顯示裝置的修復設備及其修復方法
【專利摘要】本發(fā)明公開顯示裝置的修復設備及其修復方法。顯示裝置的該修復設備包括:載物臺,該載物臺安裝有顯示裝置;點燃裝置,用于向顯示裝置施加點燃信號;以及探測器,探測器被布置在距顯示裝置一定距離處,并且用于探測從顯示裝置的像素中的缺陷部分中產生的光子或熱量。該修復設備可以進一步包括光學顯微鏡和激光修復裝置。光學顯微鏡、探測器和激光修復裝置被提供在光屏蔽盒中,使得光學顯微鏡無法探測到的缺陷部分能夠使用探測器探測到,并且能夠使用該激光修復裝置將該像素修復為正常像素,因此能夠提高產量。
【專利說明】顯示裝置的修復設備及其修復方法
【技術領域】
[0001]所描述的技術一般涉及顯示裝置的修復設備及其修復方法。
【背景技術】
[0002]一般而言,諸如液晶顯示器(IXD)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器等之類的顯示裝置通過層疊多個薄膜和布線而形成。這種顯示裝置可能包括含有在制造工藝期間形成于薄膜上的雜質或粒子或者在布線中具有短路的像素。
[0003]在該【背景技術】部分中公開的以上信息僅用于增強對所描述技術的背景的理解,因此它可能包含并不構成本國內對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。
【發(fā)明內容】
[0004]所描述的技術致力于提供一種顯示裝置的修復設備及其修復方法,該修復設備能夠將具有光學顯微鏡無法確定的缺陷的像素修復為正常像素。
[0005]根據(jù)示例性實施例的一種顯示裝置的修復設備,包括:載物臺,所述載物臺安裝有顯示裝置;點燃裝置,用于向所述顯示裝置施加點燃信號;以及探測器,所述探測器被布置在距所述顯示裝置一定距離處,并且用于探測從所述顯示裝置的像素中的缺陷部分產生的光子或熱量。
[0006]所述修復設備可以進一步包括環(huán)繞所述載物臺和所述探測器并且屏蔽外部光引入所述顯示裝置內的光屏蔽盒。
[0007]所述點燃信號可以具有使從所述像素的缺陷部分發(fā)射光子或熱量的信號條件,并且同時具有使所述像素的發(fā)光單元發(fā)射比所述缺陷部分少的光子或熱量或者使所述發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件。
[0008]所述探測器可以是從Si探測器、InGaAs探測器和InSb探測器中選擇出的一種,所述Si探測器具有由Si材料形成的光接收部分,所述InGaAs探測器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分,并且所述InSb探測器具有由InSb材料形成的光接收部分。
[0009]所述光屏蔽盒可以屏蔽具有比所述探測器所探測的光子或熱量的波長范圍寬的波長范圍的光。
[0010]所述探測器可以被布置在所述載物臺的上側或下側。
[0011]所述點燃裝置可以包括與所述顯示裝置的焊盤相接觸的點燃探針以及生成向所述點燃探針施加的點燃信號的點燃信號發(fā)生器。
[0012]所述載物臺可以包括:承載所述顯示裝置的承載單元;以及提供在形成于所述承載單元中的開口中并且進行旋轉的旋轉單元,而且所述顯示裝置可以被安裝在所述旋轉單元中。
[0013]所述旋轉單元可以相對用于連接所述承載單元和所述旋轉單元的旋轉軸進行旋轉。[0014]所述點燃探針可以進一步包括布置在所述載物臺的上側的上探針和布置在所述載物臺的下側的下探針。
[0015]所述修復設備可以進一步包括:布置在距所述顯示裝置一定距離處并且通過照射激光束來修復所述像素的激光修復裝置。
[0016]所述修復設備可以進一步包括:布置在所述載物臺的上側或下側并且針對所述顯示裝置的像素執(zhí)行光學測試的光學顯微鏡。
[0017]根據(jù)另一示例性實施例的一種用于修復顯示裝置的方法,包括:通過使用光學顯微鏡對安裝在載物臺中的顯示裝置執(zhí)行光學測試來探測像素中的缺陷部分;當通過使用所述光學顯微鏡沒有探測到所述像素中的所述缺陷部分時,通過使點燃裝置與所述顯示裝置相接觸向所述像素施加點燃信號,用于從所述像素中的缺陷部分發(fā)射光子或熱量;通過使用探測器探測所述光子或熱量來確定所述像素中的缺陷部分;以及通過向所述像素中的缺陷部分照射激光束來修復所述像素。
[0018]所述顯示裝置和所述探測器可以被提供在用于屏蔽外部光進入的光屏蔽盒中。
[0019]所述點燃信號可以具有使從所述像素中的缺陷部分發(fā)射光子或熱量的信號條件,并且同時具有使所述像素的發(fā)光單元發(fā)射比所述缺陷部分少的光子或熱量或者使所述發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件。
[0020]所述探測器可以是從Si探測器、InGaAs探測器和InSb探測器中選擇出的一種,所述Si探測器具有由Si材料形成的光接收部分,所述InGaAs探測器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分,并且所述InSb探測器具有由InSb材料形成的光接收部分。
[0021]所述用于修復顯示裝置的方法可以進一步包括通過使所述顯示裝置旋轉180度來探測從所述顯示裝置的底側產生的光子或熱量。
[0022]所述用于修復顯示裝置的方法可以進一步包括修復所述像素,然后使用所述點燃裝置來確定修復后的像素是否正常。
[0023]當使用所述光學顯微鏡探測到所述像素中的缺陷部分時,可以通過向所述像素中的缺陷部分照射激光束來修復所述像素。
[0024]根據(jù)本發(fā)明,所述光學顯微鏡、所述探測器和所述激光修復裝置被提供在所述光屏蔽盒中,使得光學顯微鏡無法探測到的缺陷部分能夠使用探測器探測到,并且能夠使用所述激光修復裝置將像素修復為正常像素,因此能夠提高產量。
[0025]另外,包括諸如亮斑、暗斑和線路故障之類的缺陷的像素,能夠被修復為正常像素,而與缺陷類型無關,并且修復后的像素能夠在修復之后通過使用點燃裝置來確定是否正常,從而提聞廣率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]由于通過參考以下詳細描述在結合附圖考慮時,本發(fā)明變得更好理解,因此本發(fā)明的更完整了解及其伴隨的諸多優(yōu)點會更容易明白,在附圖中相同的附圖標記是指相同或相似的組件,附圖中:
[0027]圖1是根據(jù)一示例性實施例的顯示裝置的修復設備的示意圖。
[0028]圖2是根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復設備的載物臺的俯視平面圖。[0029]圖3是例示根據(jù)Si探測器的波形的光子效率曲線(a)和根據(jù)InGaAs探測器的波形的光子效率曲線(b)的曲線圖,其中Si探測器和InGaAs探測器用作根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復設備的探測器。
[0030]圖4是例示根據(jù)InSb探測器的波形的光子效率曲線(C)的曲線圖,其中InSb探測器用作根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復設備的探測器。
[0031]圖5是根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復方法的流程圖。
[0032]圖6是例示使用光學顯微鏡在像素中執(zhí)行的光學測試的照片。
[0033]圖7是根據(jù)示例性實施例使用探測器探測到像素中的缺陷部分的照片。
[0034]圖8示出向有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器施加黑色點燃信號時的電壓關系。
[0035]圖9示出依照根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復方法施加點燃信號時的電壓關系。
【具體實施方式】
[0036]以下將參照附圖更充分地描述本發(fā)明,附圖中示出本發(fā)明的示例性實施例。本領域技術人員將會意識到,可以以各種不同的方式對所描述的實施例進行修改,完全不脫離本發(fā)明的精神或范圍。
[0037]附圖和描述被認為在本質上是例示性的,而不是限制性的。相同的附圖標記在整個說明書中指示相同的元件。在附圖中,為了清晰起見,可能放大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
[0038]可以理解,當提及一元件或層位于另一元件或層“上”或者“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或層時,該元件或層可以直接位于另一元件或層上或者直接連接至或聯(lián)接至另一元件或層,或者可以存在中間元件或層。相反,當提及一元件“直接位于”另一元件或層“上”或者“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或層時,不存在中間元件或層。相同或相似的附圖標記始終是指相同或相似的元件。這里所使用的詞語“和/或”包括所列出的相關聯(lián)項目中的一個或多個的任意組合和所有組合。
[0039]可以理解,盡管這里可以使用詞語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層、圖案和/或部分,但這些元件、組件、區(qū)域、層、圖案和/或部分不應當受限于這些詞語。這些詞語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層、圖案或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層、圖案或部分區(qū)分開來。因此,以下所討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分,而不超出示例實施例的教導。
[0040]為了易于描述,這里可以使用空間上相對的詞語,例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等,以描述如圖中例示的一個元件或特征與另一元件或特征(或多個元件或特征)的關系??梢岳斫?,空間上相對的詞語意在除圖中描繪的定向之外還包含處于使用中或操作中的裝置的不同定向。例如,如果圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件就會被定向為位于其它元件或特征“上方”。因此,示例性詞語“下方”可以包含上方和下方的定向。裝置可以以其它方式定向(旋轉90度或以其它定向),并且可以對這里使用的空間上相對的描述語言進行相應的解釋。
[0041]這里所使用的術語的目的僅在于描述特定的示例實施例,并不意在限制本發(fā)明。這里所使用的單數(shù)形式同樣意在包括復數(shù)形式,除非上下文清楚地給出其它指示。進一步可以理解,詞語“包括”和/或“包含”在本說明書中使用時指明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或組件,但不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或附加。
[0042]這里將參照剖視圖描述示例性實施例,該剖視圖是本發(fā)明構思在示圖上理想的示例性實施例(及中間結構)的示意性圖示。因此,由于例如制造技術和/或制造容限而導致的圖示形狀的改變是可以預期的。所以,示例性實施例不應當被解釋為限于這里所圖示的區(qū)域的特定形狀,而是包括由于例如制造而導致的形狀的偏差。圖中例示的區(qū)域本質上是示意性的,并且它們的形狀并不意在例示出裝置的區(qū)域的實際形狀,也不意在限制本發(fā)明構思的范圍。
[0043]除非有其它限定,這里所使用的所有詞語(包括科技術語)具有與本發(fā)明構思所屬領域的普通技術人員通常的理解相同的含義。進一步可以理解,諸如那些在常用詞典中所限定的詞語,應當被解釋為具有與其在相關領域的意義上相一致的含義,而不應以理想化的或完全形式的意義來解釋,除非這里明確進行了這種限定。
[0044]通常,利用泄漏電流的相對大小或利用使用光學顯微鏡的點燃測試儀來探測這種像素。也就是說,利用光學顯微鏡來找出像素中的諸如雜質或粒子或者布線中的短路之類的缺陷,并且對缺陷部分進行修復。然而,當雜質或粒子太小以至于無法通過光學顯微鏡發(fā)現(xiàn),或者布線中的短路無法通過光學顯微鏡發(fā)現(xiàn)時,無法探測到像素中缺陷部分的準確位置,因此無法正確地修復像素。
[0045]將參照圖1和圖2進一步詳細地描述根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的修復設備。
[0046]圖1是根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的修復設備的示意圖,并且圖2是根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復設備的載物臺的俯視平面圖。
[0047]如圖1和圖2所示,根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的修復設備包括:在其上可以安裝顯示裝置100的載物臺10、向顯示裝置100施加點燃信號的點燃裝置20、布置在距顯示裝置100 —定距離處并且通過點燃裝置20中生成的點燃信號探測從顯示裝置100的像素中的缺陷部分產生的光子或熱量的探測器30,以及環(huán)繞載物臺10和探測器30并且屏蔽外部光進入顯示裝置100內的光屏蔽盒40。根據(jù)實施例,該修復設備可以進一步包括光學顯微鏡50和激光修復裝置60。
[0048]載物臺10包括承載顯示裝置100的承載單元11以及提供在形成于承載單元11中的開口 Ila中并且進行旋轉的旋轉單元12。
[0049]顯示裝置100可以是諸如液晶顯示器(IXD)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器之類的平板顯示裝置,并且顯示裝置100可以安裝在旋轉單元12中。旋轉單元12相對用于連接承載單元11和旋轉單元12的旋轉軸13進行旋轉。
[0050]點燃裝置20包括接觸顯示裝置100的焊盤110的點燃探針21以及生成向點燃探針21施加的點燃信號的點燃信號發(fā)生器22。點燃探針21包括提供在載物臺10上部的上探針211以及提供在載物臺10下部的下探針212。當顯示裝置100的焊盤110面向可以提供探測器30的上方時,上探針211可以是接觸顯示裝置100的焊盤110的點燃探針,而且當顯示裝置100的焊盤110被旋轉單元12反轉因此面向下方時,下探針212可以是接觸顯示裝置100的焊盤110的點燃探針。
[0051]當在顯示裝置100的正面中沒有探測到光子時,顯示裝置100可以旋轉180度,并且可以使用下探針212來施加點燃信號,使得探測器30可以探測顯示裝置100底面中的光子或熱量。
[0052]通過點燃探針21向顯示裝置100施加的點燃信號,給顯示裝置的像素中的缺陷部分注入如同電流那樣的能量。在此情形下,所注入的能量可能在缺陷部分中被部分損耗,并且所損耗的能量可以作為光子或熱能向外發(fā)射。
[0053]探測器30可以通過探測所發(fā)射的光子或熱能來探測像素中缺陷部分的位置。也就是說,探測器30包括光接收部分,例如光電二極管。光接收部分吸收所發(fā)射的光子或熱能,并且將所吸收的光子或熱能轉換為電流。在沒有外部光時,由于暗電流,即從光電二極管本身產生的電流,可能在I X 1^15A到I X 10_19A之間,其小于傳統(tǒng)探測器的電流,因此探測器30能夠探測到微弱的能量發(fā)射。
[0054]探測器30可以包括能夠選擇性地探測預定波長帶的能量的各種探測器,以便提高所發(fā)射的光子或熱量的接收率。也就是說,探測器30可以是從能夠探測大約IOOnm到1200nm波長的光子的Si探測器、能夠探測大約800nm到1800nm波長的光子的InGaAs探測器以及能夠探測大約3.3 μ m到5.7 μ m的波長的光子或熱量的InSb探測器中選擇出的一種。
[0055]Si探測器可以是具有由Si材料形成的光接收部分的探測器,InGaAs探測器可以是具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分的探測器,而且InSb探測器可以是具有由InSb材料形成的光接收部分的探測器。
[0056]因此,探測器30能夠探測像素中包括諸如亮斑、暗斑和線路故障之類之類缺陷的缺陷部分的準確位置。
[0057]另外,可以增強向缺陷部分注入能量的點燃條件,以獲得比探測極限(即,幾個X IO-18A到幾個X I(T19A)高的信號。在此情形下,可以利用可能與典型的點燃條件不同的點燃條件來防止除像素中的缺陷部分以外的其它區(qū)域中的能量發(fā)射。
[0058]雖然在本示例性實施例中`探測器30可以提供在載物臺10的上部,但是探測器30也可以提供在載物臺10的下部,并且針對顯示裝置100的像素執(zhí)行光學檢查的光學顯微鏡50可以提供在載物臺10的上部或下部。
[0059]在本示例性實施例中,通過照射激光束來修復像素的激光修復裝置60可以提供在載物臺10的上部,但是激光修復裝置60也可以提供在載物臺10的下部。當像素中的缺陷部分的準確位置可以通過探測器30探測到時,激光修復裝置60可以通過直接向該缺陷部分照射激光束來修復該像素。
[0060]探測器30、光學顯微鏡50和激光修復裝置60可以都提供在載物臺10的上部或下部,并且可以彼此相鄰地提供。
[0061]圖3是例示出根據(jù)Si探測器的波形的光子效率曲線(a)和根據(jù)InGaAs探測器的波形的光子效率曲線(b)的曲線圖,其中Si探測器和InGaAs探測器用作根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的修復設備的探測器,并且圖4是例示出根據(jù)InSb探測器的波形的光子效率曲線(c)的曲線圖,其中InSb探測器用作根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的修復設備的探測器。
[0062]如圖3和圖4所示,Si探測器能夠探測IOOnm到1200nm波長的光子,InGaAs探測器能夠探測800nm到1800nm波長的光子,并且InSb探測器能夠探測3.3 μ m到5.7 μ m波長的光子。
[0063]為了接收從缺陷部分產生的微弱信號,探測器30可以屏蔽波長范圍比探測器30所探測的光子或熱量的波長范圍寬的光。也就是說,光屏蔽盒40可以由鋼板制成,鋼板可以是屏蔽IOOnm到6μπι波長范圍的光的材料。另外,考慮到從缺陷部分產生的光子或熱量的波長范圍以及探測器30的探測波長范圍,光屏蔽盒40可以屏蔽特定波長的光。
[0064]因此,探測器30可以在不受外部光干擾的情況下在短時間段內簡單地探測從缺陷部分產生的微弱光子或熱量。
[0065]如上所述,光學顯微鏡、探測器和激光修復裝置被提供在光屏蔽盒中,使得通過光學顯微鏡無法探測到的缺陷部分能夠使用探測器探測到,并且能夠使用激光修復裝置將像素修復為正常像素,因此能夠提高產量。
[0066]另外,包括諸如亮斑、暗斑和線路故障之類的缺陷的像素能夠被修復為正常像素,而與缺陷類型無關,并且修復后的像素能夠在修復之后通過使用點燃裝置來確定是否正常,從而提聞廣率。
[0067]接下來,將參照圖5和圖6進一步詳細地描述使用圖1和圖2中所示的顯示裝置的修復設備來修復顯示裝置的方法。
[0068]圖5是根據(jù)該示例性實施例的顯示裝置的修復方法的流程圖,圖6是使用光學顯微鏡在像素中執(zhí)行的光學測試的照片,并且圖7是根據(jù)該示例性實施例使用探測器確定像素中的缺陷部分的照片。
[0069]首先,如圖5所示,可以使用光學顯微鏡50對安裝在載物臺10中的顯示裝置100執(zhí)行光學測試,以探測像素中的缺陷部分(S100)。
[0070]接著,當使用光學顯微鏡50在像素中探測到缺陷部分時,可以通過向像素中的缺陷部分照射激光束來修復像素(S200)。另外,可以對像素進行修復,然后可以使用點燃裝置20來確定該像素是否正常(S300)。
[0071]接著,如圖6所示,當通過光學顯微鏡50在像素中未探測到缺陷部分時,可以通過使點燃裝置20的上探針211與顯示裝置100相接觸,向該像素施加點燃信號(S400)。像素中的缺陷部分通過點燃信號發(fā)射光子或熱量,并且點燃信號具有使該像素的發(fā)光單元發(fā)射比缺陷部分少的光子或熱量的信號條件,或者具有使發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件。
[0072]圖8示出向OLED顯示器施加黑色點燃信號時的電壓關系,并且圖9示出依照根據(jù)該示例性實施例的用于修復顯示裝置的方法施加點燃信號時的電壓關系。
[0073]如圖8所示,OLED顯示器的一個像素包括多條信號線Scan[n]、Scan[n_l]、Vinit、em [η]、data和VDD、電容器Cl和C2、發(fā)光單元(S卩有機發(fā)光二極管(OLED))以及分別連接至多條信號線的多個薄膜晶體管Tl、T2、T3、T4、T5和T6。
[0074]薄膜晶體管包括驅動薄膜晶體管Tl、開關薄膜晶體管T2、補償薄膜晶體管T3、初始化薄膜晶體管T4、第一發(fā)光控制薄膜晶體管T5和第二發(fā)光控制薄膜晶體管T6,并且電容器Cl和C2包括存儲電容器Cl和升壓電容器C2。信號線包括傳輸掃描信號的掃描線Scan [η]、傳輸前一掃描信號的前一掃描線Scan[n_l]、向第一發(fā)光控制薄膜晶體管T5和第二發(fā)光控制薄膜晶體管T6傳輸發(fā)光控制信號的發(fā)光控制線em[n]、與掃描線交叉并且傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線data、與數(shù)據(jù)線幾乎平行形成并且傳輸數(shù)據(jù)電壓的驅動電壓線VDD,以及傳輸用于初始化驅動薄膜晶體管Tl的初始化電壓的初始化電壓線Vinit。開關薄膜晶體管T2根據(jù)通過掃描線Scan[n]傳輸?shù)膾呙栊盘枅?zhí)行開關操作。驅動薄膜晶體管Tl根據(jù)開關薄膜晶體管T2的開關操作接收數(shù)據(jù)信號,并向有機發(fā)光二極管(OLED)供應驅動電流。
[0075]驅動薄膜晶體管Tl的漏電極可以與有機發(fā)光二極管(OLED)的陽極電連接。另外,有機發(fā)光二極管(OLED )的陰極可以與公共電壓VSS連接。相應地,有機發(fā)光二極管(OLED )通過接收來自驅動薄膜晶體管Tl的驅動電流而發(fā)光,從而顯示圖像。
[0076]為了探測像素中的缺陷部分,點燃裝置向顯示裝置100的數(shù)據(jù)線data或驅動電壓線VDD施加與使從該像素的發(fā)光單元發(fā)射的光子少于缺陷部分的信號條件或者使發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件相對應的點燃信號,并且向顯示裝置100的數(shù)據(jù)線data或驅動電壓線VDD施加與使從像素中的缺陷部分發(fā)射光子的信號條件相對應的點燃信號。
[0077]也就是說,如圖8所示,當向顯示裝置100的數(shù)據(jù)線data或驅動電壓線VDD施加與使像素的發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件相對應的點燃信號Al、A2和A3時,像素中的缺陷部分不發(fā)射光子。
[0078]然而,如圖9所示,向顯示裝置100的數(shù)據(jù)線data或驅動電壓線VDD施加與使像素的發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件相對應、同時與使像素中的缺陷部分發(fā)射光子的信號條件相對應的點燃信號B1、B2和B3。
[0079]接下來,如圖7所示,可以通過使用布置在顯示裝置100上部的探測器30探測光子或熱量來確定像素中缺陷部分P的準確位置(S500)。在此情形下,顯示裝置100和探測器30可以提供在用于屏蔽外部光進入的光屏蔽盒40中,從而探測微弱的光子或熱量,并且光學顯微鏡50、激光修復裝置60、載物臺10和點燃裝置20可以提供在光屏蔽盒40中。
[0080]在此情形下,當在顯示裝置100的正面中沒有探測到光子或熱量時,顯示裝置100可以旋轉180度,并且可以通過使用下探針212向顯示裝置100施加點燃信號,供探測器30探測顯示裝置100底面中的光子或熱量。
[0081]接著,可以通過向像素中的缺陷部分照射激光束來修復像素(S600)。
[0082]接著,在修復像素之后,可以使用點燃裝置20來確定該像素是否正常(S700)。
[0083]如上所述,當能夠使用光學顯微鏡50探測到像素中的缺陷部分的位置時,可以通過使用激光修復裝置60來修復該像素。當像素中的缺陷部分的位置無法通過使用光學顯微鏡50探測到時,可以將缺陷部分控制為發(fā)射光子或熱量,并且點燃裝置向發(fā)射光子或熱量的缺陷部分施加具有使從像素的發(fā)光單元發(fā)射的光子或熱量少于缺陷部分的信號條件或者使發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件的點燃信號。然后,可以通過使用探測器30來探測像素中的缺陷部分的位置,并且能夠使用激光修復裝置60來修復像素。
[0084]盡管結合目前認為可行的示例性實施例描述了本公開內容,但是應當理解,本發(fā)明不限于所公開的實施例,而是相反,旨在覆蓋包括在所附權利要求的精神和范圍內的各種修改和等同配置。
【權利要求】
1.一種顯示裝置的修復設備,包括: 載物臺,所述載物臺安裝有顯示裝置; 點燃裝置,用于向所述顯示裝置施加點燃信號;以及 探測器,所述探測器被布置在距所述顯示裝置一定距離處,并且用于探測從所述顯示裝置的像素中的缺陷部分產生的光子或熱量。
2.根據(jù)權利要求1所述的修復設備,進一步包括: 環(huán)繞所述載物臺和所述探測器并且屏蔽外部光引入到所述顯示裝置內的光屏蔽盒。
3.根據(jù)權利要求2所述的修復設備,其中所述點燃信號具有使從所述像素的缺陷部分發(fā)射光子或熱量的信號條件,并且同時具有使所述像素的發(fā)光單元發(fā)射比所述缺陷部分少的光子或熱量或者使所述發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件。
4.根據(jù)權利要求3所述的修復設備,其中所述探測器是從Si探測器、InGaAs探測器和InSb探測器中選擇出的一種,所述Si探測器具有由Si材料形成的光接收部分,所述InGaAs探測器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分,并且所述InSb探測器具有由InSb材料形成的光接收部分。
5.根據(jù)權利要求4所述的修復設備,其中所述光屏蔽盒屏蔽具有比所述探測器探測的光子或熱量的波長范圍寬的波長范圍的光。
6.根據(jù)權利要求1至5中任意一項所述的修復設備,其中所述探測器被布置在所述載物臺的上側或下側。
7.根據(jù)權利要求1所述的修復設備,其中所述點燃裝置包括與所述顯示裝置的焊盤相接觸的點燃探針,以及生成向所述點燃`探針施加的點燃信號的點燃信號發(fā)生器。
8.根據(jù)權利要求7所述的修復設備,其中所述載物臺包括: 承載所述顯示裝置的承載單元;以及 提供在形成于所述承載單元中的開口中并且進行旋轉的旋轉單元,所述顯示裝置被安裝在所述旋轉單元中。
9.根據(jù)權利要求8所述的修復設備,其中所述旋轉單元相對用于連接所述承載單元和所述旋轉單元的旋轉軸進行旋轉。
10.根據(jù)權利要求9所述的修復設備,其中所述點燃探針進一步包括布置在所述載物臺的上側的上探針和布置在所述載物臺的下側的下探針。
11.根據(jù)權利要求1所述的修復設備,進一步包括: 布置在距所述顯示裝置一定距離處并且通過照射激光束來修復所述像素的激光修復>j-U ρ?α裝直。
12.根據(jù)權利要求1或11所述的修復設備,進一步包括: 布置在所述載物臺的上側或下側并且針對所述顯示裝置的像素執(zhí)行光學測試的光學顯微鏡。
13.一種用于修復顯示裝置的方法,包括: 通過使用光學顯微鏡對安裝在載物臺中的顯示裝置執(zhí)行光學測試來探測像素中的缺陷部分; 在通過使用所述光學顯微鏡未探測到所述像素中的缺陷部分時,通過使點燃裝置與所述顯示裝置相接觸向所述像素施加點燃信號,用于從所述像素中的缺陷部分發(fā)射光子或熱量; 通過使用探測器探測所述光子或熱量來確定所述像素中的缺陷部分;以及 通過向所述像素中的缺陷部分照射激光束來修復所述像素。
14.根據(jù)權利要求13所述的用于修復顯示裝置的方法,其中所述顯示裝置和所述探測器被提供在用于屏蔽外部光進入的光屏蔽盒中。
15.根據(jù)權利要求14所述的用于修復顯示裝置的方法,其中所述點燃信號具有使從所述像素中的缺陷部分發(fā)射光子或熱量的信號條件,并且同時具有使所述像素的發(fā)光單元發(fā)射比所述缺陷部分少的光子或熱量或者使所述發(fā)光單元不發(fā)光的信號條件。
16.根據(jù)權利要求15所述的用于修復顯示裝置的方法,其中所述探測器是從Si探測器、InGaAs探測器和InSb探測器中選擇出的一種,所述Si探測器具有由Si材料形成的光接收部分,所述InGaAs探測器具有由InGaAs材料、GaAs材料或InGaAsP材料形成的光接收部分,并且所述InSb探測器具有由InSb材料形成的光接收部分。
17.根據(jù)權利要求16所述的用于修復顯示裝置的方法,進一步包括通過使所述顯示裝置旋轉180度來探測從所述顯示裝置的底面產生的微光子或熱量。
18.根據(jù)權利要求17所述的用于修復顯示裝置的方法,進一步包括修復所述像素,然后使用所述點燃裝置來確定修復后的像素是否正常。
19.根據(jù)權利要求13所述 的用于修復顯示裝置的方法,其中在使用所述光學顯微鏡探測到所述像素中的缺陷部分時,通過向所述像素中的缺陷部分照射激光束來修復所述像素。
【文檔編號】G09G3/00GK103680366SQ201310305735
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年7月19日 優(yōu)先權日:2012年9月11日
【發(fā)明者】樸英吉, 李在一 申請人:三星顯示有限公司