Oled像素電路及驅動方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示【技術領域】，尤其涉及OLED像素電路及驅動方法、顯示裝置。該OLED像素電路，包括數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，其中：數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊分別連接驅動模塊、開關模塊、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，用于根據(jù)掃描信號線的掃描信號，使數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至驅動模塊，并對驅動模塊的閾值電壓進行補償；開關模塊還分別連接驅動模塊、發(fā)光模塊和發(fā)光控制信號線，用于根據(jù)發(fā)光控制信號線的控制信號，使經(jīng)閾值補償?shù)尿寗幽K提供的數(shù)據(jù)信號輸入至發(fā)光模塊，驅動發(fā)光模塊發(fā)光。該OLED像素電路使得OLED的驅動電流不受晶體管閾值電壓的影響，使顯示裝置亮度均勻性更好。
【專利說明】OLED像素電路及驅動方法、顯示裝置【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術領域】，尤其涉及OLED像素電路及驅動方
[0002]法、顯示裝置。
【背景技術】
[0003]隨著多媒體技術的急速進步，半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示裝置而言，OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)由于具有能自發(fā)光、對比度高，色域廣等優(yōu)點，并且還具有制備工藝簡單、功耗低、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，成為新興的平板顯示裝置中重要的發(fā)光元件。
[0004]其中，尤其以主動式矩陣有機發(fā)光二極管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode,簡稱AMOLED)顯示裝置具有無視角限制、低制造成本、高應答速度(約為液晶顯示裝置的百倍以上)、省電、工作溫度范圍大以及重量輕、可用于可攜式機器的直流驅動且可隨硬件設備小型化及薄型化等優(yōu)點，而具有極大的發(fā)展?jié)摿?，可望成為下一代的新型平板顯示裝置，大有取代液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,簡稱IXD)的趨勢。
[0005]在AMOLED顯示面板的像素結構中，每一個子像素中都集成了一組薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱 TFT)和存儲電容(Storing Capacitor,簡稱 Cs),通過對薄膜晶體管TFT和存儲電容Cs的驅動控制，實現(xiàn)對通過子像素中的OLED的電流的控制，從而使OLED發(fā)光。目前，AMOLED顯示面板中薄膜晶體管主要有三種制備方式，其一是利用非晶硅(α-Si)工藝技術來制備,其二是利用低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon,簡稱LTPS)工藝技術來制備，其三是利用氧化物(Oxide)工藝技術來制備。一般的，薄膜晶體管的型態(tài)可以為P型或N型。
[0006]但是，無論是選擇P型還是N型薄膜`晶體管來實現(xiàn)有機發(fā)光二極管像素電路，通過OLED的電流都不僅受數(shù)據(jù)電壓Vdata的控制，同時也受TFT閾值電壓Vth的影響。由于多個像素電路中TFT的閾值電壓和遷移率等特性存在差異，各OLED像素電路的TFT不可能具備完全一致的性能參數(shù)；同時，TFT隨著電壓應力(Voltage stress)時間增加，閾值會發(fā)生漂移。由此導致流經(jīng)OLED的電流不僅會隨著OLED的導通電壓(V_D TH)經(jīng)長時間應力(long time stress)的變化而改變,而且還會隨著用以驅動OLED的薄膜晶體管TFT的臨限電壓漂移(VTH shift)而有所不同。進而造成流過各OLED像素電路中OLED的電流不一致，導致各OLED像素電路發(fā)光亮度不同，進一步導致有機發(fā)光二極管顯示裝置的亮度均勻性(brightness uniformity)與亮度恒定性(brightness constancy)受影響，影響有機發(fā)光二極管顯示裝置的顯示效果；同時，目前的有機發(fā)光二極管像素電路中，由于OLED長時間處于正偏壓的狀態(tài)，將導致OLED的使用壽命縮短，導致有機發(fā)光二極管顯示裝置的使用壽命受影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在的上述的不足，提供一種OLED像素電路及驅動方法、顯示裝置，該OLED像素電路能對閾值電壓進行有效補償，從而保證各OLED像素電路發(fā)光亮度的均勻性，還能延長有機發(fā)光二極管的使用壽命。
[0008]解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種OLED像素電路，包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，其中:
[0009]所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊分別連接所述驅動模塊、所述開關模塊、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，用于根據(jù)所述掃描信號線的掃描信號，使所述數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至所述驅動模塊，并對所述驅動模塊的閾值電壓進行補償；
[0010]所述開關模塊還分別連接所述驅動模塊、所述發(fā)光模塊和發(fā)光控制信號線，用于根據(jù)所述發(fā)光控制信號線的控制信號，使經(jīng)閾值補償?shù)乃鲵寗幽K提供的數(shù)據(jù)信號輸入至所述發(fā)光模塊，驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
[0011]優(yōu)選的是，所述驅動模塊包括控制端、輸入端和輸出端，其中:
[0012]所述驅動模塊的控制端連接所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊；所述驅動模塊的輸入端連接所述開關模塊和第一電壓端，所述第一電壓端為可變電壓提供端；所述驅動模塊的輸出端連接所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊和所述開關模塊。
[0013]優(yōu)選的是，所述驅動模塊包括第一晶體管，所述驅動模塊的控制端為所述第一晶體管的柵極，所述驅動模塊的輸入端為所述第一晶體管的第一極，所述驅動模塊的輸出端為所述第一晶體管的第二極。
[0014]優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊包括第二晶體管、第三晶體管和存儲電容，其中:
[0015]所述第三晶體管的柵極連接所述掃描信號線，所述第三晶體管的第一極連接所述數(shù)據(jù)信號線，所述第三晶體管的第二極連接所述存儲電容的一端；
[0016]所述第二晶體管的柵極連接掃描信號線，所述第二晶體管的第一極連接所述第一晶體管的柵極和所述存儲電容的另一端，所述第三晶體管的第二極連接所述第一晶體管的
第二極。
[0017]優(yōu)選的是，所述開關模塊包括第四晶體管和第五晶體管，其中:
[0018]所述第四晶體管的柵極連接所述發(fā)光控制信號線，所述第四晶體管的第一極連接所述第一晶體管的第一極，所述第四晶體管的第二極連接所述第三晶體管的第二極和所述存儲電容的一端；
[0019]所述第五晶體管的柵極連接所述發(fā)光控制信號線，所述第五晶體管的第一極連接所述第一晶體管的第二極，所述第五晶體管的第二極連接所述發(fā)光模塊。
[0020]優(yōu)選的是，所述OLED像素電路中所述第一晶體管至所述第五晶體管均為N型晶體管。
[0021]優(yōu)選的是，所述發(fā)光模塊包括0LED，所述OLED的陽極連接所述第五晶體管的第二極，陰極連接第二電壓端，所述第二電壓端為低電壓提供端。
[0022]一種顯示裝置，包括上述的OLED像素電路。
[0023]一種OLED像素電路的驅動方法，其中，所述OLED像素電路包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，所述驅動方法包括下述步驟:
[0024]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段:輸入掃描信號和數(shù)據(jù)信號，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊打開，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊存儲數(shù)據(jù)電壓，并對所述驅動模塊的閾值電壓進行補償；
[0025]發(fā)光階段:輸入發(fā)光控制信號，所述開關模塊打開，所述驅動模塊驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
[0026]優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊包括第二晶體管、第三晶體管和存儲電容，所述開關模塊包括第四晶體管、第五晶體管，所述驅動模塊包括第一晶體管，所述發(fā)光模塊包括0LED,所述驅動方法具體包括:
[0027]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段中，掃描信號線輸入所述掃描信號，數(shù)據(jù)信號線輸入所述數(shù)據(jù)信號，第一電壓端的低電平接入所述第一晶體管的第一極，所述第三晶體管和所述第二晶體管導通，所述第四晶體管和所述第五晶體管關閉，所述存儲電容存儲所述數(shù)據(jù)電壓和所述第一晶體管的閾值電壓；
[0028]發(fā)光階段中，發(fā)光控制信號線輸入所述發(fā)光控制信號，所述第三晶體管和所述第二晶體管關閉，所述第四晶體管和所述第五晶體管導通，第一電壓端的高電平接入所述第一晶體管的第一極，所述第一晶體管的第二極驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光，從而實現(xiàn)顯示。
[0029]本發(fā)明獲得的有益效果是:提供了一種OLED像素電路，該OLED像素電路可對其中的驅動晶體管的閾值電壓進行補償，并將經(jīng)過閾值電壓補償?shù)臄?shù)據(jù)信號輸出，從而可以對驅動晶體管閾值電壓的漂移進行補償，使得驅動電流不受驅動晶體管閾值電壓的影響，改善OLED顯示裝置的顯示效果；而且，由于該OLED像素電路中，OLED僅在發(fā)光階段處于正偏壓狀態(tài)，因此能延長OLED的壽命；同時由于該OLED像素電路的結構簡單，因此具有較高的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明實施例1中OLED像素電路的結構框圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實施例1中OLED像素電路的結構示意圖；
[0032]圖3為對應著圖2的OLED像素電路的信號時序圖；
[0033]圖4為對應著圖2的OLED像素電路在數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段的結構示意圖；
[0034]圖5為對應著圖2的OLED像素電路在發(fā)光階段的結構示意圖；
[0035]附圖標記:
[0036]1-數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊；2_開關模塊；3_驅動模塊；4_發(fā)光模塊。
【具體實施方式】
[0037]為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明OLED像素電路及驅動方法、顯示裝置作進一步詳細描述。
[0038]一種OLED像素電路，包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，其中:
[0039]所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊分別連接所述驅動模塊、所述開關模塊、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，用于根據(jù)所述掃描信號線的掃描信號，使所述數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至所述驅動模塊，并對所述驅動模塊的閾值電壓進行補償；
[0040]所述開關模塊還分別連接所述驅動模塊、所述發(fā)光模塊和發(fā)光控制信號線，用于根據(jù)所述發(fā)光控制信號線的控制信號，使經(jīng)閾值補償?shù)乃鲵寗幽K提供的數(shù)據(jù)信號輸入至所述發(fā)光模塊，驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
[0041]一種顯示裝置，包括上述的OLED像素電路。
[0042]一種OLED像素電路的驅動方法，所述OLED像素電路包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，所述驅動方法包括下述步驟:
[0043]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段:輸入掃描信號和數(shù)據(jù)信號，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊打開，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊存儲數(shù)據(jù)電壓，并對所述驅動模塊的閾值電壓進行補償；
[0044]發(fā)光階段:輸入發(fā)光控制信號，所述開關模塊打開，所述驅動模塊驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
[0045]實施例1:
[0046]本實施例提供一種OLED像素電路及驅動方法。
[0047]一種OLED像素電路，其每一個子像素均被連接到一條掃描信號線SCAN，一條數(shù)據(jù)信號線DATA，一個可變電壓端Vdd及一共同發(fā)光控制信號線EM和接地電壓端Vss。該像素結構為5T1C結構，儲存電容主要負責儲存數(shù)據(jù)電壓Vdata及驅動晶體管的閾值電壓VTH。
[0048]如圖1所示，本實施例中的OLED像素電路包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊1、開關模塊2、驅動模塊3以及發(fā)光模塊4，其中:
[0049]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊1:分別連接驅動模塊3、開關模塊2、掃描信號線SCAN和數(shù)據(jù)信號線DATA，用于根據(jù)掃描信號線SCAN的掃描信號Sn，使數(shù)據(jù)信號線DATA上的數(shù)據(jù)信號(即數(shù)據(jù)電壓Vdata)輸入至驅動模塊3，并對驅動模塊3的閾值電壓Vth進行補償；
[0050]開關模塊2:還分別連接驅動模塊3、發(fā)光模塊4和發(fā)光控制信號線EM，用于根據(jù)發(fā)光控制信號線EM的控制信號Em，使經(jīng)閾值補償?shù)尿寗幽K2提供的數(shù)據(jù)信號輸入至發(fā)光模塊4,驅動發(fā)光模塊4發(fā)光。
[0051]其中，驅動模塊3包括控制端、輸入端和輸出端，驅動模塊3的控制端連接數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊I ;驅動模塊3的輸入端連接開關模塊2和第一電壓端Vdd,第一電壓端Vdd為可變電壓提供端；驅動模塊3的輸出端連接數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊I和開關模塊2。
[0052]具體的，如圖2所示，驅動模塊3包括第一晶體管TFT1，驅動模塊3的控制端為第一晶體管TFTl的柵極,驅動模塊3的輸入端為第一晶體管TFTl的第一極,驅動模塊3的輸出端為第一晶體管TFTl的第二極。
[0053]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊包括第二晶體管TFT2、第三晶體管TFT3和存儲電容Cs，其中:
[0054]第三晶體管TFT3的柵極連接掃描信號線SCAN，第三晶體管TFT3的第一極連接數(shù)據(jù)信號線DATA，第三晶體管TFT3的第二極連接存儲電容Cs的一端；
[0055]第二晶體管TFT2的柵極連接掃描信號線SCAN，第二晶體管TFT2的第一極連接第一晶體管TFTl的柵極和存儲電容Cs的另一端，第三晶體管TFT3的第二極連接第一晶體管TFTl的第二極。
[0056]開關模塊2包括第四晶體管TFT4和第五晶體管TFT5，其中:
[0057]第四晶體管TFT4的柵極連接發(fā)光控制信號線EM，第四晶體管TFT4的第一極連接第一晶體管TFTl的第一極，第四晶體管TFT4的第二極連接第三晶體管TFT3的第二極和存儲電容Cs的一端；[0058]第五晶體管TFT5的柵極連接發(fā)光控制信號線EM，第五晶體管TFT5的第一極連接第一晶體管TFTl的第二極，第五晶體管TFT5的第二極連接發(fā)光模塊4。
[0059]發(fā)光模塊4包括OLED，OLED的陽極連接第五晶體管TFT5的第二極，還同時連接驅動模塊3的輸出端，陰極連接第二電壓端Vss，第二電壓端Vss為低電壓提供端。
[0060]這里需要說明的是，圖2中，驅動模塊3的控制端為節(jié)點b，該節(jié)點b為數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊I與驅動模塊3的連接點；驅動模塊3的輸入端為節(jié)點C，該節(jié)點c為開關模塊2和驅動模塊3的連接點；驅動模塊3的輸出端為節(jié)點d，該節(jié)點d為驅動模塊3、開關模塊2與發(fā)光模塊4的連接點。對存儲電容Cs而言，存儲電容Cs的一端為數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊I和開關模塊2的連接點(即節(jié)點a)，也即第三晶體管TFT3的第二極、第四晶體管TFT4的第二極和存儲電容Cs的一端的連接點，存儲電容Cs的另一端為驅動模塊3的控制端(即節(jié)點b)。
[0061]本實施例中，第一晶體管TFTl為驅動晶體管，第二晶體管TFT2為驅動晶體管的閾值電壓獲取晶體管，第三晶體管TFT3為數(shù)據(jù)信號的寫入晶體管，第四晶體管TFT4和第五晶體管TFT5為發(fā)光模塊的開關控制晶體管，第一電壓端Vdd為功率提供信號，第二電壓端Vss為接地提供信號。寫入晶體管的第二極、儲存電容Cs的一端與其中一個開關控制晶體管的第二極連接于a點，寫入晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)信號線DATA ;驅動晶體管的柵極與閾值電壓獲取晶體管的第一極及儲存電容Cs的另一端連接于b點；閾值電壓獲取晶體管的柵極和寫入晶體管的柵極均由掃描信號線SCAN控制，掃描信號線SCAN提供行選通信號Sn，數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)過寫入晶體管對存儲電容Cs充電，為選通的OLED提供帶有顯示信息的數(shù)據(jù)信號；驅動晶體管的第一極與其中一個開關控制晶體管的第一極連接于c點，c點還同時連接可變電壓源Vdd ;驅動晶體管的第二極、閾值電壓獲取晶體管的第二極與另一個開關控制晶體管的第一極連接于d點；另一個開關控制晶體管的第二極連接到OLED的陽極，OLED的陰極與第二電壓端(即公共接地端)連接，兩個開關控制晶體管的柵極均由發(fā)光控制信號線EM控制，以實現(xiàn)數(shù)據(jù)信號對通過OLED的電流的控制，使得OLED實現(xiàn)發(fā)光顯示。
[0062]在本實施例中，OLED像素電路中的晶體管均以薄膜晶體管TFT為示例進行說明。其中，OLED像素電路中第一晶體管TFTl至第五晶體管TFT5可以均為N型晶體管，此時，其第一極可以是源極，第二極可以是漏極；或者，OLED像素電路中TFT1-TFT5可以均為P型晶體管，此時，其第一極可以是漏極，第二極可以是源極；或者，OLED像素電路中TFT1-TFT5混合選用N型晶體管和P型晶體管，只需同時將選定類型的晶體管TFT1-TFT5的端口極性按本實施例晶體管TFT1-TFT5的端口極性相應連接即可。同時應該理解的是，本實施例中的TFT1-TFT5也并不限于薄膜晶體管，任何具有電壓控制能力以使得本發(fā)明按照上述工作方式工作的控制器件均應包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)，本領域技術人員能夠根據(jù)實際需要進行改變，此處不再贅述。
[0063]圖3所示為本實施例中OLED像素電路的信號時序圖，本實施例中OLED像素電路的驅動過程主要包括數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段和發(fā)光階段。其中，第一電壓端Vdd可提供可變電壓，當為第二晶體管TFT2的柵極提供參考電壓時，Vdd電壓范圍為1-3V ;當為OLED提供驅動用的功率信號電壓時，Vdd電壓范圍為10-15V ;而數(shù)據(jù)電壓Vdata的設置范圍根據(jù)具體應用中OLED像素電路的驅動要求確定。
[0064]相應的，本實施例中OLED像素電路的驅動方法中，包括:[0065]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段:輸入掃描信號和數(shù)據(jù)信號，數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊打開，數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊存儲數(shù)據(jù)電壓，并對驅動模塊的閾值電壓進行補償；
[0066]發(fā)光階段:輸入發(fā)光控制信號，開關模塊打開，驅動模塊驅動發(fā)光模塊發(fā)光。
[0067]具體的，驅動方法包括:
[0068]數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段中，如圖4所示，掃描信號線SCAN會逐行致能，掃描信號線SCAN逐行輸入掃描信號SI……Sn，第三晶體管TFT3和第二晶體管TFT2導通(turned-on)，數(shù)據(jù)信號線DATA輸入數(shù)據(jù)信號，數(shù)據(jù)信號會隨掃描信號線SCAN的致能而為每行OLED像素電路傳輸所需求的數(shù)據(jù)電壓Vdata ;發(fā)光控制信號線EM為低電平，第四晶體管TFT4和第五晶體管TFT5關閉(turned-off)。
[0069]由于儲存電容Cs的一端連接第三晶體管TFT3的第二極，此時會將數(shù)據(jù)電壓Vdata儲存在節(jié)點a，此時儲存電容Cs在節(jié)點a的電壓為Vdata ;而儲存電容Cs的另一端連接第一晶體管TFTl的柵極和第二晶體管TFT2的第一極，由于第二晶體管TFT2導通，此時相當于第一晶體管TFTl的源極與漏極直接連接,第一電壓端Vdd為低電平,輸出一個低電壓Vss,該低電壓Vss輸入第一晶體管TFTl的第一極，儲存電容Cs會通過第一晶體管TFTl以二極管連接的方式放電，直到第一晶體管TFTl關閉為止，此時儲存電容Cs在節(jié)點b的電壓為VSS+VTH，從而同時完成數(shù)據(jù)電壓Vdata的儲存及驅動晶體管閾值電壓Vth的獲取(即存儲電容Cs存儲數(shù)據(jù)電壓Vdata和第一晶體管TFTl的閾值電壓VTH)，節(jié)點a和節(jié)點b之間的電壓差包含了閾值電壓Vth以及數(shù)據(jù)電壓Vdata。
[0070]發(fā)光階段中，如圖5所示，發(fā)光控制信號線EM為致能，輸入發(fā)光控制信號Em，第三晶體管TFT3和第二晶體管TFT2關閉(turned-off);發(fā)光控制信號線EM為高電位，第四晶體管TFT4和第五晶體管TFT5導通(turned-on)，第一電壓端Vdd為高電平，輸出一個高電壓Vdd，該高電壓Vdd接入第一晶體管TFTl的第一極，第一晶體管TFTl的第二極驅動發(fā)光模塊4發(fā)光，從而實現(xiàn)顯示。
[0071]由于儲存電容Cs的一端連接第四晶體管TFT4的第二極，儲存電容Cs在節(jié)點a的電壓因第四晶體管TFT4的導通而升高到Vdd，與此同時儲存電容Cs的另一端的電壓會因電容的升壓效應而升高，節(jié)點b的電壓為Vdd-VDATA+VTH+Vss，而第一晶體管TFTl的第一極的電壓為V_D+VSS，其中Vmd為OLED兩端的跨壓，此時第一晶體管TFTl的源極與漏極之間的電壓為:Ves=Vdd-VDATA+VTH+Vss-V_-Vss=Vdd-VDATA+Vss-V_。因此，在發(fā)光階段，第一晶體管 TFTl 所產(chǎn)生的驅動電流1_可以表示為如下公式:
【權利要求】
1.一種OLED像素電路，其特征在于，包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，其中: 所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊分別連接所述驅動模塊、所述開關模塊、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，用于根據(jù)所述掃描信號線的掃描信號，使所述數(shù)據(jù)信號線上的數(shù)據(jù)信號輸入至所述驅動模塊，并對所述驅動模塊的閾值電壓進行補償； 所述開關模塊還分別連接所述驅動模塊、所述發(fā)光模塊和發(fā)光控制信號線，用于根據(jù)所述發(fā)光控制信號線的控制信號，使經(jīng)閾值補償?shù)乃鲵寗幽K提供的數(shù)據(jù)信號輸入至所述發(fā)光模塊，驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
2.根據(jù)權利要求1所述的OLED像素電路，其特征在于，所述驅動模塊包括控制端、輸入端和輸出端，其中: 所述驅動模塊的控制端連接所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊；所述驅動模塊的輸入端連接所述開關模塊和第一電壓端，所述第一電壓端為可變電壓提供端；所述驅動模塊的輸出端連接所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊和所述開關模塊。
3.根據(jù)權利要求2所述的OLED像素電路，其特征在于，所述驅動模塊包括第一晶體管，所述驅動模塊的控制端為所述第一晶體管的柵極，所述驅動模塊的輸入端為所述第一晶體管的第一極，所述驅動模塊的輸出端為所述第一晶體管的第二極。
4.根據(jù)權利要求3所述的OLED像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊包括第二晶體管、第三晶體管和存儲電容，其中: 所述第三晶體管的柵極連接所述掃描信號線，所述第三晶體管的第一極連接所述數(shù)據(jù)信號線，所述第三晶體管的第二極連接所述存儲電容的一端；` 所述第二晶體管的柵極連接掃描信號線，所述第二晶體管的第一極連接所述第一晶體管的柵極和所述存儲電容的另一端，所述第三晶體管的第二極連接所述第一晶體管的第二極。
5.根據(jù)權利要求4所述的OLED像素電路，其特征在于，所述開關模塊包括第四晶體管和第五晶體管，其中: 所述第四晶體管的柵極連接所述發(fā)光控制信號線，所述第四晶體管的第一極連接所述第一晶體管的第一極，所述第四晶體管的第二極連接所述第三晶體管的第二極和所述存儲電容的一端； 所述第五晶體管的柵極連接所述發(fā)光控制信號線，所述第五晶體管的第一極連接所述第一晶體管的第二極，所述第五晶體管的第二極連接所述發(fā)光模塊。
6.根據(jù)權利要求5所述的OLED像素電路，其特征在于，所述OLED像素電路中所述第一晶體管至所述第五晶體管均為N型晶體管。
7.根據(jù)權利要求6所述的OLED像素電路，其特征在于，所述發(fā)光模塊包括0LED，所述OLED的陽極連接所述第五晶體管的第二極，陰極連接第二電壓端，所述第二電壓端為低電壓提供端。
8.一種顯示裝置，包括如權利要求1-7任一項所述的OLED像素電路。
9.一種OLED像素電路的驅動方法，其特征在于，所述OLED像素電路包括:數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊、開關模塊、驅動模塊和發(fā)光模塊，所述驅動方法包括下述步驟: 數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段:輸入掃描信號和數(shù)據(jù)信號，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊打開，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊存儲數(shù)據(jù)電壓，并對所述驅動模塊的閾值電壓進行補償； 發(fā)光階段:輸入發(fā)光控制信號，所述開關模塊打開，所述驅動模塊驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光。
10.根據(jù)權利要求9所述的驅動方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存儲與閾值補償模塊包括第二晶體管、第三晶體管和存儲電容，所述開關模塊包括第四晶體管、第五晶體管，所述驅動模塊包括第一晶體管，所述發(fā)光模塊包括OLED,所述驅動方法具體包括: 數(shù)據(jù)存儲與閾值補償階段中，掃描信號線輸入所述掃描信號，數(shù)據(jù)信號線輸入所述數(shù)據(jù)信號，第一電壓端的低電平接入所述第一晶體管的第一極，所述第三晶體管和所述第二晶體管導通，所述第四晶體管和所述第五晶體管關閉，所述存儲電容存儲所述數(shù)據(jù)電壓和所述第一晶體管的閾值電壓； 發(fā)光階段中，發(fā)光控制信號線輸入所述發(fā)光控制信號，所述第三晶體管和所述第二晶體管關閉，所述第四晶體管和所述第五晶體管導通，第一電壓端的高電平接入所述第一晶體管的第一極，所述第一晶體管的`第二極驅動所述發(fā)光模塊發(fā)光，從而實現(xiàn)顯示。
【文檔編號】G09G3/32GK103700342SQ201310683541
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月12日 優(yōu)先權日:2013年12月12日
【發(fā)明者】尹靜文, 吳仲遠 申請人:京東方科技集團股份有限公司