本發(fā)明具體涉及一種新型結(jié)構(gòu)線切片工藝。
背景技術(shù)：
當(dāng)前隨著社會(huì)的發(fā)展，太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)逐步成為新的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。在太陽(yáng)能硅片切割過(guò)程中，主要是由鋼線帶動(dòng)漿料(漿料由碳化硅粉末和懸浮液按照一定比例進(jìn)行配置而成)，在一定張力的作用下，利用碳化硅顆粒的堅(jiān)硬特性和鋒利菱角將硅棒切割成尺寸合格的硅片。鋼線在參與整個(gè)切割過(guò)程中作為一個(gè)載體，同時(shí)也被高速運(yùn)動(dòng)的碳化硅顆粒磨損，線徑的變化可能會(huì)影響硅片表面的切割質(zhì)量。
砂漿中的碳化硅莫氏硬度為9.5級(jí)，而晶體硅的莫氏硬度為7級(jí)，切割過(guò)程中主要依靠碳化硅對(duì)晶體硅進(jìn)行磨削切割。鋼線攜帶砂漿的多少直接影響硅棒切割的效果。目前太陽(yáng)能行業(yè)普遍使用的切割硅片的鋼線主要是橫截面為圓形或橢圓形的普通鋼線。在切割硅棒過(guò)程中，碳化硅顆粒由于缺少附著力，容易從鋼線表面脫落，鋼線在硅棒入線口會(huì)引起漿料的飛濺，進(jìn)而攜帶比較少的砂漿參與硅棒的切割。這使得鋼線在切割過(guò)程中容易磨損，引起斷線，也大大降低了鋼線的切割能力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明目的：為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種新型結(jié)構(gòu)線切片工藝。
技術(shù)方案：一種新型結(jié)構(gòu)線切片工藝，包括如下步驟：
(1)漿料更換，使液位準(zhǔn)確；
(2)上棒夾緊，工件安裝到位；
(3)文件設(shè)定，使線臺(tái)速流量匹配，張力大小波匹配；
(4)預(yù)熱開(kāi)切，保證線網(wǎng)潔凈度；
(5)升棒下棒，使工件切透。
作為優(yōu)化：所述結(jié)構(gòu)線切片工藝后，硅片表面的碳化硅磨削痕跡在3-4um，硅片整體厚度良好保持在200um±20um，且ttv<15um。
有益效果：本發(fā)明中使用結(jié)構(gòu)鋼線替代傳統(tǒng)鋼線，在切割硅棒過(guò)程中會(huì)增大碳化硅顆粒的附著力，不容易從結(jié)構(gòu)鋼線表面脫落，使結(jié)構(gòu)鋼線攜帶比較多的砂漿參與硅塊的切割。也大大提高了結(jié)構(gòu)鋼線的切割能力。
具體實(shí)施方式
下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更好的理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚的界定。本發(fā)明所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例
目前整體切片環(huán)節(jié)成本的主要消耗為碳化硅、懸浮液、鋼線，現(xiàn)在整個(gè)原材料價(jià)格下滑，切割鋼線在砂、線、液成本中所占的比例為20％，其中碳化硅和切割液占了主要的部分。在光伏行業(yè)中結(jié)構(gòu)鋼線的主要應(yīng)用為多晶錠開(kāi)方使用，在硅片切割中的應(yīng)用的較少，主要原因是結(jié)構(gòu)線本身的造價(jià)要高于普通鋼線，這就使得在鋼線耗用量較大的硅片切割中成本較高。通過(guò)將結(jié)構(gòu)線代替普通鋼線，提高切割線在紗線液中所在比例，降低碳化硅和切割液的消耗，從而降低紗線液的整體成本。目前市場(chǎng)上結(jié)構(gòu)線的價(jià)格比普通直鋼絲高30％，通過(guò)降低砂漿的用量，提高加工設(shè)備的工作臺(tái)速度，提高設(shè)備的開(kāi)機(jī)率，最終達(dá)到原材料和設(shè)備費(fèi)用的共同降低。
一種新型結(jié)構(gòu)線切片工藝，包括如下步驟：
(1)漿料更換，使液位準(zhǔn)確；
(2)上棒夾緊，工件安裝到位；
(3)文件設(shè)定，使線臺(tái)速流量匹配，張力大小波匹配；
(4)預(yù)熱開(kāi)切，保證線網(wǎng)潔凈度；
(5)升棒下棒，使工件切透。
通過(guò)使用結(jié)構(gòu)鋼線對(duì)硅棒進(jìn)行切割并對(duì)試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行跟蹤，硅片表面的碳化硅磨削痕跡在3-4um，硅片整體厚度良好保持在200um±20um，且ttv<15um。