化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠有效地抑制化學(xué)強(qiáng)化后的翹曲，并且能夠省略或簡(jiǎn)化化學(xué)強(qiáng)化前的研磨處理等的化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃。本發(fā)明涉及一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，頂面的深度5～10μm處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的深度5～10μm處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對(duì)值為0.35以下，底面的深度5～10μm處的平均H/Si強(qiáng)度相對(duì)于頂面的深度5～10μm處的平均H/Si強(qiáng)度之比為1.65以下，以及底面的深度5～30μm處的表層β-OH相對(duì)于頂面的深度5～30μm處的表層β-OH之比為1.27以下。
【專利說明】化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，在手機(jī)或便攜式信息終端(PDA)等平板顯示裝置中，為了保護(hù)顯示器及提升美觀，而以成為比圖像顯示部分更廣的區(qū)域的方式將薄的板狀蓋板玻璃(力〃'一力' 7
配置在顯示器的前面。
[0003]對(duì)于這樣的平板顯示裝置，要求輕量及薄型化，因此，要求用于顯示器保護(hù)用的蓋板玻璃也變薄。
[0004]但是，使蓋板玻璃的厚度變薄時(shí)，強(qiáng)度降低，有時(shí)會(huì)因使用中或攜帶中的掉落等而蓋板玻璃自身破裂，存在不能發(fā)揮保護(hù)顯示裝置的本來的作用的問題。
[0005]因此，現(xiàn)有的蓋板玻璃為了提高耐劃傷性，而通過對(duì)通過浮法制造的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化而在表面形成壓縮應(yīng)力層從而提高蓋板玻璃的耐劃傷性。
[0006]近年來，在蓋板玻璃等中，所要求的耐劃傷性變得更高。對(duì)現(xiàn)有的鈉鈣玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化而成的化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的表面壓縮應(yīng)力為約500MPa，壓縮應(yīng)力層的深度為約10 iim，但為了適應(yīng)對(duì)高耐劃傷性的要求，而開發(fā)了表面壓縮應(yīng)力為600MPa以上,壓縮應(yīng)力層的深度為15 以上的化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃。
[0007]據(jù)報(bào)道，浮法玻璃在化學(xué)強(qiáng)化后產(chǎn)生翹曲而損害平坦性(專利文獻(xiàn)I)。該翹曲由于浮法成形時(shí)不與熔融錫接觸的玻璃面(以下，也稱為頂面)和與熔融錫接觸的玻璃面(以下，也稱為底面)的化學(xué)強(qiáng)化的程度(入>9方)不同而產(chǎn)生。
[0008]由于化學(xué)強(qiáng)化的程度越強(qiáng)，上述浮法玻璃的翹曲越大，因此，在為了適應(yīng)對(duì)高耐劃傷性的要求而開發(fā)的、上述表面壓縮應(yīng)力為600MPa以上，壓縮應(yīng)力層的深度為15 以上的化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃中，與現(xiàn)有的表面壓縮應(yīng)力為約500MPa且壓縮應(yīng)力層的深度為約IOum的化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃相比，翹曲的問題更加明顯。
[0009]目前，作為浮法玻璃的頂面與底面化學(xué)強(qiáng)化的程度不同的理由，認(rèn)為是由于在浮法成形時(shí)熔融金屬侵入與熔融金屬接觸的玻璃面(專利文獻(xiàn)I)。
[0010]在專利文獻(xiàn)I中，公開了通過不對(duì)由浮法方式制造、加工的板狀體進(jìn)行表面研磨，而是在浸潰于或接觸Li離子或者Na離子或它們的混合無機(jī)鹽后進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化，從而改善上述翹曲。
[0011]另外，目前，為了減少上述翹曲，而有如下應(yīng)對(duì)方法:減小由化學(xué)強(qiáng)化而引起的強(qiáng)化應(yīng)力，或在通過對(duì)浮法玻璃的頂面及底面進(jìn)行磨削處理或研磨處理等而除去表面異質(zhì)層后進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。
[0012]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0013]專利文獻(xiàn)
[0014]專利文獻(xiàn)1:日本專利第2033034號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]發(fā)明所要解決的問題
[0016]但是，在專利文獻(xiàn)I記載的方法中，需要在化學(xué)強(qiáng)化前在混合無機(jī)鹽中對(duì)浮法玻璃進(jìn)行浸潰處理，較為繁雜。另外，在減小強(qiáng)化應(yīng)力的方法中化學(xué)強(qiáng)化后的浮法玻璃的強(qiáng)度可能會(huì)變得不充分。
[0017]另外，在化學(xué)強(qiáng)化前對(duì)浮法玻璃的頂面及底面進(jìn)行磨削處理或研磨處理等的方法，從提高生產(chǎn)率的觀點(diǎn)考慮，存在問題，優(yōu)選省略這些研削處理或研磨處理等。
[0018]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠有效地抑制化學(xué)強(qiáng)化后的翹曲，并且能夠省略或簡(jiǎn)化化學(xué)強(qiáng)化前的研磨處理等的化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃。
[0019]用于解決問題的手段
[0020]本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn):浮法玻璃的底面和頂面的化學(xué)強(qiáng)化的程度產(chǎn)生差異的主要原因并非在浮法成形時(shí)侵入與熔融金屬接觸的玻璃面的該金屬，而是頂面和底面的氫濃度差。另外發(fā)現(xiàn):通過減小該氫濃度差，而使頂面和底面的利用化學(xué)強(qiáng)化的強(qiáng)化容易度均衡化，能夠減少化學(xué)強(qiáng)化后的浮法玻璃的翹曲。另外發(fā)現(xiàn):通過測(cè)定表層P-0H，能夠使誤差范圍更窄地評(píng)價(jià)浮法玻璃的底面和頂面的氫濃度，根據(jù)這些發(fā)現(xiàn)，完成了本發(fā)明。
[0021]即，本發(fā)明如下所述。 [0022]1.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，~~~頂面的深度5~IOiim處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的深度5~IOum處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對(duì)值為0.35以下，所述深度5~10 m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度為深度5~10 ii m處的氫濃度除以深度50~55 ii m處的氫濃度所得的值。
[0023]在此，深度5~10 ii m處的氫濃度及深度50~55 ii m處的氫濃度為在以下的分析條件下測(cè)定的值(平均值)。
[0024](分析條件)
[0025]測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置
[0026]初級(jí)離子種類:Cs+
[0027]初級(jí)加速電壓:5.0kV
[0028]初級(jí)離子電流:I PA
[0029]初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
[0030]光柵尺寸:200X 200 U m2
[0031]檢測(cè)區(qū)域:40X 40 Um2
[0032]次級(jí)離子極性:負(fù)
[0033]使用中和用的電子槍
[0034]2.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，頂面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度與底面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度之差為0.35以下，所述深度5~10 U m處的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度為使用次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置在以下的分析條件下測(cè)定的至深度60 iim為止的[1HVxiSr]分布的深度5~IOiim處的[1Fz^sr]除以深度50~55 urn處的[t/^sr]所得的值~。在此，[1HV30SiI分布為在以下的分析條件下測(cè)定的氫H的次級(jí)離子強(qiáng)度的分布與硅同位素3°Si的次級(jí)離子強(qiáng)度的分布之比，所述標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度相當(dāng)于所述標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度。[0035](分析條件)
[0036]測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置
[0037]初級(jí)離子種類:Cs+
[0038]初級(jí)加速電壓:5.0kV
[0039]初級(jí)離子電流:I PA
[0040]初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
[0041 ]光柵尺寸:200 X 200 U m2
[0042]檢測(cè)區(qū)域:40X 40 U m2
[0043]次級(jí)離子 極性:負(fù)
[0044]使用中和用的電子槍
[0045]3.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，底面的深度5~IOiim處的平均H/Si強(qiáng)度相對(duì)于頂面的深度5~IOiim處的平均H/Si強(qiáng)度之比為1.65以下。
[0046]4.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，底面的深度5~30 ii m處的表層P -OH相對(duì)于頂面的深度5~30 ii m處的表層P -OH之比(底面的表層P -OH/頂面的表層P -0H)為1.27以下。
[0047]5.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，底面的深度5~30 處的通過以下的(I)~(3)的步驟算出的表層3-OH相對(duì)于頂面的深度5~30 iim處的通過以下的(I)~(3)的步驟算出的表層P-OH之比(底面的表層P -OH/頂面的表層P -0H)為1.27以下。
[0048](I)將浮法玻璃的測(cè)定面研磨5 ii m并進(jìn)行IR測(cè)定，從S1-OH峰頂?shù)奈舛戎袦p去3955CHT1的基底的吸光度算出存在于3500(31^1附近的S1-OH峰的吸光度。
[0049](2)進(jìn)而，將浮法玻璃的測(cè)定面研磨25 u m,與步驟(1)同樣地測(cè)定S1-OH峰的吸光度。
[0050](3)根據(jù)由步驟⑴及⑵得到的研磨前后的S1-OH峰的吸光度之差和研磨厚度，通過下式算出目標(biāo)區(qū)域的表層P-0H。
[0051 ](表層3 -0H)=[(研磨5 i! m的S1-OH吸光度)-(研磨30 y m的S1-OH吸光度)]/研磨厚度(mm)
[0052]6.一種化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其包括對(duì)具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化而制造化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃，其特征在于，該浮法玻璃的~~~頂面的深度5~10 U m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對(duì)值為0.35以下，所述深度5~10 m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度為深度5~10 ii m處的氫濃度除以深度50~55 ii m處的氫濃度所得的值。
[0053]在此，深度5~10 ii m處的氫濃度及深度50~55 ii m處的氫濃度為在以下的分析條件下測(cè)定的值。
[0054](分析條件)
[0055]測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置
[0056]初級(jí)離子種類:Cs+
[0057]初級(jí)加速電壓:5.0kV[0058]初級(jí)離子電流:1 PA
[0059]初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
[0060]光柵尺寸:200X 200 U m2
[0061]檢測(cè)區(qū)域:40X40iim2
[0062]次級(jí)離子極性:負(fù)
[0063]使用中和用的電子槍 [0064]7.一種化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其包括對(duì)具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化而制造化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃，其特征在于，該浮法玻璃的頂面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度與底面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度之差的絕對(duì)值為0.35以下，所述深度5~10 處的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度為[1Fz^sr]分布的深度5~IOiim處的[1HT^Sr]除以在以下的分析條件下測(cè)定的深度50~55iim處的[1HV30S1-]所得的值~。
[0065](分析條件)
[0066]測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置
[0067]初級(jí)離子種類:Cs+
[0068]初級(jí)加速電壓:5.0kV
[0069]初級(jí)離子電流:I PA
[0070]初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
[0071]光柵尺寸:200X 200 ii m2
[0072]檢測(cè)區(qū)域:40X40um2
[0073]次級(jí)離子極性:負(fù)
[0074]使用中和用的電子槍
[0075]8.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃的制造方法，其中，該化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，且底面的深度5~10 ii m處的平均H/Si強(qiáng)度相對(duì)于頂面的深度5~10 y m處的平均H/Si強(qiáng)度之比為1.65以下。
[0076]9.一種化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其包括對(duì)具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化而制造化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃，其特征在于，該浮法玻璃的底面的深度5~30 ii m處的表層@ -OH相對(duì)于頂面的深度5~30 ii m處的表層P-OH之比(底面的表層P-OH/頂面的表層P-0H)為1.27以下。
[0077]10.如前項(xiàng)6~9中任一項(xiàng)所述的化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其中，化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的表面壓縮應(yīng)力為600MPa以上，壓縮應(yīng)力層的深度為15iim以上。
[0078]發(fā)明效果
[0079]本發(fā)明的化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃由于頂面和底面的氫濃度差小，因此，不減小由化學(xué)強(qiáng)化引起的應(yīng)力，另外，即使簡(jiǎn)化或省略化學(xué)強(qiáng)化前的研磨處理等，也能夠減少化學(xué)強(qiáng)化后的浮法玻璃的翹曲，得到優(yōu)異的平坦度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0080]圖1是本發(fā)明的化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃的制造裝置的縱剖視圖；
[0081]圖2是對(duì)本發(fā)明的化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化后，用作平板顯示器用的蓋板玻璃的平板顯示器的剖視圖；
[0082]圖3是表示基于比較例I (玻璃材料B)的浮法玻璃的次級(jí)離子質(zhì)譜分析的[1HV30SiI分布的圖，另外，圖中的T面為頂面，B面為底面。
[0083]圖4是表示將比較例I (玻璃材料B)的浮法玻璃的頂面蝕刻至各種深度，且對(duì)其頂面被蝕刻的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化，并測(cè)定化學(xué)強(qiáng)化前后的翹曲量的差(△翹曲量I)的結(jié)果的圖；
[0084]圖5(a)~(d)是表示基于實(shí)施例、比較例中使用的浮法玻璃的次級(jí)離子質(zhì)譜分析的[1HV30S1-]分布的圖；
[0085]圖6是表示研磨IR法的概要的圖；
[0086]圖7是對(duì)深度0~40iim的區(qū)域算出@ _0H，并與由SMS法算出的同區(qū)域的lH/3°Si平均計(jì)數(shù)進(jìn)行比較而得到的圖。在圖7中，P-OH利用質(zhì)量換算法算出。在圖7中，讀取誤差為±2.5~3.5%。另外，圖7的圖線為y=2.0977x+0.0566，R2=0.985。
[0087]圖8是表不表層P _0H和后述的A翅曲量2的相關(guān)關(guān)系的圖；
[0088]圖9是表示通過分析條件A測(cè)定的H/Si強(qiáng)度分布的圖；(實(shí)施例3)
[0089]圖10是表示通過分析條件B測(cè)定的H/Si強(qiáng)度分布的圖。(實(shí)施例3)
[0090]附圖標(biāo)記
[0091]I熔融玻璃
[0092]5熔融金屬浴槽
[0093]10顯示裝置
[0094]15 殼體
[0095]20顯示面板
[0096]30蓋板玻璃
【具體實(shí)施方式】
[0097]1.利用SIMS分析的氫濃度的評(píng)價(jià)
[0098]1A.利用標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度的氫濃度的評(píng)價(jià)
[0099]本發(fā)明的化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃通過浮法成形，并具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn):通過對(duì)浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化而產(chǎn)生的翹曲的主要原因如以下說明那樣為頂面和底面的氫濃度差。
[0100]在利用浮法的玻璃的制造中，通過從上游側(cè)將熔融玻璃連續(xù)供給至貯存于金屬液槽的熔融金屬的表面而成形玻璃帶，同時(shí)從該金屬液槽的下游側(cè)端部引出成形后的玻璃帶，并用退火爐進(jìn)行退火而制造板玻璃。
[0101]在利用浮法的玻璃的制造中，通常使用玻璃池窯和金屬液槽之間用管道及斜槽連接的、流道集中的類型的裝置。
[0102]在該情況下，由于需要在金屬液槽內(nèi)鋪展玻璃，因此，與后述的其它類型的裝置相t匕，使更高溫的熔融玻璃流出至熔融金屬表面而成形。
[0103]但是，由于上述金屬液槽內(nèi)的露點(diǎn)低，因此，H2O從玻璃表面擴(kuò)散，H2O從頂面擴(kuò)散至環(huán)境中，H2O從底面擴(kuò)散至熔融金屬中。因此，通過這種類型的裝置制造的浮法玻璃，與內(nèi)部(典型的為深度約50 iim以上)的氫濃度相比，表面(5~IOiim)的氫濃度變小。由于溫度越高H2O的擴(kuò)散系數(shù)越高，因此，來自與露點(diǎn)低或溫度高的環(huán)境接觸的頂面的H2O的擴(kuò)散量比與更低溫的熔融金屬接觸的浮法玻璃的底面的H2O的擴(kuò)散量多，因而與浮法玻璃的底面相比，頂面的氫濃度變低。
[0104]另一方面，在利用浮法的玻璃的制造中，有時(shí)使用不在玻璃池窯和金屬液槽之間集中流道的類型的裝置。在通過這種類型的裝置進(jìn)行制造的情況下，由于不需要在金屬液槽內(nèi)鋪展玻璃，因此，與以上所述的類型的裝置相比，使更低溫的熔融玻璃流出至高溫的熔融金屬而成形。由于溫度越高H2O的擴(kuò)散系數(shù)越高，因此，有時(shí)與浮法玻璃的頂面相比底面的溫度變高，在這種情況下，來自底面的H2O的擴(kuò)散量比頂面多，與浮法玻璃的頂面相比，底面的氫濃度變低。 [0105]因此，通過浮法制造的玻璃根據(jù)制造條件而頂面的氫濃度比底面低或底面的氫濃度比頂面低，產(chǎn)生頂面和底面的氫濃度差。以下，主要對(duì)于與浮法玻璃的底面相比，頂面的氫濃度變低的情況進(jìn)行說明，但本發(fā)明并非限定于此。
[0106]但是，玻璃中的氫濃度高時(shí)，氫以SiOH的形式進(jìn)入玻璃的S1-O-Si的鍵合網(wǎng)絡(luò)中，S1-O-Si的鍵合被切斷。玻璃中的氫濃度高時(shí)，則S1-O-Si的鍵合被切斷的部分變多，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度等熱特性降低，因此，在在高溫下加熱玻璃的化學(xué)強(qiáng)化時(shí)應(yīng)力緩和，應(yīng)力降低。
[0107]因此，在浮法玻璃的頂面及底面中，對(duì)于氫濃度高的玻璃面，在化學(xué)強(qiáng)化時(shí)應(yīng)力的產(chǎn)生小，對(duì)于氫濃度低的玻璃面，在化學(xué)強(qiáng)化時(shí)容易產(chǎn)生應(yīng)力。
[0108]即，對(duì)頂面的氫濃度比底面低的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化時(shí)，在氫濃度低的頂面產(chǎn)生比氫濃度高的底面強(qiáng)的應(yīng)力，玻璃以在頂面?zhèn)韧钩龅姆绞铰N曲，而認(rèn)為產(chǎn)生翹曲。
[0109]另一方面，對(duì)底面的氫濃度比頂面低的浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化時(shí)，在氫濃度低的底面產(chǎn)生比氫濃度高的頂面強(qiáng)的應(yīng)力，相反，玻璃以在底面?zhèn)韧钩龅姆绞铰N曲，而認(rèn)為產(chǎn)生翹曲。
[0110]因此，浮法玻璃的頂面和底面的氫濃度越接近，即，頂面和底面的氫濃度差的絕對(duì)值的值越小，化學(xué)強(qiáng)化后的頂面和底面的應(yīng)力的產(chǎn)生越接近均衡的狀態(tài)，因而翹曲減少。
[0111]另外，在本發(fā)明中，由于高精度地測(cè)定氫濃度本身及上述氫濃度差本身存在困難，因此，分別將與氫濃度成比例的[1Fz^sr]作為氫濃度的直接的指標(biāo)，將與上述氫濃度差成比例的“頂面的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差”及“頂面的標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度與底面的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差”作為上述氫濃度差的直接的指標(biāo)使用。
[0112]在此，在本說明書中，[1H-Z^sr]是指在以下的分析條件下測(cè)定的值。
[0113](分析條件)
[0114]測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置
[0115]初級(jí)離子種類:Cs+
[0116]初級(jí)加速電壓:5.0kV
[0117]初級(jí)離子電流:I PA
[0118]初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
[0119]光柵尺寸:200X 200 ii m2
[0120]檢測(cè)區(qū)域:40X 40 Um2
[0121]次級(jí)離子極性:負(fù)
[0122]使用中和用的電子槍[0123]下面，對(duì)[1H-Z^srh標(biāo)準(zhǔn)化強(qiáng)度及標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度進(jìn)行說明。次級(jí)離子質(zhì)譜中的元素M的同位素M1的次級(jí)離子強(qiáng)度Imi與初級(jí)離子強(qiáng)度Ip、基質(zhì)的濺射率Y、元素M的濃度Cm(相對(duì)于總濃度的比)、同位素M1的存在概率Ci1、元素M的次級(jí)離子化率Pm、及質(zhì)譜儀的穿透效率n(包含檢測(cè)器的檢測(cè)效率)成比例。
【權(quán)利要求】
1.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中， 頂面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的深度5~10 ii m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對(duì)值為0.35以下，所述深度5~10 m處的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度為深度5~10 m處的氫濃度除以深度50~55 ii m處的氫濃度所得的值； 在此，深度5~10 ii m處的氫濃度及深度50~55 ii m處的氫濃度為在以下的分析條件下測(cè)得的值， (分析條件) 測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置 初級(jí)離子種類=Cs + 初級(jí)加速電壓:5.0kV 初級(jí)離子電流:lu A 初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°
光柵尺寸:200 X 200 ii m2
檢測(cè)區(qū)域:40X40iim2
次級(jí)離子極性:負(fù)
使用中和用的電子槍。
2.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中，` 底面的深度5~10 ii m處的平均H/Si強(qiáng)度相對(duì)于頂面的深度5~10 ii m處的平均H/Si強(qiáng)度之比為1.65以下。
3.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃，其具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中， 底面的深度5~30 ii m處的表層P -OH相對(duì)于頂面的深度5~30 ii m處的表層P -OH之比為1.27以下。
4.一種化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其包括對(duì)浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化以制造化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃，所述浮法玻璃具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其特征在于， 該浮法玻璃的頂面的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度與底面的標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度之差的絕對(duì)值為0.35以下，所述標(biāo)準(zhǔn)化氫濃度為深度5~10 y m處的氫濃度除以深度50~55 y m處的氫濃度所得的值； 在此，深度5~10 ii m處的氫濃度及深度50~55 ii m處的氫濃度為在以下的分析條件下測(cè)得的值， (分析條件) 測(cè)定裝置:具有四極質(zhì)譜分析儀的次級(jí)離子質(zhì)譜分析裝置 初級(jí)離子種類=Cs + 初級(jí)加速電壓:5.0kV 初級(jí)離子電流:lu A 初級(jí)離子入射角(與試樣面的垂直方向的角度):60°光柵尺寸:200 X 200 ii m2 檢測(cè)區(qū)域:40X40iim2 次級(jí)離子極性:負(fù) 使用中和用的電子槍。
5.一種化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃的制造方法，所述化學(xué)強(qiáng)化用浮法玻璃具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其中， 底面的深度5~10 ii m處的平均H/Si強(qiáng)度相對(duì)于頂面的深度5~10 ii m處的平均H/Si強(qiáng)度之比為1.65以下。
6.一種化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其包括對(duì)浮法玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化以制造化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃，所述浮法玻璃具有在成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面，其特征在于， 該浮法玻璃的底面的深度5~30 ii m處的P -OH相對(duì)于頂面的深度5~30 ii m處的3-OH之比為1.27以下。
7.如權(quán)利要求4~6中任一項(xiàng)所述的化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的制造方法，其中，化學(xué)強(qiáng)化浮法玻璃的表面壓縮應(yīng)力為 600MPa以上，壓縮應(yīng)力層的深度為15iim以上。
【文檔編號(hào)】C03B18/02GK103619764SQ201280031658
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2012年6月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月1日
【發(fā)明者】山中一彥, 小池章夫, 藤原祐輔, 小林大介, 網(wǎng)野陽介, 秋山良司, 白井正信 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社