高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備方法
【專利摘要】一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，設(shè)置一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一層氧化鋅介電層，一層鎳鉻金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅錫介電層和一層氮化硅介電層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是通過離線磁控濺射技術(shù)，在浮法玻璃基材表面制備多層膜結(jié)構(gòu)，使其具有較高的透過率和選擇系數(shù)，對紅外區(qū)域有高反射的作用，同時能有效的降低玻璃的輻射率。
【專利說明】高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及玻璃鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的 制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，低輻射鍍膜玻璃已經(jīng)廣泛應(yīng)用在建筑領(lǐng)域，其具有傳熱系數(shù)低和反射紅外 線等特點。透過率的提高，一般采用介電層的增透作用和金屬層厚度的降低來實現(xiàn)，但是金 屬層厚度過低會導(dǎo)致鋼化時功能層的氧化，影響鍍膜玻璃的光學(xué)性能，從而影響了鍍膜玻 璃的深加工性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明旨在為了解決鍍膜玻璃透過率和鍍膜玻璃深加工存在的問題。
[0004] 為了達成上述目的，本發(fā)明提供了一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方 法，設(shè)置一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層， 一層氧化鋅介電層，一層鎳鉻金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化 鋅錫介電層和一層氮化硅介電層。
[0005] -些實施例中，所述氧化鈦介電層采用氧化鈦靶鍍制，沉積厚度在5?15nm之 間，制備氧化鈦介電層的氧氣與氬氣量之比在1 :15?20之間，濺射氣壓在2xl(T3mbar至 4xlCT3mbar之間，沉積功率在30?50kw之間。
[0006] -些實施例中，所述氮化硅介電層采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5?10nm之 間，制備氮化硅介電層的氮氣與氬氣量之比在1 :2. 5?3之間，濺射氣壓在3xl(T3mbar至 5xlCT3mbar之間，沉積功率在20?40kw之間。
[0007] -些實施例中，所述氧化鋅介電層采用鋅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5?10nm之 間，制備氧化鋅介電層的氧氣與氬氣量之比在1?2 :1之間，濺射氣壓在2xl(T3mbar至 4xlCT3mbar之間，沉積功率在20?40kw之間。
[0008] -些實施例中，所述鎳鉻金屬介電層采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在0. 5?5nm 之間，制備鎳鉻金屬介電層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T3mba;r至5xl(T3mba;r之間， 沉積功率在1?l〇kw之間。
[0009] -些實施例中，所述銀功能層采用純銀靶鍍制，沉積厚度在5?13nm之間，制備銀 功能層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在lxl(T 3mbar至4xl(T3mba;r之間，沉積功率在5?15kw 之間。
[0010] 一些實施例中，所述鎳鉻金屬介電層采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在1?5nm之 間，制備鎳鉻金屬介電層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T 3mba;r至5xl(T3mba;r之間，沉 積功率在1?l〇kw之間。
[0011] 一些實施例中，所述氧化鋅錫介電層采用鋅錫合金靶鍍制，沉積厚度在10? 20nm之間，制備氧化鋅錫介電層的氧氣與氦氣量之比在1. 5?2. 5 :1之間，溉射氣壓在 3xlCT3mbar至5xlCT3mbar之間，沉積功率在30?60kw之間。
[0012] 一些實施例中，所述氮化硅介電層采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在10?40nm之 間，制備氮化娃介電層的氮氣與氦氣量之比在1 :2?3. 5之間，溉射氣壓在2. 5x10 3mbar至 5xlCT3mbar之間，沉積功率在10?35kw之間。
[0013] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是通過離線磁控濺射技術(shù)，在浮法玻璃基材 表面制備多層膜結(jié)構(gòu)，使其具有較高的透過率和選擇系數(shù)，對紅外區(qū)域有高反射的作用，同 時能有效的降低玻璃的輻射率。
[0014] 以下結(jié)合附圖，通過示例說明本發(fā)明主旨的描述，以清楚本發(fā)明的其他方面和優(yōu) 點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 結(jié)合附圖，通過下文的詳細說明，可更清楚地理解本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu) 點，其中：
[0016] 圖1為本發(fā)明的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法制備的鍍膜玻璃 示意圖。

【具體實施方式】
[0017] 參見本發(fā)明具體實施例的附圖，下文將更詳細地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以 許多不同形式實現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出這些實施例是 為了達成充分及完整公開，并且使本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員完全了解本發(fā)明的范圍。
[0018] 現(xiàn)參考附圖，詳細說明根據(jù)本發(fā)明實施例的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃 制備方法制備。如圖1所示，包括玻璃基板1，在該玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦（Ti0 2) 介電層2, 一層氮化娃（Si3N4)介電層3, 一層氧化鋅（ZnO)介電層4, 一層鎳鉻（NiCr)金屬合 金層51，一層銀（Ag)功能層6, 一層鎳鉻（NiCr)金屬合金層52, 一層氧化鋅錫（ZnxSny0x+y) 介電層7和一層氮化硅（Si 3N4)介電層8。再對所述鍍膜玻璃進行鋼化，最后對所述鋼化后 的鍍膜玻璃進行檢測。
[0019] 具體地，上述氧化鈦介電層2,沉積厚度在5?15nm之間，制備氧化鈦介電層的氧 氣與氦氣量之比在1 :15?20之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率 在30?50kw之間。
[0020] 具體地，上述氮化硅介電層3,沉積厚度在5?10nm之間，制備氮化硅介電層的氮 氣與氦氣量之比在1 :2. 5?3之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率 在20?40kw之間。
[0021] 具體地，上述氧化鋅介電層4,沉積厚度在5?10nm之間，制備氧化鋅介電層的氧 氣與氦氣量之比在1?2 :1之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率在 20?40kw之間。
[0022] 具體地，上述鎳鉻金屬介電層51，沉積厚度在0. 5?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電 層的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T3mba;r至5xl(T 3mba;r之間，沉積功率在1?10kw之 間。
[0023] 具體地，上述銀功能層6,沉積厚度在5?13nm之間，制備銀功能層的濺射氣體為 氦氣，溉射氣壓在lxlCT3mbar至4xlCT3mbar之間，沉積功率在5?15kw之間。
[0024] 具體地，上述鎳鉻金屬介電層52,沉積厚度在1?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層 的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T 3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率在1?10kw之間。
[0025] 具體地，上述氧化鋅錫介電層6,沉積厚度在10?20nm之間，制備氧化鋅錫介電層 的氧氣與氦氣量之比在1. 5?2. 5 :1之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉 積功率在30?60kw之間。
[0026] 具體地，上述氮化硅介電層7,沉積厚度在10?40nm之間，制備氮化硅介電層的氮 氣與氦氣量之比在1 :2?3. 5之間，溉射氣壓在2. 5xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功 率在10?35kw之間。
[0027] 本發(fā)明的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其生產(chǎn)出來的單銀高 透低輻射產(chǎn)品，可以進行高溫鋼化工藝處理，且鋼化前后透過率和顏色值改變很小，對產(chǎn)品 性能沒有影響。采用復(fù)合電介質(zhì)層對功能層銀（Ag)層能起到保護作用，有效的避免銀離子 凝聚及銀層被氧化等，最外層氮化硅在熱處理中具有穩(wěn)定的抗熱沖擊性能。
[0028] 將本發(fā)明用于臥式連續(xù)式磁控濺射鍍膜機，其中包括6個旋轉(zhuǎn)陰極，3個平面陰 極，共計9個陰極。使用其中5個旋轉(zhuǎn)陰極和3個平面陰極進行生產(chǎn)，制造出高透過率可鋼 化低輻射鍍膜玻璃，工藝配置如下表1 :
[0029]

【權(quán)利要求】
1. 一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，設(shè)置一玻璃基板，在所 述玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一層氧化鋅介電層，一層鎳 鉻金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅錫介電層和一層氮化娃介 電層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述氧化鈦介電層采用氧化鈦靶鍍制，沉積厚度在5?15nm之間，制備氧化鈦介電層的氧氣 與氦氣量之比在1 :15?20之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率在 30?50kw之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述氮化硅介電層采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5?10nm之間，制備氮化硅介電層的氮 氣與氦氣量之比在1 :2. 5?3之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率 在20?40kw之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述氧化鋅介電層采用鋅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5?10nm之間，制備氧化鋅介電層的氧 氣與氦氣量之比在1?2 :1之間，溉射氣壓在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率在 20?40kw之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述鎳鉻金屬介電層采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在0.5?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層 的溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T 3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率在1?10kw之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述銀功能層采用純銀靶鍍制，沉積厚度在5?13nm之間，制備銀功能層的濺射氣體為氬氣， 溉射氣壓在lxl〇^ 3mbar至4xl(T3mbar之間，沉積功率在5?15kw之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述鎳鉻金屬介電層采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在1?5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的 溉射氣體為氦氣，溉射氣壓在3xl(T 3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功率在1?10kw之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述氧化鋅錫介電層采用鋅錫合金靶鍍制，沉積厚度在10?20nm之間，制備氧化鋅錫介電層 的氧氣與氦氣量之比在1. 5?2. 5 :1之間，溉射氣壓在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉 積功率在30?60kw之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備方法，其特征在于，所 述氮化硅介電層采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在10?40nm之間，制備氮化硅介電層的氮 氣與氦氣量之比在1 :2?3. 5之間，溉射氣壓在2. 5xl(T3mbar至5xl(T3mbar之間，沉積功 率在10?35kw之間。
【文檔編號】B32B9/04GK104230182SQ201410510006
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月28日
【發(fā)明者】井治, 錢寶鐸, 張超群, 羅松松, 王程 申請人:中國建材國際工程集團有限公司