專利名稱：一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層及其制備方法，屬于化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，適用于炭/炭復(fù)合材料、炭/陶復(fù)合材料、石墨、碳化物陶瓷等材料的表面涂層與高溫防護(hù)。
背景技術(shù)：
炭/炭復(fù)合材料具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率以及良好的抗熱震性能，是用于固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)喉襯較為理想的燒蝕結(jié)構(gòu)材料。炭/炭復(fù)合材料喉襯在500°C以上高溫有氧環(huán)境下的迅速氧化將導(dǎo)致其力學(xué)性能的迅速衰減。喉襯工作時(shí)若被嚴(yán)重?zé)g，則很難保持穩(wěn)定的氣動(dòng)外形，將直接影響發(fā)動(dòng)機(jī)的推力和效率。炭/炭復(fù)合材料較高的燒蝕率已經(jīng)無法滿足新一代固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)對(duì)材料的性能要求。因此，提高炭/炭 復(fù)合材料的抗燒蝕性能極其重要。在炭/炭復(fù)合材料表面涂覆抗燒蝕涂層是較為理想的措施。針對(duì)炭/炭復(fù)合材料在超高溫條件下的燒蝕保護(hù)，目前國(guó)際上傾向于在炭/炭復(fù)合材料工作表面涂覆難熔金屬碳化物(HfC、TaC、ZrC)用作固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)喉襯，且以化學(xué)氣相沉積法制備的涂層性能最好?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于可對(duì)涂層材料組成和結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)和控制，并可在較低溫度下完成對(duì)高熔點(diǎn)材料的制備，設(shè)備簡(jiǎn)單，易于操作，且通過對(duì)沉積設(shè)備的改造利用共沉積可以實(shí)現(xiàn)不同組分或多層涂層的一次性沉積。目前，俄羅斯、美國(guó)、中國(guó)均實(shí)現(xiàn)了采用CVD技術(shù)在C/C復(fù)合材料表面制備HfC、TaC和ZrC單一涂層。Futamoto、Ache、Emig等人均采用HfCl4-CH4-H2系統(tǒng)，利用CVD技術(shù)制備出了 HfC涂層。單一涂層用于炭/炭復(fù)合材料抗燒蝕保護(hù)具有其局限性，很難滿足固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)喉襯所處復(fù)雜的燒蝕環(huán)境。因此，開發(fā)多層涂層體系或復(fù)相涂層體系，可充分利用涂層內(nèi)多相組元各自的特點(diǎn)達(dá)到對(duì)炭/炭復(fù)合材料最佳的抗燒蝕防護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之不足而提供一種組分配比合理、工藝簡(jiǎn)單、操作方便、與基體結(jié)合良好，無層間和貫穿裂紋，具有優(yōu)異的抗熱震和抗燒蝕性能的Hf(Ta)C超聞溫復(fù)相涂層及其制備方法。有效提聞炭/炭復(fù)合材料、石墨、碳化物陶瓷等材料的超聞溫防護(hù)性能。本發(fā)明一種Hf (Ta) C超高溫復(fù)相涂層，所述Hf (Ta) C超高溫復(fù)相涂層由Hf C與HfTaC2組成，其中HfTaC2的摩爾分?jǐn)?shù)為6_50%，均勻或梯度分布在涂層中。本發(fā)明一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，是將經(jīng)過表面處理的基體材料置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中，以四氯化鉿和五氯化鉭混合粉末為鉿源和鉭源；甲烷為碳源；氬氣為稀釋氣體；氫氣為還原氣體，沉積溫度為1300-1700°C，沉積時(shí)間為1-20小時(shí)，沉積壓力為O. I-IOOkPa ;將混合粉末輸送至沉積爐反應(yīng)器內(nèi)部，在基體材料表面沉積制備Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層，沉積完成后，隨爐氮?dú)獗Ｗo(hù)冷卻至室溫，出爐。
本發(fā)明一種Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，所述基體材料置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中，先抽真空至爐內(nèi)壓力低于IOOPa后，通入氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣體，然后，以5-10°C /min的升溫速率升溫至沉積溫度；向爐內(nèi)通入氫氣，待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定后，通入甲烷，控制爐內(nèi)壓力為O. Ι-lOOkPa，進(jìn)行沉積。本發(fā)明一種Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，所述混合粉末是將HfCl4和TaCl5粉末按摩爾比HfCl4/TaCl5=(l-10)/l在真空手套箱中，氬氣保護(hù)下，進(jìn)行機(jī)械混合均勻得到的HfCl4+TaCl5混合粉末。本發(fā)明一種Hf (Ta) C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，所述Hf Cl4粉末的粒度為50-100目；所述TaCl5粉末的粒度為50-100目。本發(fā)明一種Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，所述的CH4、H2氣體按摩爾比CH4/H2=l/(l-20)配置；且所述 CH4 與 HfCl4(TaCl5)的摩爾比滿足 CH4/ (HfCl4+TaCl5)= (O. 2-5) /I。本發(fā)明一種Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，所述的混合粉末由機(jī)械送粉裝置均勻連續(xù)輸送至沉積爐反應(yīng)器內(nèi)部。本發(fā)明一種Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，所述基體材料表面選自C/C復(fù)合材料、石墨、碳化物陶瓷中的一種。本發(fā)明一種Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，基體材料表面處理是對(duì)基體材料表面進(jìn)行拋光、超聲波酒精清洗、真空干燥；所述拋光是用4000目以上SiC砂紙將基體材料表面打磨拋光；所述超聲波酒精清洗是將基體材料置于酒精中，用40kHz赫茲的超聲波清洗30min ;所述真空干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間120min。本發(fā)明采取上述工藝方法具有以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果(I)本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積制備涂層的成分和結(jié)構(gòu)可控性，可通過改變混合粉末中HfCl4和TaCl5比例、CH4和H2比例和CH4和(HfCl4+TaCl5)比例可制備具有不同相比例和不同結(jié)構(gòu)的Hf (Ta)C復(fù)相涂層。(2) Hf(Ta)C復(fù)相涂層可在化學(xué)氣相沉積爐中一次沉積而成，涂層物相由HfC和HfTaC2組成，且與基體結(jié)合良好，無層間和貫穿裂紋存在，具有較好的抗熱震性能。(3 )Hf (Ta) C復(fù)相涂層可彌補(bǔ)單一涂層的局限性，在燒蝕過程中可充分發(fā)揮涂層各物相的優(yōu)勢(shì)，滿足對(duì)基體材料長(zhǎng)時(shí)間高溫防護(hù)。(4)Hf (Ta) C復(fù)相涂層燒蝕后可生成Hf6Ta2O17相，其優(yōu)異的相穩(wěn)定性可減少相變對(duì)涂層燒蝕產(chǎn)物破壞，且對(duì)HfO2的高溫?zé)Y(jié)起到抑制作用。本發(fā)明制備的涂層在燒蝕60s后，涂層仍然保持完整，無開裂或脫落現(xiàn)象，且與基體仍然保持較好的結(jié)合狀態(tài)；涂層質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為O. 01-0. 03mg. cm-3, s—1和O. 38-0. 52 μ m. s—1，較單一難熔金屬碳化物涂層抗燒蝕性能有所提高。該復(fù)相涂層在燒蝕過程保持了極好的尺寸和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，具有優(yōu)異的抗熱震性能和抗燒蝕性能。綜上所述，本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、操作方便，一次加熱，可一次沉積不同相比例、不同組織結(jié)構(gòu)復(fù)相涂層，涂層與基體結(jié)合良好，無貫穿和層間裂紋，抗熱震性能與抗燒蝕性能優(yōu)越；適用于炭/炭復(fù)合材料、石墨、碳化物陶瓷、金屬等材料的超高溫防護(hù)，特別適用于固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)C/C喉襯材料的超高溫防護(hù)。


附圖I為本發(fā)明實(shí)施例一在炭/炭復(fù)合材料表面沉積的超高溫Hf (Ta)C復(fù)相涂層表面的X射線衍射圖譜。附圖2本發(fā)明實(shí)施例一在炭/炭復(fù)合材料表面沉積的抗燒蝕Hf (Ta) C復(fù)相涂層的表面形貌掃描電鏡照片。附圖3為本發(fā)明實(shí)施例一在炭/炭復(fù)合材料表面沉積的抗燒蝕Hf (Ta)C復(fù)相涂層的截面掃描電鏡照片。附圖4為附圖3中A區(qū)形貌放大50000倍掃描電鏡照片。附圖5為本發(fā)明實(shí)施例一在炭/炭復(fù)合材料表面沉積的抗燒蝕Hf (Ta)C復(fù)相涂層的截面EDS線掃描結(jié)果。 附圖6為本發(fā)明實(shí)施例一在炭/炭復(fù)合材料表面沉積的抗燒蝕Hf (Ta) C復(fù)相涂層燒蝕60s后的表面X射線衍射圖譜。附圖7為本發(fā)明實(shí)施例一在炭/炭復(fù)合材料表面沉積的抗燒蝕Hf (Ta)C復(fù)相涂層燒蝕60s后表面形貌的掃描電鏡照片。從附圖I可以看出，復(fù)相涂層由HfC和HfTaC2組成，分別對(duì)應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片65-7862 和 65-8216。從附圖2可以看出，復(fù)相涂層表面由納米顆粒堆積而成。從附圖3可以看出，復(fù)相涂層內(nèi)部無層間和貫穿裂紋，且與炭/炭基體結(jié)合良好。從附圖4可以看出，復(fù)相涂層呈納米顆粒緊密堆積結(jié)構(gòu)特征，納米介孔分布均勻。從附圖5可以看出，復(fù)相涂層內(nèi)部鉿、鉭和碳元素沿涂層截面方向分布均勻。從附圖6可以看出，復(fù)相涂層燒蝕60s后表面由HfO2和Hf6Ta2O17組成。從附圖7可以看出，本發(fā)明復(fù)相涂層燒蝕后表面由重結(jié)晶的氧化物晶粒組成，Hf6Ta2O17的存在可有效抑制氧化物晶?？焖匍L(zhǎng)大。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例制備的涂層，按照GJB323A-96，對(duì)涂層樣品進(jìn)行燒蝕實(shí)驗(yàn)以及燒蝕率計(jì)算。燒蝕時(shí)間60s。實(shí)施例一首先用SiC砂紙將C/C復(fù)合材料打磨拋光，超聲波酒精清洗30min，120°C真空干燥2h后備用；將四氯化鉿和五氯化鉭粉末置于真空手套箱中，氬氣保護(hù)狀態(tài)下將兩種粉末以摩爾比4/1機(jī)械混合；將得到的多元前驅(qū)體混合粉末置于機(jī)械送粉裝置中，將經(jīng)過表面處理的炭/炭復(fù)合材料基體置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中。打開真空系統(tǒng)，使氣相沉積爐內(nèi)保持低壓狀態(tài)(低于IOOPa);通入氬氣保護(hù)，開啟加熱系統(tǒng)，升溫速率為5°C /min，升溫至1300°C ;升溫至1300°C后，通入氫氣。待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定后，通入甲烷，且保證CH4/H2=1/8、CH4/ (HfCl4+TaCl5)=3/l,同時(shí)打開機(jī)械送粉裝置，控制反應(yīng)爐內(nèi)部壓力維持3-5kPa，沉積2小時(shí)。沉積過程完成后，氬氣保護(hù)，隨爐冷卻。室溫后將樣品取出。制備出的復(fù)相涂層由HfC和HfTaC2組成，且兩相摩爾含量為74%和26%。復(fù)相涂層呈納米顆粒堆積結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例制備的涂層按照GJB323A-96，燒蝕60s后，涂層仍然保持完整，無開裂或脫落現(xiàn)象，且與基體仍然保持較好的結(jié)合狀態(tài)；涂層質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為O. Olmg. cm 3· s 1 和 O. 38 μ m. s、實(shí)施例二首先用SiC砂紙將石墨打磨拋光，超聲波酒精清洗30min，120°C真空干燥2h后備用；將四氯化鉿和五氯化鉭粉末置于真空手套箱中，氬氣保護(hù)狀態(tài)下將兩種粉末以摩爾比1/1機(jī)械混合；將得到的多元前驅(qū)體混合粉末置于機(jī)械送粉裝置中，將經(jīng)過表面處理的炭/炭復(fù)合材料基體置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中。打開真空系統(tǒng)，使氣相沉積爐內(nèi)保持低壓狀態(tài)(低于IOOPa);通入氬氣保護(hù)，開啟加熱系統(tǒng)，升溫速率為8V /min，升溫至1650°C ;升溫至1650°C后，通入氫氣。待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定后，通入甲烷，且保證CH4/H2=l/20、CH4/ (HfCl4+TaCl5) =0. 2/1，同時(shí)打開機(jī)械送粉裝置，控制反應(yīng)爐內(nèi)部壓力維持95-100kPa，沉積I小時(shí)。沉積過程完成后，氬氣保護(hù)，隨爐冷卻。室溫后將樣品取出。制備出的復(fù)相涂層由HfC和HfTaC2組成，且兩相摩爾含量為52%和48%。復(fù)相涂層呈粗大柱狀晶結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例制備的涂層按照GJB323A-96，燒蝕60s后，涂層仍然保持完整，無開裂或脫落現(xiàn)象，且與基體仍然保持較好的結(jié)合狀態(tài)；涂層質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為O. 03mg. cm 3· s 1 和 O. 47 μ m. s 1O實(shí)施例三首先用SiC砂紙將ZrC陶瓷打磨拋光，超聲波酒精清洗30min，120°C真空干燥2h后備用；將四氯化鉿和五氯化鉭粉末置于真空手套箱中，氬氣保護(hù)狀態(tài)下將兩種粉末以摩爾比10/1物理混合；將得到的多元前驅(qū)體混合粉末置于機(jī)械送粉裝置中，將經(jīng)過表面處理的炭/炭復(fù)合材料基體置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中。打開真空系統(tǒng)，使氣相沉積爐內(nèi)保持低壓狀態(tài)(低于IOOPa);通入氬氣保護(hù)，開啟加熱系統(tǒng)，升溫速率為10°c /min，升溫至1400°C;升溫至1400°C后，通入氫氣。待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定后，通入甲烷，且保證CH4/H2=1/1、CH4/ (HfCl4+TaCl5)=5/l，同時(shí)打開機(jī)械送粉裝置，控制反應(yīng)爐內(nèi)部壓力維持O. 1-0. 5kPa，沉積時(shí)間10小時(shí)。沉積過程完成后，氬氣保護(hù)，隨爐冷卻。室溫后將樣品取出。制備出的復(fù)相涂層由HfC和HfTaC2組成，且兩相摩爾含量為94%和6%。復(fù)相涂層呈顆粒堆積結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例制備的涂層按照GJB323A-96，燒蝕60s后，涂層仍然保持完整，無開裂或脫落現(xiàn)象，且與基體仍然保持較好的結(jié)合狀態(tài)；涂層質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為O. Olmg. cm 3· s 1 和 O. 42 μ m. s、實(shí)施例四首先用SiC砂紙將C/C復(fù)合材料打磨拋光，超聲波酒精清洗30min，110°C真空干燥2h后備用；將四氯化鉿和五氯化鉭粉末置于真空手套箱中，氬氣保護(hù)狀態(tài)下將兩種粉末以摩爾比6/1物理混合；將得到的多元前驅(qū)體混合粉末置于機(jī)械送粉裝置中，將經(jīng)過表面處理的炭/炭復(fù)合材料基體置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中。
打開真空系統(tǒng)，使氣相沉積爐內(nèi)保持低壓狀態(tài)(低于IOOPa);通入氬氣保護(hù)，開啟加熱系統(tǒng)，升溫速率為5°C /min，升溫至1500°C ;升溫至1500°C后，通入氫氣。待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定后，通入甲烷，且保證CH4/H2=1/14、CH4/ (HfCl4+TaCl5) =2/1，同時(shí)打開機(jī)械送粉裝置，控制反應(yīng)爐內(nèi)部壓力維持30-32kPa，沉積時(shí)間3小時(shí)。
沉積過程完成后，氬氣保護(hù)，隨爐冷卻。制備出的復(fù)相涂層由HfC和HfTaC2組成，且兩相摩爾含量為68%和32%。復(fù)相涂層呈針狀晶結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例制備的涂層按照GJB323A-96，燒蝕60s后，涂層仍然保持完整，無開裂或脫落現(xiàn)象，且與基體仍然保持較好的結(jié)合狀 態(tài)；涂層質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為
O.02mg. cm 3· s 1 和 O. 52 μ m. s、從實(shí)施例1-4制備的涂層燒蝕結(jié)果可以看出，本發(fā)明制備的涂層在燒蝕60s后，涂層仍然保持完整，無開裂或脫落現(xiàn)象，且與基體仍然保持較好的結(jié)合狀態(tài)；涂層質(zhì)量燒蝕率和線燒蝕率分別為O. 01-0. 03mg. cm_3. s—1和O. 38-0. 52 μ m. s_S較單一難熔金屬碳化物涂層抗燒蝕性能有所提高。該復(fù)相涂層在燒蝕過程保持了極好的尺寸和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，具有優(yōu)異的抗熱震性能和抗燒蝕性能。
權(quán)利要求
1.一種Hf (Ta) C超高溫復(fù)相涂層，所述Hf (Ta) C超高溫復(fù)相涂層由HfC與HfTaC2組成，其中HfTaC2的摩爾分?jǐn)?shù)為6-50%，均勻或梯度分布在涂層中。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，是將經(jīng)過表面處理的基體材料置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中，以四氯化鉿和五氯化鉭混合粉末為鉿源和鉭源；甲烷為碳源；氬氣為稀釋氣體；氫氣為還原氣體，沉積溫度為1300-1700°C，沉積時(shí)間為1-20小時(shí)，沉積壓力為O. I-IOOkPa ;將混合粉末輸送至沉積爐反應(yīng)器內(nèi)部，在基體材料表面沉積制備Hf (Ta)C超高溫復(fù)相涂層，沉積完成后，氮?dú)獗Ｗo(hù)隨爐冷卻至室溫，出爐。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于所述基體材料置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中，先抽真空至爐內(nèi)壓力低于IOOPa后，通入氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣體，然后，以5-10°C /min的升溫速率升溫至沉積溫度；向爐內(nèi)通入氫氣，待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定后，通入甲烷，控制爐內(nèi)壓力為O. Ι-lOOkPa，進(jìn)行沉積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于所述混合粉末是將HfCl4和TaCl5粉末按摩爾比HfCl4/TaCl5= (1-10)/I在真空手套箱中，氬氣保護(hù)下，進(jìn)行機(jī)械混合均勻得到的HfCl4+TaCl5混合粉末。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于所述HfCl4粉末的粒度為50-100目；所述TaCl5粉末的粒度為50-100目。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于所述的CH4、H2氣體按摩爾比CH4/H2=1/ (1-20)配置；且所述CH4與HfCl4 (TaCl5)的摩爾比滿足 CH4/ (HfCl4+TaCl5) = (O. 2-5)/I。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于所述的混合粉末由機(jī)械送粉裝置均勻連續(xù)輸送至沉積爐反應(yīng)器內(nèi)部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于所述基體材料選自C/C復(fù)合材料、石墨、碳化物陶瓷中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層的制備方法，其特征在于基體材料表面處理是對(duì)基體材料表面進(jìn)行拋光、超聲波酒精清洗、真空干燥；所述拋光是用4000目以上SiC砂紙將基體材料表面打磨拋光；所述超聲波酒精清洗是將基體材料置于酒精中，用40kHz赫茲的超聲波清洗30min ;所述真空干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間120min。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層，所述Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層由HfC與HfTaC2組成，其中HfTaC2的摩爾分?jǐn)?shù)為6-50％，均勻或梯度分布在涂層中。其制備方法是將經(jīng)過表面處理的基體材料置于低壓化學(xué)氣相沉積爐中，以四氯化鉿和五氯化鉭混合粉末為鉿源和鉭源；甲烷為碳源；氬氣為稀釋氣體；氫氣為還原氣體，將混合粉末輸送至沉積爐反應(yīng)器內(nèi)部，在基體材料表面沉積制備Hf(Ta)C超高溫復(fù)相涂層。本發(fā)明彌補(bǔ)了單一涂層在燒蝕過程中的局限性，充分發(fā)揮涂層各物相的優(yōu)勢(shì)，滿足對(duì)基體材料長(zhǎng)時(shí)間高溫防護(hù)。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，便于操作，所得涂層與基體結(jié)合良好，無層間裂紋和貫穿裂紋，抗熱震性能和抗燒蝕性能優(yōu)異；適用于炭/炭復(fù)合材料、炭/陶復(fù)合材料、石墨、碳化物陶瓷等材料的表面涂層與高溫防護(hù)。
文檔編號(hào)C04B41/85GK102815971SQ201210300660
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月22日
發(fā)明者熊翔, 王雅雷, 李國(guó)棟, 孫威, 陳招科, 趙學(xué)嘉 申請(qǐng)人:中南大學(xué)