,(1,m)(2,1),(2,2),(2,3),(2,4),…,(2,m)(3,1),(3,2),(3,3),(3,4),…,(3,m)(4,1),(4,2),(4,3),(4,4),…,(4,m)… … … … … …(N,1),(N,2),(N,3),(N,4),…,(N,m)在本實施例中需要采用后面描述的方法來把掃描順序改變?yōu)槿缦碌捻樞?1,1),(2,1),(3,1),(4,1),…,(N,1)(1,2),(2,2),(3,2),(4,2),…,(N,2)(1,3),(2,3),(3,3),(4,3),…,(N,3)
(1,4),(2,4),(3,4),(4,4),…,(N,4)… ………… …(1,m),(2,m),(3,m),(4,m),…,(N,m)把通過改變上面的數(shù)據(jù)順序而得到的信號送到一個幀存儲器和一個數(shù)據(jù)比較電路。還把同一信號傳輸給一個源驅(qū)動器。如果源驅(qū)器為數(shù)字型的,則信號可以直接輸入。然而,如果源驅(qū)器為模擬型的,則在輸入之前需要對信號進行D/A轉(zhuǎn)換。
圖2表示數(shù)據(jù)比較電路的細(xì)節(jié)。該幀存儲器存貯一幀以前的數(shù)據(jù)。移位寄存器1把一行有關(guān)當(dāng)前幀的數(shù)據(jù)傳送給寄存器1。移位寄存器2把有關(guān)前面一幀的行的數(shù)據(jù)傳送給寄存器2。
假設(shè)現(xiàn)在柵極驅(qū)動器向例如第i組第j行提供一個電壓。在這種情況下,第i組第j行的當(dāng)前數(shù)據(jù)存儲在寄存器1中,前一幀的相同行的數(shù)據(jù)存儲在寄存器2中。一行包括M個象素,并且借助于圖2底部所示的M個“異—或”電路之中的一個對每個象素的兩個數(shù)據(jù)進行相互比較。如果當(dāng)前數(shù)據(jù)和前一幀的數(shù)據(jù)彼此不同,則“異—或”邏輯電路向設(shè)在下面的“或”邏輯電路提供一個輸出。也就是說,如果對于M個象素中的至少一個象素來說當(dāng)前數(shù)據(jù)和前一幀數(shù)據(jù)彼此不同,則“或”邏輯電路向刷新脈沖發(fā)生電路提供一個信號。
一旦完成了第i組第j行的比較,則開始對第(j+1)組第j行的比較。以此方式,一個接著一個地進行數(shù)據(jù)比較。
通過刷新脈沖發(fā)生電路把數(shù)據(jù)比較電路的輸出傳送給一個“與”電路陣列,該“與”電路陣列設(shè)置在柵極驅(qū)動器和有源矩陣之間。有來自比較電路的輸出則意謂著有關(guān)行的當(dāng)前信息不同于前一幀的信息。因此,需要產(chǎn)生一個柵極脈沖來執(zhí)行在有關(guān)行的重新寫入。從圖3可以看出,在接到數(shù)據(jù)比較信號之后,“或”邏輯電路直接向“與”邏輯電路提供一個刷新脈沖。作為響應(yīng),已經(jīng)接到柵極驅(qū)動器輸出的行(第i組,第j行)的“與”邏輯電路啟動以輸出一個門脈沖。
如果數(shù)據(jù)比較電路不產(chǎn)生輸出,則向該“與”邏輯陣列提供一個造成規(guī)則的、強制的重寫的信號。圖3的電路適于進行這樣的操作。為簡化起見,假設(shè)一個N=4且m=5的20一行矩陣。圖4是一個表示在圖3中①-⑤點處信號的時間圖和一個刷新脈沖輸出。在圖4中,一個水平時鐘在一幀周期內(nèi)包括20個脈沖。通過用N(=4)去除水平時鐘信號的頻率,在一幀周期中的脈沖數(shù)減少到5個。
收到了這樣產(chǎn)生的脈沖,延遲電路(DFF)運作以最后產(chǎn)生刷新脈沖,這些刷新脈沖順序地延遲一個等于一幀周期的時間,借此恢復(fù)到以5幀為周期的初始計時。在圖4中,第5和第6幀的刷新脈沖彼此連接。如果沒有信號從數(shù)據(jù)比較電路輸出(即如果在圖象信息中沒有變化),則只輸出圖4中所示的刷新脈沖。
現(xiàn)在來描述柵極驅(qū)動器。如上所述,本發(fā)明采用不同于通常順序的掃描順序。因而柵極驅(qū)動器具有特殊結(jié)構(gòu)。圖8表示柵極驅(qū)動器的一個實施例。即在該實施例中,平行地設(shè)置m個-N級稱位寄存器。通過一個在圖5或6中所示的電路使對于各個移位寄存器的啟動脈沖SP1-SPm同步。
圖9是一個表示在“與”邏輯電路陣列之前由上面電路產(chǎn)生的脈沖的時間圖和從N=4且m=5的矩陣的柵極驅(qū)動器的輸出。圖9中圈起來的數(shù)字表示脈沖輸出順序。即脈沖按順序輸出到第1組,第1行,第2組,第1行,第3組,第1行,第4組,第1行,第1組,第2行,第2組,第2行,……以圖10所示的方式,在“與”邏輯電路陣列中把已經(jīng)按上述的方式進行了同步處理的柵極驅(qū)動器的輸出脈沖(SR輸出)同一個刷新脈沖組合。為了簡單起見,假設(shè)討論是針對一個靜止圖象并且沒有從數(shù)據(jù)比較電路的輸出。盡管圖10只表示對于第1組第4行(1,4),第2組第2行(2,2),第3組第5行(3,5),和第4組第1行的脈沖,同樣的情況適用于其它行。用于各個行的移位寄存器(SR)在第1至第5幀中規(guī)則地輸出脈沖。只有當(dāng)一個刷新脈沖與移位寄存器輸出脈沖之一共存時,它才作為一個柵極脈沖輸送給該矩陣。
例如,在行(1,4)的情況下,刷新脈沖不與在第1至第3幀和第5幀中任何之一中的SR輸出共存,因而該“與”邏輯電路不產(chǎn)生柵極脈沖。只有在其中刷新脈沖與SR輸出共存的第4幀中產(chǎn)生柵極脈沖。類似地,一個柵極脈沖只有第2幀輸送到行(2,2),只在第5幀輸送到行(3,5),并且只在第1幀輸送到行(4,1)。
也就是說,在該實施例中,只有在第j幀一個柵極脈沖才被輸送到第i組、第j行。
不言而喻,當(dāng)從數(shù)據(jù)比較電路中存在一個輸出時,則每次產(chǎn)生一個刷新脈沖并且一個柵極脈沖被供應(yīng)到相應(yīng)行。
第二實施例參照圖11-14描述本發(fā)明的第二實施例。圖10表示本實施例的電路結(jié)構(gòu)。一個有源矩陣采用場效應(yīng)晶體管(比如薄膜晶體管)作為開關(guān)元件,并且具有N×m行和M列的大小。這些行被分成N組,每組包括m個柵極線。第i組,第j行柵極線寫作(i,j)。
通過一個A/D轉(zhuǎn)換器把一個模擬圖象信號轉(zhuǎn)變成一個數(shù)字信號,把該數(shù)字信號傳輸給一個數(shù)據(jù)比較電路。另外,通過一個同步信號分離電路從圖象信號中分離出同步信號,并且把該同步信號供給一個時鐘發(fā)生器。
與第一實施例相反,第二實施例采用與通常的顯示方案中的順序相同的掃描順序。因此,沒有必要進行在第一實施例中進行的數(shù)據(jù)順序的改變。即在該實施例中以下列順序進行掃描(1,1),(1,2),(1,3),(1,4),…,(1,m)(2,1),(2,2),(2,3),(2,4),…,(2,m)(3,1),(3,2),(3,3),(3,4),…,(3,m)(4,1),(4,2),(4,3),(4,4),…,(4.m)… … … … … …(N,1),(N,2),(N,3),(N,4),…,(N,m)本實施例的幀存儲器和數(shù)據(jù)比較電路與第一實施例的相同(見圖2)。把有關(guān)行的當(dāng)前幀數(shù)據(jù)與存儲在幀存儲器中的前一幀數(shù)據(jù)進行比較。如果它們彼此不同,則從數(shù)據(jù)比較電路向設(shè)置在其后面的刷脈沖發(fā)生電路傳送一個信號。
通過具有圖12所示結(jié)構(gòu)的刷新脈沖發(fā)生電路向一個“與”邏輯電路陣列傳送數(shù)據(jù)比較電路的輸出,該“與”邏輯電路陣列設(shè)在柵極驅(qū)動器和有源矩陣之間。有來自比較電路的輸出意謂著有關(guān)行(比如第i組,第j行)的當(dāng)前信息不同于前一幀的信息。因此,需要產(chǎn)生一個柵極脈沖來執(zhí)行在有關(guān)行的重新寫入。從圖12中可以看出,在接到數(shù)據(jù)比較信號之后,“或”邏輯電路立即向“與”邏輯電路提供一個刷新脈沖。作為響應(yīng),已經(jīng)接到柵極驅(qū)動器輸出的行(第i組,第j行)的“與”邏輯電路啟動以輸出一個柵極脈沖。
如果數(shù)據(jù)比較電路不產(chǎn)生輸出,則向該“與”邏輯陣列提供一個生成規(guī)則的、強制的重寫的信號。圖12的電路適于進行這樣的操作。為簡化起見,假設(shè)一個N=4且m=5的20一行矩陣。圖13是一個表示在圖12中①-④點處信號的時間圖和一個刷新脈沖輸出。在圖13中,一個水平時鐘在一幀周期內(nèi)包括20個脈沖。通過用2m(=10)去除水平時鐘信號的頻率,在一幀周期中的脈沖數(shù)減少到2個。
收到這樣產(chǎn)生的脈沖,則延遲電路(DFF)啟動以最終產(chǎn)生刷新脈沖。在一幀周期中輸出4個刷新脈沖,并且這些脈沖之間的間隔與在一個單獨幀中的相同。在從第一幀向第二幀的轉(zhuǎn)變中,第一脈沖被延遲一個脈沖周期。類似地,在每個從第二幀向第三幀,第三幀向第四幀和第四幀向第五幀的轉(zhuǎn)換中,第一脈沖延遲一個脈沖周期。
當(dāng)完成第一至第五幀的一個周期運作時,從第六幀開始一個新的周期。從圖13中可以看出,在從第五至第六幀的轉(zhuǎn)換中,第五幀的最后一個脈沖與第六幀的第一個脈沖連接。按上面的方式使刷新脈沖同步,并且將這些脈沖供給“與”邏輯電路陣列。如果從數(shù)據(jù)比較電路沒有數(shù)據(jù)輸出(即如果圖象信息沒有變化),則只輸出圖13所示的刷新脈沖。
本實施例的柵極驅(qū)動器與第一實施例的相同,并且由一個m×N級的單獨的移位寄存器組成。以下列順序把移位寄存器的各級的輸出供給“與”邏輯電路陣列
(1,1),(1,2),(1,3),(1,4),…,(1,m)(2,1),(2,2),(2,3),(2,4),…,(2,m)(3,1),(3,2),(3,3),(3,4),…,(3,m)(4,1),(4,2),(4,3),(4,4),…,(4,m)… … … … … …(N,1),(N,2),(N,3),(N,4),…,(N,m)以圖14所示的方式,在“與”邏輯電路陣列中把按上述方式已經(jīng)進行了同步處理的柵極驅(qū)動器的輸出脈沖與一個刷新脈沖組合。為簡化起見,假設(shè)討論是針對一個靜止圖象并且沒有從數(shù)據(jù)比較電路的輸出。盡管圖14只表示對于第1組第4行(1,4),第2組第2行(2,2),第3組第5行(3,5),和第4組第1行(4,1)的脈沖,同樣的情況適用于其它行。用于各個行的移位寄存器(SR)在第1至第5幀中規(guī)則地輸出脈沖。只有當(dāng)一個刷脈沖與移位寄存器輸出脈沖之一共存時,它才作為一個柵極脈沖輸送給該矩陣。
例如,在行(1,4)的情況下,刷新脈沖不與在第1至第3幀和第5幀中任何之一中的SR輸出共存,因而該“與”邏輯電路不產(chǎn)生柵極脈沖。只有在其中刷新脈沖與SR輸出共存的第4幀中產(chǎn)生柵極脈沖。類似地,一個柵極脈沖只在第2幀輸送到行(2,2),只在第5幀輸送到行(3,5),并且只在第1幀輸送到行(4,1)。
也就是說,在該實施例中,只有在第j幀一個柵極脈沖才被輸送到第i組、第j行。
不言而喻,當(dāng)從數(shù)據(jù)比較電路中存在一個輸出時,則每次產(chǎn)生一個刷新脈沖,并且一個柵極脈沖被供應(yīng)到相應(yīng)行。
本發(fā)明可以降低在有源矩陣電路中的功率消耗。另外,如在第一和第二實施例所描述,通過向若干幀分配強制的刷新操作,本發(fā)明可以抑制圖象質(zhì)量變差。
將本發(fā)明與各種采用有源矩陣型裝置的顯示電路相結(jié)合就更有效。在有源矩陣電路中,由于各個開關(guān)元件性能的非常小的差別,各個象素在顯示性能上有細(xì)微的差別。例如,當(dāng)用薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)元件時,在非選擇狀態(tài)下(不供應(yīng)柵極脈沖)具有較大截止電流的TFT伴隨著較大的漏電流,因而TFT的充電保持能力差。在一個與這樣的TFT相關(guān)的象素中,應(yīng)向電源供應(yīng)比普通情況下高的電壓。
希望事先以構(gòu)成有源矩陣的開關(guān)元件的特性補償圖象信號。在第一或第二實施例的A/D轉(zhuǎn)換電路之后可以設(shè)置這樣一個補償電路。這種類型的補償操作使圖象的顯示更清楚且不太可能出現(xiàn)缺陷。也就是說,執(zhí)行數(shù)字處理的本發(fā)明可以與其它需要數(shù)字處理的顯示電路組合以造成疊加的效果。
本發(fā)明也可以與一個顯示電路(例如,參見日本未審查公開號No,Hei,5-35202)組合,在該顯示電路中通過向象素施加一個數(shù)字信號而不是一個模擬信號來進行分度顯示,借此提供進一步的優(yōu)點。這樣本發(fā)明可用于相關(guān)的工業(yè)中。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動顯示器件的方法,包括對象素矩陣的同一象素中的連續(xù)的第一幀和第二幀的顯示數(shù)據(jù)進行比較,而第二幀隨后于第一幀;在第二幀期間,選擇地產(chǎn)生刷新脈沖以便把柵極脈沖選擇地施加到柵極線上,該柵極線連接到設(shè)置在同一象素中的象素薄膜晶體管的柵極,對連續(xù)的第一和第二幀的顯示數(shù)據(jù)彼此不同的同一象素的柵極線施加有選擇地導(dǎo)通的該柵極脈沖;對同一象素進行由第一幀的顯示數(shù)據(jù)到第二幀的顯示數(shù)據(jù)的重寫;將象素矩陣中的所有行分成多個組,各組包括m行;對設(shè)置在第k幀中的各組的第k行的象素薄膜晶體管的柵極施加掃描信號,其中k=1,2,3,----,m;由掃描信號強制重寫所述第k幀中的第k行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其特征在于顯示器件是一種液晶顯示器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其特征在于象素矩陣包括一種有源矩陣電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其特征在于包括當(dāng)同一象素中的連續(xù)的第一和第二幀的顯示數(shù)據(jù)彼此不同時,對刷新脈沖發(fā)生電路傳送信號的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其特征在于在一種包含延遲電路的刷新脈沖發(fā)生電路中產(chǎn)生掃描信號。
6.一種驅(qū)動顯示器件的方法,包括對象素矩陣的同一象素中的連續(xù)的第一幀和第二幀的顯示數(shù)據(jù)進行比較,而第二幀隨后于第一幀;將柵極驅(qū)動器的輸出信號輸入到“與”邏輯電路的第一輸入端子;在第二幀期間,當(dāng)?shù)谝粠偷诙娘@示數(shù)據(jù)彼此不同時,將刷新脈沖信號輸入到“與”邏輯電路的第二輸入端子;從所述“與”邏輯電路輸出柵極脈沖到柵極線上,該柵極線與同一象素的象素薄膜晶體管的柵極連接;對同一象素進行由第一幀的顯示數(shù)據(jù)到第二幀的顯示數(shù)據(jù)的重寫;將象素矩陣中的所有行分成多個組,各組包括m行;對設(shè)置在第k幀中的各組的第k行的象素薄膜晶體管的柵極電極施加掃描信號,其中k=1,2,3,----,m;由掃描信號強制重寫所述第k幀中的第k行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其特征在于顯示器件是一種液晶顯示器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其特征在于象素矩陣包括一種有源矩陣電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其特征在于包括當(dāng)同一象素中的連續(xù)的第一和第二幀的顯示數(shù)據(jù)彼此不同時,對刷新脈沖發(fā)生電路傳送信號的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其特征在于在一種包含延遲電路的刷新脈沖發(fā)生電路中產(chǎn)生掃描信號。
11.一種驅(qū)動顯示器件的方法,包括對象素矩陣的同一象素中的連續(xù)的第一幀和第二幀的顯示數(shù)據(jù)進行比較,而第二幀隨后于第一幀;將柵極驅(qū)動器的移位寄存器的輸出信號輸入到“與”邏輯電路的第一輸入端子;在第二幀期間,當(dāng)?shù)谝粠偷诙娘@示數(shù)據(jù)彼此不同時,將刷新脈沖信號輸入到“與”邏輯電路的第二輸入端子;從所述“與”邏輯電路輸出柵極脈沖到柵極線上,該柵極線與同一象素的象素薄膜晶體管的柵極連接;對同一象素進行由第一幀的顯示數(shù)據(jù)到第二幀的顯示數(shù)據(jù)的重寫;將象素矩陣中的所有行分成多個組,各組包括m行;對設(shè)置在第k幀中的各組的第k行的象素薄膜晶體管的柵極施加掃描信號,其中k=1,2,3,----,m;由掃描信號強制重寫所述第k幀中的第k行。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其特征在于顯示器件是一種液晶顯示器。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其特征在于象素矩陣包括一種有源矩陣電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其特征在于還包括當(dāng)同一象素中的連續(xù)的第一和第二幀的顯示數(shù)據(jù)彼此不同時,對刷新脈沖發(fā)生電路傳送信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其特征在于在一種包含延遲電路的刷新脈沖發(fā)生電路中產(chǎn)生所述掃描信號。
16.一種驅(qū)動顯示器件的方法,包括對象素矩陣的同一象素的連續(xù)的第一幀和第二幀的顯示數(shù)據(jù)進行比較,而第二幀隨后于第一幀;在第二幀期間,選擇地產(chǎn)生刷新脈沖以便把柵極脈沖選擇地施加到柵極線上,該柵極線連接到設(shè)置在同一象素中的象素薄膜晶體管的柵極,對連續(xù)的第一和第二幀的顯示數(shù)據(jù)彼此不同的同一象素的柵極線施加有選擇地導(dǎo)通的該柵極脈沖;對同一象素進行由第一幀的顯示數(shù)據(jù)到第二幀的顯示數(shù)據(jù)的重寫;將象素矩陣中的所有行分成多個組,各組包括m行;對設(shè)置在第k幀中的各組的第k行的象素薄膜晶體管的柵極施加掃描信號,其中k=1,2,3,----,m;由掃描信號強制重寫所述第k幀中的第k行;以及為了防止象素矩陣中的象素間的不同的顯示特性,補償視頻信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,其特征在于顯示器件是一種液晶顯示器。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,其特征在于象素矩陣包括一種有源矩陣電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,其特征在于還包括當(dāng)同一象素的連續(xù)的第一和第二幀的顯示數(shù)據(jù)彼此不同時,對刷新脈沖發(fā)生電路傳送信號。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,其特征在于在一種包含延遲電路的刷新脈沖發(fā)生電路中產(chǎn)生掃描信號。
全文摘要
通過降低在某些顯示圖象中象素的圖象重寫頻率來降低功耗,在這些顯示圖像中屏幕有一部分在幀與幀之間不發(fā)生變化。另外,為了解決隨著時間圖象信息(例如,象素電壓)變差的現(xiàn)象,定時進行刷新操作。跳過多個行進行隔行掃描。經(jīng)過若干幀進行刷新操作,在這幾幀中一部分行在一幀中進行刷新。這樣避免了當(dāng)在一幀中整個屏幕被刷新時會出現(xiàn)的閃爍。
文檔編號G02F1/133GK1404306SQ02142020
公開日2003年3月19日 申請日期2002年8月20日 優(yōu)先權(quán)日1994年2月25日
發(fā)明者小山潤, 竹村保彥 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所