用于天線罩的陶瓷材料、天線罩及其生產(chǎn)方法
【專利摘要】闡明了一種用于天線罩的陶瓷材料，其包含：-約80-95％(％wt)的Si3N4；約5-15％(wt％)的硅酸鎂鋁，所述硅酸鎂鋁包括2.5-12.5％(wt％)的SiO2，0.5-3％(wt％)的MgO和2-6％(wt％)的Al2O3；并且具有不低于2.5g/cm3的密度和不超過6.5的介電常數(shù)。還闡明了一種用于生產(chǎn)天線罩的方法。
【專利說明】用于天線罩的陶瓷材料、天線罩及其生產(chǎn)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于天線罩（天線屏蔽器、整流罩，radome)的陶瓷材料、天線罩及其 生產(chǎn)方法。
[0002] 特別地，本發(fā)明涉及用于導(dǎo)彈并且通常用于航空航天應(yīng)用的天線罩的陶瓷材料及 相關(guān)生產(chǎn)方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 用于這些應(yīng)用的材料在高耐機(jī)械性、高耐熱性和良好的介電性能方面需要有特別 嚴(yán)格的要求。
[0004] 特別地，用于天線罩應(yīng)用中的材料必須確保寬溫度范圍內(nèi)的最佳耐機(jī)械性和低介 電常數(shù)。
[0005] 它們必須能夠在長時(shí)間內(nèi)抵抗空氣動力、大氣介質(zhì)和熱沖擊，并且同時(shí)它們對于 電磁波必須是可透過的。
[0006] 使用陶瓷材料制造天線罩是已知的。
[0007] 特別地，由于它們在環(huán)境溫度和高溫下的良好的機(jī)械性能并且由于它們的良好的 抵抗熱沖擊性，使得使用基于Si 3N4(氮化硅）的陶瓷材料制造天線罩是已知的。
[0008] 然而，在燒結(jié)步驟過程中，這類材料具有的問題在于：在大氣壓力下，氮化硅傾向 于分解而不是首先熔化或燒結(jié)。
[0009] 為此，通過擠壓（壓制，pressing)進(jìn)行形成由這類材料制成的物品的步驟。這所 表示的限制在于通過擠壓的形成僅允許獲得簡單的形狀。因此，生產(chǎn)具有更多復(fù)雜形狀的 物品需要在塊體（piece)上進(jìn)行后續(xù)的加工操作。
[0010] 即使由于材料的良好的機(jī)械特性，這些操作也是耗時(shí)、復(fù)雜并且昂貴的。特別地， 這些材料的高硬度需要復(fù)雜的機(jī)械加工操作并且使用昂貴的工具。
[0011] 在現(xiàn)有技術(shù)的一些方法中，提出了包括氮化硅和硅酸鋇鋁（barium aluminosilicate, BAS)的材料。
[0012] 這些已知的方法，雖然具有高密度并且因此具有良好的機(jī)械性能，但是具有高介 電常數(shù)并且因此具有差的介電性能。
[0013] 此外，包括這類材料的天線罩的生產(chǎn)方法存在上述缺點(diǎn)。
[0014] 此外，應(yīng)該觀察到，針對航空航天應(yīng)用而研究的基于氮化硅的已知陶瓷材料中的 大部分存在的工業(yè)應(yīng)用問題在于，它們的性能與它們的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀結(jié)構(gòu)嚴(yán)格相關(guān)，因 此，它們的組成和/或生產(chǎn)過程中的即使微小的變化也會顯著地改變它們的性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 因此，本發(fā)明的目的是提供在寬溫度范圍內(nèi)在耐機(jī)械性、耐熱性和介電性能方面 具有高性能的用于天線罩的陶瓷材料。
[0016] 本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供用于天線罩的陶瓷材料和無燒結(jié)問題的天線罩的 生產(chǎn)方法。
[0017] 本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供用于生產(chǎn)簡單、便宜的天線罩并且允許獲得具有上 述機(jī)械、熱和介電性能的天線罩的方法。
[0018] 這些和其他目的通過用于天線罩的陶瓷材料獲得，所述陶瓷材料包括：
[0019] -約 80-95% (% wt)的 Si3N4 ;以及
[0020] -約 5_1δ% (wt% )的娃酸緩錯(cuò)（magnesium aluminosilicate)，所述娃酸緩錯(cuò)包 括 2. 5-12. 5% (wt% )的 Si02、0. 5-3% (wt% )的 MgO 和 2-6% (wt% )的 Al2O3 ;
[0021] 并且具有不低于2. 5g/cm3的密度和不超過6. 5的介電常數(shù)。
[0022] 優(yōu)選地，介電常數(shù)的值基本恒定或在溫度變化時(shí)發(fā)生微小的變化。
[0023] 在X、Ku和Ka波段測量介電常數(shù)的值。
[0024] 根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施方式，所述密度包括在2. 5和2. 9g/cm3之間和/或所述介電常數(shù) 包括在5. 7和6. 4之間。
[0025] 根據(jù)特別優(yōu)選的實(shí)施方式，所述密度包括在2. 65和2. 79g/cm3之間和/或所述介 電常數(shù)包括在5. 9和6. 2之間。
[0026] 有利地，15-35% (wt% )的Si3N4是P-Si3N4。這允許改善材料的介電性能。
[0027] 優(yōu)選地，所述材料包括90-94% (wt% )的Si3N4 ;和約6-10% (wt% )的硅酸鎂鋁， 所述硅酸鎂鋁包括 3. 2-5. 2% (wt% )的 Si02、0. 7-2% (wt% )的 MgO 和 2. 1-4% (wt% ) 的 Al2O3。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的材料的特別優(yōu)選的組成包括90% (wt% )的Si3N4、5. 1% (wt% )的 Si02、1.4% (wt%)的 MgO 和 3.5% (wt%)的 A1203。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，本發(fā)明涉及天線罩，所述天線罩包括這類材料并且獲 得與材料相同的優(yōu)點(diǎn)，即，對于寬溫度范圍的良好的耐機(jī)械性和耐熱性以及良好的介電性 能。
[0030] 更通常地，本發(fā)明涉及包含這類材料的物品。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，本發(fā)明涉及生產(chǎn)天線罩的方法，所述方法包括以下步 驟：
[0032] a.形成約80-95% (% wt)的Si3N4粉末和約5-15% (wt% )的硅酸鎂鋁粉末的 均勻混合物，所述硅酸鎂鋁粉末包括2. 5-12. 5% (wt% )的Si02、0. 5-3% (wt% )的MgO和 2-6% (wt% )的 Al2O3 ;
[0033] b.將至少一種有機(jī)粘合劑加入至混合物；
[0034] c.使混合物霧化；
[0035] d.在專用模具（special mould)中，在環(huán)境溫度（ambient temperature)下，使 混合物經(jīng)受等靜壓壓制（等靜壓成型，isostatic pressing)以形成綠色半成品（green semi-finished product)；
[0036] e.機(jī)械加工綠色半成品以基本上賦予它最終的形狀；
[0037] f.使成型的綠色半成品經(jīng)受熱循環(huán)；
[0038] g.燒結(jié)綠色半成品以獲得成品。
[0039] 這種方法相對于已知方法而言是有利的，因?yàn)樗试S獲得在寬溫度范圍內(nèi)具有高 耐機(jī)械性和耐熱性以及良好的介電性能的天線罩。
[0040] 特別地，這種方法的全部具體步驟允許獲得賦予材料并且從而賦予天線罩上述特 征的特定微觀結(jié)構(gòu)。
[0041] 此外，提供綠色半成品的機(jī)械加工的事實(shí)允許獲得改善的可加工性、材料回收、更 快速的生產(chǎn)過程以及改善的成品的機(jī)械特性。
[0042] 需要在燒結(jié)塊體上完成操作，相對于現(xiàn)有技術(shù)的那些操作而言，這些操作將更省 時(shí)，因此節(jié)省了時(shí)間和工具的壽命。
[0043] 此外，全部操作步驟和材料的具體組成允許克服與工業(yè)適用性相關(guān)的問題，因?yàn)?針對工業(yè)生產(chǎn)而不只是針對原型（prototype)它們得到了優(yōu)化。
[0044] 優(yōu)選地，形成均勻混合物的步驟a包括以下兩個(gè)子步驟：
[0045] a' ·使Si3N4與SiO2混合以形成預(yù)混物；
[0046] a" ·使預(yù)混物與MgO以及與Al2O3混合。
[0047] 優(yōu)選地，步驟a提供了將水添加到混合物以形成漿料（slurry)的步驟。
[0048] 有利地，在包括在1500巴和1800巴之間的壓力下進(jìn)行步驟d的等靜壓壓制。
[0049] 根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選實(shí)施方式，使半成品經(jīng)受熱循環(huán)的步驟f包括以下子步 驟：
[0050] f ·以8°C /hr升高溫度直至達(dá)到300°C _390°C的溫度；
[0051] f" ·將半成品置于上述溫度下3-6小時(shí)。
[0052] 優(yōu)選地，使半成品經(jīng)受熱循環(huán)的步驟f在提供特定的（專門的，specific)支撐物 (支撐體）或基底和/或用于輸送氣體以確保有機(jī)粘合劑從塊體（piece)中脫離（離開， exit)的系統(tǒng)的爐中進(jìn)行。這允許防止由于有機(jī)粘合劑施加的壓力所致的半成品的破裂。
[0053] 優(yōu)選地，在1500°C _1650°C的溫度和/或惰性氣氛（優(yōu)選氮?dú)猓┲械囊合嘞?，進(jìn)行 燒結(jié)步驟g。
[0054] 這種溫度較低的事實(shí)允許降低工廠并且從而降低生產(chǎn)過程的投資和運(yùn)營成本。
[0055] 有利地，在由與半成品相同的材料制成的基底上進(jìn)行燒結(jié)步驟g。這允許避免產(chǎn)品 的變形。
[0056] 根據(jù)一些實(shí)施方式，在燒結(jié)步驟g之前是在產(chǎn)品的表面上施加抗氧化劑的步驟。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0057] 為了更好地理解本發(fā)明并且為了觀察本發(fā)明的優(yōu)勢，以下是參考附圖的用于天線 罩的陶瓷材料以及用于生產(chǎn)本發(fā)明的天線罩的方法的一些示例性的非限制性實(shí)施方式的 說明，其中：
[0058] -圖1示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)天線罩的方法的步驟；和
[0059] -圖2示出了在一些具體生產(chǎn)步驟中使用本發(fā)明的材料制備的物品的實(shí)例。

【具體實(shí)施方式】
[0060] 根據(jù)本發(fā)明的用于天線罩的陶瓷材料是基于氮化硅的材料，其實(shí)際上包括約 80-95% (% wt)的 Si3N4。
[0061] 優(yōu)選地，約 15-35% (wt% )的 Si3N4 是 β -Si3N4。
[0062] 事實(shí)上發(fā)現(xiàn)，這個(gè)階段中的具體控制的百分比允許獲得低介電常數(shù)，并且因此改 善材料的介電能力，即，材料對于電磁波可透過的能力。
[0063] 特別地，本發(fā)明的材料對于天線罩，即對于適合于保護(hù)天線的結(jié)構(gòu)而言是最佳的， 因此，表述"良好的介電性能"用于表明材料對于通過天線發(fā)射和接收的能量是可透過的能 力。
[0064] 本發(fā)明的材料進(jìn)一步包括約5-15% (wt % )的硅酸鎂鋁，所述硅酸鎂鋁包括 2. 5-12. 5% (wt% )的 Si02、0. 5-3% (wt% )的 MgO 和 2-6% (wt% )的 ΑΙΑ。
[0065] 優(yōu)選地，所述材料包括90-94% (wt% )的Si3N4和6-10% (wt% )的硅酸鎂鋁， 所述硅酸鎂鋁包括 3. 2-5% (wt% )的 Si02、0. 7-2% (wt% )的 MgO 和 2. 1-4% (wt% )的 Al2O3U
[0066] 根據(jù)本發(fā)明的材料的特別優(yōu)選的組成包括90% (wt% )的Si3N4、5. 1% (wt% )的 Si02、1.4% (wt%)的 MgO 和 3.5% (wt%)的 A1203。
[0067] 使用這種組成獲得了特別期望的結(jié)果。
[0068] 根據(jù)本發(fā)明，陶瓷材料具有不低于2. 5g/cm3的密度，并且優(yōu)選包括在2. 5和2. 9g/ cm3之間。
[0069] 這種特性連同組成一起是用于定義材料的耐機(jī)械性能并且因此用于獲得適合于 航空航天應(yīng)用的產(chǎn)品的基礎(chǔ)。
[0070] 此外，在X、Ku和Ka波段中，在環(huán)境溫度和高溫下，材料的介電常數(shù)不超過6. 5,尤 其包括在5. 7和6. 4之間。
[0071] 根據(jù)進(jìn)一步的方面，本發(fā)明涉及包含這種材料的物品，尤其是包含這種材料的天 線罩。優(yōu)選地，天線罩是用于導(dǎo)彈應(yīng)用并且通常是用于航空航天應(yīng)用的天線罩，但其也可以 應(yīng)用于不同的環(huán)境下，例如應(yīng)用于航海應(yīng)用中。
[0072] 以下是根據(jù)本發(fā)明用于生產(chǎn)天線罩的方法的描述。
[0073] 本發(fā)明的方法提供了形成約80-95% (% wt)的Si3N4粉末和約5-15% (wt% )的 硅酸鎂鋁粉末的均勻混合物的第一步驟a，所述硅酸鎂鋁粉末包括2. 5-12. 5% (wt%)的 Si02、0.5-3% (wt%)的 MgO 和 2-6% (wt%)的 A1203。
[0074] 優(yōu)選地，該材料包括90-94% (wt% )的Si3N4和6-10% (wt% )的硅酸鎂鋁，所述 硅酸鎂鋁包括 3.2-5% (wt%)的 Si02、0.7-2% (wt%)的 MgO和 2.1-4% (wt%)的 A1203。
[0075] 根據(jù)本發(fā)明的材料的特別優(yōu)選的組成包括90% (wt% )的Si3N4、5. 1% (wt% )的 Si02、1.4% (wt%)的 MgO 和 3.5% (wt%)的 A1203。
[0076] 可以通過將所有組分混合在一起或通過兩個(gè)隨后的子步驟進(jìn)行這種步驟：即第一 子步驟a'，其提供Si 3N4和SiO2的均勻混合以形成預(yù)混物；然后是第二子步驟a"，其提供 使預(yù)混物與MgO以及與Al 2O3混合。
[0077] 在兩種情況中，優(yōu)選在添加水的情況下發(fā)生混合，因?yàn)樗兄陔S后的噴霧步驟。 可替換地，可以使用乙醇或已知類型的任何其他溶劑。
[0078] 混合用于保證均一性和粉末之間的緊密接觸。
[0079] 優(yōu)選地，在專用研磨機(jī)（mill)或滾筒混合器（roller mixer)中進(jìn)行這種步驟。
[0080] 隨后是將至少一種有機(jī)粘合劑添加到混合物的步驟b。
[0081] 這種粘合劑是已知的類型，并且它可以例如是聚乙二醇。
[0082] 它適合于幫助促進(jìn)粉末粒子（powder particle)之間的緊密結(jié)合的混合。
[0083] 隨后，以已知方法，優(yōu)選根據(jù)步驟c通過提供具有旋流器（cyclone)的霧化器（噴 霧器，atomiser)霧化混合物。
[0084] 在這種步驟的最后，混合物處于均勻且穩(wěn)定的無定形分散形式。
[0085] 隨后，在專用模具（步驟d)中，在環(huán)境溫度下使混合物經(jīng)受等靜壓壓制。在包括 在1500巴和1800巴之間的壓力下進(jìn)行這種壓制。
[0086] 模具具有與想要獲得的產(chǎn)品形狀相適合的（compatible)形狀，并且優(yōu)選彈性體 類型。
[0087] 如圖2中所示出的，在具體的應(yīng)用中，它是圓柱形的并且提供有與其同軸的 (concentric)圓柱芯，以賦予混合物以中空的圓柱形形狀。
[0088] 在將混合物引進(jìn)圓柱體之后，引進(jìn)芯，之后密封模具并且使混合物經(jīng)受等靜壓壓 制（等靜壓成型）。
[0089] 獲得的產(chǎn)品是綠色半成品。
[0090] 在這一點(diǎn)上，如圖2中示出的，進(jìn)行機(jī)械加工綠色半成品以賦予半成品希望的基 本上與產(chǎn)品的最終形狀相符的形狀的步驟e。
[0091] 正如之前所提到的，在綠色半成品上并且因此在可鍛性（延展性）更強(qiáng)的產(chǎn)品上 進(jìn)行的這種步驟，允許獲得最終產(chǎn)品的方法和特征方面的顯著優(yōu)勢。
[0092] 因此，在機(jī)械加工的最后，半成品雖然是綠色的，但基本上具有其最終的形狀。
[0093] 根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施方式，這種形狀是圓錐形的或尖拱形的（ogive-shaped)。
[0094] 隨后，進(jìn)行使成型的綠色半成品經(jīng)受適合消除有機(jī)粘合劑的熱循環(huán)的步驟f。
[0095] 應(yīng)當(dāng)根據(jù)使用的具體組成和半成品的尺寸來優(yōu)化，并且優(yōu)選在大氣（空氣）中進(jìn) 行。
[0096] 根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施方式，熱循環(huán)包括以下子步驟：逐漸升高溫度，特別地，以8°C /h 升高溫度至達(dá)到300°C _390°C的溫度（步驟f'），以及將半成品置于達(dá)到的溫度下3-6小時(shí) (步驟f")。
[0097] 優(yōu)選地，在提供特定的支撐物或基底和/或用于輸送氣體以保證有機(jī)粘合劑從塊 體中逐漸且均勻地脫離的系統(tǒng)的爐中進(jìn)行步驟f。
[0098] 換句話說，從材料中蒸發(fā)的有機(jī)粘合劑可能仍然陷在引起變性或破裂的物品的空 腔中。
[0099] 為了防止這種情況，爐配備有格網(wǎng)或配備有開口的基底以允許這種粘合劑經(jīng)由那 里通過。
[0100] 可替換地或者另外地，爐可以配備有合適的支撐物，該支撐物允許放置具有開口 的塊體并且因此凹面向上。
[0101] 可替換地或者另外地，可以提供用于輸送氣體并且強(qiáng)制運(yùn)動氣體進(jìn)入期望方向的 進(jìn)一步的系統(tǒng)。
[0102] 根據(jù)本發(fā)明方法的優(yōu)選實(shí)施方式，隨后是將抗氧化劑施加在成品表面上的步驟h。
[0103] 優(yōu)選地，通過噴霧進(jìn)行這種施加。
[0104] 隨后，對綠色半成品進(jìn)行燒結(jié)步驟g，以便獲得成品。
[0105] 優(yōu)選地，在1500°C -1650°C的溫度和/或在惰性氣氛，優(yōu)選地，在氮?dú)庵械囊合嘞?進(jìn)行這樣的步驟。
[0106] 優(yōu)化燒結(jié)熱循環(huán)以獲得特定的微觀結(jié)構(gòu)（微結(jié)構(gòu)）。
[0107] 觀察到，除了溫度之外，燒結(jié)動力學(xué)受到材料的特定初始組成的強(qiáng)烈影響。
[0108] 優(yōu)選地，在由與半成品相同的材料制成的支撐物上，進(jìn)行燒結(jié)步驟g。
[0109] 實(shí)施例
[0110] 在葉片研磨機(jī)（blade mill)中，將 90% (wt% )的 Si3N4、5. 1% (wt% )的 Si02、 I. 4% (wt% )的MgO和3· 5% (wt% )的Al2O3與水和聚乙二醇一起混合以獲得漿料。
[0111] 將混合物霧化，然后在1500巴的壓力下，在圓柱形模具中，在環(huán)境溫度下使其經(jīng) 受等靜壓壓制（等靜壓成型）。
[0112] 通過數(shù)控加工，對由此獲得的半成品進(jìn)行外部加工（機(jī)械加工，machine)以賦予 它尖拱形形狀。
[0113] 隨后，對其進(jìn)行以下熱循環(huán)：
[0114] -以8°C /h升高溫度至達(dá)到300°C _390°C的溫度；
[0115] -在上述溫度下保持3-6小時(shí)。
[0116] 在高至1550°C的溫度下將產(chǎn)品燒結(jié)約兩個(gè)小時(shí)的時(shí)間以獲得成品。
[0117] 將成品進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證測試，獲得以下結(jié)果：
[0118]

【權(quán)利要求】
1. 用于天線罩的陶瓷材料，包含： -約 80-95% (%wt)的 Si3N4;以及 -約5-15 % (wt % )的硅酸鎂鋁，所述硅酸鎂鋁包括2. 5-12. 5 % (wt % )的Si02、 0· 5-3% (wt% )的 MgO 和 2-6% (wt% )的 Al2〇3 ; 并且具有不低于2. 5g/cm3的密度和不超過6. 5的介電常數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷材料，其中，所述密度包括在2.5g/cm3和2.9g/cm3之間； 和/或所述介電常數(shù)包括在5. 7和6. 4之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷材料，其中，15-35% (% wt)的Si3N4是β-Si3N4。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，包含： -90-94% (wt% )的 Si3N4 ;以及 -6-10%(?七％)的硅酸鎂鋁，所述硅酸鎂鋁包括3.2-5%(￥七％)的5丨02、0.7-2% (wt% )的 MgO 和 2. 1-4% (wt% )的 Al2〇3。
5. 包含前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料的天線罩。
6. 用于生產(chǎn)天線罩的方法，包括以下步驟： a. 形成約80-95% (%wt)的Si3N4粉末和約5-15% (wt%)的硅酸鎂鋁粉末的均勻混 合物，所述硅酸鎂鋁粉末包括2.5-12.5%^%)的5丨02、0.5-3%^%)的1%0和2-6% (wt% )的 A1203 ; b. 將至少一種有機(jī)粘合劑加入至所述混合物； c. 使所述混合物霧化； d. 在專用模具中，在環(huán)境溫度下，使所述混合物經(jīng)受等靜壓壓制以形成綠色半成品； e. 機(jī)械加工所述綠色半成品以基本上賦予它最終的形狀； f. 使成型的所述綠色半成品經(jīng)受熱循環(huán)； g. 燒結(jié)所述綠色半成品以獲得成品。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于生產(chǎn)天線罩的方法，其中，形成均勻混合物的所述步驟a 包括以下兩個(gè)子步驟： a' .使Si3N4與Si02混合以形成預(yù)混物； a" ·使所述預(yù)混物與MgO以及與A1203混合。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的用于生產(chǎn)天線罩的方法，其中，使所述半成品經(jīng)受熱循環(huán) 的所述步驟f包括以下子步驟： f'.以8°C /hr升高溫度直至達(dá)到300°C _390°C的溫度； f".將所述半成品置于溫度下3-6小時(shí)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6-8中一項(xiàng)所述的用于生產(chǎn)天線罩的方法，其中，使所述半成品經(jīng)受 熱循環(huán)的所述步驟f在爐中運(yùn)行，所述爐包括特定的支撐物和/或用于輸送氣體以確保所 述有機(jī)粘合劑脫離塊體的系統(tǒng)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6-9中一項(xiàng)所述的用于生產(chǎn)天線罩的方法，其中，在由與所述半成品 相同的材料制成的支撐物上進(jìn)行所述燒結(jié)步驟g。
【文檔編號】C04B35/584GK104302600SQ201280070311
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月22日
【發(fā)明者】達(dá)尼埃拉·迪馬蒂諾, 希蒂·迪萊塔, 勞拉·埃斯波西托 申請人:Mbda意大利公司